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Marco Teorico Potencia
Marco Teorico Potencia
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no
pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben
ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de
fugas.
Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
o
o
o
o
Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola
vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.
Parmetros en conduccin
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en
la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Caractersticas dinmicas
o
o
o
De donde :
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:
o
o
Y en el segundo caso:
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Influencia del trr en la conmutacin
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
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Tiempo de recuperacin directo
Volver
Disipacin de potencia
Volver
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
y como :
Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia
disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la
intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz
dividida entre la intensidad media).
Volver
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Volver
Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
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Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no
dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
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Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que pueden
manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino
incluso con su I2t y su tensin.
Volver
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caractersitca de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el
que se destruya y no el diodo.
Rectificadores monofsicos
Es sabido que, la produccin y transporte de la corriente elctrica, es de tipo alterna por
cuestiones de eficiencia energtica, sin embargo, existen innumerables dispositivos o
sistemas electrnicos que necesitan ser alimentados con un valor de tensin uniforme y
continua. Para conseguir que una corriente alterna se convierta en continua, se utilizan unos
dispositivos llamados rectificadores. Bsicamente existen dos tipos de rectificadores: de
media onda y de onda completa.
Lo indicado ms arriba queda mucho ms claro con el esquema de la imagen 11. Cuando el
generador alterno comience a producir la onda senoidal, el diodo slo permitir que pase
corriente a la carga R mientras ste sea polarizado directamente, es decir, cuando al nodo
del diodo se le aplique una polaridad positiva. Durante el semiperiodo negativo el diodo no
conducir, por lo que la carga no ser alimentada, y en ese caso habremos conseguido una
corriente pulsante tal y como se indic en la imagen 10.
Y que tenamos los valores medio (Xm) y eficaz (X) en funcin del valor mximo am
Antes de continuar hablando de los rectificadores, puede ser interesante analizar con detalle
el funcionamiento de un diodo. Partimos de la premisa de que un diodo es, tericamente, un
elemento lineal y que su resistencia en polarizacin inversa es infinita. Esto, en rigor, no es
exacto, pues cerca del origen de coordenadas en un diagrama V-I el diodo no muestra esa
linealidad de la que antes hablbamos y en polarizacin inversa hay una pequea corriente,
casi despreciable, que atraviesa el diodo.
Puesto que, para que un diodo conduzca en polarizacin directa, se necesitan en torno a 0,7
V, esa tensin deber ser restada a la carga y adems el tiempo de alimentacin de la carga
ser inferior al de un semiperiodo, pues debe alcanzarse la tensin de base de 0,7 V. As
mismo, tal y como refleja la grfica real, existe una corriente inversa que permanece
constante durante el semiperiodo negativo, independientemente de la resistencia de la
carga.
Todas estas consideraciones, a pesar de ser interesantes, pueden despreciarse, pues la
resistencia del diodo suele ser muy pequea frente a la de la carga y la tensin de base
igualmente suele ser insignificante frente a la tensin de pico de la onda senoidal.
En el tema de Ondas senoidales hablamos de los valores medios y eficaces de una onda,
que aplicados al presente caso nos dar:
Como observars, dividimos por dos el valor medio porque slo estamos rectificando
media onda. De igual manera podemos escribir los valores medios para la tensin:
Del mismo modo, podemos calcular los valores eficaces, recordando las expresiones:
Si las flechas estticas de las imgenes anteriores no te sirven para aclararte, tal vez te ayude el
siguiente vdeo. Ten en cuenta que la distribucin de los diodos en el esquema no es idntica, pero
el funcionamiento del circuito es exactamente igual, slo basta con comprobar el conexionado de
las bobinas secundarias a los diodos y el conexionado de stos a la resistencia, para comprobar
que, en efecto, es el mismo circuito.
Habrs observado que la carga siempre recibe positivo por el mismo sitio,
independientemente de que sea el semiperiodo positivo o negativo el que se produce en la
secuencia de funcionamiento. Esto significa que la tensin aplicada sobre la resistencia ser
como la indicada en la imagen:
De forma similar a lo que ocurra con el rectificador de media onda, los valores de tensin y
de intensidad que obtendremos sern:
En este caso ya no dividimos los valores de Im y Vm por dos, ya que rectificamos la onda
completa.
Existe una variante del rectificador de onda completa que puede conseguirse con la mitad de
diodos, en ese caso, se utiliza un transformador con toma intermedia.
(1.1)
(1-2)
en donde Iorms indica la corriente eficaz de salida.
En el circuito trifsico de media onda el ngulo de conduccin de los diodos vale
120.
IFAV = Io / 3 ;
IF rms = (1 / 3) Io rms
idnticos en lo
esencial.
Los siguientes datos son comunes siempre que las tensiones de los secundarios
sean
idnticas:
la tensin entre las fases del transformador conectado en tringulo debe ser 3
veces
la
del
secundario
conectado
en
estrella.
Las frmulas para las corrientes media y eficaz de cada diodo son idnticas a las
del circuito trifsico de media onda, es decir:
IFAV = Io / 3 ;
IF rms = (1 / 3) Io rms
Consideremos ahora el circuito junto con las formas de onda que muestra la figura
4. Si la fase R es la ms positiva, el diodo D1 empezar a conducir cuando s.t =
/6
La corriente circula a
travs de D1 hacia la
carga y retorna al
transformador a travs
del diodo D5 o D6, segn
que la fase ms negativa
sea la Y o la B,
respectivamente. Cuand
o s.t = /6, la fase Y es
la ms negativa y la
corriente retornar a
travs del diodo
D5. Cuando s.t = /6, la
fase B ser la ms
negativa y la corriente de
retorno circular por D6.
IF rms = (1 / 6) Io rms
La principal ventaja de este circuito consiste en que todos los diodos se hallan
conectados a un terminal comn y, por tanto, pueden montarse en un mismo
radiador. Por lo general se utiliza solamente para conversin de potencias
reducidas, debido al bajo factor de utilizacin del secundario del transformador.
La bobina de
compensacin acta
como divisor inductivo
equilibrando las
diferencias en los valores
instantneos de las
tensiones de salida. Este
mtodo puede aplicarse
tanto en circuitos
rectificadores de media
onda como en los de onda
completa.
La figura 7 representa el
circuito trifsico de media
onda en doble
estrella. Un conjunto de
tensiones trifsicas est
desfasado 60 respecto
del otro, para suministrar
una salida hexafsica.
No obstante, el ngulo de conduccin de los diodos se aproxima a 120, debido
a la presencia de la bobina de compensacin. Las corrientes media y eficaz que
circulan por cada diodo son, respectivamente:
IFAV = Io / 6
IFAV = Io / 6
En cualquier instante, la
corriente circula por dos
fases, una de cada
estrella, segn muestra la
figura 8. La corriente de
retorno se divide entre los
dos secundarios con
ayuda de la bobina de
compensacin. Por tanto,
el valor instantneo de la
tensin de salida es el
promedio de los valores
instantneos de las
tensiones de los
secundarios que en aquel
momento estn
conduciendo. Una
variacin de c.c. produce
una fem del tercer
armnico en un nodo y
se resta de la del otro, con
lo que ambos se
mantienen a una tensin
comn.
Para valores bajos de la c.c. se alcanza un punto de transicin cuando la
corriente es demasiado pequea para producir la fem del tercer armnico y el
circuito pasa a funcionar en forma de hexafsico de media onda, con lo que se
produce un repentino aumento de la tensin de salida.
Este circuito presenta una ondulacin hexafsica, pero una relacin de
tensiones trifsica. Con l se reduce la corriente secundaria de cada fase
aproximadamente a la mitad de la que corresponde a un circuito hexafsico de
media onda; por tanto, pueden utilizarse diodos con menores valores lmite de
corriente de pico, aunque los valores de la tensin inversa de pico deben ser algo
mayores.
Este montaje se suele emplear cuando el coste de la bobina de compensacin
se amortiza con la economa obtenida empleando diodos con valores lmite de
corrientes relativamente bajos. Se utiliza a menudo para los baos electrolticos
(baja tensin y gran corriente). El factor de utilizacin del primario y el del
secundario son elevados; sin embargo, este ltimo factor es 2 veces menor que
el del circuito trifsico en puente.
La frecuencia ser el triple de la de red.
Prdidas
En las grandes instalaciones alimentadas por red trifsica las prdidas son
importantes, tanto por lo que se refiere al mal aprovechamiento de potencia como
a la cada de tensin (regulacin).
Regulacin de tensin
La regulacin de tensin depende de tres factores principales: prdidas en el
cobre del transformador, cada de tensin en los diodos y cada de tensin en la
conmutacin.
Prdidas de potencia
Las principales prdidas de potencia en una instalacin se debern al
transformador (prdidas en el ncleo y en el cobre) y a los diodos. Las prdidas
en el transformador se pueden determinar mediante dos pruebas que se describen
a continuacin.
Para la prueba en circuito abierto se deja el secundario sin conectar y se miden
la corriente y la potencia de alimentacin a tensin y frecuencia nominales. La
corriente I(oc) es la suma de la corriente de imanacin y las componentes de
prdidas en el ncleo. La potencia indicada W(oc) representa las prdidas en el
cobre y en el ncleo. Las primeras son pequeas, puesto que I(oc) es pequea
comparada con la corriente, a plena carga, por lo cual pueden despreciarse.
En la prueba en cortocircuito, se cortocicuita el primario o el secundario y se
aumenta gradualmente la tensin hasta que por el devanado circula la corriente
especificada. Se mide la tensin de cortocircuito Vsc necesaria para que por el
devanado circule la corriente de plena carga. La potencia correspondiente W sc ,
representa las prdidas en el cobre, I2R, y una pequea prdida del ncleo, que
puede despreciarse.
Mediante las pruebas anteriores puede estimarse el funcionamiento de un
transformador del modo siguiente:
Potencia nominal del transformador VAn (voltamp.)
Conexin del transformador
Estralla-tringulo
VL
Trifsico de onda
completa puente
completa
Tensin de salida V0
400/1,57 = 255V
400/1,05 = 380V
Corriente de salida I0
2 x 20 = 40A
3 x 20 = 60A
255 x 40 = 10,2 kW
380 x 60 = 22,8 kW
kW de CC por diodo
10,2 / 4 = 2,55 kW
22,8 / 6 = 3,8 kW
Alimentacion de motores de c c
En un motor CC, la velocidad y la corriente que necesita el motor dependen de la carga
que tenga aplicada.
En este tipo de motor parte de la tensin aplicada se pierde en la resistencia interna
(resistencia del devanado de excitacin). El resto de la tensin se utiliza para hacer girar el
motor.
Cuando la carga de un motor cc aumenta, tambin aumenta la corriente que consume este.
Esta corriente causa una cada de tensin mayor en la resistencia interna del motor
(resistencia del devanado excitacin)
Como la alimentacin del motor CC permanece constante, la tensin aplicada para hacer
girar el motor es menor y en consecuencia la velocidad de giro del motor es menor
Ver la siguiente frmula: Vb = Vm Ia x Ra
Donde:
Vb: tensin real utilizada hacer girar el motor.
Vm: Tensin aplicada a todo el conjunto motor.
Ra: Resistencia del devanado de excitacin (resistencia interna).
Ia: corriente que circula por el motor.
Ia x Ra: es la tensin que se pierde en la resistencia interna del motor CC. Ver que
depende directamente de Ia (corriente de alimentacin del motor).
El transistor de potencia
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los
transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Coste
Alto
Medio
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en
corriente de los transistores bipolares:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
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Tiempos de conmutacin
Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos
en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un
pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor
apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas
aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero
de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo
de encendido (ton).
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual
puede conmutar el transistor:
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Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV,
corriente media por el colector).
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo
(colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET.
Este valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin
en saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia
esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
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Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de
los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :
Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a
una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal
del transistor para amplificacin.
Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y
a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
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Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o la
tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor
en directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la
zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del
dispositivo (anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es
proporcional al grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y
alcanzando cierto valor, se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con
el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos
catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha
secundaria (o tambin segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica
anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria
durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra
unas curvas lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como
curvas FBSOA.
Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente
pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en
el centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que
la avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE
durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
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a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la
tensin de la fuente Vcc).
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta,
donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte (punto B) se produce de
forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
de donde :
Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado
totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de
ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturacin el
transistor :
Volver
La grfica superior muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff) para
el caso de una carga resistiva.
donde IC ms vale :
As, la potencia instantnea por el transistor durante este intervalo viene dada por :
La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral de la
potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:
De forma similar, la energa (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene dado
como:
Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error
apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:
Volver
Arriba podemos ver la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga inductiva. La energa perdida
durante en ton viene dada por la ecuacin:
Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que VCE es de un
valor nfimo durante este tramo.
Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo
debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo
(conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene como:
Volver
Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de base,
tal y como se muestra en la figura anterior.
Puede verse como el semiciclo positivo est formado por un tramo de mayor amplitud que
ayude al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud
suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser
excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El otro semiciclo comienza con un
valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor est en corte, se hace cero
para evitar prdidas de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms
rpidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositivo
con una seal como el de la figura anterior. Para esto se puede emplear el circuito de la
figura siguiente.
Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (mx). En estas
condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:
Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:
A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de tiempo
de valor R2C.
Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:
con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal negativa.
As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento :
En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:
Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2,
obtendremos que IC sea mayor que IL:
Veamos...
El transistor NPN
El transistor PNP
Metal
La figura muestra las
magnitudes bsicas a tener en
cuenta en el esquema de bandas de
dichos dispositivos.
xido
Semiconductor
- El trabajo de extraccin o E
FM
potencial de ionizacin del metal del
metal (M): diferencia de energa
MOS IDEAL (Banda Plana)
entre el nivel del vaco y el nivel
de Fermi del metal.
- La banda prohibida del xido,
mucho ms grande que la del
semiconductor (10-12 eV en el
caso del SiO2).
- La afinidad electrnica del
semiconductor (M) : diferencia
de energa entre el nivel del vaco
y el mnimo de la banda de
conduccin del semicon-ductor,
- La banda prohibida
semiconductor.
S
EFS
M = S
S-n
S
EFS
EFM
ei
del
S-n
BANDA PLANA
V>0
----
CARGA DE ESPACIO
MOS -n IDEAL EN AGOTAMIENTO V<0
La
siguiente
figura
muestra el esquema de bandas
del MOS cuando aplicamos una
tensin negativa al metal, que
repele los electrones de la interfaz
xido / semiconductor. El nivel de
Fermi se desplaza hacia el centro
de la banda prohibida. En la zona
del semicon-ductor prxima a
dicha interfaz se forma una zona
de agotamiento (carga de
espacio), con una densidad de
carga igual a la concentracin de
impurezas ionizadas. Al ir
aumentando el valor absoluto de
la tensin aplicada, se mantendr
esta situacin de carga de
espacio mientras el potencial de
superficie
sea
inferior
a
(aproximadamente) el potencial i ,
diferencia entre el nivel de Fermi y el
centro de la banda prohibida.
|Vs|<2i
++
++
++
V<0
V<0
EFS
M
O
S-n
EFM
eV
INVERSIN DE PORTADORES
EFS
M
O
S-n
La figura muestra el
esquema de bandas de un
dispositivo MOS ideal a cierta
tensin de polarizacin V.
S-p
EFS
eV
EFM
V Vox VS
VS
C MOS
dox
QS=-eNAW
E
E=QS/S
eN aW 2
2 s
QM
V
VS
1
1
Cox C S
d 2V
( x)
e
N A n( x) p( x)
dx 2
s
s
En cada punto la concentracin de electrones y huecos depender del potencial V(x) y si
suponemos que no hay degeneracin:
eV
eV
d 2V
e
kT
kT
n
e
p
e
A
p0
p0
2
dx
s
eV
eV
d 2V
e
kT
dV N A n p 0 e p p 0 e kT dV
2
dx
s
1 dV
e
2 dx
s
eV
eV
kT kT
kT kT
N
V
n
e
p
e
Cte
A
p0
p0
e
e
e
kT
kT
n p0
p p0
Cte
s
e
e
1 dV
1
e
2
E ( x )
2 dx
2
s
eV
eV
kT kT
kT kT
N
V
n
e
p
e
A
p0
p
0
e
e
QS
obtenemos:
1 QS
2 S
eV
eV
e
kT kTs
kT kTS
e 1 p p 0
e
N AVs n p 0
s
e
e
QS s
eV
eV
2e
kT kTs
kT kTS
N
V
n
e
p
e
1
A s
p0
p
0
s
e
e
A partir de esta ecuacin resulta inmediato obtener la capacidad por unidad de superficie de la
zona de carga en el semiconductor:
s
S
2e
N A n p 0 e kT p p 0 e kT
s
eV
CS
dQS
s
dVS
2
eV
eV
eV
2e
kT kTs
kT kTS
e 1 p p 0
e
1
N AVs n p 0
s
e
e
QS 2 s p p 0 kT e
eVS
2 kT
CS
e 2 s p p 0
2kT
eVS
2 kT
QS s
2e
CS s
N AVS
2e
NA
1
e s N A
2VS
2 VS
- Inversin (VS>2i)
QS 2 s n p 0kT e
eVS
2 kT
CS
e2 s n p 0
2kT
eVS
e 2 kT
CS s
eV
eV
2e
N A n p 0 (1 s ) p p 0 (1 s )
s
kT
kT
2e
kT eV s 1 eV s
2
N AVs n p 0
s
e kT 2 kT
eV s 1 eV s 2
kT
p p0
kT 2 kT
e
2e
CS s
2
2e
p p0
p p0
eV s
kT
kT 1 eV s
e 2 kT
s
p p 0 kT
s
LD
e s
2
Como era de esperar, en condiciones de banda plana, el campo solo penetra en el semiconductor
hasta una distancia de la superficie del orden de la longitud de Debye.
Conocida la contribucin del semiconductor, podemos calcular la capacidad del dispositivo MOS:
1
CMOS
1
1
Cox CS
CMOS Cox
ox
d ox
1
CMOS
dox
ox
LD
CMOS
CMOS CS
ox S
S dox ox LD
Con estos clculos previos la dependencia de la capacidad del MOS con la tensin sera la que
muestra la curva BF en la siguiente figura:
El hecho de que tengamos que distinguir entre BF (baja frecuencia) y HF (alta frecuencia) est
relacionado con la respuesta de los portadores mayoritarios y minoritarios. En acumulacin, la
carga superficial es de portadores mayoritarios por lo que la carga acumulada vara rpidamente
con las variaciones del campo. Igual sucede en agotamiento, ya que bsicamente la carga se
acumula al retirarse o acercarse los portadores mayoritarios.
La situacin es muy diferente en inversin, ya que la zona de inversin est separada de la zona
neutra por una zona de agotamiento. A baja frecuencia, los portadores minoritarios pueden ser
atrados a la superficie desde la zona neutra o desde la zona de carga de espacio mediante
mecanismos de generacin trmica y la capacidad del MOS coincide con la del xido. A alta
frecuencia no hay tiempo para atraer los portadores minoritarios a la superficie y la capacidad del
MOS queda bloqueada en la capacidad de la zona de carga de espacio, tal como muestra la
siguiente figura:
Toda la tensin continua aplicada cae en la zona de inversin, por lo que la zona de agotamiento
se mantiene, a partir de VS=2i, a una tensin constante y la capacidad no vara. En agotamiento
e inversin dbil el MOS se comporta como una unin p-n abrupta y el potencial sigue una ley
cuadrtica:
V ( x) VS 1
W
VS
eN AW 2
2 s
WMAX
2 sVS
eN A
4 s i
eN A
VSMAX 2 i 2( Ei E F ) 2
kT N A
ln
e
ni
WMAX
4 s kT ln( N A / ni )
e2 N A
C MOS
d ox
ox
WMAX
C MOS
ox
d ox ( ox / s )WMAX
VG=0
VG>0
VD
G
ID=0
S
n
VD
D
ID
S
n
Canal de inversin n
En ausencia de polarizacin de la puerta, entre S y G la resistencia es muy alta por tratarse de dos
uniones p-n en oposicin. Cuando G se polariza con una tensin positiva se genera una capa de
inversin en la interfase que pone en
contacto elctrico la fuente y el sumidero, con ID
VG4
una conductancia proporcional a la tensin de
puerta. Podemos calcular dicha conductancia.
VG3
Supongamos que la zona de inversin tiene
una longitud l una anchura a y un grosor d. La
VG2
conductancia ser:
VG1
da
da
en
l
l
VD
G e nd d 0
a
a
a ox
enS
VS
l
l
l d ox
a ox
VSVD
l ed ox
La figura muestra la representacin
habitual de las caractersticas IDS(VSD)
para diferentes tensiones de puerta, tiles
en su aplicacin como amplificador de
alta impedancia de entrada (debido al
aislamiento elctrico entre la puerta y los
otros terminales).
I SD GVD e
ese tiempo es necesarioconsiderar como se generan los portadores que van a formar la zona
de inversin a partir de una trampa situada en el centro de la banda prohibida. Si suponenos
que el tiempo de captura para electrones y huecos por la trampa es el mismo, la velocidad
de recombinacin ser:
pn ni2
C 2 ni n p
Cuando el MOS se polariza a cierta tensin de inversin los portadores son
arrastrados fuera de la zona de carga de espacio por lo que p y n sern mucho menores que
ni y quedar r ni / 2 C , lo que significa que la zona de inversin tardar en crearse un
r
VG=0
VD=VCC
R
VCC
G
D
ID=0
S
p+
Acumulacin e-
p+
R
VCC
G
D
S
p+
Canal de inversin
ID=VCC/R
p+
Si se conecta una resistencia mucho ms grande que la del canal de inversin entre
la alimentacin y el sumidero, en el primer caso la tensin VD ser la de alimentacin (el
transistor est en corte: no circula corriente). Por el contrario en lal segunda la tensin ser
prcticamente cero (el transitor est en saturacin : circula corriente entre la fuente y el
sumidero). Estas situaciones corresponderan a los valores 1 y 0 si ese transistor se utiliza
como bit de memoria.
Caractersticas de funcionamiento:
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
CARACTERSTICAS ELCTRICAS.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el latch-up
dinmico.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 s. y
pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, sera
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para
aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin
porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles
por el odo humano.
Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar
o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de
iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores
CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire
acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de
motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura.
En el caso de poseer una seal de referencia con valor medio nulo, la tensin de
salida deber adquirir polaridad positiva y negativa en rgimen deslizante. En el apartado
anterior se mostr que cuando nicamente se utiliza un interruptor bidireccional en
corriente existen inconvenientes, determinados por las inecuaciones que ofrecen la
existencia de rgimen deslizante, para garantizar el deslizamiento cuando la tensin
adquiere polaridad opuesta a la tensin de entrada. Recurdese, por otra parte, que en el
convertidor Boost el dominio de existencia de rgimen deslizante impona v>E, por lo que
al invertir la polaridad de la tensin de entrada se conseguirn dos zonas de existencia de
rgimen deslizante sin interseccin entre ellas, lo que implica que no podr lograrse
seguimiento de seal con valor medio nulo mediante control en modo de deslizamiento en
este convertidor.
Una solucin, ampliamente utilizada, que permite abordar esta problemtica consiste en
variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente mediante la utilizacin de un
puente completo de interruptores. La figura 2.4 muestra un esquema circuital de un
puente completo implementado con interruptores IGBT, mientras que la ley de
conmutacin, denominada de dos estados, viene dada segn la tabla 2.9. Para ello, se
define la variable s que indicar la polaridad de dicha fuente, de este modo cuando e=l la
fuente de entrada tiene polaridad positiva y cuando e= -l la fuente de entrada adquiere
polaridad negativa.
La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los inversores
con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y elevada
prestacin, con reducido contenido armnico y segn sea la aplicacin se puede optar por
una salida de parmetros fijos o variables:
Variacin de la tensin de salida.
Variacin de la frecuencia.
Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia.
Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cmodamente usados para esto, pero
como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido recientemente. IBGT ofrece
baja resistencia y requiere poca energa para la activacin.
La figura 3-8 nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos
solicitados por la ecuacin (3-4). Por lo tanto el motor AC puede ser controlado a
velocidades diferentes a su valor nominal y an conservar las caractersticas
nominales de su torque.
La nica forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con el
requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo tiempo,
es por medio de un circuito Inversor.
En la figura 3-8 se muestran las partes que conforman la etapa de potencia
de todo tipo de variador de velocidad de motor AC en la actualidad.
VOLTAJE SENO-PWM
Bibliografa:
http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html#1
http://educativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3079/html/421_rectificador_mon
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http://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html#1
https://sites.google.com/site/399electronicatransistores/tipos-de-transistores-bipolares
http://www.google.com.mx/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=9&cad=rja&uact=8&ved
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gTmxoLACg&usg=AFQjCNEtkMjWDtj7rjEgPRUcAp3H---Rnw&bvm=bv.88528373,d.cGU
http://www.google.com.mx/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=5&cad=rja&uact=8&ved
=0CDQQFjAE&url=http%3A%2F%2Fenlau.weebly.com%2Fuploads%2F6%2F0%2F8%2F0%2F60803
4%2Figbtcon.doc&ei=QAYLVeD7LMH6oQSp74L4DQ&usg=AFQjCNGZrXugIH5fxMqGg3mDJQQq8fcOoQ&bv
m=bv.88528373,d.cGU