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Modulo Física de Semiconductores
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Modulo Física de Semiconductores
FSICA DE SEMICONDUCTORES
CAPITULO 0.
INTRODUCCIN Y PRESABERES
sino unos FRENTES DE ONDA que corresponde a esa realidad fsica que
llamamos partcula.
Es importante hacer nfasis en que el TODO el universo sigue las leyes de la
mecnica cuntica (y la dualidad onda partcula). El asunto es que los objetos
macroscpicos, debido al orden de magnitud de sus variables fsicas (de hecho,
una variable fsica en particular), no demuestran su carcter ondulatorio
fcilmente.
Cabe entonces preguntar, cmo reconocemos el carcter
ondulatorio?
Figura 2. Por cada rendija ha atravesado un grupo grande de partculas en lnea recta.
Figura 3. Las partculas tenan direcciones ligeramente diferentes, por lo que se esparcen.
Figura 4. Distribucin de los puntos segn la distancia, centrada en la posicin donde se encuentre
la rendija
Figura 5. Dos normales superpuestas daran la distribucin central mostrada en rojo ms los
perifricos azules de cada distribucin
PLANTEAMIENTO
As pues, la interpretacin estadstica es suponer que la partcula en cuestin se
est representando con una funcin de onda cuyo significado ser, de alguna
forma, estadstico. Aqu el detalle sutil: LA PROBABILIDAD DE ENCONTRAR
UNA PARTCULA EN UN ESPACIO DADO ES IGUAL A LA NORMA DE LA
FUNCIN DE ONDA AL CUADRADO, INTEGRADA EN EL INTERVALO
ESPACIAL MENCIONADO. Esto no resulta claro a primera vista, pero quiz en
los siguientes prrafos se dilucide.
Ahora bien, la ecuacin de Schrdinger se aplicar sobre una funcin de onda tipo
senos y cosenoseste tipo de funciones tienen su forma ms general en:
(r , t ) A(r , t ) exp(i[k r wt ])
(1)
(2)
( x, t ) 2 2 ( x, t )
t
x
Respecto a esto se sugiere que se consulte un buen libro de matemticas, que contenga, claro, series
infinitas. A partir de las definiciones en forma de serie infinita es sencillo entender la identidad de Euler
10
( x, t ) 2 ( x, t )
t
x
h
2
( x, t ) 2 2 ( x, t )
t
x
( x, t ) 2 ( x, t )
t
i
j k , y no es
x
y
z
ms un operador que slo pretende significar que se hace la segunda derivada
con respecto a cada eje de coordenadas y luego se suman los resultados. Esta
ecuacin no slo es vlida para ondas estacionarias, pero el nivel de un curso de
Donde el tringulo representa el Laplaciano 2
11
(r, t ) i (r, t )
t
Para definicin y manejo de San remitirse a un libro bsico en conceptos de Mecnica Cuntica. Por ahora
se dir que es una propiedad fundamental de toda partcula, que tiene que ver con cmo se comporta en
colisiones , rbitas y otros fenmenos.
12
h*frecuencia
=
h*k/2*3,141592
h
p
(1.3.1)
= 1 x 10-2 Kgm/s
= 2,7 x 10-22 Kgm/s
INTRODUCCIN
EN esta seccin se intentar esbozar los ejemplos ilustrativos iniciales de la
mecnica cuntica, para que el estudiante se vaya familiarizando con cierto tipo de
grficas y funciones que sern utilizados posteriormente (de manera ms sencilla)
en el tratamiento de la fsica de los Semiconductores.
Cuando se examina el movimiento de una partcula, es posible generalizar ste
como el resultado de la accin de diversas fuerzas.
Como las fuerzas
conservativas son realmente las de importancia a escala microscpica y estas
fuerzas pueden asociarse a potenciales, tenemos que el movimiento de las
partculas puede ser determinado por la forma e intensidad de los potenciales que
experimenta.
En Mecnica Cuntica la primera aproximacin al tratamiento de partculas
sometidas a fuerza son los diagramas unidimensionales de potencial, por
simplicidad. El caso prctico ms sencillo (y quiz ms relevante en trminos de
electrnica) podra ser el potencial que un electrn experimenta en presencia de
un ncleo atmico. Sin embargo, ocurre que la forma de este potencial es
matemticamente compleja, debido a que la fuerza electromagntica en s misma
depende de las distancias de separacin y las velocidades, por un lado; y por el
otro la distribucin de cargas dentro de un ncleo atmico realmente NO es
uniforme (el modelo representativo puntual es slo una aproximacin, bastante
burda pero a veces til).
Por todo lo anterior, el primer tema a tratar en un estudio conceptual de funciones
de onda, potenciales, movimientos, tomos y mecnica cuntica, es
necesariamente una simplificacin de potenciales realmente existente. Desde la
matemtica, se encuentra indicado iniciar con unos niveles de potencial
constantes en un intervalo y cero fuera de l.
contenido que se tratar aqu ser utilizado por las siguientes lecciones, de
manera que lo extenso de sta redundar en una reduccin de la longitud de
posteriores secciones.
INTRODUCCIN
Las barreras y los pozos de potencial simplemente representan la situacin en que
una partcula libre (que no experimenta ningn potencial) se ve sometida a la
accin de una fuerza en un rango determinado. Un potencial positivo representa
una fuerza repulsiva, mientras que un potencial negativo representa una fuerza
atractiva.
El asunto de si es o no vlido decir que una fuerza acta SLO en un determinado
rango tiene que ver con la forma matemtica de la SUMATORIA DE EFECTOS
DINMICOS: es decir, no basta con conocer la forma matemtica de la fuerza,
sino si sta es la nica realmente presente, o si algn efecto referente a la historia
cinemtica (qu estado de movimiento tena la partcula antes de experimentar la
fuerza) podra alterar la manera como la partcula responde a la fuerza neta sobre
ella.
Finalmente, aqu asumiremos que en algunos casos el modelo de barreras y
pozos es una aproximacin suficientemente exacta.
Consideremos primero las grficas que corresponden a cada caso:
16
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
17
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Dejando esto totalmente claro, se puede ahora pasar a tratar de entender cmo
articula la ecuacin de Schrdinger una solucin para casos en los que existe un
potencial infinitamente grande o un escaln positivo.
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1
0.9
0.8
0.7
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0
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20
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-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0
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300
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500
600
700
800
900
1000
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1
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0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
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200
300
400
500
600
700
800
900
1000
22
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-500
-400
.300
.200
-100
100
200
300
400
500
Figura 13. Escaln de potencial de la figura 9 despus del ajuste de coordenadas que usualmente
se realiza para encarar mejor el problema
23
( x, t ) 2 ( x, t )
t
Conviene sea separada de manera que se encuentre una ecuacin que involucre
a la funcin de onda pero NO dependa del tiempo, pues entonces desaparece una
derivada (la del lado izquierdo), y nos quedamos con una ecuacin mucho ms
fcil de solucionar. Especficamente, si la onda solucin es estacionaria:
( x, t ) ( x) exp(iEt / )
Y, de hecho, la anterior condicin permite separar la ecuacin diferencial
respecto a sus dos variables, x y t. Recapitulemos el procedimiento:
1. Es ms fcil resolver el problema si se pudiera separar la ecuacin en parte
espacial y parte temporal, porque as es ms fcil encontrar la funcin de
onda ( x, t )
24
V ( x) ( x) (1.2.1.1)
E
V ( x) ( x)
(1.2.1.2)
25
1 ( x) A exp(ikx) B exp(ikx)
(1.2.1.3)
(1.2.1.4)
Es decir,
2mE
(1.2.1.5)
26
d2
2 m( E V )
( x)
( x)
2
dx
2
(1.2.1.6)
Figura 16. La energa de la partcula se suele representar en los diagramas de potencial mediante
lneas rectas
27
Por ejemplo, en la figura 16 se observa una lnea roja que identifica una partcula
con energa mayor que el potencial de la fuerza repulsiva que experimenta,
mientras que la lnea amarilla representa una partcula con energa menor.
Como el trmino E - V en la ecuacin 1.2.1.6 cambia de signo segn sea uno de
estos dos casos, entonces tenemos:
CASO 1. Energa Mayor
2 ( x) A exp(ix) B exp(ix)
(1.2.1.3)
2 ( x) C exp(x) D exp(x)
(1.2.1.7)
2m(V E )
f ( x)dx convergente
(1.2.1.8)
28
-400
.300
.200
-100
100
200
300
400
500
1 ( x) A exp(ikx)
ik
exp(ikx)
ik
2ik
exp(x)
ik
2 ( x) A
(1.2.1.9)
(1.2.1.10)
29
* ( x) ( x)dx 1
(1.2.1.10)
30
31
32
Tanto para una barrera como para un pozo de potencial, se deben haber definido
tres zonas claramente:
Sin embargo, es conveniente anotar que existe una definicin ampliada de Mecnica Clsica en la que se
complementa el anterior enunciado, as: La mecnica Clsica es aquella que no tiene en cuenta ni el
principio de incertidumbre ni efectos relativistas (velocidades cercanas a la de la luz)
34
Figura 23. Posible lista lateral de la anterior. Tomado de la pgina de la Universidad Politcnica de
Catalua
35
Figura 24. Esquematizacin de la ubicacin de cada uno de los tres tomos de hidrgeno y el de
nitrgeno dentro de la estructura de la molcula de Amonaco. Recordar que en el grfico hay una
perspectiva presente.
Figura 25. Eje de coordenadas seleccionado por conveniencia, a sabiendas de la estructura que
tendr el planteamiento de la Ecuacin de SCH
Entonces, el V(y) relacionado con las fuerzas interatmicas tiene una dependencia
con la distancia que se extrae de la naturaleza de las fuerzas interatmicas: las
fuerzas electromagnticas entre un tomo y otro. Claramente, V(y) ser mayor en
tanto ms negativo sea y, para luego decrecer a medida que se aleje de los
tomos de Hidrgeno.
Por supuesto, tambin podemos pensar en que el sistema de coordenadas es otro
que funcione de la anterior manera para valores positivos de y:
37
38
Figura 27. Posible oscilacin del N, entre la posicin en A y la posicin B; ambas son vrtice de un
tetraedro (pirmide triangular), as que ambas son estables.
Ya que las posiciones finales (en un vrtice de la pirmide) son estables. Esta
suposicin tiene ciertas prohibiciones clsicas que se ven cuando se examina la
forma del potencial. A la vista de esta posible oscilacin, lo mejor es colocar el
origen del eje de coordenadas en la base del tetraedro:
39
Figura 29. Grfica del potencial electromagntico entre los hidrgenos y el Nitrgeno, asociado a
las fuerzas interatmicas. Este comportamiento no es simplemente el de una fuerza atractiva o
repulsiva: la regin en azul representa la barrera de potencial repulsiva, mientras que las zonas
amarillas son zonas estables.
En la figura 29, cules son las zonas estables? Por supuesto, las que tengan el
mnimo de energa potencial. Corresponden a los puntos mnimos encerrados en
crculos rojos. Si a la altura de la pirmide le llamamos h, la grfica completa es:
40
Donde los puntos rojos son los puntos estables. Si necesidad de resolver el caso
particular exacto, se puede aproximar este potencial una suma de los casos
barrera de potencial y pozo de potencial:
41
42
43
Como nota final, se enuncia que para poder hallar el valor esperado de una
variable observada a partir de la funcin de onda encontrada, se usa el siguiente
mtodo operativo:
ValorEsperadodeunObservable Observable
* ( x)Observable ( x)
int ervalo
44
45
Realmente, no son slo las fuerzas electromagnticas las que gobiernan los
enlaces y fenmenos atmicos. Como se vio en la breve conceptualizacin de
anlisis del Amonaco, ni siquiera el potencial interatmico tiene una forma simple.
Asimismo, se sabe que existe la llamada REGLA DEL OCTETO:
46
Los enlaces entre tomos tienden a darse de tal manera que cada tomo tienda a
completar 8 electrones en su nivel de valencia, o, si slo tiene un nivel de energa,
2 electrones en su nivel de valencia.
Otro efecto bastante significativo es que un par de electrones en enlace covalente
siempre tienen su espn antiparalelo al otro. El espn es uno de los nmeros
cunticos relevantes. Esto nos lleva a la necesidad de entender ciertos aspectos
sobre la Mecnica Cuntica en tomos y Molculas.
MECNICA CUNTICA EN TOMOS
Para la ilustracin de lo anterior, conviene estudiar el tomo de Hidrgeno: ste
tiene slo un electrn orbitando alrededor de un protn. Por tanto, no es muy
difcil describir una versin simplificada del potencial, donde ste siga a la ley de
Coulomb con toda exactitud y usemos como distancia R de separacin entre
electrn y protn el radio de un supuesta rbita circular. Este modelo es slo
aproximado debido a la existencia de ciertos efectos, de los cuales algunos son
pequeos y otros no tanto:
1. Como el electrn movindose corresponde a una corriente elctrica, la
presencia de un campo magntico lo afecta y altera el potencial.
2. Si existiera un efecto de giro en el electrn, tambin habra un momento
magntico que interactuara con la corriente elctrica conformada por el
electrn girando (de hecho, esto se ver ms adelante).
3. Una rbita estable puede ser elptica: entonces R no sera constante.
La aproximacin comentada es suficientemente buena. Entonces el potencial del
Hamiltoniano que usaremos es:
Ke 2
V (r )
r
Donde e es el valor absoluto de la carga del electrn (o del protn, ya que su
carga es igual: todo tomo natural es elctricamente neutro) y K es una constante
que ajusta unidades. Usualmente en el Sistema Internacional de Unidades se
toma que K=1/(40). Como este potencial no es constante, podemos intuir desde
ya que la solucin de la Ecuacin de SCH no ser tan sencilla como la de pozos y
barreras.
De hecho, para resolver la ecuacin resultante (la letra griega Mi [] representa la
masa reducida: una transformacin de las masas de protn y electrn que hace
que el trmino asociado represente la energa cintica total, incluyendo los
posibles movimientos del protn):
47
2 e2
H E
2 r
1.3.2.1
m1 m2
m1 m2
n ,l ,m (r , , ) Rn ,l (r ) l , m ( ) m ( )
donde los tres factores multiplicativos corresponden a la solucin partida en sus
tres componentes (cada una dependiente de una coordenada). Ntese que las
soluciones son infinitas: la primera es 1, 0, 0 ( r , , ) y corresponde a una forma
matemtica diferente a la siguiente solucin. Los nmeros n, l y m son parmetros
dentro de la solucin (de ahora en adelante bautizados como Nmeros
Cunticos), y deben cumplir las siguientes restricciones:
1.) n es un nmero entero mayor que 0.
2.) l es mayor o igual a 0 pero, como mximo, igual a n-1.
3.) m es un entero cuyo valor absoluto es, como mximo, igual a l.
Los tres puntos anteriores se desprenden de que, si en las frmulas que dictan
cmo se resuelve la ecuacin del tomo de hidrgeno se introducen otros
nmeros que no cumplan 1.), 2.) y 3.), el resultado es una funcin imposible
fsicamente. Entonces, por ejemplo, NO podemos tener:
1,3, 2 ( r , , )
48
con
49
donde
Figura 34
comparan momentos angulares, pues para un solo electrn siempre puede decirse
que, SI EXISTE MOMENTO ANGULAR (l 0), la direccin del vector momento
angular se define como el eje Z. Por supuesto, si l = 0, entonces m = 0; no hay
componente en direccin z.
Lo anterior puede revelar su importancia cuando ya se sabe que la energa total
disponible en el tomo (en los electrones) depende del radio de la rbita Y DEL
MOMENTO ANGULAR, debido a que ste genera un campo magntico que
interacta con el ncleo. Sin embargo, la contribucin a la energa que tiene que
ver con el momento angular es mucho menor.
As mismo, las partculas fundamentales presentan otra propiedad asociada con
un nmero cuntico: El spn (nombre en ingls que usaremos para ajustarnos a la
literatura al respecto, que es ms abundante en este idioma). Esta propiedad se
refiere al hecho de que cualquier partcula cargada genera un pequeo campo
magntico an en reposo. Esto quiz pueda pensarse que se debe a que la
partcula gira (si est cargada, esto genera campo magntico porque constituye un
equivalente a corriente), pero la realidad es que no se puede suponer esto:
cuando se calcula el momento angular intrnseco de un electrn y se tiene en
cuenta su carga y su masa (ya muy conocidas), encontramos que el giro que en
realidad tendra un electrn en realidad no generara ese campo magntico. Por
esto es que se asegura que el espn no representa Momento Angular Intrnseco,
aunque se pueda usar la matemtica de momento angular para trabajar con l.
Teniendo en cuenta lo explicado, a continuacin profundizamos sobre la estructura
atmica y el concepto de ionizacin.
ESTRUCTURA ATMICA E IONES
Por lo anterior, podemos establecer un modelo de Capas del tomo. Cada capa
se identifica por sus nmeros cunticos n y l, de tal modo que electrones con
diferentes valores de nmero cuntico m se encuentran en la misma capa: si
tienen el mismo nmero n y nmero l, el sector donde orbitan ser el mismo, visto
como una regin del espacio semejante a un cascarn esfrico de algn grosor
bien definido y mucho menor que el radio medido desde el centro del tomo hasta
la rbita. Se puede decir que las regiones identificadas por el nmero cuntico de
momento angular l ( L) tienen una forma especfica para cada valor que toma
este nmero, por lo que se puede pensar en cada grupo de electrones que con un
mismo l y n como pertenecientes a una subcapa. Haciendo claridad sobre esto,
vemos la figura 35.
51
52
53
Examinando el
54
Figura 38. Potencial experimentado por un electrn: la lnea horizontal es donde se encuentran los
tomos de inters, que el eje vertical representa la energa potencial experimentada en cada punto.
Recurdese que el mximo de energa potencial (en valor absoluto) se experimenta cuando se
encuentra justo en el punto donde est la fuente del campo elctrico.
Ahora, ste electrn viajero (como hemos visto) no debe estar muy fuertemente
atado a ninguno de los tomos. Su energa cintica debe ser mayor que la
magnitud de energa potencial que lo atrae a cada tomo. Es por esto que el
modelo de energa potencial usado para cualquier estado en el que una partcula
se encuentra de alguna manera oscilando en una zona definida (rbitas,
vibraciones, etc.) es definido con SIGNO NEGATIVO. As como la energa
potencial Gravitacional que la tierra tiene al girar alrededor del sol es un nmero
negativo, la energa potencial electromagntica del electrn alrededor de un centro
de carga positiva es siempre negativa, para usar este hecho en el clculo de la
energa total y definir un criterio que especifique cundo es posible que el
56
Q
4 0 R
57
Como puede verse en la figura 39, existe el solapamiento de bandas. Es decir, los
estados energtico pueden que estar solapados (superpuestos), de manera que,
aunque la banda de valencia est llena, parte de sus energas son tambin parte
de los intervalos de la banda de conduccin, de manera que un mismo electrn en
cierta forma pertenece a cualquiera de las dos bandas. Esto proviene de la
resolucin de las ecuaciones de Mecnica Cuntica pertinentes en cada caso,
como revisamos en anteriores apartados.
En la figura 39 tambin se aprecia que la superposicin de estados del silicio
(grfica a la izquierda) ocurrir en un punto especfico del diagrama. La flecha
que seala el orden A, B, C indica un proceso de compresin. La forma de la
grfica de las bandas del carbono es casi exactamente igual al del silicio, como
quiera que ambos elementos tienen cuatro electrones en su ltima capa. Los
subndices S y P diferencian las energas de los orbitales s de la de los orbitales
p, que son los asociados a cada banda. Para la correcta finalizacin de este
curso es suficiente entender las dependencias y significado de las bandas de
58
59
Por otro lado, las bandas de energa de un metal no siempre estn superpuestas
(ver figura 39): tambin es posible que simplemente la ltima banda est
parcialmente llena.
Debido a que en el cero absoluto no existe energa cintica que pueda producir el
salto del GAP, un semiconductor en el cero absoluto debe tener
conductividad cero.
A medida que aumenta su temperatura, su
conductividad aumenta hasta que, en determinada temperatura
caracterstica, se comporta como un conductor. Electromagnticamente un
semiconductor es susceptible a los campos magnticos o campos elctricos de
una manera correspondiente a la Regin de comportamiento donde se
encuentra: si por densidad o por temperatura se comporta como conductor, ser
influenciado por los campos electromagnticos tal como le sucede a un conductor.
Lo mismo aplica en el caso que est en su modo aislante.
Si un semiconductor tuviera iones portadores de cargas o un flujo especfico de
electrones en una u otra direccin, el cambio en las concentraciones de cargas
puede verse asociado a un posible voltaje efectivo. Esto ser ms claro cuando
se explique el comportamiento de semiconductores dopados, en la seccin 1.5.
1.4 CRISTALOGRAFA
1.4.1 Slidos amorfos y cristalinos
Hemos hablado ya de sucesiones de tomos, slidos, materiales y
comportamiento cuntico y electromagntico. Tambin se ha comentado sobre la
estructura atmica y molecular general; ahora introduciremos algunas ideas
fundamentales sobre la forma como se dispone una multitud de tomos
conformando un objeto macroscpico.
Cuando los tomos se aglomeran para conformar una estructura mayor,
frecuentemente presentan alguna estructura regular. Para ser exactos, existen
patrones de configuracin an microscpicos que definen, caracterizan y de hecho
pueden identificar inequvocamente la estructura y propiedades del slido
macroscpico que conforman en total.
Se define al slido como una estructura no fluida: un material en estado fluido
(lquido, gaseoso) slo reacciona como un todo en respuesta a fuerzas
hidrostticas o hidrodinmicasun ejemplo es el agua contenida en un recipiente,
sobre la que no podemos definir algo como esfuerzo cortante, a diferencia de un
61
pedazo metal, sobre el cual es claro que podemos verle reaccionar ante un objeto
que ejerza presin sobre l: hablando formalmente, un slido exhibe
comportamiento elstico y es rgido. En general, se sabe que un slido
presenta una estructura u organizacin molecular bien definida, y en la
mayora de los casos es de tipo red cristalina. Una Red Cristalina es una
conglomeracin de molculas o tomos que sigue una geometra determinada.
Aqu el mejor ejemplo es un tablero de ajedrez. Si los cuadros representan una
molcula que se encuentra en cada centro, entonces las molculas negras y las
molculas blancas de este tablero siempre se encuentran espaciadas de la misma
forma y con los mismos ngulos. Por supuesto, podemos pensar que esta
estructura cristalina se puede complejizar imaginando que cubre las tres
dimensiones.
Un slido amorfo hace parte de la minora, y presentan un comportamiento
semifluido y semislido, respondiendo de una forma intermedia ante excitaciones
varias. Las molculas de un slido amorfo pueden tener alguna periodicidad
(alguna geometra que se repita peridicamente), pero sta ser imperfecta y en la
mayor parte de los segmentos de slido que se tomen no podr prcticamente ser
diferenciada de un conglomerado aleatorio y sin forma. Para aclarar aspectos
sutiles sobre esta diferenciacin, lo mejor es observar la figura 42.
Como puede observarse, la figura 42 (izquierda) no parece tener un orden tan slo
contemplando este pequeo nmero de tomos. Sin embargo, an se puede
establecer algunas periodicidades parciales, y equidistancias entre algunos pares
de tomos. Esto, por supuesto, no lo convierte en cristalino: es un slido amorfo
sin lugar a dudas.
Ms interesante es notar que el slido de la derecha es aproximadamente
cristalino si se quiere ser muy estricto en la definicin, o simplemente Cristalino, si
se es amplio. Como los modelos perfectamente simtricos no tienen sentido, ya
que los tomos y molculas estn siempre en movimiento, las pequeas
asimetras que son visibles en la estructura cuadriculada que aqu suponemos es
la fotografa de la red cristalina que conforma algn slido pueden deberse al
movimiento natural de cada partcula o a pequeos desperfectos de la red. En
general, durante el curso hemos de tener en cuenta que la perfeccin en las redes
cristalina es relativa, y que para efectos prcticos el anlisis aproximado es muy
fiable.
62
Por ltimo, se le recuerda al estudiante que 1.) los slidos a estudiar son los
cristalinos, ya que los amorfos pueden modelarse prcticamente como fluidos en
condiciones especiales; y 2.) Los slidos pueden estar formados por distintas
clases de tomos y molculas, adems de posibles impurezas.
63
Ejes
a=b=c
a=bc
abca
a=bc
a=b=c
abca
abca
Donde cada eje lo asimilamos a cada arista de la figura geomtrica. Para mayor
claridad:
65
rtomo ha kb lc
Por supuesto, una estructura que sigue esta forma tiene tal regularidad que puede
entenderse como una sucesin de planos compuestos por redes bidimensionales
de tomos. La orientacin de estos planos bidimensionales tiene mucha
relevancia fsica debido a que debe estar intrnsecamente relacionada con la
manera como el slido se cohesiona y las direcciones de conduccin elctrica
preferidas, entre otras muchas propiedades (la multitud de factores, sin embargo,
hace que la relacin entre muchas de estas propiedades fsicas y los planos no
sea muy directa). Se puede demostrar que la orientacin de los planos queda
definida de una manera muy prctica realizando ciertas operaciones simples. Al
resultado se le llama ndices de Miller. Este es el procedimiento:
1.) Definir correctamente los Vectores Base
2.) Se calculan las intersecciones de stos con un plano del sistema de
manera que estos puntos estn descritos en funcin de mltiplos enteros de
los vectores base.
3.) Se invierten estos nmeros. La proporcin entre ellos es la que debe
mantenerse, as que los ndices de Miller son los enteros ms pequeos
que guarden esa proporcin.
Veamos la grfica del departamento de Cristalografa del Consejo Superior de
Investigaciones Cientficas de Espaa:
66
Figura 45. Plano abc que corta los vectores direccionales (el plano mayor, definido por las lneas
verdes, es paralelo al plano menor)
Como se aprecia, los vectores direccionales cortan infinitos planos paralelos si son
extendidos de manera infinita. Sin embargo, si se les da la longitud mnima d que
los hace constituir la celda unitaria primitiva, slo cortarn un plano adecuando
correctamente la amplificacin de esto (multiplicacin por nmeros enteros).
Como no es de todo relevante el entendimiento profundo de Cristalografa para un
curso de Fsica de Semiconductores dirigido a ingenieros, terminamos este
captulo con un ejemplo:
1. Un plano especfico est conformado por diversos tomos.
2. Los tomos que se encuentran en direccin a los vectores mencionados
anteriormente son slo tres.
3. Si las distancias reticulares de la red son las longitudes de los vectores, es
decir, a, b y c, ubicamos los tres tomos de interseccin por sus distancias
desde el origen que escogimos para el sistema de coordenadas.
Supongamos que estas distancias son 5a, 6b y 3c.
4. Entonces los inversos son 1/5, 1/6 y 1/3.
5. Utilizando el mnimo comn mltiplo, obtenemos que debemos amplificar
estos nmeros por 30 para obtener los menores enteros posibles sin perder
la proporcin. Entonces los ndices de Miller correspondientes son 6, 5
y 10: hkl = 6,5,10
67
68
69
Figura 47. Red de silicio Dopado. Existe un hueco que corresponde a una ausencia de electrn.
El tomo de abajo podra ser Boro, por ejemplo.
70
Figura 48. Red de silicio dopado. Existe un electrn por fuera de red, as que el tomo de abajo es
del grupo V, como el fsforo.
Como puede verse, las ltimas dos figuras deben ser semiconductores
extrnsecos. Tambin podemos identificar que la figura 47 corresponde a un
semiconductor tipo P y la figura 48 a un semiconductor tipo N.
La estadstica de Fermi Dirac simplemente relaciona las posibles energas de los
electrones con la probabilidad de que un electrn tenga esas energas: en otras
palabras, aclara cuntos electrones (o qu intervalo de nmero de electrones)
podemos tener con ciertas caractersticas. Es claro que lo anterior se puede decir
de los huecos de igual forma. Las ecuaciones de corriente y voltaje que
estudiaremos ms adelante slo son posibles a travs del uso de la informacin
estadstica de los portadores de carga. Las figuras ilustran la estructura
electrnica de impurezas dentro de los cristales.
71
72
73
74
Figura 51. Tomado del Departamento de Ingeniera de Harvey Mudd College. www.hmc.edu
Figura 52. Op. Cit. Muestra la carga elctrica como funcin de la ubicacin dentro del material pn
completo. Obsrvese en el centro la regin de agotamiento.
75
circuitales.
Es decir, la resistencia elctrica y otros fenmenos sern
cualidades que caracterizan el sistema semiconductor, recordando que en
circuitos aplicar campo elctrico equivale a aplicar voltaje. Adems es
importante recordar que el hecho de que el incremento de la corriente elctrica
genere tambin un aumento en temperatura debe considerarse en el
entendimiento cualitativo y cuantitativo del comportamiento de la resistencia al
paso de corriente a travs del semiconductor.
5.) Caractersticas mecnicas
La resistencia a la deformacin y otros aspectos meramente mecnicos
pueden ser tiles en multitud de situaciones, ya que algunas aplicaciones de
ingeniera exigen ciertas caractersticas especficas. Cabe anotar que el uso de
semiconductores en aplicaciones que no tengan que ver con optoelectrnica o
transductores (como se ver en la segunda parte del curso) se remite
generalmente al diseo de semiconductores a escala microscpica, en
circuitos integrados, transistores o diodos.
GRUPO
Cd
Al, Ga, B, In
Si, Ge
P, As, Sb
Se, Te, S
IIB
IIIA
IVA
VA
VIA
ELECTRONES
CAPA
2
3
4
5
6
LTIMA
77
Figura 53. Segmento de Arseniuro de galio, donde se observa que un galio se enlaza con ms de
un germanio. Tomado de la pgina de la universidad de Waterloo, www.uwaterloo.ca
78
80
81
es posible que no sea porque sta se refleje, sino porque haya sido
ABSORBIDA por l.
La onda electromagntica transfiere energa en cuantos llamados
FOTONES. Los fotones son la mnima cantidad de energa transferible
al electrn y su valor numrico (es decir, su tamao, usando una
metfora) depende de la frecuencia de la onda.
Aspecto Macroscpico
-
82
84
posibles para los dos primeros niveles: tienen que haber por lo menos dos estados
diferentes para que dos electrones estn en ese nivel energtico. Es posible
encontrar una configuracin diferente de los mismos 6 electrones:
Un solo estado
Tres estados
Dos estados
Seis estados
86
Figura 57. Estados para n=2. En amarillo los posibles estados para l=1 y en morado los posibles
estados para l=0.
ni
( i )
K BT
87
2.1 UNIONES
2.1.2 Aproximacin conceptual a las consecuencias elctricas de la regin
de agotamiento
Como se coment en las ltimas secciones de la unidad anterior, una unin PN
tiene una zona de recombinacin de portadores en donde hay un trnsito de
cargas a travs de la juntura misma. La regin P, con portadores positivos, tiende
a atraer hacia s los portadores negativos de la regin N. De hecho, esta atraccin
permite que muchos portadores crucen la juntura, dirigindose a la zona contraria
y permaneciendo ah sin llegar a recombinarse (recurdese que la recombinacin
es un proceso parcial, que requiere cierta coincidencia aleatoria entre la ubicacin
de los huecos y los electrones).
88
Figura 59. La flecha roja es el campo en la regin de agotamiento y la derecha indica el sentido
natural de la corriente de difusin
De este modo, este campo elctrico debe asociarse a una barrera de potencial
que entorpece la circulacin de la corriente de difusin. Por supuesto, esto
significa que debemos modificar cualquier modelo simple para encontrar
numricamente el valor de la corriente de difusin, incorporando el efecto de la
regin de agotamiento. Si polarizamos de ciertas maneras, el ancho de la regin
de agotamiento se ve afectado:
90
Materiales P y N
Uniones
Diseo de las dimensiones para controlar las corrientes
Diseo de dopado (semiconductores extrnsecos)
Terminales metlicas a travs de las cuales se conectan fuentes de
corriente o voltaje para poner a funcionar el dispositivo
Derivacin de ecuaciones de corriente y voltaje que dependen de la
corriente y el voltaje forzado a travs de las terminales
Posibilidad, para un mismo dispositivo electrnico, de diversas opciones
de funcionamiento.
91
W Wn W p
2 s 1
1
V0
q N p N n
93
pn (Wn ) pn 0e
V / VVT
JP q
DP
pn 0 eV / VT 1 e x wn / LP
LP
P p LN N n
94
2.2.1
Configuraciones de diodos,
Diodos rectificadores
Diodos Zener
Diodos Varicap
Diodos Gunn Impatt
Diodos supresores de tensin
Diodos de corriente constante
Diodos tnel
Diodos Shottky
Diodos Led
Diodos Pin
Diodos sensibles a temperatura
Fotodiodos
Transistores NPN y PNP simples
Transistores NPN y PNP con colector unido a cubierta
Transistores UJT
Transistores de avalancha
Transistores Shottky
Transistores JFET canal n y p
Transistores multiemisores
Transistores Darlington
Tiristores simples
Tiristores de conduccin inversa
Triac
Diac
95
96
La flecha hacia fuera indica que es npn: la terminal con la flecha y la opuesta a ella
son de regiones n, mientras que la tercera terminal es la conexin a la regin p.
En la figura 65 observamos una polarizacin de transistor npn para modo
amplificador. En realidad esta configuracin no es del todo funcional, ya que las
resistencias R2, R3 y R4 cumplen funciones diferentes, especialmente la R4 con
respecto a las otras. Si estos valores de resistencia realmente hubiesen sido
correctamente calculados y el valor de B1=10Volts fuese correcto, entonces
97
cualquier pequea seal de voltaje (es decir, una especie de onda perturbativa)
que fuera introducida al circuito por la base (la terminal p) saldra amplificad un
cierto valor al salir por el Colector (la terminal n superior, conectada a la R2).
Cuando a un diodo rectificador se le somete a un gran voltaje inverso, su funcin
bloqueadora de voltajes de este tipo no puede mantenerse. Inevitablemente
dejarn pasar una corriente despus que se les ha polarizado ms all de su
lmite, y de hecho resultarn averiados muy probablemente. En esta regin el
diodo ZENER presenta a travs de sus terminales un voltaje constante an para
grandes polarizaciones, porque ha sido diseado especficamente no para que
bloquee voltajes inversos sino para mantener un voltaje constante. Como
consecuencia, un Zener puede conectarse as:
En este caso vemos que el diodo est conectado al revs de lo que esperaramos,
y sin embargo la corriente fluir a travs de l, desde la parte superior del
diagrama hacia el nodo resaltado en verde (se colocan dos puntos para recordar
que elctricamente la lnea es un solo punto, un nodo elctrico). La mayor parte
de la corriente que sale de la fuente va hacia el Zener porque su resistencia
interna es baja.
Ms adelante se vern detalles respecto a la operacin interna de estos
semiconductores.
VDD VD
R
99
Figura 68. Tabla de ecuaciones de la unin PN, extrado Sedra y Smith: Microelectronics Circuits
Es importante notar que cuando especificamos que el voltaje a travs del diodo
est fijo en 0.7, estamos realizando una aproximacin y descartando la
100
Figura 69. Aproximacin de lneas rectas a la corriente en el diodo como funcin del voltaje.
101
102
103
EBJ
Inversa
Directa
Inversa
CBJ
Inversa
Inversa
Directa
ACTIVO
La corriente ID es despreciada en este modo de operacin. La EBJ directa trae
consigo un flujo de corriente desde la Base hacia el Emisor. El flujo de corriente,
por supuesto, se compone de un flujo de electrones en una direccin y un flujo de
huecos en direccin contraria: esto finalmente se refiere a un flujo de carga, un
cambio de estructura del campo elctrico. De esta manera sa es la corriente que
se espera salga de la terminal del Emisor, Ie. Es deseable que la corriente se
deba a flujo de electrones ms que a flujo de huecos, por lo que se espera que el
dopado n sea mucho mayor que el p.
Como la corriente es Base-Emisor, entonces los electrones del emisor se dirigen
hacia la base (su carga es negativa): estos portadores minoritarios siguen como
distribucin una lnea recta decreciente (aproximadamente), siempre y cuando la
base sea de un ancho suficientemente pequeo. La concentracin np(0) de estos
electrones en la EBJ sigue:
n p (0) n p 0ev BE / VT
polarizacin suministrada a CBJ. Las siguientes son grficas del libro de SedraSmith mencionado anteriormente:
Figura 73. Concentracin de portadores en funcin de la distancia, grfica extraida de SEDRASMITH, Microelectronics Circuits.
dn p ( x)
dx
n p ( 0)
AE qDN
W
105
Donde la cantidad entre parntesis corresponde a IS, pero np0 = ni2/NA, as que
estas corrientes pueden ponerse en trminos equivalentes.
La corriente de base sigue:
A qD n 2
I B1 E n i ev BE / VT
N L
p p
A qWni
I B 2 E
2 N n b
v BE / VT
e
D p N nW
W 2
D
N
L
2
D
n
p p
n b
I E IC I B
106
Otro nombre con el que es conocido el Mosfet canal N es IGFET (Isolated Gate
FET), debido a que la compuerta (Gate) se encuentra aislada del sustrato P por
una capa de xido de Silicio.
VOLTAJE VGS Y CANAL N.
El MOSFET de canal n requiere para operacin diferente a modo de corte, es
decir, modos en los que exista corriente circulante aprovechable, que la
polarizacin sea directa entre compuerta (Gate) y fuente (Source), y esta
diferencia de potencial VGS sea mayor que un voltaje de umbral igual a una
constante de voltaje, Vt. Este lmite est relacionado con el concepto mismo del
voltaje trmico, ya que la idea de operacin (lo que en el BJT llambamos activo,
saturacin) est asociada a la existencia de una regin con exceso de electrones
107
entre las dos regiones n y muy cerca de la capa de dixido de silicio. Esta regin
es llamada canal n, ya que intercomunica las regiones n justo como un canal.
Si no existe voltaje VDS entre las terminales del diodo, por supuesto no hay razn
para tener una IDS, pero el canal n s puede presentarse, tan solo asegurando que
el potencial aplicado en la compuerta repele lo suficiente los huecos el sustrato p
como para que se cree la regin n inducida por este voltaje de compuerta. Para
esto se debe superar el hecho de que naturalmente los electrones colisionan
aleatoriamente entre ellos cuando se les atrae con una fuente de voltaje: estas
colisiones tambin se pueden representar por el Voltaje Trmico V t (diferente al
Voltaje Trmico de los BJTs). Para no confundir los dos Voltajes trmicos, el del
BJT es el nico que es llamado de esta forma (Voltaje Trmico), mientras que el
Voltaje Trmico del Mosfet (ya que tiene un significado elctrico adicional como
nivel mnimo de voltaje necesario para la creacin de canal n) es llamado Voltaje
de umbral.
FLUJO DE CORRIENTE
Una vez creado el canal n, los huecos que son desplazados hacia el fondo del
sustrato constituyen una concentracin de carga positiva aparente, o campo
elctrico positivo (como se quiera expresar). Este campo elctrico har que las
regiones n pierdan electrones hacia la regin p: estos electrones fluyentes crean la
regin de agotamiento caracterstica, como se observa en la figura 76.
108
109
110
112
TRIAC
Toma su nombre de Triode for Altern Current. Como se mencion, algunas veces
es catalogado tambin como Tiristor. La razn es que su comportamiento es casi
114
SCHOKTTY
Es un diodo que en vez de tener una capa de material semiconductor p, posee
una capa de metal. De hecho, la capa ms bien constituye un electrodo; la
inexistencia de la capa p trae como consecuencia un cada de voltaje (en la regin
de conduccin) mucho menor a la que se tiene con diodos pn convencionales. De
esta manera, un Metal-Semiconductor Diode (el Schokkty) ofrece menores
115
I E IC I B
117
Figura 80. Modelo complementado con la incorporacin de los efectos capacitivos de juntura en
transistor MOSFET (Sedra)
118
CLULAS SOLARES
Cuando el silicio recibe radiacin, el efecto fotoelctrico obliga a que cada electrn
aumente su energa; sin embargo, esta energa puede no ser aprovechada en
forma de corriente elctrica sino como simple energa trmica.
Si en vez de tomar silicio se usa una unin PN, el exceso de energa por electrn
trabaja a favor del efecto la aparicin de huecos y electrones de conduccin que
ya hemos revisado en secciones anteriores. De hecho, cuando luz de las
longitudes de onda correctas incide sobre la regin de agotamiento, los electrones
119
Figura 81. Cuentas de fotones centellados contra una variable indicadora de su frecuencia o
energa asociada (llamada aqu canal). La imagen proviene de http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx
TUBOS FOTOMULTIPLICADORES
Los tubos fotomultiplicadores bsicamente funcionan mediante la amplificacin de
efecto fotoelctrico inicial. La forma como esto se consigue se puede entender
fcilmente si se separa la accin de sus componentes:
-
122
TRANSDUCTORES TERMOELCTRICOS
Como se ha visto en diferentes momentos del curso, la energa cintica de un
electrn individual (partcula) puede afectar diversas variables macroscpicas de
un material especfico (red): especficamente la temperatura y la corriente
elctrica. La razn de lo anterior viene de las propias definiciones de temperatura,
corriente y energa cintica por tomo o electrn.
En un transductor termoelctrico la cantidad de electrones libres est directamente
relacionada con la temperatura del material: esto se deduce inmediatamente si
tenemos en cuenta que un semiconductor (ejemplo de posible transductor de este
tipo) la resistencia disminuye con la temperatura. Por otro lado, no slo el
incremento de una corriente dada puede ser indicadora de cambios en la
123
TRANSDUCTORES PIEZOELCTRICOS
Presentan un efecto similar al fotoelctrico en cuanto a resultados, pero
relacionado con la presin ejercida por el material, en vez de la luz.
Los transductores piezoelctricos pueden estar hechos de materiales diferentes,
como el Titanato de Bario o el Dixido de Silicio; en estos casos no se debe
confundir estos compuestos con un semiconductor, ya que los oxgenos presentes
cambian mucho las propiedades elctricas del material en la red cristalina (lo
convierte en un dielctrico muy eficiente).
El efecto piezoelctrico es,
fundamentalmente, la aparicin de una diferencia de potencial como resultado de
la creacin de dipolos elctricos bien definidos en la estructura cristalina, como
efecto de la presin ejercida.
DETECTORES
Son centros creados para medir o identificar radiacin csmica: luz, positrones,
muones, neutrinos y otros. Los neutrinos, por ejemplo, son partculas de casi nula
masa y sin carga, por lo que no interaccionan mucho con la materia. Como
consecuencia de esto su deteccin es indirecta, y toda deteccin indirecta trae
lugar a mayores posibles errores; sin el uso de tubos fotomultiplicadores, las
seales lumnicas detectadas (absorbidas por un transductor fotoelctrico menos
elaborado) seran demasiado dbiles y confusas para ser consideradas fiables.
El detector de neutrinos Super Kamiokande de Japn funciona detectando la
radiacin que emiten 50.000 toneladas de agua pura al interactuar con neutrinos
del espacio.
Para ello se ubica una capa exterior de ms de 1800
fotomultiplicadores encima de una capa interior de ms de 9000
fotomultiplicadores, con el objeto de discriminar mejor la seal (direcciones de
incidencia, etc.).
La comprensin de cmo la informacin de recepcin de los multiplicadores puede
dar informacin acerca del neutrino (estos tienen diferentes energas cinticas y
son de diversos tipos) requiere un nivel de conocimientos fsicos mayor al de un
ingeniero no especializado en ello, por lo que no se abordar. En la figura 82 se
muestra cmo se observa el registro de deteccin en una visualizacin grfica de
la superficie interna del tanque de agua, tomada de la pgina oficial del detector.
En particular, representa un Mun atravesando la masa de agua, entrando por la
parte inferior del tanque y saliendo por el costado. Cada partcula deja una huella
dactilar lumnica cuando atraviesa la masa de agua, produciendo la deteccin de
radiacin en los tubos fotomultiplicadores a diversas frecuencias. Los colores
representan el tiempo, siendo el azul anterior al verde.
Un neutrino munico puede descomponerse al atravesar la masa de agua: sta es
la nica forma de detectarlo efectivamente: por las partculas en las que se ha
descompuesto. Particularmente, en la figura 83 observamos cmo el mun que
un neutrino a producido emite cierta huella luminosa. Despus que el mun a su
vez decae en electrn, ste tambin puede ser detectado.
ACELERADORES DE PARTCULAS
El objeto de los aceleradores de partculas es realmente colisionarlas. Cuando se
colisionan un par de antipartculas, por ejemplo, stas se aniquilan y se
transforman en energa pura. Sin embargo, la energa en que se transforman es
125
demasiado alta (la suma de sus energas cinticas ms la energa de sus masas,
por la relacin E=mc2), as que tienen a formarse espontneamente partculas que
pueden entenderse como la decantacin o solidificacin de la energa liberada.
Normalmente las partculas que se espera de estas colisiones son de muchos
tipos, entre neutrinos, muones, electrones, positrones y otros, por lo que es
necesario una fsica de detectores muy avanzada y precisa.
126
127
128
130
Los procesos se diferencian en la forma como los tomos son desprendidos del
material que se desea crecer; el resto del proceso suele ser muy similar, como
veremos a continuacin.
131
132
SPUTTERING
Este sistema de crecimiento de pelculas semiconductoras consiste en que los
tomos del material que se desea crecer se disparan hacia un sustrato para que
sean depositados en ste y formen la lmina delgada. Esto es logrado por las
cmaras evaporadoras: emiten un gas inerte ionizado (como el argn) hacia un
objetivo que contiene el material que se desea crecer, haciendo que los tomos
del objetivo sean expulsados al colisionar con el gas inerte, para despus
depositarse sobre el sustrato. Para que esto funcione bien, es necesario que los
iones sean de un tamao comparable a los tomos del material a crecer; por lo
tanto, tambin se utilizan otros gases inertes como el nen, el kriptn y el xenn.
133
PUNTOS CUNTICOS
En la primera mitad de los aos 80, un fsico-qumico de los laboratorios Bell
(Louis E. Brus) descubri que cuando existe contacto directo entre dos
semiconductores crecidos epitaxialmente, se crea un confinamiento cuntico para
los excitones (pares electrn - hueco) en las tres dimensiones espaciales. Este
confinamiento da como resultado un espectro discreto de energas posibles que
da lugar a estados ligados similares a los de los tomos; es por esto que los
puntos cunticos tambin son conocidos como tomos artificiales.
El confinamiento cuntico de los puntos se crea cuando dos semiconductores que
tienen diferentes GAPs de energa se acoplan. Estas diferencias de energas
crean pozos de potencial que confinan los electrones y los huecos espacialmente,
dando como resultado el espectro discreto de energas.
Los puntos cunticos se han estudiado con gran inters desde su descubrimiento
hasta la actualidad debido a sus propiedades pticas no lineales y sus
aplicaciones en el desarrollo de dispositivos tecnolgicos de nanoescala, ya que el
tamao de los puntos cunticos vara generalmente entre 10 y 50 nm. Una de las
propiedades pticas ms destacadas es que puntos cunticos del mismo material
pero con diferente tamao emiten luz de diferente color. Por esta razn, las
aplicaciones ms importantes son los dispositivos emisores de luz, como los
lseres.
En la figura 86 podemos ver cmo se registra la apariencia de estos puntos
cunticos.
134
Figura 86. Puntos cunticos nanocristalinos de CdSe. Emiten luz de diferente color dependiendo el
tamao de los puntos cuando se irradian con luz ultravioleta. V. I. Klimov. Nanocrystal quantum
dots: From fundamental photophysics to multicolor lasing. Los Alamos Science 28 214 (2003).
135
136
U U (r1 , r2 , r3 .....rN , v1 , v 2 , v3 ....v N )
Y la sumatoria de V(ri) tambin debiera depender de las velocidades, si el clculo
fuera exacto. A pesar de todo, la ecuacin que asume las energas totales como
sumatorias de energas parciales es una aproximacin casi exacta, debido a que
las energas que se calculan considerando las velocidades son las magnticas, y
normalmente estas son de una magnitud mucho menor, as que pueden ser
despreciadas sin que los clculos de energa o las funciones de onda halladas
difieran mucho.
La ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo que hemos llamado de la
aproximacin Bohn Oppenheimer (en realidad esta aproximacin se refiere a
considerar el ncleo como esttico y las aproximaciones de energa sin
dependencia de velocidad son ms bien usuales a todos los mtodos) podra
utilizarse para, sabiendo cmo debe ser las funciones de energa y esto se
conoce en gran proporcin, debido a que las leyes fsicas estn bien
establecidas hallar cul es la funcin de onda que identifica el sistema de
partculas que analizamos (por ejemplo, este sistema podran ser un milln de
tomos de silicio, slo 106 tomos, comparados con los 1023 de los que hablamos
anteriormente).
El problema reside en que 106 tomos de silicio, por ejemplo, a pesar de constituir
menos de una millonsima de nanogramo (una cantidad que slo se puede
manipular en laboratorio), convierten la ecuacin de Schrdinger asociada en una
ecuacin imposible de resolver. Por esto se usa la teora del Funcional de
Densidad, que expresa la fsica de la Ecuacin de Schrdinger en otra ecuacin,
que adems acta sobre una funcin diferente a la funcin de onda: la densidad
de partculas, definida como sigue:
137
Donde O[n0] es el observado para una densidad de partculas n0, es decir, del
estado base. Entindase entonces que ni ser otra densidad, de un estado i que
bsicamente se refiere a otra configuracin, muy probablemente con observables
con valores esperados completamente diferentes, incluyendo a la energa (si tiene
dudas respecto al concepto de observables y cmo se calculan, refirase a los
prrafos finales de la seccin 1.2.2.3). El estado base entonces tiene energa:
Como las expresiones son ms simples, se puede tratar el sistema como un todo,
aunque no se pueden evitar las complicaciones matemticas del todo.
138