Dispositivos de disparo

Original de: Universidad de Jan Escuela Politcnica Superior Autor: Juan Domingo Aguilar Pea Autorizado para: http://www.redeya.com

Dispositivos de disparo

1.1

INTRODUCCIN

A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac se necesitan dispositivos intermedios entre la seal de disparo y la puerta. Para estudiarlos utilizaremos: VS = Tensin de disparo. VH = Tensin de mantenimiento. VR = Tensin inversa. V0 = Tensin de pico de los impulsos. IH = Corriente de mantenimiento. IS = Corriente en el momento del disparo.

1.2

DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS

Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.1.a). Su estructura es la representada en la figura 1.b. En la curva caracterstica tensin-corriente (Fig. 1.c) se observa que: V(+ ) < VS el elemento se comporta como un circuito abierto. V(+ ) > VS el elemento se comporta como un cortocircuito. Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
I(+) N1 V(-) VS IB 10 mA IS IS 10 mA Vc) I(-) IB VS V(+) V+

MT1 MT1 P1

N2 MT2 N3 MT2 a) b) P2

Fig.1.- a) Smbolo del diac b) Estructura c) Curva caracterstica.

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 1

Dispositivos de disparo

1.3

CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS)

SUS (Silicon Unilateral Switch): combinacin de un tirirstor con puerta andica y un diodo Zener entre puerta y ctodo. En la figura 2 se representa el smbolo, circuito equivalente y la curva caracterstica. Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es VS 6 y 10 V. Se dispara a una tensin fija, Vzener , y su corriente IS est muy cercana a IH . Sincronizacin mediante impulsos en puerta del SUS.
IF A G VR K K A

IH IS IRVH VF VS

Fig.2.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SUS.

1.4

CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

SBS (Silicon Bilateral Switch): de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS conectados en antiparalelo. En la figura 3 se representa el smbolo, circuito equivalente y la curva caracterstica. Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parmetro es VS (entre 6 y 10 V) en ambos sentidos. Especificaciones idnticas a las del SUS a excepcin de VR que pierde todo significado.
+I VF1 MT2 MT2 IB2 G G -V IS2 MT1 MT1 VF2 -I VS2 IH2 IB1 IH1 IS1 +V VS1

Fig.3.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SBS. _____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 2

Dispositivos de disparo

1.5

TRANSISTOR UNIUNIN (UJT)

1.5.1 PARMETROS DEL UJT

UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). En la figura 4 se representa el smbolo, estructura y curva caracterstica.

B2 B2 E E P N B1 B1 P

VEB1 Negative Resistance Region Saturation Region VP Peak Point Cutoff VB2B1=K Region Valley Point VEB1(sat) VV IB2=0 IE IV IP

Fig.4.- Smbolo, estructura, y curva caracterstica de un UJT. El circuito equivalente del UJT es el representado en la figura 5, para su estudio definimos: VBB : Tensin interbase. rBB : Resistencia interbase rBB = rB1 + rB2 VE : Tensin de emisor. IE : Intensidad de emisor. VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado). VP : Tensin de disparo VP = VrB1 + VD IP VV IV VD : Intensidad de pico (de 20 a 30 A.). : Tensin de valle de emisor : Intensidad valle del emisor. : Tensin directa de saturacin del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V). rB1 : Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8) = rB1 + rB2
B1 rB2 E VEE rB1 B1 VBB

Fig.5.- Circuito equivalente del UJT.

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 3

Dispositivos de disparo

1.5.2 FUNCIONAMIENTO DEL UJT

El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.
rB1 VBB rB1 + rB2

VrB1 =

VrB1 = VBB

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB varia en funcin de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relajacin.

1.6

TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE (PUT)

1.6.1 PARMETROS DEL PUT

PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de caracteristicas idnticas al UJT, puede ajustar los valores de , VP e IV mediante un circuito de polarizacin externo. Su constitucin y funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de nodo (Fig. 6). Tiene tres terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo GA.
+VBB R2 VGA R1 VA

VA

IA

IA Rg VS

A GA K

Fig.6.- Montaje y circuito equivalente de un PUT.

1.6.2 FUNCIONAMIENTO DEL PUT

Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo circula corriente de fugas. Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una caracterstica similar a la del UJT (Fig. 7).

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 4

Dispositivos de disparo

VAK VP VS

Peak Point Negative Resistance Region Valley Point

VF VV IGA0 IP IV IF IA

Fig.7.- Curva caracterstica del PUT. La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensin VGA, es decir de RG (Fig. 6).
VGA = R1 VBB VGA = VBB R1 + R 2

El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT ( 1 V). Los circuitos de la figura 8 permiten la programacin del PUT.
+10V 1K2 100K 1K2 +10V 1M 10 1M

R C

R C

+5V

Fig.8.- Circuitos de programacin de un PUT.

1.7

OTROS DISPOSITIVOS

1.7.1 DIODO SHOCKLEY

Diodo de cuatro capas o diodo tiristor: dispositivo bipolar PNPN comparable a un tiristor sin el terminal de puerta (Fig. 9). Fig.9.- Smbolo del diodo Shockley.

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 5

Dispositivos de disparo

1.7.2 QUADRACS
Dispositivo formado por un diac que dispara a un triac. Posee tres terminales, dos de potencia del triac y un extremo del diac como puerta del Quadracs (Fig. 10).
2 Triac Puerta Diac 1 Fig.10.- Esquema de un Quadracs.

1.7.3 CONJUNTO DIODO MS TIRISTOR

Dispositivo formado por un diodo y un tiristor en la misma cpsula o integrados en la misma pastilla. (Fig. 11).

Th

Dn

Fig.11.- Estructura de un conjunto diodo ms tiristor.

1.7.4 PUENTES MIXTOS

Conjunto de dos diodos y dos tiristores en la misma cpsula (Fig. 12).

D1 Th1

D2 Th2

Fig.12.- Estructura de un puente mixto.

1.7.5 ACOPLADORES PTICOS CON TIRISTORES

Conjunto formado por un fototiristor y un diodo LED en la misma cpsula. Tambin se denominan OPTOACOPLADORES (Fig. 13).

Fig.13.- Smbolo de un Octoacoplador.

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 6

Dispositivos de disparo

INDICE
1.1 1.2 1.3 1.4 INTRODUCCIN diac: estructura y caracteristicas Conmutador unilateral de silicio (SUS) Conmutador Bilateral de silicio (SBS) 1 1 2 2 3 3 4 4 4 4 5 5 6 6 6 6

1.5 transistor uniunin (UJT) 1.5.1 parmetros del UJT 1.5.2 Funcionamiento del UJT 1.6 transistor uniunin programable (PUT) 1.6.1 parmetros del put 1.6.2 Funcionamiento del pUT 1.7 otros dispositivos 1.7.1 diodo Shockley 1.7.2 quadracs 1.7.3 conjunto diodo ms tiristor 1.7.4 Puentes mixtos 1.7.5 acopladores pticos con tiristores

_____________________________________________________________________________________ http://www.redeya.com Pg. 7