Departamento de Ingeniería Electrónica.

Universidad de Sevilla

Boletín de Problemas Resueltos

DISEÑO DE CIRCUITOS Y SISTEMAS

ELECTRÓNICOS

Amplificadores de 1 etapa
(Baja Frecuencia)

Dpto. de Ingeniería Electrónica

Universidad de Sevilla

Antonio Torralba

Sevilla, Marzo 2016

Amplificadores de una etapa (Baja Frecuencia)

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 Departamento de Ingeniería Electrónica. Universidad de Sevilla

INDICE

INDICE ............................................................................................................................. 2
Problema 1: Amplificador en Fuente Común con degeneración de fuente. ................. 3
Problema 2: Amplificador en Fuente Común con etapa de salida en Drenador Común.
...................................................................................................................................... 7

Amplificadores de una etapa (Baja Frecuencia)

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Problema 1: Amplificador en Fuente Común con degeneración

de fuente.
En el amplificador de la Figura 1a el transistor M1 se encuentra en saturación. La
polarización del circuito es tal que ID1 = 1mA. Se pide:

A) determinar:
1. La ganancia de tensión Av=vout/vin
2. La resistencia de salida rout vista desde la carga RL
3. El valor mínimo de la tensión de alimentación VDD requerida por el circuito.

B) Empleando una fuente de corriente hecha con el transistor M2 (en montaje de espejo
de corriente), con una corriente de polarización de 0.5 mA (Figura 1b), repetir los puntos
1 a 3 del Apartado A. Suponer M2 también en saturación y comprobarlo.

C) En el circuito anterior, añadiendo el transistor cascodo M3 (Figura 1c), repetir los

puntos 1 a 3 del Apartado A. Suponer M3 saturación.

Datos: ID1=1mA, RS=0.1kOhm, RL=1kOhm, VTN=0.6V, VTP=-0.6V, (W/L)M1= 50µm/0.25µm,

(W/L)M2,M3=150µm/0.25µm, µnC’ox=134µA/V2, µpC’ox=48µA/V2, ron=rop=20 kW.

Emplear el modelo cuadrático del transistor MOS, despreciar en todos los casos el
efecto sustrato y (tan sólo para los cálculos de DC) el efecto de modulación de canal.
VDD

VDD VGP
VDD
M2
VGP
RL RL
M2
RL
VCP
vIN vOUT vIN M3
vOUT
M1 M1
vIN vOUT
M1
RS RS

RS

a) b) c)

Figura 1. Amplificadores en Emisor Común con degeneración de fuente.

Solución

Despreciando el efecto de modulación del canal, la tensión efectiva del transistor 1 viene dada
por:

2𝐼(#
𝑉!""# = 𝑉$%# − 𝑉&' = $ = 0,273 𝑉
, )𝑊 ,
𝜇) 𝐶*+ 𝐿 #

y su transconductancia, gm1 = 2ID1 / VEFF1 = 7,321 mA/V

Apartado A.1

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APARTADO A

El circuito de pequeña señal para el circuito de la Figura 1a (despreciando el efecto sustrato) se

muestra en la Figura 2a. En la Figura 2b se muestra el circuito para el cálculo de la resistencia
de salida (donde se ha anulado la fuente de entrada, y la impedancia de carga se ha hecho
infinita):
gm1vgs1 D1 -gm1vs1 D1 i
G1
vout
vgs1 ro1
ro1
S1 S1
RL v
vin

RS RS

a) b)
Figura 2. a) Circuito de pequeña señal del circuito de la Figura 1a. b) Circuito para el cálculo de
la resistencia de salida.

A1) Para resolver el circuito de la Figura 2a, establecemos las ecuaciones en la fuente y el
drenador del transistor M1;

- Fuente S1: gm1 (vin - vs1) + (vout - vs1)/ro1 – vs1/Rs = 0

- Drenador D1: - gm1 (vin – vs1) + (vs1 - vout)/ro1 – vout/RL = 0

Operando, la ganancia de tensión viene dada por:

𝑔𝑚# 𝑟𝑜# 𝑅.
𝐴- = − = −4.0966
𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅% + 𝑅.

A.2) Para resolver el circuito de la Figura 2b, establecemos las ecuaciones en la fuente y el
drenador de M1:

- Fuente S1: gm1 (0 - vs1) + (v-vs1)/ro1 – vs1/Rs = 0

- Drenador D1: -gm1 (0 –vs1) + (vs1-v)/ro1 + i = 0

Operando, la resistencia de salida viene dada por:

𝑟*/0 = 𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅% = 34.742 kOhms

Nótese el efecto cascodo del transistor M1 (aun cuando no forma propiamente un amplificador
en puerta común), que, aproximadamente, multiplica la resistencia de fuente RS por la ganancia
intrínseca del transistor gm1ro1.

A.3) En la rama de salida: VDD = ID1 RL + VDS1 + ID1 RS. Además, para que M1 esté en
saturación VDS1 > VGS1 – VTN = VEFF1, por lo que:

VDD = ID1 RL + VDS1 + ID1 RS > ID1 (RL + RS) + VEFF1 = 1.373 V

Nótese que con esta tensión de alimentación el circuito sería incapaz de moverse, por lo que
necesitamos una tensión bastante mayor.

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APARTADO B

El circuito de pequeña señal para el circuito de la Figura 1b (despreciando el efecto de sustrato)

se muestra en la Figura 3a, y el circuito para el cálculo de la resistencia de salida en la Figura
3b:
gm1vgs1 D1 -gm1vs1 D1 i
G1
vout
vgs1 ro1
ro1
S1
S1 ro2 v
vin

RS RL||ro2 RS

a) b)
Figura 3. a) Circuito de pequeña señal del circuito de la Figura 1b. b) Circuito para el cálculo de
la resistencia de salida.

B.1) Por analogía con el circuito anterior, la ganancia de tensión viene dada por:

𝑔𝑚# 𝑟𝑜# (𝑅. ||𝑟𝑜1 )

𝐴- = − = −4.014
𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅%

B.2) Por analogía con el circuito anterior, la resistencia de salida viene dada por:

𝑟*/0 = [𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅% ]||𝑟𝑜1 = 12.693 kOhms

Nótese que no basta con el efecto cascodo en la parte N de la rama de salida para tener una
resistencia de salida elevada.

B.3) En la rama de salida: VDD = (ID1 - ID2) RL + VDS1 + ID1 RS. Además, para que M1 esté en
saturación VDS1 > VGS1 – VTN = VEFF1, por lo que:

VDD1 = (ID1 - ID2) RL + VDS1 + ID1 RS > (ID1 - ID2) RL + ID1 RS + VEFF1 = 0.873 V

Nótese la reducción en la tensión mínima de alimentación. Por otra parte, en estas condiciones,
VSD2 = (ID1 - ID2) RL = 0.5 V lo que asegura su saturación (ya que 𝑉!""1 = 𝑉%$#1 − |𝑉&2 | =
13
!"
C4#5$%
& 6' 7
= 0.186 𝑉).
( "

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APARTADO C

El modelo de pequeña señal del circuito de la Figura 1c (y su correspondiente circuito para el

cálculo de la impedancia de salida) es el mismo de la Figura 3a (Figura 3b), donde ro2 debe
sustituirse por [ro3 + (1 + gm3 ro3) ro2]. Para la ultima expresión se ha tenido en cuenta el efecto
cascodo que hace el transistor M3 sobre el espejo de corriente M2.

Ahora VEFF3 = VEFF2 = 0.186 V (despreciando el efecto sustrato en M3, si lo hubiera), y gm3 =
2ID3 / VEFF3 = 5.376 mA/V

C.1) Por analogía con el circuito anterior:

𝑔𝑚# 𝑟𝑜# {𝑅. ||[𝑟𝑜8 + (1 + 𝑔𝑚8 𝑟𝑜8 )𝑟𝑜1 ]}

𝐴- = − = −4.213
𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅%

C.2) Por analogía con el circuito anterior, la resistencia de salidad viene dada por:

𝑟*/0 = [𝑟𝑜# + (1 + 𝑔𝑚# 𝑟𝑜# )𝑅% ]||[𝑟𝑜8 + (1 + 𝑔𝑚8 𝑟𝑜8 )𝑟𝑜1 ] = 34.195 kOhms

Ahora se ve el efecto combinado del cascodo en la parte N y en la parte P. Esta resistencia de

salida elevada es la causante de la baja ganancia cuando ataca a una impedancia tan baja
como RL.

C.3) La tensión mínima de alimentación es la misma del apartado B.3. Tan sólo habría que
comprobar que los dos transistores M2 y M3 permanecen en saturación.

Despreciando el efecto sustrato de M3 (si lo hubiera), ambos tienen la misma caída VDS, que
debería ser mayor que la VEFF correspondiente (la misma en ambos transistores).

Como VSD2 + VSD3 = (ID1 - ID2) RL = 0.5 V > VEFF2 + VEFF3, los transistores M2 y M3 están en
saturación.

NOTA. El circuito de la Figura 1a es un amplificador en fuente común realimentado con

degeneración de fuente, como veremos en un tema posterior. El circuito de la Figura 1b puede
ser útil para bajar la tensión de alimentación (se podría aún más si RL se conectara entre vOUT y
VDD/2 en vez de entre vOUT y tierra). El circuito de la Figura 1c permite fijar con mayor precisión
la corriente de polarización del circuito.

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Problema 2: Amplificador en Fuente Común con etapa de salida

en Drenador Común.
En el amplificador de la Figura 1 todos los transistores se encuentran en saturación. Se
pide determinar:
1. La resistencia equivalente ra del nodo intermedio A.
2. La resistencia de salida rout vista desde la carga RL.
3. Las ganancias de tensión Av1=va/vin, Av2=vout/va y Av= Av1 Av2=vout/vin.

Datos: ID1=ID2=ID7=1mA, ID5=2mA, RL=1kOhm, VTN=0.6V, VTP=-0.6V,

µ µ
(W/L)M1,M3,M6,M7=50 m/0.25 m, (W/L)M5=100 m/0.25µm,
µ (W/L)M2,M4=150 m/0.25µm,
µ
µnC’ox=134µA/V , µpC’ox=48µA/V , ron=rop=20 kW, VDD=1.8V
2 2

Emplear el modelo cuadrático del transistor MOS despreciando en todos los casos el
efecto sustrato, y (sólo para los cálculos de DC) el efecto de modulación de canal.

1 : n VDD

M2a M2
I1

M4a
M4 M5
VCP
VOUT

M3b A
M6
VCN M3a M3
RL
vIN
M1b M1a M1 M7

1 : 1 : n : n

Figura 1. Amplificador en Emisor Común con Etapa de salida en Drenador Común.

Solución

Los espejos de corriente de las ramas a y b tienen como única finalidad asegurar la
polarización de los amplificadores, por lo que, a pesar de lo aparatoso que parecen esas
ramas, no tienen ninguna transcendencia en el problema.

Para empezar, comenzaremos por calcular las tensiones efectivas de los transistores.
Despreciando el efecto sustrato:

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2𝐼(#
𝑉!""# = 𝑉!""8 = 𝑉!""9 = 𝑉!"": = $ = 0.273 𝑉
, )𝑊 ,
𝜇) 𝐶*+
𝐿 #

13!" 13!*
𝑉!""1 = 𝑉!""; = C '
& 6 7
= 0.264 𝑉 y 𝑉!""< = C '
& 6 7
= 0.273 𝑉
4) 5$% 4) 5$%
( " ( *

y las transconductancias

gm1 = gm3 = gm6 = gm7 = 2ID1 / VEFF1 = 7.321 mA/V ; gm2 = gm4 = 2ID2 / VEFF2 = 7.589 mA/V ;
gm5 = 2ID5 / VEFF5 = 14.624 mA/V

Teniendo en cuenta el efecto cascodo de los amplificadores en puerta común M3 y M4, la

resistencia equivalente en el nodo A viene dada por:

ra = [ro3 + (1 + gm3 ro3) ro1] || [ro4 + (1 + gm4 ro4) ro2] = 1510.52 kOhm

Aquí se aprecia de una manera muy significa el efecto cascodo de los transistores M3 y M4 en
puerta común. Sin esos transistores, la resistencia en el nodo interno A sería mucho más baja
(ra = ro1 || ro2 = 10 kOhm, lo que, como se verá más adelante, tendría efectos catastróficos en
la ganancia total del circuito)

La resistencia de salida vista desde la carga viene dada por

rout = (1/gm5) || ro5 || [ro7 + (1 + gm7 ro7) ro6] = 1 / (gm5 + 1/ro5 + 1/[ro7 + (1 + gm7 ro7) ro6] ) =
68.15 Ohm

Nótese la baja impedancia de salida, del orden de unas decenas de Ohms. Por otra parte, el
efecto del transistor cascodo M7 no es muy significativo en este caso. Si no existiera, la
resistencia de salida sería prácticamente la misma: rout = (1/gm5) ||`ro5 || ro6 = 67.92 Ohm. Sin
embargo, la presencia del cascodo M7 permite definir mejor las corrientes de polarización.

La ganancia en el nodo intermedio viene dada por:

Av1= va/vin = - gm1 ra = - 11058.52

La ganancia de la segunda etapa:

Av2= vout/va = gm5 (rout || RL) = 0.933

La ganancia total:

Av = Av1 Av2 = -10318.03, es decir: 80,27 dB con un desfase de 180º

Nótese que, sin la etapa de salida (es decir, con la resistencia RL conectada directamente en el
nodo intermedio A, que ahora sería el nodo de salida), la ganancia sería:

Av = - gm1 (ra || RL) = - 7.316, es decir: 17,29 dB con un desfase de 180º

No hace falta insistir en la necesidad de colocar la segunda etapa si la carga tiene una baja
impedancia, como es éste el caso.

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