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Tema2-Estructura de Los Materiales
Tema2-Estructura de Los Materiales
- ESTRUCTURA
Objetivos
Entender estructura cristalina a escala atmica : tomos ordenados de manera regular y repetitiva. Identificacin de los 7 sistemas cristalinos y 14 redes de Bravais. Conocer las celdillas unidades ms importantes Conocer las principales estructuras cristalinas de los metales. Conocer, aplicar y calcular los siguientes conceptos Factor de empaquetamiento Planos cristalogrficos Posiciones y direcciones cristalogrficas Densidad volumtrica, planar, linear
T1/2
Estado Slido
Cristalinos
Ordenamiento regular de los tm a corto y largo alcance Atm o molec.: posiciones reticulares Enl: inico, covalente o metlico, f. van der Waals anistropos (prop. = f (direccin)) ptos de fusin definidos
Amorfos
No Ordenamiento regular de los tm a largo alcance. Atm o molec.: posiciones reticulares Enl: inico, covalente o metlico, f. van der Waals Istropos (=prop. cualquier direccin) ptos de fusin no definidos
T1/3
Diamante:
Grafito
T1/4
Red tridimensional a)
b)
Punto Reticular: Cada esfera representa un tomo, ion o molcula
Estructura cristalina cbica simple a) Representacin mediante esferas reducidas b) Representacin mediante modelo de esferas rgidas
T1/6
Celda Unidad
Es la unidad estructural define la estruct. cristalina mediante su geometra y por la posicin de los tomos centro de ella Menor unidad que, por repeticin indefinida, genera el slido cristalino. Paraleleppedo definido a partir de las longitudes axiales de las aristas independientes a, b y c y de los tres ngulos interaxiales , y .
Dependiendo del valor de las aristas independientes (a, b y c) y los ngulos , , se obtienen nicamente:
Celdilla unidad con los ejes de coordenadas x, y y z mostrando las longitudes de las aristas (a, b y c) y los ngulos interaxiales (, , )
7 Sistemas Cristalinos
T1/7
7 Sistemas Cristalinos
Triclnico
Monoclnico
Ortorrmbico
Trigonal
Hexagonal
Tetragonal
Cbico
T1/8
T1/9
14 Redes de Bravais
7 SISTEMAS CRISTALINOS
triclnica
monoclnica
tetragonal
+
4 CELDILLAS UNIDAD
ortorrmbica
hexagonal
Trigonal (rombodrica)
cbica
T1/10
Sistema Cristalino
Cbico
Ortorrmbico
Monoclnico Triclnico
T1/11
Con el fin de reducir la energa de enlace las distancias entre tomos tienden a ser pequeas Emnima
Ej: Be, Cd, Mg, Co, Ti-, Zn Ej: Fe-(estable baja temp.), Ej: Fe-, Al, Cu, Ni, Pt, Ag, Pt y Au Cr, Mo, K, V, W, aleaciones
T1/12
2a
Ref. J.F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
a 3
Vtomos
Vcelda=a3
4 = R 3 2 3
2(
Como 4R= 3 a
Vcelda
4R = 3
Ref. J.F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
N tomos =81/8+6 1/2 = 4 N de coordinacin= 12 a2 + a2 =d2 = (4R)2 4 3 Vtomos = R 4 2 a2 = (4R)2 3 Vcelda=a3 , 4R= 2 a
Vcelda
4R = 2
En las estructuras cristalinas espacios vacos INTERSTICIOS dnde pueden alojarse tomos
Siendo n: N de tomos/celdilla
T1/16
Direcciones:
Las prop. de los materiales dependen de la direccin en la que se miden se deforman en direcciones en las que los tomos estn en contacto ms estrecho. Direcciones individuales: [uvw] vectores // mismos ndices Direcciones equivalentes en la red: <uvw> Cuando los espaciamientos a lo largo de cada direccin son los mismos
Arista del cubo: [100],[010],[001],[010],[001],[100]=100 Diagonales del cubo : 111
z
[1 0 0] x [110]
y x
y x [210]
[110] x
T1/20
Posiciones atmicas, direcciones y planos (II) Planos : se utilizan los ndices de Miller
recprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x,y,z" Procedimiento :
1. Escoger un plano que no pase por el origen 2. Determinar las intersecciones con los 3 ejes 3. Obtener los recprocos de las intersecciones 4. Determinar el conjunto ms pequeo de enteros que estn en la misma razn que las intersecciones 5. Notacin: entre parntesis sin comas (h k l)
x= y=1 z= (210)
x=1 y= z= (100)
Ref. J.F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
T1/21
factor empaquetamiento: fbcc=0.68 y ffcc=0.74 Vsin ocupar (bcc) > Vsin ocupar(fcc), pero Vhueco (fcc)> Vhueco(bcc) Este hecho permite explicar la solubilidad de C en Fe: Tamb. Aceros: Fe- ferrita ( estructura bcc) Solubilidad: 0.02-0.05%C T Aceros: Fe- o austenita ( estructura fcc) Solubilidad: 2%C
T bruscamente (trat. Trmico: temple) existencia de Fe (bcc) con altos contenidos en C ( distorsin red (tetragonal)) martensita prop.mecnicas aceros templados.
T1/22
Anisotropa-Isotropa
Material Anistropo Prop. dependen de la direccin cristalogrfica en la que se miden Material Istropo Prop. idnticas en todas las direcciones Mdulo MduloElstico ElsticoEE(GPa) (GPa)
Material Direccin cristalogrfica [100] Direccin cristalogrfica [111] Direccin cristalogrfica aleatoria
T1/23
Densidad volumtrica
Considerando el Modelo de las esferas rgidas
V =
masa celda unidad n tomos celdilla unidad masa tomo = volumen celda unidad volumen celdilla unidad
nM = VC N A
n: n tomos/celda unidad M: peso atmico VC: volumen celda unidad NA: nmero de Avogadro (6.023x1023 tomos/mol)
T1/24
Metales: Empaquetamiento compacto (enlace metlico) Masa atmica alta Cermicos Empaquetamiento menos compacto (inico mixto) Elementos ligeros Polmeros Empaquetamiento poco denso Elementos principales: C, H, N, O, S....c
T1/25
l =
BCC
Ejemplo : [111 ] =
2 = 2 3 tomos 3a m
BCC
T1/26
La deformacin plstica tiene lugar cuando los tomos deslizan entre ellos. El deslizamiento ocurre a lo largo de planos cristalogrficos especficos (fraccin atmica planar mas elevada) y a lo largo de direcciones preferentes (fraccin atmica lineal mas elevada)
Sistemas de Deslizamiento
Estructura cristalina
Planos compactos
{110} {111} {0001}
Direcciones compactas
<111> <110>
Nmero
BCC (Fe-, Mo, W) FCC (Fe-, Cu, Ni, Al) HCP (Cd, Mg, Zn, Ti-)
62=12 43=12 13 = 3
T1/27
<1120>
Propiedades de Transporte
En algunos materiales, la estructura atmica produce un transporte rpido de e- y/o calor en un plano y relativamente lento fuera de l. Ejemplo: Grafito. La conductividad trmica es ms rpida en los planos con enlace covalente sp2 que en la direccin perpendicular a ellos. Ejemplo: YBa2Cu3O7 superconductores Algunas redes contienen planos cristalogrficos de Cu y O. Estos planos conducen pares de e- (pares de Cooper) que son los responsables de la superconductividad. Estos materiales son aislantes elctricos en las direcciones perpendiculares a los planos Cu-O.
T1/28