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Universidad Politcnica de Chiapas

Ing. Biomdica Fundamentos de Electrnica Ing. Othoniel Hernndez Ovando

CONFIGURACIN EMISOR COMN

Suchiapa, 22 de Febrero de 2012

Configuracin Emisor Comn


La terminologa de EC se deriva del hecho de que el emisor es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin.

El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida.

Configuracin Emisor Comn


El emisor es comn a la entrada (baseemisor) y a la salida (colector-emisor).

Configuracin Emisor Comn


Para describir el comportamiento de la configuracin EC, se requiere de dos conjuntos de caractersticas:

Parmetros de Entrada

Parmetros de Salida

Parmetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta encendido se supondr que el VBE es: VBE = 0.7V

Parmetros de Salida

Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).

Regin Activa
La unin colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unin baseemisor se polariza directamente.

Esta es la regin ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador.

Regin Activa
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, est formada por la suma de la corriente de base y la de colector: IE = IC + IB En la configuracin EC, tambin se mantiene la relacin siguiente que se us en la configuracin BC: IC = IE

Regin de Corte
Tanto la unin base-emisor como la unin colector-emisor de un transistor tienen polarizacin inversa.

Regin de Corte
En la regin de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin EC se definir mediante: IC = ICEO Para IB = 0A La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se requiere una seal de salida sin distorsin.

Regin de Corte

Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin directa.

Regin de Saturacin
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones estn en polarizacin directa, las corrientes se anulan.

Un transistor est saturado cuando: (IC = IE = IMxima)

Regin de Saturacin

Ganancias de Corriente
Base Comn

Emisor Comn

Ganancia (alfa)

Ganancia (Beta)

Ganancia de Corriente (beta)


La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de entrada (IB) =
La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB). Suele tener un rango entre 40 y 400, con la mayora dentro del rango medio.

Ganancia de Corriente (beta)


es un parmetro importante porque ofrece una relacin directa entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC.

=
Y dado que
IE = IC + IB IE = IB + IB Se tiene que

= + 1

Relaciones entre y
Es posible establecer una relacin entre y utilizando las relaciones dadas anteriormente.

= + 1

= 1

La ganancia es proporcionada por el fabricante y tambin es conocida como hFE.

Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de potencia mucho mayores que los de base comn.

= =

Caractersticas Generales
Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700 y 1000. Un poco ms que la Base Comn.
Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (50k). Ms baja que la de Base Comn. Alta ganancia de corriente entre 20 y 300 Alta ganancia de voltaje.

Impedancia (Z): Es la oposicin al flujo de corriente elctrica. Concepto similar a la resistencia.

Aplicaciones

Configuracin EC

Es la configuracin ms usada, puesto que amplifica tanto corriente como voltaje.

El ms usado para circuitos de baja frecuencia, debido a la alta impedancia de entrada.

Usado en amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio.