UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO

ABAD DE CUSCO
DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE ING.
ELECTRONICA
EP. ING MECANICA
CURSO DE ELECTRÓNICA
TEMA:
CAPÍTULO 1: INTRODUCCIÓN
SEMICONDUCTORES

RESUMEN: ING. CHRISTIAN VÁSQUEZ GAMARRA

 • Unidad de carga: q= 1.6 x 10^-19 C
• Cobre es el conductor más utilizado (valencia 1)  es un buen conductor
• El último (e-) es el que determina las propiedades del átomo, y es el
electrón libre (de valencia)
Z=29
• A 0°K= - 273°C.
• A Temperatura ambiente: 27°C = 300°K  hay (e-) libres debido a la
energía térmica
SEMICONDUCTORES

• Materiales que se comportan como

conductores sólo en determinadas
condiciones.
• Punto intermedio entre los conductores y los
aislantes.
• Puede existir una dependencia de algún
parámetro (ejm T°C)
• Igualmente sucede con las propiedades
eléctricas
• Los aislantes poseen pocas cargas móviles
• Número Z=14, posee 14 (e-), 4 en su última capa  Silicio
• Número Z=32, posee 32 (e-), 4 en su última capa  Germanio
• Útil para fabricar dispositivos electrónicos
• Átomo tetravalente
• Enlaces covalentes
Ag

  Alta conductividad
Lo podemos encontrar en satélites
Alternativamente se emplea el “Al”,
Clasificación de los conductores:

• Metálicos: los portadores de cargas son electrones libres. “I” circula a través de la
materia
• Electrolíticos: la conducción es iónica  electrolitos  ácidos, bases, sales disueltos o
fundidos, las moléculas se disocian parcialmente  iones + o - -- portadores de
carga. “I” circula con la materia
• Gases: no son buenos conductores  cuando están ionizados se convierten en buenos
conductores, no cumple con la ley de ohm
• Superconductores: Conducir la corriente eléctrica sin resistencia ni pérdida de energía
en determinadas condiciones. Ocurren en algunos materiales como Sn y Al. El Au está
clasificado como superconductor
SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

• Semiconductor puro (Si, Ge)

• Hecho de un solo átomo semiconductor

Los huecos y electrones libres se crean por pares

mediante la ruptura de enlaces covalentes
El número de electrones = número de huecos
n=p
 SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO

Potencialmente más negativo Carga aparentemente +

 𝑝 ≈ 𝑁 𝐴 ≫𝑛 → 𝜎 =𝑞 . 𝜇 𝑝 . 𝑝=𝑞 . 𝜇 𝑝 . 𝑁 𝐴
Si consideramos la contribución de ambos tipos de partículas, la conductividad viene dada
por
BANDA DE CONDUCCIÓN, AISLANTE Y DE VALENCIA

Banda de conducción (BC): Intervalo energético donde

están los (e-) que pueden moverse libremente, están
libres de la atracción del átomo

Banda prohibida (BP): Energía que ha de adquirir un

(e-) para poder moverse libremente por el material y
pasar a la BC

Banda de Valencia (BV): Intervalo energético donde

están los (e-) de la última capa
Semiconductores tipo N
La introducción de impurezas donadoras equivale a
la presencia de un nivel energético en el interior de
la banda prohibida, cercano al fondo de la banda de
conducción. De este modo, los electrones situados
en este nivel donador pueden saltar fácilmente a la
banda de conducción, suministrándole electrones sin
haber creado huecos.
Semiconductores tipo P
La introducción de impurezas aceptadoras equivale a
la presencia de un nivel energético en el interior de la
banda prohibida, cercano a la banda de valencia, y que
permite que se generen huecos al pasar electrones de
la banda de valencia a este nivel aceptador.
 La función f(E,T) es simétrica respecto de E F.

Por otra parte, si f(E,T) es la probabilidad de que un

Con T = 0° K, estado de energía E esté ocupado por un electrón,
entonces (1 − f(E,T)) es la probabilidad de que esté
vacío y por tanto (1 − f(E,T)) proporciona la
probabilidad de que un estado de la banda de valencia
esté ocupado por un hueco.
 La corriente de arrastre (deriva o Corriente en semiconductores
drift)
La corriente de difusión

Se debe a que una diferente concentración de portadores a lo

largo del espacio provoca un flujo de éstos hacia las zonas de
menor concentración y es consecuencia directa del movimiento
térmico aleatorio de los portadores

• Se debe a la presencia de un campo eléctrico que acelera a los

Dn: coeficiente de difusión
electrones y huecos
• En ausencia de campo eléctrico E, los portadores se mueven
de los electrones
aleatoriamente y no hay un transporte neto de carga.
• Cuando hay E, se provoca un movimiento neto en la
dirección del campo eléctrico.
 Además para cualquier de semiconductor, extrínseco o intrínseco, se tiene que:

Otra forma conveniente de expresar las concentraciones de portadores es referirlas a las

concentraciones intrínsecas

Ley de Neutralidad eléctrica

p + ND = n + NA
  Ejm. Se tiene un alambre de cobre (Cu) de 300 m de longitud, si cada átomo contribuye con 1 electrón.

a) Calcular n
b) La velocidad de arrastre de los electrones si J=1800 A/m2
c) La tensión (voltaje) a aplicarse en los extremos si se desea que la movilidad de los electrones sea de

L=300m
  N° Avogadro:
Peso atómico: 63.5 g
Densidad:

  Solución:

𝑉
𝐽  =𝑛 . 𝜇𝑛 𝑞 . 𝐸=𝑛 . 𝑞 . 𝑣 𝜇 −3 2
  𝑛 =4.5 𝑥 10 𝑚 / 𝑉𝑠 𝑣  = 𝜇𝑛 . 𝐸=𝜇 𝑛 .
𝑑
  𝐴 22 𝑒 − −19
1800 =8.46 𝑥 10 . 1.6 𝑥 10 𝐶 . 𝑣 𝑐𝑚
𝑚
2
𝑐𝑚
3
  1.32 𝑥 10
−5 2
∗ 300∗ 10 𝑐𝑚
𝑣 .𝑑 𝑠
𝑉= =
−5 𝑐𝑚 𝜇𝑛 −3 2
𝑣  =1.32∗ 10 4.5 𝑥 10 𝑚 /𝑉𝑠
𝑠

𝑉  =8.8 𝑚𝑉
 
Una muestra de Silicio (Si) a la temperatura ambiente (300°K) se contamina con átomos de Fósforo. Calcular la
concentración aproximada de huecos y electrones. La concentración de portadores intrínsecos es de 1.5 x a
temperatura ambiente. Hallar la conductividad eléctrica si , . Qué % de la corriente producida la transportan los
huecos?
  concentración de portadores intrínsecos
La
en el Germanio (Ge) a temperatura
ambiente es de , se adicionan
concentración de donadores equivalente a ,
seguidamente se adicional concentración
de aceptores en la proporción , Calcular
a) La concentración de n y p antes de
añadir impurezas aceptoras
b) La concentración de n y p después de
añadir impurezas aceptoras