S E MICOND U C TORE S

EX TRÍNS EC OS
REALIZADO POR
FA B I Á N R A M Í R E Z V I E R A
FA N N Y L I Z B E T H E S P I N O Z A G O N Z A L E Z
J O N ATA N U R I E L E S P I N O S A E S Q U I V E L
 INTRODUCCIÓN
• Un semiconductor extrínseco , o semiconductor dopado , es un semiconductor, que
fue dopado intencionalmente con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y
estructurales. En el caso de detectores de semiconductores de radiación ionizante, el dopaje es
la introducción intencional de impurezas en un semiconductor intrínseco con el fin de cambiar
sus propiedades eléctricas
SEMICONDUCTOR TIPO P
Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro
(B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los
4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el
paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo
P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).
SEMICONDUCTOR TIPO N
• Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones
de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse
enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina aumentando su
conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina también
donador de electrones.
CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

• En general, los semiconductores extrínsecos presentan una conductividad eléctrica mayor que
la de los semiconductores intrínsecos. Por este motivo, en la fabricación de dispositivos
electrónicos se utilizan semiconductores extrínsecos (silicio tipo p y silicio tipo n)