TECNOLOGÍA SUPERIOR EN ELECTRICIDAD

ELECTRONICA DE POTENCIA
 
TERCER CICLO
 
Docente: Ing. Daniel Orellana M.Eng
AGENDA
• UNIDAD 4: Transistores de Potencia
• 4.1. Construcción y característica del BJT de Potencia.
• 4.2. Característica del BJT de potencia.
• 4.3. Construcción y característica del MOSFET de potencia.
• 4.4. Características Dinámicas del MOSFET de potencia.
• 4.5. Construcción y característica del IGBT.
Transistores de potencia
• El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es
idéntico al de los transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

• Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:

• bipolar.
• unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
• IGBT.
Transistores de potencia
Parámetros MOS Bipolar
Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)

Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)

Coste Alto Medio
Transistores de potencia

• El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la

capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

• Trabaja con tensión.

• Tiempos de conmutación bajos (alta frecuencia de funcionamiento)
• Margen de potencia en conducción mucho mayor (como los bipolares).
Transistores de potencia
• Nos interesa, como siempre que tratamos con dispositivos
semiconductores de potencia que el transistor se parezca, lo más
posible, a un elemento ideal:

• Pequeñas fugas.
• Alta potencia.
• Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
• Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado
• Que no se produzcan “puntos calientes” (grandes di/dt ).
Transistores de potencia

• Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y

concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de
bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente,
sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector
- base y base - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de
los portadores.
Transistores de potencia
Para recordar, destacamos tres cosas fundamentales:

• En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

• En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
• En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra
bastante mayor.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor -
base y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de
operación normal del transistor para amplificación.
• Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor -
base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada
raramente.
• Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La
operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC = 0).
• Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones.
La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el
modo encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE = 0).
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Características
de un BJT tipo
NPN
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Especificaciones importantes
• Las principales características que han de considerarse en los
transistores bipolares de potencia son:
• ICmax: intensidad máxima de colector
• BVCEO: tensión de ruptura de colector-emisor
• Pmax: potencia máxima disipable en régimen continuo
• Además, conforme los transistores utilizados en circuitos de potencia
trabajan generalmente en saturación y corte (régimen de conmutación),
resulta de interés la caída de tensión colector-emisor en saturación VCEsat
y los tiempos de saturación y corte para aplicaciones de alta frecuencia.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son
despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto iC x vCE va a
tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas
en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace
el número de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Como siempre, podemos distinguir entre tiempo de excitación o
encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos
tiempos se puede dividir en otros dos, quedando así cuatro tiempos a
estudiar:
• Tiempo de retardo (Delay Time, td):
• Tiempo de subida (Rise time, tr):
• Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
• Tiempo de caída (Fall time, tf):
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Tiempo de retardo (Delay Time, td):
• Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal
de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida
alcanza el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr):

• Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el
90% de su valor final.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
• Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de entrada y
el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf):

• Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el
10% de su valor final.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

Donde:
• Tiempo de retardo (Delay Time, td):
• Tiempo de subida (Rise time, tr):
• Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts):
• Tiempo de caída (Fall time, tf):
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Es de hacer notar el hecho de que el
tiempo de apagado (toff) será siempre
mayor que el tiempo de encendido
(ton), como ocurre en la mayoría de los
conmutadores, tal y como se muestra
en la siguiente figura.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia
máxima (fmax) a la cual puede conmutar el transistor:
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Área de operación segura en un BJT de potencia
• Además de especificar la máxima disipación de potencia a diferentes
temperaturas de encapsulado, los fabricantes de transistores de
potencia suelen indicar una gráfica de la frontera del área de
operación sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en el plano ic-vce.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• La especificación de una SOA típica presenta la forma que se muestra
en la siguiente figura:
Construcción y característica del BJT de
Potencia
En esta curva se pueden observar cuatro áreas
claramente diferenciadas:

1. La corriente máxima permisible Icmax

2. La hipérbola de máxima disipación de potencia.
3. Límite de segunda ruptura
4. Voltaje de ruptura de la unión colector emisor
BVCEO
Construcción y característica del BJT de
Potencia

1. La corriente máxima permisible ICmax.

Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como resultado que se
fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del encapsulado

2. La hipérbola de máxima disipación de potencia.

Este es el lugar geométrico de los puntos para los cuales se cumple que vce·ic =
Pmax (a TCO). Para temperaturas TC > TCO se obtendrán un conjunto de hipérbolas
más bajas. Aún cuando se pueda permitir que el punto de trabajo se mueva de
modo temporal por encima de la hipérbola, no debe permitirse que el promedio
de disipación de potencia exceda de Pmax.
Construcción y característica del BJT de
Potencia

3. Límite de segunda ruptura.

La segunda ruptura es un fenómeno que resulta debi- do a que la circulación de
corriente por la unión entre emisor y base no es uniforme. Más bien, la densidad
de corriente es mayor cerca de la periferia de la unión. Esta “aglomeración de
corriente” da lugar a mayor disipación de potencia localizada y por lo tanto a
calentamientos en lugares que reciben el nombre de “puntos calientes”. Como el
calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente
térmico que provoque la destrucción de la unión semiconductora.
 
4. Voltaje de ruptura de la unión colector emisor BVCEO.
Nunca debe permitirse que el valor instantáneo de vce exceda de BVCEO; de otra
manera, ocurrirá la ruptura de avalancha de la unión entre colector y base.
Construcción y característica del BJT de
Potencia

• Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas

logarítmicas para ic y vce que llevan a un límite de área de operación
sin riesgo (SOA) formada por líneas rectas.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
Efectos producidos por cargas inductivas. Protecciones
• Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de
trabajo más desfavorables dentro de la zona activa, en el sentido de
que se oponen a las variaciones de corriente que imponen los
transistores al conmutar de saturación a corte y viceversa.
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Para una carga resistiva, el transistor pasará de
corte a saturación por la recta que va desde A
hasta C, y de saturación a corte desde C a A.
Sin embargo, con una carga inductiva como en
el circuito anterior el transistor pasa a
saturación recorriendo la curva ABC, mientras
que el paso a corte lo hace por el tramo CDA.
Puede verse una profunda incursión en la zona
activa que podría fácilmente sobrepasar el
límite de avalancha secundaria, con valor VCE
muy superior al valor de la fuente (Vcc).
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la
práctica varios circuitos, que se muestran a continuación:
Construcción y característica del BJT de
Potencia

A. Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner

ha de ser superior a la tensión de la fuente Vcc).
B. Diodo en antiparalelo con la carga RL.
C. Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de
saturación a corte, proporcionando a través de los diodos un camino
para la circulación de la intensidad inductiva de la carga.
Construcción y característica del BJT de
Potencia

• En la tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue

pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una
tensión Vcc. Diseñando adecuadamente la red RC se consigue que la tensión
en el transistor durante la conmutación sea inferior a la de la fuente,
alejándose su funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha
secundaria. Cuando el transistor pasa a saturación el condensador se
descarga a través de RS.
Construcción y característica del BJT de
Potencia

• El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura

adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturación (punto A) a corte (punto B)
se produce de forma más directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
• Para el cálculo de CS podemos suponer, despreciando las pérdidas, que la energía
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a C S cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Para el cálculo de CS podemos suponer, despreciando las pérdidas,
que la energía almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe
haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule.
Por tanto:

De donde:
Construcción y característica del BJT de
Potencia
• Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el
condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente
proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha
de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que
permanece en saturación el transistor:
El transistor MOSFET

• El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos

que los componen; una fina película metálica (Metal -M); oxido de
silicio (Óxido - O); región semiconductora (Semiconductor- S).

• Las aplicaciones más típicas de los transistores de potencia MosFet se

encuentran en la conmutación a altas frecuencias, chopeado,
sistemas inversores para controlar motores, generadores de altas
frecuencias para inducción de calor, generadores de ultrasonido,
amplificadores de audio y transmisores de radiofrecuencia.
El transistor MOSFET

• La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los

Mosfet consiste en que estos últimos son controlados por tensión
aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequeña corriente de
entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son
controlados por corriente aplicada a la base.
El transistor MOSFET
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT
• La velocidad de conmutación para los Mosfet está en el orden de los
nanosegundos, por esto los Mosfet son muy utilizados en
convertidores de pequeña potencia y alta frecuencia.
• Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura
• Mayor área de funcionamiento.
• Mayores ganancias.
• Circuito de mando más simple.
• Alta impedancia de entrada.
El transistor MOSFET
Inconvenientes de los Mosfet
• Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas
electrostá- ticas y requieren un embalaje especial.
• Es relativamente difícil su protección.
• Los Mosfet son más caros que sus equivalentes bipolares.
• La resistencia estática entre Drenador-Surtidor, es más grande, lo que
provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en
Conmutación.
El transistor MOSFET
Tipos de MOSFET
• Mosfet de Deplexión o empobrecimiento: existe un canal por el cual
circula la corriente aunque no se aplique tensión en la puerta.
• Mosfet de Acumulación o enriquecimiento: el canal por el cual circula
la co- rriente se crea cuando se le aplica una tensión en la puerta. A su
vez, dentro de los transistores MOSFET de enriquecimiento podemos
distinguir dos tipos: de canal n o de canal p, dependiendo del tipo de
sustrato utilizado y del tipo de portadores mayoritarios por el canal.
El transistor MOSFET
• En la siguiente figura se pueden observar la estructura física y el
símbolo más habitual para un MOSFET de canal n:
El transistor MOSFET
• Asimismo, en la siguiente figura se muestran las mismas figuras para
un MOSFET de canal p:
El transistor MOSFET
Regiones de trabajo de los MOSFET
• La curva característica nos da información acerca de como varía la
intensidad del drenador (id) para una tensión fija (vds), y variando la
tensión aplicada entre la puerta y el surtidor (vgs). En particular, en la
siguiente figura se apreciar la curva característica de un n-MOSFET de
enriquecimiento.
El transistor MOSFET
• Regiones de trabajo de los MOSFET

Las características reales del MOSFET se dividen en tres regiones, tal y

como se puede observar en la gráfica
El transistor MOSFET
Región de Corte
• En la figura anterior se puede ver como existen corrientes residuales
(muy pequeñas), cuando el dispositivo está en corte. Si la tensión
aplicada entre Puerta – Surtidor es inferior a Vth (normalmente
superior a 2 voltios, para los Mosfet de potencia), el dispositivo
continuará en la región de corte. En esta región la corriente que
circula por el drenador es prácticamente nula.
• Las ecuaciones para esta región serán:
El transistor MOSFET
Región Activa (Saturación de Canal)

• En esta región se utiliza el transistor Mos como amplificador. Para un

valor de vgs, que será como mínimo Vgs(th) se produce el paso de corriente
entre el drenador y el surtidor.

• En la región activa el valor de la tensión entre puerta y surtidor, controla

la magnitud de la corriente del drenador (id), como la tensión entre el
drenador y el surtidor (vds). Como se puede ver en la curva característica,
para un valor particular de la tensión entre puerta – surtidor, tenemos un
valor de la corriente del drenador (id).
El transistor MOSFET
Región Activa (Saturación de Canal

• Las ecuaciones para esta región serán:

El transistor MOSFET
Región Óhmica

• Una definición de la región óhmica, parte de la característica que

satisface la condición que

• Por lo tanto, las ecuaciones típicas para esta región son:

El transistor MOSFET
• Para un p-MOSFET de enriquecimiento es importante recordar que el
voltaje umbral VGS (th) es negativo y para inducir un canal es necesario
aplicar un voltaje en puerta que sea más negativo que el propio
voltaje umbral. Por lo tanto, para un MOSFET de canal p, se definen
las tres regiones anteriores de la siguiente manera:

• Región de Corte :

• Región Activa (saturación) :

• Región Óhmica :
Características del MOSFET de potencia
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DE LOS MOSFETS
Las características fundamentales de los MOSFETS son las siguientes:
• Máxima tensión drenador-fuente
• Máxima corriente de drenador
• Resistencia en conducción
• Tensiones umbral y máximas de puerta
• Velocidad de conmutación
Características del MOSFET de potencia
Máxima tensión drenador-fuente
• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato
(unido a la fuente) y el drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a
la fuente. Se especifica a qué pequeña circulación de corriente
corresponde (por ejemplo, 0,25 mA). Ayuda a clasificar los MOSFETS en:
• Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
• Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
• Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
• La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o como
V(BR)DSS
Características del MOSFET de potencia
Máxima corriente de drenador
• El fabricante suministra dos valores (al menos):
• Corriente continua máxima ID
• Corriente máxima pulsada IDM
• La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de la
cápsula Por ejemplo: a 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
Características del MOSFET de potencia
Resistencia de conducción
• Comportamiento de resistencia conducción
• Es uno de los parámetro más importante en un MOSFET. Cuanto menor sea,
mejor es el dispositivo.
• Se representa por las letras RDS(on).
• Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un dispositivo
particular, decrece con la tensión de puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
• Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes, RDS(on) crece
con el valor de VDSS.
• En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de RDS(on)
en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).
Características del MOSFET de potencia
Tensiones umbral y máximas de puerta
• Dependencia de la tensión umbral con la temperatura
• La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conducción entre drenador y fuente. Los
fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la tensión
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V.
• La tensión umbral cambia con la temperatura.
• La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es típicamente
de ± 20V.
Características del MOSFET de potencia
Velocidad de conmutación
• Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros dispositivos usados en
electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.).
• Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En ellos, los
niveles de corriente conducida no están asociados al aumento de la
concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles de eliminar
para que el dispositivo deje de conducir.
• La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades
parásitas del dispositivo. Se pueden distinguir esencialmente tres:
• Capacidad de lineal, CGS
• Capacidad de transición, CDS
• Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)
• Capacitancias típicas
Características del MOSFET de potencia
Velocidad de conmutación
• Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de tres
capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
• Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 (aproximadamente capacidad de entrada)
• Crss = Cdg (capacidad Miller)
• Coss = Cds + Cdg (aproximadamente capacidad de salida)
• La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan pérdidas que
condicionan las máximas frecuencias de conmutación de los MOSFET de
potencia.
• Además, en general estas capacidades parásitas retrasan las variaciones de
tensión, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensión y corriente,
lo que implica pérdidas en el proceso de conmutación.
El transistor IGBT

El IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los

BJT y los Mos- fet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los
Mosfet y bajas perdidas en conmutación, como los BJT, pero sin el
problema de segunda ruptura, por lo que pue- de trabajar a elevada
frecuencia y con grandes intensidades.
El transistor IGBT

Los IBGT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolución ha

sido rápida debi- do a que han demostrado tener una resistencia en
conducción muy baja y una elevada velocidad de conmutación (la
transición desde el estado de conducción al de bloqueo se puede
considerar de unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en
el rango de los 50KHz), además de una elevada tensión de ruptura. Los
IGBT se fabrican desde una tensión de 1400V y una corriente de 300A,
a una tensión de 600V y una corriente de 50A.
El transistor IGBT

El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el BJT, pero
más lento que el Mosfet. La energía aplicada a la puerta que activa el
dispositivo es pequeña con una corriente del orden de los
nanoamperios, esta pequeña potencia necesaria para conmutar el
dispositivo, hace que pueda ser controlado por circuitos integrados.
El transistor IGBT
Estructura
• El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se
alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se
construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de
poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p
+ capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión
bipolar de PNP.
El transistor IGBT
Estructura
• Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las características de conducción
son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de
un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y
Colector (C).
El transistor IGBT
El transistor IGBT
El transistor IGBT
• La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor
bipolar.
El transistor IGBT

Funcionamiento

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje
VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste
para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada.
Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente
con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje
positivo VG que es aplicado a la puerta G.
El transistor IGBT

Funcionamiento
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de
15 volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s,
después de lo cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de
carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se
mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud
del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy
baja.
El transistor IGBT

Funcionamiento
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La
transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de
los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae
a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene
bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
El transistor IGBT
Características técnicas
• ICmax Limitada por efecto Latch-up.
• VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y
pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
• VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300
voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores mayores)
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
El transistor IGBT
Aplicaciones
• El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a
circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en
sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia así
como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de
potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electro
doméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
El transistor IGBT
• Ejercicio
• Diseñar un circuito de excitación para un IGBT, que mantenga una
corriente de puerta de 40A cuando este activado y tenga un pico
de 100A en el paso a conducción. La tensión Vi soporta una tensión
de 100V con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de
conmutación 1000kHz. Suponemos que VGE es de 20V cuando el
transistor esta en conducción.
El transistor IGBT
Solución
• El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de
corriente. Despejando R1 en la siguiente fórmula:

• La corriente de puerta en conducción en régimen permanente

determina el valor de R2:
El transistor IGBT
Solución
• El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria.
Para un ciclo de trabajo del 50% a 1000 kHz, el transistor conduce
durante 0,5μs. Haciendo que el tiempo de conducción del transistor
sea cinco veces la constante de tiempo, t=0,1μs:
El transistor IGBT
• Video (MOSFETs _ BJT y el IGBT)
Práctica: Inversor de voltaje
Construir el siguiente circuito electrónico de potencia utilizando los siguientes componentes
electrónicos.

• 1 Fuente estable de 12VDC • 1 Transistor NPN tipo BC547

• 1 Resistencia 4,7KΩ a 1/2W • 2 Transistores de potencia MOSFET
• 1 Resistencia 100 KΩ a 1/2W canal “N” tipo IRFZ44
• 2 Disipadores de calor
• 1 Resistencia 10KΩ a 1/2W
• 1 Transformador de 120V a 24V con
• 1 Resistencia 2.7KΩ a 1/2W
toma central.
• 1 Resistencia 470Ω a 1/2W • 1 foco tipo led de 9W
• 1 Integrado 555 • 3 Borneras dúplex azul
• 1 Condensador electrolítico de • 1 Boquilla tipo plafón
4700μF a 25V
• 1 Cinta aislante
• 2 Condensadores cerámicos de 0.1 μF
• 1 Enchufe 110VAC
Práctica: Inversor de voltaje
Construir el siguiente circuito electrónico de potencia utilizando los siguientes componentes
electrónicos.
Práctica: Variador de velocidad de motor DC
por PWM utilizando transistor Mosfet
Práctica de consulta