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DE POTENCIA
1. RESUMEN
Durante esta práctica se realizó el uso de dos dispositivos de potencia que son el diodo
y el transistor. Para ambos se realizo el análisis de sus características como por
ejemplo del diodo podemos mencionar son los parámetros en bloqueo y parámetros
en conducción, entre sus características estáticas. Entre las características dinámicas
podemos mencionar el tiempo de recuperación de inverso y el tiempo de recuperación
en directo.
2. INTRODUCCION
DIODO DE POTENCIA
Componente electrónico ampliamente utilizado en la electrónica de potencia. A diferencia
de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por ser capaces de soportar una alta
intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y en sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas.
Características
La curva característica se muestra a continuación.
Las características más importantes del diodo podemos agrupar de la siguiente forma:
Características estáticas:
Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
Parámetros en conducción.
Modelo estático.
Características dinámicas
TRANSISTOR DE POTENCIA
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los
otros dos terminales.
Características de conmutación.
Donde:
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el que transcurre desde que se aplica
la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida
alcanza el 10% de su valor.
Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja
al 90% de su valor final.
Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
3. OBJETIVOS
Comprende el principio de funcionamiento del diodo de potencia y las condiciones
necesarias para tener uno de sus estados.
Mide y conoce el concepto de tiempos de conmutación, así como los retrasos
existentes en los diodos durante el paso de un estado a otro.
Observa la dependencia de los estados y la conmutación de las características del
circuito (frecuencia, carga, etc.)
Conoce las condiciones de trabajo de un transistor de potencia cuando éste opera en
corte y saturación, así como algunos criterios para asegurar el funcionamiento en
estas regiones de trabajo, en función al tipo de carga.
Calcula las pérdidas de potencia disipadas por el transistor debido a los tiempos de
conmutación.
4. MATERIALES
5. PROCEDIMIENTO
6. RESULTADOS
Experiencia 1.1
Ve R [Ω] VR+ [V] VR- [V] IF [µA] IRM Ta [µs] Tb [µs] Trr
[µA] [µs]
±10V 1 [KΩ] 5.12 5.76 5120 5760 2.4 5.8 8.2
• Experiencia 1.2
9. BIBLIOGRAFIA
https://www.ecured.cu/Diodos_de_potencia
https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html
https://es.rs-online.com/web/p/diodos-schottky-y-rectificadores/3953373/