CIRCUITO DE EXCITACIÓN

DEL TRANSISTOR “BJT”

NOMBRE: MONTERO CARAGUAY CRISTOPHER STEWARD
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA.
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- Es un dispositivo controlado por corriente que necesita una corriente de base que mantenga al
transistor en estado de conducción, el tiempo de puesta en conducción depende de la rapidez
con la que puede entregarse a la región de la base la carga de almacenamiento necesaria.
- Las velocidades de conmutación de entrada en conmutación se puede reducir aplicando un
pico elevado de corriente en la base y disminuyendo luego la corriente hasta lo necesario para
que el transistor este en conducción. Es necesario un pico negativo de corriente en el apagado
para eliminar la carga almacenada, reduciendo así el tiempo de transición entre conducción y
corte.
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• A continuación podemos ver un formulario
básico para poder realizar los problemas, en el
que se nos muestra las diferencias entre los
NPN y los PNP dentro de las distintas zonas de
funcionamiento. Dentro de la electrónica de
potencia, las zonas que nos interesarán serán las
de corte y saturación, siendo la activa más
usada en la electrónica analógica:
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• Problemas de diseño

Diseñe un circuito de excitación de la base de un

BJT, con la configuración de la figura, que tenga un
pico de 3 A durante la puesta en conducción y
mantenga una corriente de base de 0,4 A mientras el
transistor está activado. La tensión vi es un pulso de
0 a 50 V con un ciclo de trabajo del 50%, y la
frecuencia de conmutación es de 100kHz. Suponga
que vBE es de 1 V cuando el transistor está
conduciendo.
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• SOLUCIÓN. • Parte 1I
• Parte 1 La corriente de base en conducción en
El valor de R1 viene determinado por la necesidad régimen permanente determina el valor de
del pico inicial de corriente. Despejando R1 en la R2:
siguiente fórmula:
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• SOLUCIÓN.
• Parte III.
El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria. Para un ciclo de trabajo del 50% a 100 kHz, el
transistor conduce durante 5μs. Haciendo que el tiempo de conducción del transistor sea cinco veces la constante de
tiempo, t=1μs:
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• SELECCIÓN DE COMPONENTES.
• Problema 1.
Dentro del problema 1, debemos satisfacer las siguientes condiciones del circuito:
- La intensidad de base tiene un pico de 3 A durante la puesta en conducción y posteriormente
mantiene una intensidad de base de 0,4 A.
- Durante la conducción, el transistor esta en saturación, con lo que VCE = 0,2V
- Al estar en saturación, Ic=  β . Ib  
- La potencia disipada por el transistor será: PD = VCE . Ic
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• SELECCIÓN DE COMPONENTES.
• Problema 1.
- La frecuencia de conmutación es de 100kHz.
Como en el enunciado no se nos dan valores para VCC y para R3  les daremos valores aleatorios como
ejemplo para seleccionar los componentes. Por ejemplo:
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• SELECCIÓN DE COMPONENTES.
• Problema 1.
Finalmente, obtenemos que nuestro componente debe satisfacer las siguientes necesidades:
- Tiene que soportar una intensidad de base máxima de Ib= 3A.
- Sabemos que:
- La potencia máxima disipada debe ser mayor de PD= VCE . Ic= 0,2V . 5A = 1W.
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• SELECCIÓN DE COMPONENTES.
• Problema 1.
- Luego haremos la comparación con los siguientes transistores basándonos en:
Ib = 3A.
PD = 1W.
Ic = 5A.
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GRACIAS POR SU ATENCIÓN,

ES TODO
Link: https://youtu.be/6smbSg5f6OI