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Virginia Paredes
INTRODUCCIÓN
Muchos de las aplicaciones de los materiales
requiere de la combinación de propiedades. Por
ejemplo los metales ofrecen elevada resistencia y
ductilidad, por otra parte los cerámicos ofrecen
resistencia a altas temperaturas, estabilidad química
y poco desgaste.
• Virginia Paredes
A nivel atómico, la difusión es la
Mecanismo por el que la materia se
Difusión
emigración de los átomos de un sitio de
la red a otro sitio Transporte de
transporta a través de la materia. masas por movimiento atómico o de
moléculas.
Las vibraciones térmicas permiten q ue algu nos se mu evan. Y co mo en estos materiales lo s áto mos están en
Las especies se mueven de man era predecible, tratando de elimin ar las diferen cias de co ncentración
co mposición homogénea
Virginia Paredes
Cinética de los procesos sólidos
Aplicaciones
Tratamiento térmico
de los metales
Manufactura de los
cerámicos
Fabricación de
transistores y celdas
solares
Mejorar la
conductividad
eléctrica de los
cerámicos
Virginia Paredes
Difusión en sólidos
En la energía
de
activación
para una
reacción en
estado sólido
activada
térmicament
e, los átomos
que poseen
un nivel de
energía E
(energía de
los
reactivos) +
EA (energía
de
activación)
son capaces
de
reaccionar
espontáneam
ente y
alcanzar el
estado EP,
(energía de
los
productos).
La reacción
mostrada es
exotérmica,
o sea con
desprendimi
ento de
energía
Virginia Paredes
Mecanismos de Difusión en sólidos
Mecanismos de Difusión
Difusión Sustitucional
Difusión inters
o por Vacancias
Virginia Paredes
Difusión sustitucional o por vacancias
Los
Los átomos
átomos pueden
pueden moverse
moverse en
en la
la red
red cristalina
cristalina de
de una
una posición
posición atómica
atómica a
a otra,
otra, si
si tienen
tienen suficiente
suficiente
energía
energía de activación por las vibraciones térmicas y las vacancias u otros defectos cristalinos
de activación por las vibraciones térmicas y las vacancias u otros defectos cristalinos
Virginia Paredes
Auto difusión sustitucional del Cu
Difusión por vacancias del cobre en un plano compacto en la estructura cristalina del
mismo metal.
Si un átomo cercano a la vacancia posee suficiente E AA, podrá moverse hacia esa
posición, y contribuirá a la difusión propia de los átomos en la estructura.
EAA para la autodifusión = EAA para formar la vacancia + la EAA para moverla.
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Difusión sustitucional o por vacancias
En general:
La difusión por vacancias también puede darse en soluciones sólidas. En este caso, la
velocidad de difusión depende de las diferencias en los tamaños de los átomos y de las
energías de enlace.
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Hetero difusión de sólidos
Hetero difusión
●
● Distintos átomos intercambian sus
posiciones en la red
Par Difusor Cu Ni
●
● Se aplica un tratamiento térmico a elevada temperatura
●
● Difusión de los átomos del Cu en el Ni
●
● Al final los átomos del Cu están uniformemente distribuidos en
todo el Ni
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Par Difusor
Virginia Paredes
Difusión Intersticial
• Los átomos se mueven de un intersticio a otro, sin desplazar ningún átomo
de la red cristalina No hay necesidad de que existan vacancias vecinas.
• Los átomos en movimiento deben ser relativamente pequeños (H,O,N,C)
• En metales y aleaciones, la difusión de impurezas de radio atómico muy
pequeño en relación al radio de la matriz.
• Es mucho mas rápida que la difusión por vacancias.
Difusión Intersticial
Antes de la Después de
difusión la difusión
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Energía de Activación
K= constante de Boltzman
K = 1,38 * 10-23 J/(átomos K)
K = 8,62 * 10-5 eV/K
Virginia Paredes
Efecto de la Temperatura en el incremento de la energía
de las moléculas (Boltzmann)
Fracción de átomos que tienen una energía superior a E*
Virginia Paredes
Estabilidad de los átomos
En las imperfecciones cristalinas los átomos no son estables ni están en reposo, estos poseen
energía térmicas y se mueven de un sitio intersticial a otro, pueden saltar a través del borde de
grano, moviendo dicho borde
En términos de logaritmos
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Ejercicio de la velocidad de Arrhenius (Askeland)
Si Q/R=14,000 K-1
Q=14,000 K-1*R
Q= 27,880 cal/mol
EJERCICIO DE LA VELOCIDAD DE ARRHENIUS (ASKELAND)
Virginia Paredes
Flujo de Difusión
Flujo de difusión o velocidad de difusión: masa o cantidad de átomos que atraviesan
perpendicularmente una determinada superficie en unidad de tiempo
Virginia Paredes
FLUJO DE DIFUSIÓN:
1RA LEY DE FICK: ESTADO ESTACIONARIO
Consideraciones:
• J= Ctte No cambia la
concentración de átomos de
soluto en un punto con el
tiempo
• Gradiente de concentración
(dC/dx) conocido e
invariable con el tiempo
Virginia Paredes
FLUJO DE DIFUSIÓN: 1RA LEY DE FICK
• Determinar:
La difusividad del Al en Cu es de 2,6 * 10 -17 m2/s a • a) Los valores de Do y Q
500 °C y de 1,6 *10-12 m2/s a 1000 °C.
• b) La difusividad a 750 °C
1. Los valores de Do y Q
Do y Q son independientes de la Temperatura y
constante para cada material
𝑸
−
( 1.987
𝑐𝑎𝑙
𝑚𝑜𝑙 𝐾
∗773 𝐾 )
T= 500°C2,6 ∗ 10 −17 m 2 / s = 𝑫𝒐 ∗ 𝑒
𝑸
2,6 * 10-17 m2/s
D1(500): _______ −
( 1.987
𝑐𝑎𝑙
𝑚𝑜𝑙 𝐾
∗1273 𝐾 )
500°C = 773K 1 ,6 ∗ 10 −1 2 m 2 / s = 𝑫𝒐 ∗ 𝑒
T= 1000°C
T1: _______
D2(1000): _______
1,6 *10-12 m2/s Ln(
T2: _______
1000°C = 1273K Ln(
Do: _______
?
Q: _______
?
D3(750): _______
? Do
Q cal/mol
T3: _______
750°C = 1023K 2. La difusividad a 750 °C
𝑐𝑎𝑙
43123,06
D= 4 ∗ 105 𝑚 2 / 𝑠 ∗ 𝑒
−
( 1.987
𝑐𝑎𝑙
𝑚𝑜𝑙 𝐾
𝑚𝑜𝑙
∗ 1023 𝐾
D )
FLUJO DE DIFUSIÓN: 1RA LEY DE FICK
?
J:_______
8,5%w 1. Transformar %w a % at
Ca:_______
8,8%w
Cb:_______ Punto C
40*10-6 m
x: _______ 8,5 g Ni 8,5 g/ 58,71 g/mol = 0,1448 moles
D: 9*10
_______
-15
m2/s 91,5 g Fe 91,5 g/ 55,85 g/mol = 1,6383 moles
T: ________
1200°C = 1473K
1. Transformar %w a % at Punto L
2. Calcular ΔC/Δx 8,8 g Ni 8,2 g/ 58,71 g/mol = 0,1499 moles
3. Calcular el flujo 91,2 g Fe 91,2 g/ 55,85 g/mol = 1,6329 moles
FLUJO DE DIFUSIÓN: 1RA LEY DE FICK
2. Calcular ΔC/Δx
V=a3 V= (0,365*10-9 m) = 4,863*10-29 𝛍m3
Tamaño de Ni similar a Fe SS Sustitucional
Estructura FCC 4átomos por celda
3. Calcular el flujo
?
J:_______ 𝐽 =5,4 ∗ 1016 𝑎𝑡 𝑁𝑖
8,12 % at
Ca:_______ 𝑚2 𝑠
8,41 %at
Cb:_______
40*10-6 m
x: _______
D: 9*10
_______
-15
m2/s
T: ________
1200°C = 1473K
𝛥𝐶
𝛥 𝑥 = −6 ∗10 30 𝑎𝑡 / 𝑚 3∗ 𝑚
FLUJO DE DIFUSIÓN:
2DA LEY DE FICK: ESTADO NO ESTACIONAR
En la mayoría de los casos, la difusión no es estacionaria, ya que la concentración
de los átomos de soluto en cualquier punto del material cambia con el tiempo.
Por ejemplo, si se difunde carbono en la superficie de acero para endurecer la
misma, la concentración de carbono bajo la superficie de cualquier punto cambiará
con el tiempo a medida que el proceso de difusión progresa.
Virginia Paredes
FLUJO DE DIFUSIÓN:
2DA LEY DE FICK: ESTADO NO ESTACIONARIO
Condiciones:
●
●Css concentración superficial del elemento en el gas que
●
● D permanece constate con la posición difunde hacia dentro de la superficie.
●
● Css permanece constate ●C concentración inicial uniforme del elemento en sólido
●
00
●Cx concentración del elemento a la distancia x de la
●
● Cx permanece constante a largas distancias ●
superficie en un tiempo t
Virginia Paredes
FLUJO DE DIFUSIÓN:
2DA LEY DE FICK: ESTADO NO ESTACIONARIO
Valores de la función error gaussian
Virginia Paredes
FLUJO DE DIFUSIÓN: 2DA LEY DE FICK
Al fabricar un engranaje se desea una capa superficial dura y un núcleo tenaz. Partiendo de un acero al
carbono (0,2 % C) y colocando el engranaje de este material en un horno a 1000ºC con atmósfera rica en gas
hidrocarburo, se sabe que la superficie alcanzará muy pronto el 0,9 % en C. Calcular el contenido en C a
0,025 cm debajo de la superficie después de 10 horas de hallarse en el horno.
0.9
Cs:_______
0.2 ) )
Co:_______
?
Cx:_______
2,5*10-2cm
x: _______
T: 1000°C
_______= 1273K 𝑥−0 0,09 − 0
T: ________
10 h = 36,000 s
0,1125
=
−0 0,10 − 0
0,09
( 𝑧)=
erf
0,10
∗0.1125= 0,10125
Z erf 0,9− 𝐶𝑥
0 0 0,7
=0,10125
0,09 X
0.10 0.1125
0,9
−0,10125 ∗ 0,7=Cx
D
0,9
−0,10125 ∗ 0,7=Cx
0,83 =Cx
FLUJO DE DIFUSIÓN: 2DA LEY DE FICK
Se difunde Al en Cu puro a 1000°C durante 5 h. ¿Cuál es la profundidad bajo la superficie a la que la
concentración es 1017 at/cm3 si la concentración en la superficie es de 10 18 at/cm3. Datos: Q= 39500 cal/mol y Do
= 0,045 m2/s
1018 at/cm3
Cs:_______
18 3
0 )
Co:_______
Cx:_______
1017
17 at/cm33
?
x: _______ )
T: 1000°C
_______ = 1273K
T: ________
5 h = 18.000 s
erf z Z 0,9− 𝐶𝑥
0 0 0,9−
0,7
0,7
𝐶𝑥 =0,10125
=0,10125
X 0,09
0.1125 0.10
0,9
−0,10125 ∗ 0,7=Cx
D
0,9
−0,10125 ∗ 0,7=Cx
0,83 =Cx
Ejercicios
1. Calcule a) el número de vacantes de equilibrio por metro cúbico en el cobre Ej
puro a 500°C y b) la fracción de vacantes a 500°C del cobre puro, con C = 1.
(ρCu= 8,96 Mg/m3; mCu=63,54g/mol) er
2. Se desea disminuir un 1% la densidad de una pieza de Fe mediante la
introducción de vacantes en dicha pieza. Calcule el número de vacantes
ci
necesario por cm3 y la temperatura a la que habría que calentar la muestra.
Supóngase que la energía de formación de una vacante para el Fe es 20
ci
Kcal/mol. Masa Fe=55.85 g/mol; ρFe=7.87 g/cm3; Ev=20000 cal/mol; R=1.987
cal/Kmol.
os
3. El cloruro de metileno (CH2Cl2) es un ingrediente común para remover pintura.
Además de ser irritante, puede absorberse por la piel. Cuando se utiliza este
removedor de pintura se deben usar guantes protectores. Si se utilizan guantes
de caucho butílico (0.04 cm de espesor), ¿cuál es el flujo de difusión del cloruro
de metileno a través del guante?, sabiendo que el coeficiente de difusión del
caucho butílico es de 110*10-8 cm2/s y que al finalizar el proceso del lado del
removedor de pintura existen 0,44 g/cm3 de CH2Cl2 y del lado de la piel 0,02
g/cm3
4. Una parte de cerámica hecha de MgO se sinteriza con éxito en 1700°C en 90
minutos . Para minimizar las tensiones térmicas durante el proceso, se quiere
reducir la temperatura a 1500°C.¿Qué tiempo requerirá para que ocurra la
difusión de iones magnesio o de iones de oxígeno a la temperatura de 1500°C?
Ej
Boltzman er
ci
ci
os
Solución
Virginia Paredes
Ej
Boltzman er
ci
ci
os
Virginia Paredes
VELOCIDAD DE ARRHENIUS
Se desea disminuir un 1% la densidad de una pieza de hierro mediante la introducción de
vacantes en dicha pieza. Calcule el número de vacantes necesario por cm 33 y la
temperatura a la que habría que calentar la muestra. Supóngase que la energía de
formación de una vacante para el hierro fuera 20 Kcal/mol. Masa Fe=55.85 g/mol;
ρFe=7.87 g/cm33; Evv=20000 cal/mol; R=1.987 cal/Kmol Ej
er
a) Numero de vacantes necesarios por cm3 ci
• Al introducir vacantes en el hierro, el material pesará menos con el mismo volumen,
la densidad será menor (ρ*). ci
• La disminución de densidad es del 1%, ρ*=7.7913 g/cm3.
• La diferencia entre ambas densidades Δ𝛒 (Fe puro y Fe con vacancias) se debe a las os
vacantes introducidas y su número se puede calcular del siguiente modo:
Ej
er
ci
El cloruro de metileno (CH22Cl22) es un ingrediente común para remover
pintura. Además de ser irritante, puede absorberse por la piel. Cuando se ci
utiliza este removedor de pintura se deben usar guantes protectores. Si se
os
J de caucho butílico (0.04 cm de espesor), ¿cuál es el flujo de
utilizan guantes
difusión del cloruro de metileno a través del guante?, sabiendo que el
coeficiente de difusión del caucho butílico es de 110*10 -8-8 cm22/s y que al
?
J:_______ finalizar el proceso del lado del removedor de pintura existen 0,44 g/cm 33 de
0,02
Ca:_______ g/cm
𝑱=𝟏,𝟏𝟔∗10−5 g/ cm 2s
g/cm33
CH322Cl22 y del lado de la piel 0,02
Cb:_______
0,44 g/cm3
x: _______
0,040 cm
D: _______
110*10-18 cm2/s Virginia Paredes
2da Ley de Fick
Ej
er
ci
Una parte de cerámica hecha de MgO se sinteriza con éxito en ci
1700°C en 90 minutos . Para minimizar las tensiones térmicas durante
el proceso, se quiere reducir la temperatura a 1500°C. os
rMg = 1,60 A ¿Qué tiempo requerirá para que ocurra la difusión de iones
rO = 0,60 A magnesio o de iones de oxígeno a la temperatura de 1500°C?
Ej
er
ci
ci
os
Una parte de cerámica hecha de MgO se sinteriza con éxito en 1700°C en 90 minutos. Pa
minimizar las tensiones térmicas durante el proceso, se quiere reducir la temperatura a
1500°C.
¿Qué tiempo requerirá para que ocurra la difusión de iones magnesio o de iones de
oxígeno a la temperatura de 1500°C?
Virginia Paredes
1ra Ley de Fick
Ej
er
Una manera de fabricar transistores, que amplifican las
señales eléctricas, es la difusión de átomos de impurezas en
ci
un material semiconductor como el silicio. Imagine que una ci
oblea de silicio de espesor 0,1 cm, que originalmente
contiene un átomo de fosforo por cada 10.000.000 de os
átomos de Si, es tratada de forma que en su superficie
existan 400 átomos de P por cada 10.000.000 de Si (El
parámetro de red del Si es 5,4307 A). Calcule
a) el gradiente de concentración en porcentaje atómico,
b) El gradiente de concentración en átomos / cm3
Virginia Paredes
1ra Ley de Fick
Ej
er
ci
Una manera de fabricar transistores, que amplifican las señales eléctricas, es la
a) el gradiente dedifusión
concentración endeporcentaje
de átomos impurezas atómico
en un material semiconductor como el silicio.
ci
Imagine que unainiciales
Calculo de las concentraciones oblea de ysilicio de espesoren
superficiales 0,1porcentaje
cm, que originalmente contiene un
átomo de fosforo (sustitucional) por cada 10.000.000 de átomos de Si, es tratada
os
de forma que en su superficie existan 400 átomos de P (sustitucionales) por cada
10.000.000 de Si (El parámetro de red del Si es 5,4307 A). Calcule
a) el gradiente de concentración en porcentaje atómico,
b) El gradiente de concentración en átomos / cm33
Virginia Paredes
1ra Ley de Fick
Ej
er
ci
b) el gradienteUna manera de fabricar
de concentración en transistores,
átomos/cmque 3 amplifican las señales eléctricas, es la
difusión de átomos de impurezas en un material semiconductor como el silicio.
ci
Imagine que
Para encontrar el gradiente seuna
debeoblea de silicio
conocer de espesor de
el volumen 0,1lacm, que originalmente
celda unitaria contiene
V= a 3 = un os
(5,4307*10-8 cm)3átomo
= 1,6de fosforo
* 10 -22
cm(sustitucional)
3
/celda por cada 10.000.000 de átomos de Si, es tratada
de forma que en su superficie existan 400 átomos de P (sustitucionales) por cada
10.000.000 de Si (El parámetro de red del Si es 5,4307 A). Calcule
El Si tiene una estructura CD que posee 8 átomos por celda, por tanto, se puede hallar
a) el gradiente de concentración en porcentaje atómico,
el volumen de losb)10.000.000
El gradienteátomos de Si
de concentración en átomos / cm33
Virginia Paredes
1ra Ley de Fick
Ej
er
ci
Una manera de fabricar
Las composiciones transistores,
en átomos/cm 3 que amplifican las señales eléctricas, es la
son:
difusión de átomos de impurezas en un material semiconductor como el silicio.
ci
Imagine que una oblea de silicio de espesor 0,1 cm, que originalmente contiene un
átomo de fosforo (sustitucional) por cada 10.000.000 de átomos de Si, es tratada
os
de forma que en su superficie existan 400 átomos de P (sustitucionales) por cada
10.000.000 de Si (El parámetro de red del Si es 5,4307 A). Calcule
a) el gradiente de concentración en porcentaje atómico,
b) El gradiente de concentración en átomos / cm33
Virginia Paredes
1ra Ley de Fick
Dentro de un contenedor de acero, cuyo espesor es de 0,001in,
la concentración de hidrógeno es de a 650°C, fuera del
contenedor la concentración de hidrógeno es de . Determine Ej
a) el gradiente de concentración de hidrogeno y er
b) el flujo de hidrogeno a través del acero. ci
ci
os
2da Ley de Fick
Considere un gas Carburizante de un engranaje de Acero 1020 a 927°C.
Determine el tiempo en minutos necesario para incrementar el contenido de
carbono a 0.40%, a 0.50 mm debajo de la superficie. Suponga que el contenido
de carbono en la superficie es 0.90% y que el acero tiene un contenido nominal Ej
en carbono de 0.20%, tenga en cuenta que la difusividad del acero a la
temperatura mencionada es 1,28X10-11-11m2
2/s er
ci
Cs:_______
0.9
ci
Segunda Ley de Fick
0.2
Co:_______
0.4
Cx:_______
os
5*10-4m
x: _______
D: 1,28X10
_______-11m2/s
2da Ley de Fick
Considere un gas Carburizante de un engranaje de Acero 1020 a 927°C.
Determine el tiempo en minutos necesario para incrementar el contenido de
carbono a 0.40%, a 0.50 mm debajo de la superficie. Suponga que el
contenido de carbono en la superficie es 0.90% y que el acero tiene un
contenido nominal en carbono de 0.20%, tenga en cuenta que la difusividad
Ej
del acero a la temperatura mencionada es 1,28X10-11m2/s er
ci
ci
erf z Z
0.7112 0.75 os
0.7143 X
0.7421 0.80