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CONTENIDO RESUMIDO:
1- Introducción
2- Osciladores
3- Mezcladores.
4- Lazos enganchados en fase (PLL).
5- Amplificadores de pequeña señal para RF.
6- Filtros pasa-banda basados en resonadores piezoeléctricos.
7- Amplificadores de potencia para RF.
8- Demoduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK).
9- Demoduladores de ángulo (FM, FSK y PM).
10- Moduladores de amplitud (AM, DSB, SSB y ASK).
11- Moduladores de ángulo (PM, FM, FSK y PSK).
12- Tipos y estructuras de receptores de RF.
13- Tipos y estructuras de transmisores de RF.
14- Transceptores para radiocomunicaciones
ATE-UO EC amp señ 00
5- Amplificadores de pequeña señal para
RF
Idea fundamental:
Amplificación selectiva de las señales de RF con buena
relación señal/ruido
Zg
+
Amplificador
VCC vg
de señal de ZL
RF
Zg is
ie
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Amplificador de señal de RF
Zg
+ + +
ve Ye Ys vs ZL
iscc
vg - -
Amplificador de señal de RF
Zg
Zg
jXg Rg
+
ZL
vg + jXL
ig
ZL
vg
Máxima transferencia de
RL
potencia (ZL = Zg*):
Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Pgd = (ig ef)2·RL = (ig ef)2·Rg =
Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg (vg ef/2Rg)2·Rg = (vg ef)2/4Rg
ATE-UO EC amp señ 04
Concepto de ganancia de potencia disponible de un
amplificador
Zg
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Amplificador de señal de RF
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Amplificador de señal de RF
Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]
Potencia de salida: ps = (is ef)2·Re[ZL]
Ganancia de potencia de tranducción: Gpt = ps/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es función de Zg y ZL
+ +
+ +
ve 50 W 75 W vs
20·ve
vg
- -
Zg
+ + Zs
Ze ZL
vg vso
Zg
Red Red
+ adaptación
+ Zs adaptación
de entrada de entrada
ZL
vg (no disip.) vso (no disip.)
Ze
Amplificador de señal de RF
Red Red
adapt. adapt.
de Ze de ZL
entrada salida
+ + + +
+ +
ve’ vs’ vs
ve
vg 50 W 75 W
- - 20·ve’ - -
(75/50)1/2:1 (300/75)1/2:1
200 W 200 W
Sin adaptación:
+ + Gpt = 64 = 18,06 dB
+ + 50 W
ve 50 W vs
vg 50·v
- -
e
200 W 200 W
+ 2:1 + + 2:1 +
+ +
ve’ vs’ vs
ve
vg 50 W 50 W
- - 50·ve’ - -
Coeficientes de reflexión:
i1 n·i2 i2 i1 = i2·n + im
i1 n·i2 i2
+ 1:n +
Ld1 im Ld2
v1 v2
Lm
- -
Modelo en “T”
i1 n·i2 i2
+ im2 1:n +
im1 Ld
v1 v2
Lm1 Lm2
- -
Modelo en “p” ATE-UO EC amp señ 17
Segunda aproximación al comportamiento real:
inductancias magnetizante y de dispersión (II)
i1 n·i2 i2
+ im
1:n +
Ld
v1 v2 R2
Lm
- -
Modelo aproximado muy usado
Z1(jw)[W]
Z1(s), Y1(s) 10·R2’
+ 1:n +
Ld
v1 v2 R2
Lm Cp1
- -
R2’/10
R2’/100
ATE-UO EC amp señ 19 f1 10f1 100f1 1000f1
Uso de un transformador como adaptador de
impedancias de banda ancha (I)
Solamente válido en el caso de impedancias resistivas
Rg
1:n
+
R2 Margen de uso
vg Lm
Z1(jw)[W]
R2’ = R2/n2
Z1(jw) R2’
Rg
Lm 1:n
+ Cr’ C2
R2
vg
Z1(jw) 10·R2’
Z1(jw)[W]
Sin Cr
Comportamiento R2’ Con Cr
bastante independiente
de los “parásitos” del R2’/10
transformador
R2’/100
f1 10f1 100f1 1000f1
ATE-UO EC amp señ 24
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras de
impedancias sin transformador (I)
Supongamos inicialmente
Rg impedancias resistivas en
el generador y la carga
+ RL
jXs
Calculamos Ze:
Ze = jXs + jXp·RL/(jXp + RL) =
vg jXp
jXs + jXp·RL·(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =
Ze
[j(RL2·Xs + Xp2·Xs + RL2·Xp) + Xp2·RL]/(RL2 + Xp2)
Condición de Im[Ze] = 0 y Re[Ze] = Re a wo:
0 = RL2·Xs(wo) + Xp2(wo)·Xs(wo) + RL2·Xp (wo) (1)
Re = Xp2(wo)·RL/[RL2 + Xp2(wo)] (2)
De (2) se obtiene:
Xp(wo) = ± RL·[Re/(RL-Re)]1/2 (3)
Y de (1) y (3) se obtiene:
-Xs(wo) = ± [Re·(RL-Re)]1/2 (4)
ATE-UO EC amp señ 25
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (II)
Pasa bajos
Particularizamos:
L RL Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo)
Ze = Re Sustituimos en (4) (con “signo -”) y
C en (5):
Lwo = [Re·(RL-Re)]1/2
Lwo = [Re·(RL-Re)]1/2 1/(Cwo) = RL·Re/(Lwo) L/C = RL·Re
L/C = RL·Re
Re < RL ATE-UO EC amp señ 27
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (IV)
a c a c
+ +
Red Red
i2 i2
v1 pasiva pasiva
v1
b d b d
Rg a c RL
Balance de potencias:
+ Red
pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2·RL
pab pasiva no iL Por tanto:
vg disipativa (iL ef)2 = (vg ef)2/(4Rg·RL)
b d
Rg
Balance de potencias:
Rg a c RL pcd = (iL ef)2·Rg
Red + Sustituyendo el valor
de iL ef:
iL pasiva no pcd
pcd = (vg ef)2/(4RL)
disipativa
vg Para que esto ocurra:
b d
Zcd Zcd = RL
ATE-UO EC amp señ 30
Conclusión
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una
resistencia y con impedancia de entrada resistiva
a c
Si se cumple:
Red
pasiva no R2
disipativa
Zab = R1 b d
Entonces:
a c
Red
R1 pasiva no
disipativa
b d Zcd = R2
ATE-UO EC amp señ 31
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (VI)
-Xs(wo) = ± [R1·(R2-R1)]1/2 Xp(wo) = -R2·R1/Xs(wo) R1 < R 2
a c a c
jXs R2 R1 jXs
Zab = R1 Zcd = R2
jXp jXp
b R 1 = Re d b R1 = RL d
R2 = RL R2 = Re
Dibujando de nuevo:
Rg
+ -Xs(wo) = ± [RL·(Re-RL)]1/2
jXs RL
Xp(wo) = -Re·RL/Xs(wo)
jXp RL < Re
vg
Ze = Re ATE-UO EC amp señ 32
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (VII)
Pasa bajos
Particularizamos:
L Xs(wo) = Lwo y Xp(wo) = -1/(Cwo)
Ze = Re Sustituimos en (4’) (con “signo -”) y
C RL en (5’):
Lwo = [RL·(Re-RL)]1/2
Lwo = [RL·(Re-RL)]1/2 1/(Cwo) = Re·RL/(Lwo) L/C = Re·RL
L/C = Re·RL
RL < Re ATE-UO EC amp señ 33
Teoría general de las redes no disipativas adaptadoras
de impedancias sin transformador (VIII)
Pasa altos
Particularizamos:
C Xs(wo) = -1/(Cwo) y Xp(wo) = Lwo
Sustituimos en (4’) (con “signo +”)
Ze = Re RL
L y en (5’):
1/(Cwo) = [RL·(Re-RL)]1/2
Cwo = [RL·(Re-RL)]-1/2 Lwo = Re·RL·Cwo L/C = Re·RL
L/C = Re·RL
RL < Re ATE-UO EC amp señ 34
Resumen
C
L RL RL
Ze = Re Ze = Re
C L
L C
Ze = Re C RL Ze = Re RL
L
Lwo = [RL·(Re-RL)]1/2 Cwo = [RL·(Re-RL)]-1/2
L/C = Re·RL RL < Re L/C = Re·RL RL < Re
ATE-UO EC amp señ 35
Circuito simbólico que sintetiza los cuatro casos
jXs
a c
R1 jXp R2
b d
-Xs(wo) = ± [R1·(R2-R1)]1/2
Xp(wo) = -R2·R1/Xs(wo)
R1 < R2
L
a c
Lwo = [R1·(R2-R1)]1/2
R1 L/C = R1·R2
R2
C R1 < R2
b d
a C c
Cwo = [R1·(R2-R1)]-1/2
R1 R2 L/C = R1·R2
L R1 < R2
b d
ATE-UO EC amp señ 37
Ejemplo de adaptación de impedancias en un amplificador
200 W
L = 1,38mH 200 W
L = 1,38mH
+ +
+ + 50 W
ve’ vs’ vs
C= 50 W C=
vg 50·ve’ -
138pF - 138pF
200 W Ze 200 W Ze’ = Ze
Frecuencia de operación: 10 MHz Ze [W]
300
Re[Ze]
Cambio de Ze con la
frecuencia de operación 0
Im[Ze]
-200
6 10 14
ATE-UO EC amp señ 38
f [MHz]
Comportamiento de la adaptación de
impedancias con el cambio de frecuencia
Ze [W]
300
L Re[Ze], RL= 100W
200
Ze = Re C RL Re[Ze],
RL= 20W
jXp’ jXL
+ jXs’
vg RL
L = 0,32 mH
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 mH
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz
C = 298 pF CL = 100 pF
ATE-UO EC amp señ 41
Ejemplo de uso imposible con la red propuesta
L = 0,32 mH
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 mH
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz
C = - 102 pF CL = 500 pF
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz j155,9 W
0,32 mH
Re = 20 W
RL = 40 W
fo = 10 MHz j155,9 W CL =
500 pF
LP = 0,64 mH CP = 295,8 pF
LP = 1,27 mH CP = 96,8 pF
LP = 2,12 mH CP = 17,3 pF
LP CP
2,48 mH
En los tres casos se consigue
adaptación, pero su respuesta
ATE-UO EC amp señ 44 en frecuencia será distinta
Una nueva red de adaptación de impedancias
L = 0,32 mH jXs = j20 W
Re = 20 W
LP RL = 40 W
fo = 10 MHz
CP
L C
a c a c
R1 R1
L R2
C R2
b d b d
+ Vcc
1:n +
C
ve2
Re2 -
real
C1 D
G
+
CS S
ve1
- RS
Rs1 +
ve2’ Re2’
is1cc C L -
Re2’ = Re2/n2
ve2’ = ve2/n
ATE-UO EC amp señ 50
Estudio del ancho de banda de amplificadores con un
circuito sintonizado (III)
Rs1 +
ve2’ Re2’ +
is1cc C L -
ve2’
is1cc - R C L
R = Re2’·Rs1/(Re2’ + Rs1)
Calculamos la transferencia ve2’/is1cc:
ve2’/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2]
Análisis senoidal permanente (s = jw):
ve2’/is1cc = ZLCR(jw) = jLw /(1 - LCw2 + jLw/R) = R/[1 + jR·(LCw2 - 1)/(Lw)]
Nos fijamos en el término (LCw2 - 1)/(Lw) y llamamos wo = 1/(LC)1/2:
(LCw2 - 1)/(Lw) = [(LC)1/2w + 1]·[(LC)1/2w - 1]/(Lw) =
(w/wo + 1)·(w/wo - 1)/(Lw) ≈ 2·(w/wo - 1)/(Lwo) = 2(w - wo)/(Lwo2)
+
ve2’
is1cc - R C L
R = Re2’·Rs1/(Re2’ + Rs1)
Por tanto:
ZLCR(jw) ≈ R/[1 + jR·2(w - wo)/(Lwo2)]
Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones
en las que ZLCR(jw) cae 3dB con relación ZLCR(jwo):
ZLCR(jwc) = ZLCR(jwo)/21/2 wc = wo ± Lwo2/(2R) = wo ± wo/(2Q),
siendo Q = R/(Lwo). Por tanto:
wcs = wo + wo/(2Q), wci = wo - wo/(2Q) y Dwo = wcs - wci = wo/Q
R/ 2
ZLCR
Q=5 R C L
Q=10
Q=20 wo = 2p·fo
0
wo = 1/(LC)1/2
90
Q=10 Q = R/(Lwo)
ZLCR [º]
Dfo ≈ fo/Q
0
Q=20 Q=5
-90
0,6·fo fo f 1,4·fo ATE-UO EC amp señ 53
Estudio del ancho de banda de amplificadores con un
circuito sintonizado (VI) Valoración de la aproximación:
(w/wo + 1)·(w/wo - 1)/(Lw) ≈ 2(w - wo)/(Lwo2)
ZLCR
R
Q=5
R/ 2
aprox.
aprox.
0
ZLCR [º]
90
aprox. Q=5
aprox.
-90
0,6·fo fo f 1,4·fo
ATE-UO EC amp señ 54
Amplificadores con dos circuitos sintonizados
Rg D
G
1:n1 + S
+
ve1
C1 -
vg RS CS
real
Coilcraft Coilcraft
ATE-UO EC amp señ 56
Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (II)
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp señ 57
Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (III)
Toko
Toko
Toko
ATE-UO EC amp señ 58
Bobinas y transformadores toroidales
Toko
Toko Coilcraft
Toko
ATE-UO EC amp señ 59
Transformadores de RF
Rg D
G
1:n1 + S
+
ve1
C1 -
vg RS CS
real
+ L1 + L2
C1 C2
ve1 ve2’
igcc/n1 - R1 gFET·ve1 - R2
+ L1 + L2
C1 C2
ve1 ve2’
igcc/n1 - R1 gFET·ve1 - R2
Ecuaciones:
igcc = vg/Rg
ve2 = ve2’·n2
ve1·n1/igcc = ZLCR1(jw) = R1/[1 + jR1·(L1C1w2 - 1)/(L1w)]
ve2’/(gFET·ve1) = ZLCR2(jw) = R2/[1 + jR2·(L2C2w2 - 1)/(L2w)]
Por tanto:
ve2/vg = ZLCR1(jw)·ZLCR2(jw)·[gFET·n2/(Rg·n1)] = k·FLCR(jw), siendo:
FLCR(jw) = ZLCR1(jw)·ZLCR2(jw)/(R1·R2)
ATE-UO EC amp señ 62
Comportamiento de amplificadores con
dos circuitos sintonizados (III)
Llamamos:
wo1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1wo1), wo2 = 1/(L2C2)1/2 y Q2 = R2/(L2wo2)
Posibilidades:
Misma sintonía wo1 = wo2
Sintonía escalonada wo1 wo2
FLCR(jw)
1
Aumenta la atenuación de Q=5
frecuencias indeseadas 1/ 2
Se puede conseguir una 1 Etapa
respuesta bastante plana en
la banda deseada
Menor ganancia 2 Etapas
0
0,6·fo fo f 1,4·fo
L1 C1 R1 L2 C2 R2 L3 C3 R3 L4 C4 R4
Usamos las expresiones aproximadas:
ZLCR(jw) ≈ R/[1 + jR·2(w - wo)/(Lwo2)] Dfo ≈ fo/Q
FLCR(jw) = [ZLCR(jw)/R]n = 1/[1 + jR·2(w - wo)/(Lwo2)]n
Condición de caída de 3dB a wc:
FLCR(jwc) = FLCR(jwo)/21/2 21/2 = [1 + [R·2(wc - wo)/(Lwo2)]2]n/2
[21/n – 1]1/2 = ± R·2(wc - wo)/(Lwo2); llamamos k(n) = [21/n – 1]1/2
Entonces: wc = wo ± k(n)·Lwo2/(2R) = wo ± k(n)·wo/(2Q) Dfo = k(n)·fo/Q
FLCR(jw)[dB]
0
Q=5
1 Etapa
-20
-40 2 Etapas
-60 4 Etapas
0,1·fo fo f 10·fo
1/ 2
1 Etapa
2 Etapas
0
fo·(1-3/Q) fo fo·(1+3/Q)
f
ATE-UO EC amp señ 67
Estudio de dos etapas con sintonía escalonada y
con el mismo Q (II)
FLCR(jw)[dB]
0
-3
Q=5 Aumenta la atenuación
de frecuencias
-20 indeseadas
Se puede conseguir
1 Etapa una respuesta bastante
-40
plana en la banda
2 Etapas deseada
-60 Menor ganancia
0,1·fo fo f 10·fo
FLCR(jw)
fo1 fo2
1
m = 1,5
1/ 2
1 Etapa
2 Etapas
0
fo·(1-3/Q) fo fo·(1+3/Q)
f
ATE-UO EC amp señ 69
Estudio de dos etapas con sintonía escalonada y con el
mismo Q (IV) Influencia de m, en escala logarítmica
FLCR(jw)[dB]
0 -3 dB
m = 1,5 Q=5
-20
1 Etapa
m=1
-40
2 Etapas, m = 2
-60
0,1·fo fo f 10·fo
Con menores valores de m, menor ganancia y mayor ancho de banda
ATE-UO EC amp señ 70
Estudio de varias etapas con sintonía
escalonada y con el mismo Q (I)
Ejemplos de posibles diseños con cuatro etapas:
Opción A:
FLCR(jw)[dB]
fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]
0
Q=5 Opc. A fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)]
Opc. B
1 Etapa Opción B:
-20
fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]
C fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)]
-40 fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)]
2 Etapas fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)]
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1
ve1’
vg’ L L -
Re1’ = R
ATE-UO EC amp señ 72
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (II)
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1 Llamamos:
ve1’
L L wo = 2pfo
vg’ -
’
Re1 = R wo = 1/(LC1)1/2
C2 = C1/k
FLCR(jw)[dB]
0 Q = R/(Lwo)
Q=5 FLCR(jw) = ve1’/vg’
-20
k=1 ¡Ojo! fo no es la
frecuencia central
-40
2
5
k = 20 10
-60
0,1·fo fo f 10·fo ATE-UO EC amp señ 73
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (III)
Rg’ = R C2
+ C1 +
C1
ve1’
vg’ L L -
Re1’ = R
FLCR(jw)
1
Q=5
+ C2 +
C1 C1
v ve1’
- R L R -
igcc’ L
Z1 Z1
Ecuaciones: v/igcc’ = [Z1·(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) y ve1’/v = Z1/(Z1 + Z2)
Por tanto: ve1’/igcc’ = Z12/(2Z1 + Z2)
Máximos posibles:
Si Z1 es muy grande resonancia paralelo de Z1 wo1 = 1/(LC1)1/2
Si 2Z1 + Z2 es muy pequeña resonancia serie de 2Z1 y Z2
ATE-UO EC amp señ 75
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados por condensador (V)
Z2
C2
+ C1 C1
+ Resonancia serie de 2Z1 y Z2:
v ve1’
R L R
2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0
igcc’ - L -
Z1 Z1
+ C1 +
C1
ve1
Re1 -
vg 1:n2
1:n1
Acoplamiento Acoplamiento
ideal ideal
Rg’ = R
+
+ Ld1 Ld2 ≈ Ld1
ve1’
vg’ C Lm C -
Re1’ = R
ATE-UO EC amp señ 77
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (II)
Acoplamiento capacitivo Z1 Z1
+ C1 +
C2 C1
v Z2 ve1’
- R L R -
igcc’ L
Acoplamiento inductivo
Z1 Z1
+
Ld Ld
ve1’
R C Lm C R -
igcc’
Z2
Se estudia de modo semejante ATE-UO EC amp señ 78
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (III)
Z1 Z1
+
Ld Ld
ve1’
R C Lm C R -
igcc’
Z2
Ecuación final : ve1’/igcc’ = Z2·R2/[Z1·(2Z2 + Z1)·(1 + RCs)2]
Si suponemos R muy grande: ve1’/igcc’ = Z2/[Z1·(2Z2 + Z1)·(Cs)2]
Máximos posibles:
Si Z1 es muy pequeña resonancia de serie Z1 wo1 ≈ 1/(LdC)1/2
Si 2Z2 + Z1 es muy pequeña resonancia serie de 2Z2 y Z1
wo2 ≈ 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 y si llamamos k = Ld/Lm wo2 ≈ 1/[Ld·(2/k + 1)C]1/2
Por tanto: wo1 ≈ wo2·(1 + 2/k)1/2 y hay dos picos cuando,
aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q ≈ Q (si Q es grande)
ATE-UO EC amp señ 79
Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:
dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (IV)
Rg’ = R
+
+ Ld1 Ld2 ˜ Ld1
ve1’
vg’ C Lm C -
Re1’ = R
FLCR(jw)[dB]
0 Hemos llamado:
Q=5 wo = 2pfo
k=1
wo = 1/(LdC)1/2
-20
Lm = Ld/k
2 Q = R/(Ldwo)
-40
5 FLCR(jw) = ve1’/vg’
10
-60 k = 20
0,1·fo fo f 10·fo ATE-UO EC amp señ 80
Modelado de los dispositivos activos: parámetros de
admitancias (I)
Zg ie is
+ + +
ve vs
vg - y11 y12·vs y21·ve y22 - ZL
Dispositivo activo
Ecuaciones:
ie = y11·ve + y12·vs ie ie
y11 y12
is = y21·ve + y22·vs ve vs 0
vs ve 0
Valores:
is is
y21 y22
ve vs 0
vs ve 0
ATE-UO EC amp señ 81
Modelado de los dispositivos activos: parámetros de
admitancias (II)
ie is
+ + +
ve vs
ve - y11 y12·vs y21·ve y22 -
ie
y11 Admitancia de entrada con salida en corto
ve vs 0
is
y21 Admitancia de transferencia directa con salida
ve vs 0
en corto
ATE-UO EC amp señ 82
Modelado de los dispositivos activos: parámetros de
admitancias (III)
ie is
+ + +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 - vs
ie
y12 Admitancia de transferencia inversa con
vs ve 0 entrada en corto
is
y22 Admitancia de salida con entrada en corto
vs ve 0
+ +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 -
+ +
ve vs
- y11 y12·vs y21·ve y22 -
S D
+ * +
Baja impedancia de entrada
Alta impedancia de salida
ve vs
Media-alta ganancia de tensión
- -
G Ganancia de corriente baja (< 1)
Respuesta en frecuencia:
Capacidades parásitas en entrada y en salida sin “efecto Miller”
(no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva
capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la
ganancia de tensión) gran ancho de banda
Respuesta en frecuencia:
Una capacidad parásita en la entrada y otra entre entrada y salida
hay “efecto Miller” (la capacidad entrada-salida es equivalente a
una nueva capacidad de entrada, muy aumentada al ir multiplicada
por la ganancia de tensión) pequeño ancho de banda
ATE-UO EC amp señ 89
Propiedades de las configuraciones:
drenador (o colector) común
ve
+ *D - Ganancia de tensión baja (< 1)
Ganancia de corriente alta
-
Respuesta en frecuencia:
Una capacidad parásita en la entrada y otra entre entrada y salida,
pero la ganancia de tensión es menor que 1 hay “efecto Miller”,
pero poco significativo al ser la ganancia de tensión menor que 1
gran ancho de banda
gm = 0,02 W-1
-
vGS gm·vGS Fuente común S
4 pF
-
gm = 0,02 W-1 gm = 0,02 W-1 gm·vGS
D
S
50 W S
RL +
vGS + 4 pF 2 pF
+ - vs
50 W G vg
- + G -
+ 2 pF 4 pF S vGS
+
vg gm·vGS RL Puerta común
vs
D
gm = 0,02 W-1 -
Drenador común
ATE-UO EC amp señ 91
Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (II)
G
D * +
vs
+ *S G
-
ve
-
Zegc ≈ 1/gm
(pequeña)
Alta impedancia de entrada
Baja impedancia de entrada
Alta ganancia de corriente
Baja ganancia de corriente
Baja ganancia de tensión (por Zegc baja)
Alta ganancia de tensión
Buena respuesta en frecuencia (por baja
Buena respuesta en frecuencia
ganancia de tensión)
50 W
* +
+ +
* -
vs RL
vg ve
-
Zebc pequeña
vs/vg[dB]
40
Cascodo
B 2 pF C
+ 20
Emisor común
vBE gm·vBE
rBE 4 pF
-
0 Base común
gm = 0,3 W-1
rBE >> 50 W E
Modelo de
transistor usado -20
RL = 200 W
-40
1 10 102 103 104
ATE-UO EC amp señ 94 f [MHz]
Etapa diferencial como amplificador de RF (I)
+ VCC Ganancia en BF (transparencias
ATE-UO EC mez 50-52):
vs ≈ -0,5RaiOvd/VT
RL RL Es decir:
vs vs/vd ≈ -0,5RaiO/VT
+ - Por tanto, la ganancia se puede
controlar mediante el valor de io
+ Es fácil realizar físcamente el
vd Control Automático de Ganancia
- (CAG o AGC)
iO iO
iO
- VCC
- VCC - VCC
ATE-UO EC amp señ 95
Etapa diferencial como amplificador de RF (II)
Conexión diferencial de la tensión de entrada
+ VCC
RL RL
vs
+ -
Rg/2
+
vg/2
+
iO
Rg/2 CAG
vg/2
- VCC
ATE-UO EC amp señ 96
Etapa diferencial como amplificador de RF (III)
Estudio de la respuesta en frecuencia (I)
Rg/2 B
rB’B vs rB’B
B Rg/2
B’ CB’C C C CB’C B’
+ -
+ +
CB’E CB’E
+
vg/2 vB’E vB’E vg/2
- rB’E gm·vB’E
RL RL gm·vB’E rB’E - +
E E
rB’B + VCC
B B’ CB’C C
+
CB’E RL RL
vB’E
vs
- rB’E gm·vB’E + -
Rg/2
E +
vg/2
+
iO
Rg/2 CAG
vg/2
- VCC
ATE-UO EC amp señ 97
Etapa diferencial como amplificador de RF (IV)
Estudio de la respuesta en frecuencia (II)
ig ig
Rg/2 B
rB’B vs rB’B
B Rg/2
B’ CB’C C C CB’C B’
+ -
+ +
CB’E CB’E
+
vg/2 vB’E vB’E vg/2
- rB’E gm·vB’E
RL RL gm·vB’E rB’E - +
E ie ie E
rB’B
B B’ CB’C C ic = 0
+
CB’E
vB’E
- rB’E gm·vB’E
E
Rg/2 B
rB’B
B’ CB’C C
+ +
CB’E +
vg/2 vB’E vs/2
- rB’E gm·vB’E
RL
-
E
La respuesta en frecuencia es
como la de un emisor común
ATE-UO EC amp señ 99
Etapa diferencial como amplificador de RF (VI)
Otra conexión de la tensión de entrada
+ VCC
RL RL
vs
+ -
Rg
+
vg
iO La respuesta en frecuencia
CAG es propia de un colector
común seguido de un base
- VCC común menor ganancia,
pero mayor ancho de banda
ATE-UO EC amp señ 100
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con
etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicación de Intersil) (I)
Amplificador de FI para
receptor de TV
Circuito integrado MC1350
ATE-UO EC amp señ 105
Ejemplos de esquemas reales de amplificadores
de FI con el circuito integrado MC1350
(obtenidos de una nota de aplicación de Motorola) (II)
Amplificador de FI para
receptor de radio comercial
Variación de la ganancia
con la tensión de CAG
CA3028
MC1350
Mezclador
Oscilador y separador
JFET en puerta
común
Amplificador
de CAG