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Historia Electronica
Historia Electronica
DE LA ELECTRONICA
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1.1.- Evolucin histrica de la
tecnologa electrnica.
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Definicin de Electrnica:
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Era del tubo de vaco
Abarca la primera mitad del siglo XX
1905 A.Fleming inventa la primera vlvula de vaci, el diodo termoinico
Estos dispositivos aprovecharon la observacin previa de T.A. Edison (1881) de que, para
que pase corriente entre un electrodo (nodo) y un filamento (ctodo), es necesario que el
electrodo sea positivo respecto al filamento.
Esta propiedad fue estudiada por W.Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y
1896 y fue explicada mediante la teora de la emisin termoinica de Richardson
nodo +
Ctodo -
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1907 Lee de Forest propone el trodo, primer amplificador
1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein
patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior,
1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir
capacidades dando lugar al tetrodo
1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el
pentodo. Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como
misin eliminar la emisin secundaria de electrones,.
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1922 Estaba generalizado el uso de tubos electrnicos en
mltiples aplicaciones:
Comunicaciones: radio y telfono
Rectificadores de potencia,
Amplificadores de potencia,
Convertidores DC-AC, (corriente continua a alterna)
Controladores de motores, hornos de induccin, etc.
Informtica
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1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrnico
(ENIAC)
Diseado para calcular tablas balsticas.
Utilizaba unos 18000 tubos de vaco.
Ocupaba una habitacin de 100m2 , pesaba 40Tm, consuma 150kW
Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz.. Multiplicacin en 2.8mseg
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Problemas de la vlvula de vaco:
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1.1.1 Electrnica de Estado Slido
El gran avance de la Electrnica, que ha permitido alcanzar el nivel de desarrollo
actual, fue la sustitucin de los tubos de vaco por los dispositivos semiconductores
La utilizacin de contactos entre materiales slidos diferentes para controlar la
corriente elctrica fue relativamente temprana
1874, Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unin metal-
semiconductor con respecto a la polaridad de la tensin aplicada y las condiciones
de las superficies de contacto
1904 se utiliz un dispositivo de puntas de contacto como rectificador (Diodo)
1920 se haba generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-xido de cobre
o hierro-selenio
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1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)
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1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de
unin (JFET).
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1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flip-
flop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro
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Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades:
Fcil oxidacin, Pasivacin.
Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.
Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar
como condensadores
1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo
Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde
entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la
miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la
densidad de integracin
1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip
1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip
1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip
1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip
Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip
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Procesador 4004 de Intel
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Procesador Pentiun II
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