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CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Tema : Componentes Electrónicos


El transistor de efecto de campo

Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Profesor: Ing. Medina

Alumno: Rojas Yayico, José Antonio Facultad de Ingeniería Electrónica


Componentes electrónicos: El transistor de efecto de campo

• Introducción
• El transistor de efecto de campo de unión o JFET
 JFET de canal N
 JFET de canal P
• El transistor MOSFET
 Mosfet de acumulación
 Mosfet de deplexión
• Conclusiones

Alumno: Rojas Yayico, José Antonio Facultad de Ingeniería Electrónica


Transistores de efecto de campo
(FET)
FET de unión (JFET)
FET metal-óxido-semiconductor
(MOSFET)

Transistores JFET
D D

G G

S S
Canal N Canal P

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)

Alumno: Rojas Yayico, José Antonio Facultad de Ingeniería Electrónica


Estructura interna de un JFET
D D

G G
P P N N

N P

S S

Canal N Canal P
D D

G G

S S

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Funcionamiento de un JFET de canal N (I)

D •Unión GS polarizada inversamente

Canal •Se forma una zona de transición


P P libre de portadores de carga
G
•La sección del canal depende de la
USG tensión USG
N Zona de
transición •Si se introduce una cierta tensión D-S
S
la corriente ID por el canal dependerá
de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (II)

ID ID
USG
G UDS (baja)
El canal
se estrecha
USG

UDS
S

Entre D y S se tiene una resistencia que varía en función de USG

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Funcionamiento de un JFET de canal N (III)
D

ID
UDS+USG ID
USG=0V
G UDS
USG1

USG USG USG2

VP UDS
S

•El ancho del canal depende también de la tensión UDS


•Pasado un límite la corriente ID deja de crecer con UDS

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Características eléctricas de un JFET de canal N
Zona resistiva
ID (mA) Zona de fuente de corriente
UGS=0V
30
20 UGS1=-2V Característica real
10 UGS2=-4V

2 4 6 8 UDS (V)

ID
UGS

UGS1 Característica
linealizada
UGS2

VP UDS

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Características eléctricas de un JFET de canal P

ID (mA)
UGS=0V
-30
-20 UGS1=2V

-10 UGS2=4V

-2 -4 -6 -8 UDS (V)

Curvas idénticas al de canal N pero con tensiones y


corrientes de signo opuesto

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Resumen de las características de un JFET de unión:
• La corriente de drenador se controla mediante tensión (a
diferencia de los transistores bipolares donde se controla la
corriente de colector mediante la corriente de base)
• La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe
un valor límite de UGS a partir del cual el canal se cierra y
deja de pasar corriente de drenador
• Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la
tensión UDS.
• Aplicaciones típicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)

D D D D

G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P

MOSFET acumulación MOSFET deplexión

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (I)

G
S
D

N N
Metal
Oxido (aislante)
P Semiconductor

SUSTRATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra


conectado con el surtidor S

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (II)

UDS

ID=0
G • Los terminales principales del MOS son
D S drenador y surtidor
N N • Al aplicar tensión UDS la unión
drenador-sustrato impide la circulación
de corriente de drenador
P

SUSTRATO

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (III)

+++ +++

N n N
UGS

P - - -
- e
e e e

• Al aplicar tensión positiva UGS los electrones libres de la zona P


(sustrato) son atraídos hacia el terminal de puerta
• Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona
rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre
drenador y surtidor

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (IV)
UDS
• Formado el canal entre drenador y
surtidor puede circular la corriente de
ID UGS
drenador ID
• Incrementar la tensión UDS tiene un
N N
doble efecto:
Campo eléctrico  Ohmico: mayor tensión = mayor
debido a UDS
Campo eléctrico corriente ID
P debido a UGS
 El canal se estrecha por uno de
los lados = ID se reduce
• A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la
corriente se estabiliza haciendose prácticamente independiente de UDS

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (V)
Curvas características
D ID (mA) UGS
10
ID 40
30 8
U DS Por debajo de
G 20
esta tensión no
6
10 se forma el canal
U GS
S 4
2 UDS (V)
4 6 8
• A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y
fuente. Por debajo de este límite el transistor está en corte.
• Dependiendo de la tensión UDS se puede tener un equivalente resistivo
o de fuente de corriente entre D y S
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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal P
Curvas características
D
ID (mA)
UGS
-10
ID -40
-30 -8
G
U DS
-20
-6
U GS -10
S -4
-2 -4 -6 -8 UDS (V)

• Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero


con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos

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Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexión de canal N

G S
ID (mA) UGS
D 2
40
N n N 30 0 Ya hay canal
formado
20
Difusión hecha durante -2
P el proceso de fabricación 10

2 UDS (V)
4 6 8

• En los MOSFET de deplexión el canal se forma mediante una difusión


adicional durante el proceso de fabricación
• Con tensión UGS nula puede haber circulación de corriente de drenador
• Es necesario aplicar tensión negativa UGS para cerrar el canal

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Resumen de las características de los transistores MOS:
• La corriente de drenador se controla mediante la tensión UGS

• En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor


umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente
de drenador

• En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite


la circulación de la corriente de drenador incluso para tensión
UGS nula

• Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores


electrónicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos
digitales, ...

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