1.

Introduccin
CA/CC

CC/CC

CA/CA

CA

CC

CC/CA

1.Introduccin. Dispositivos electrnicos de potencia

IGCT

Transistores bipolares (BJT)

Son muy fciles de controlar. Las prdidas en conduccin son reducidas, ya que la cada de tensin en conduccin se encuentra normalmente entre 1 y 2 V. Las prdidas de conmutacin son moderadas, por lo que la frecuencia mxima de conmutacin est alrededor de 3 kHz. No soporta potencias muy elevadas: las mximas tensiones e intensidades disponibles son 1.400 V y 300 A.
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IGCT

Transistores MOSFET Son muy fciles de controlar. Presenta unas prdidas de conmutacin reducidas, por lo que la frecuencia de conmutacin puede ser superior a 100 kHz. Por el contrario, sus prdidas en conduccin son elevadas.

Con los transistores MOSFET se pueden alcanzar tensiones de unos cuantos centenares de voltios e intensidades de decenas de amperios. El transistor MOSFET es ms caro que el transistor bipolar, pero son una alternativa en aplicaciones de baja tensin en caso de que se desee una elevada frecuencia de conmutacin.
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IGCT

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IGCT

Transistores IGBT
El IGBT es la combinacin de un MOSFET y un bipolar. Precisa slo dos pequeos impulsos de corriente para encenderlo o apagarlo. El IGBT tiene un tamao reducido y bajo coste de fabricacin. La cada de tensin en conduccin es reducida e independiente de la corriente, por lo que sus prdidas en conduccin son tambin bajas, aunque casi de valor doble de las que se dan en un transistor bipolar. Las prdidas de conmutacin de los IGBT son algo mayores que las de los otros tipos de transistores mencionados debido a la corriente de cola en el bloqueo.

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IGCT

Transistores IGBT

La frecuencia mxima de conmutacin de los IGBT es de 20 kHz. Otro inconveniente consiste en su reducida capacidad para soportar derivadas de tensin elevadas. Las tensiones e intensidades lmites de los IGBT son 3300 V y 1200 A. Se utilizan donde sea necesario aumentar la frecuencia de conmutacin, por ejemplo, en aquellos casos donde se requiera reducir la frecuencia por debajo de la audible.

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IGCT

Tiristores
El tiristor es el semiconductor de potencia ms robusto y fiable, ya que, a diferencia del transistor, puede soportar elevadas sobreintensidades durante tiempos reducidos. La principal ventaja del tiristor es que soporta grandes tensiones e intensidades (hasta 5.000 V y 5.000 A). Tiene una cada de tensin directa baja (entre 1 y 3 V), por lo que las prdidas de conduccin son reducidas. Su frecuencia de operacin est limitada a 1 kHz. Inconveniente: no se puede apagar directamente mediante una seal de puerta, por lo que precisa de una red de apagado que someta al tiristor a una tensin inversa (ctodo-nodo), (inversor conmutado por red). Su aplicacin ha quedado limitada al caso de convertidores de potencia elevada en los que la conmutacin de los tiristores es auxiliada por la carga (inv.en fuente de corriente)
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IGCT

Tiristores GTO Presenta la ventaja de que se puede apagar mediante un impulso de corriente negativo en su puerta. Su principal inconveniente est en las elevadas prdidas de conmutacin, ya que el impulso que se ha de proporcionar para su apagado tiene una amplitud cinco veces menor, aproximadamente, que la corriente a bloquear. Por el contrario sus prdidas en conduccin son reducidas. Es capaz de manejar grandes tensiones y corrientes (hasta 4.500 V y 3.000 A). Su aplicacin est limitada a convertidores de frecuencia de elevada potencia con circuito intermedio de tensin.
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IGCT

Tiristores IGCT
Los tiristores controlados de puerta aislada (IGCTs) combinan las cualidades de los tiristores (como la baja resistencia en conduccin, o su robustez) con las de los IGBTs (capacidad de apagado por puerta o los niveles de corriente de saturacin). Por ejemplo las prdidas de potencia por conmutacin de un IGCT son entre tres y cuatro veces (depende de la tensin de trabajo) menores que las de un IGBT, mientras que la cada de tensin en conduccin es la misma

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TRIAC
MT1 G

DIAC
MT2

MT2 Smbolo de un TRIAC MT1

MT1 Smbolo de un DIAC MT2

NC T1 T2 G SCR1 NC SCR2

MT2 Equivalente de un TRIAC

MT2

Equivalente de un DIAC
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