S.E.P.

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO
DE TUXTEPEC
T- 1.2 ELABORACIÓN DE UN CUADRO
COMPARATIVO

PRESENTA:
RAÚL ALBERTO HERNÁNDEZ RAMÍREZ

CARRERA:
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

ASIGNATURA:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

DOCENTE:
HUGO ABRAHAM PACHECO REYES

UNIDAD 1

11 DE OCTUBRE DEL 2020

1
Contenido
INTRODUCCIÓN: ................................................................................................................... 3

CUADRO COMPARATIVO:..................................................................................................... 4

CONCLUSIONES: ................................................................................................................... 5

REFERENCIAS: ...................................................................................................................... 5

2
INTRODUCCIÓN:

Dado que un cuadro comparativo es de las herramientas más utilizadas para

organizar la información sobre un tema determinado de una forma que se puedan
analizar las diferencias o características de una manera clara y objetiva, el
siguiente trabajo consiste en recopilar datos acerca de los tiristores y transistores
de potencia para mostrar sus atributos más importantes.

Si bien la información de estos componentes en la mayoría de los casos viene

estructurada de manera comprensible, al ser electrónicos cuentan con muchos
parámetros y especificaciones distintas entre sí, funcionamiento variado según la
tarea para la cual están diseñados o si su construcción permite o no cualidades
especiales.

La información presentada es extraída en su mayoría del aula virtual de la

materia, sin embargo, se indagó en diferentes sitios de la web para complementar
o en su defecto dar validez a los conceptos y características de los tiristores y
transistores de potencia.

Cabe mencionar que datos muy específicos o sofisticados no serán presentados

en el siguiente cuadro comparativo, ya que se trata de conocer las características
principales y así tener una idea general de cada componente.

3
 CUADRO COMPARATIVO:
TIRISTORES TRANSISTORES
Nombre Simbología Potencia Voltaje Metal-oxide- Transistor IGBT
soportada umbral/ Nombre semiconductor field (Insulated Gate
Velocidad de effect transistor Bipolar Transistor)
conmutación (MOSFET)
Control de Fase
(SCR) I > 4000 A
V> 8000 V 1.15 – 2.5 V
50 a 100 µs Características de En corriente En tensión
disparo

Conmutación
rápida (SCR) 2200 A Potencia del
1800 V 1.7 V
5 a 50 µs circuito de mando Muy baja Muy baja

Desactivación
por compuerta 3000 A
Complejidad del
4500 V 3–4V
(GTO) circuito de mando Muy baja Muy baja

Triodo
bidireccional 270 A Máxima tensión Media-Baja Alta
800 V 0.7 – 1.5 V
(TRIAC) inversa

Conducción
inversa (RTC) 500 A
400-2000 V 1–2V
Frecuencia Alta (< 1 MHz) Media (< 75
kHz)

Inducción
estática (SITH) 500 A
2500 V 1 a 6 µs
Corriente <100 A <500 A

Rectificadores
controlados 1500 A
4000 V
por silicio
<1000 V <200 V
activado por Tensión
luz (LASCR)
Controlados
por FET (FET- 300 A
500 V 3V
CTH)

Controlados
por MOS (MCT) 300 A
500 V 0.4 a 1.25 µs

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CONCLUSIONES:
La mayoría de la información era en ventajas y desventaja, sin embargo, se trató de mostrar
los parámetros más sobresalientes.

A pesar del tamaño, son dispositivos que soportan cantidades sumamente grandes de
energía.

Existen dispositivos diseñados específicamente para tareas distintas

REFERENCIAS:
Christiansen, Donald; Alexander, Charles K. (2005); Standard Handbook of Electrical Engineering (5th ed.). McGraw-
Hill

Boylestad, Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. EU: Pearson, 2003.

MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D., Fellow IEE