UNIDAD 4: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos

y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales
como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT,
el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley. Existen
tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de
doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).
Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva
característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída
de tensión entre los electrodos principales.
■ El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes
requisitos:
■ Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo)
y otro de baja impedancia (conducción).
■ Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña
potencia.
■ Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando
está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus
electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo
capacitan para controlar grandes potencias.
■ Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
■ El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de
funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la
potencia disipada depende de la frecuencia.
 4.1 Dispositivos optoelectrónicos.
La optoelectrónica es el vínculo que une los sistemas ópticos y los sistemas
electrónicos. Los componentes optoelectrónicos, como su propio nombre
indica, son aquellos cuyo funcionamiento está directamente relacionado con
la luz. Hoy en día los sistemas opto electrónicos están plenamente integrados
en nuestra vida cotidiana ya que se pueden encontrar, por ejemplo, en las
pantallas de cristal líquido, los modernos sistemas de comunicaciones
mediante fibra óptica, los tubos de rayos catódicos con los que funcionan los
osciloscopios analógicos y los televisores...etc.
COMPONENTES OPTOELECTRONICOS BÁSICOS.
Los principales tipos de dispositivos optoelectrónicas son:
 Emisores: Son componentes que emiten luz cuando reciben energía
eléctrica.
 Receptores: Son componentes que emiten una pequeña señal eléctrica
cuando son iluminados.
 Fotoconductores: Se encargan de conducir la radiación luminosa desde el
emisor al receptor.

ALGUNOS TIPOS SON:

FOTODIODOS.
Un fotodiodo es un semiconductor que conduce una cantidad de corriente
eléctrica proporcional a la luz visible o infrarroja que le incide. Debido a su
construcción funcionan como células fotovoltaicas, en ausencia de luz
generan una pequeña tensión, con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Para su funcionamiento, los fotodiodos son polarizados de forma
inversa, para variaciones en el nivel de luz provoquen variaciones del nivel de
corriente, de lo contrario, se comportaría como un diodo normal.
La mayor parte de los fotodiodos vienen provistos de una lente encargada de
concentrar la luz que reciben, de esta forma se consigue que su reacción a los
cambios de los niveles lumínicos sean más evidentes.
FOTORRESISTENCIA
Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia
disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser
llamado fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor
dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originan de su nombre en inglés
light-dependent resistor. Un fotorresistor está hecho de un semiconductor
de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia,
los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los
electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El
electrón libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal
modo que disminuye la resistencia. Un dispositivo fotoeléctrico puede ser
intrínseco o extrínseco.
FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y
la ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales,
excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana
o lente. El fototransistor es más sensible, es decir, tiene una velocidad de
respuesta superior al fotodiodo por el efecto ganancia del transistor. Un
fototransistor es como un transistor normal pero con una importante
diferencia, que puede trabajar de dos formas: Como transistor normal con la
corriente de base Ib (modo común). Como fototransistor, cuando la luz que
incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de
iluminación).
OPTOACOPLADORES
Un optoacoplador es un dispositivo de emisión y recepción que funciona
como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que
satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de
fototransistor o fototriac. De este modo se combinan en un solo dispositivo
semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexión entre ambos
es óptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por
lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar eléctricamente a
dispositivos muy sensibles.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre
los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único
contacto entre ambos circuitos es un haz de luz.
Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta
circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es
decir, iluminados en ausencia de una fuente exterior de energía generan una
corriente muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.

4.2 Tiristores.
El tiristor es una familia de componentes electrónicos constituido por
elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir
una conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo
semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son
dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac o DIAC). Se emplea
generalmente para el control de potencia eléctrica.
Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador
controlado de silicio (SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es
clasificar al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y
TRIAC.
Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años
1960. Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el
SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el
cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon
Hall lideró el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercialización
por parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de General Electric.
Formas de activar un tiristor:
Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al
mismo silicio, el número de pares electrón-hueco aumentará pudiéndose
activar el tiristor.
Corriente de Puerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de
una corriente de puerta al aplicar un voltaje positivo entre puerta y cátodo lo
activará. Si aumenta esta corriente de puerta, disminuirá el voltaje de
bloqueo directo, revirtiendo en la activación del dispositivo.
Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del
número de pares electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de
fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la
acción regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede
activarse. Este tipo de activación podría comprender una fuga térmica,
normalmente cuando en un diseño se establece este método como método
de activación, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor
que el voltaje de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo
suficientemente grande para que se inicie la activación con
retroalimentación. Normalmente este tipo de activación puede dañar el
dispositivo, hasta el punto de destruirlo.
Elevación del voltaje ánodo-cátodo: Si la velocidad en la elevación de este
voltaje es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede
ser suficiente para activar el tiristor. Este método también puede dañar el
dispositivo.
Funcionamiento de un tiristor:
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico
de los interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar
plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel
intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas
de corriente. Este principio básico puede observarse también en el diodo
Shockley.
El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al
recibir un pulso momentáneo de corriente en su terminal de control,
denominada puerta (o en inglés, gate) cuando hay una tensión positiva entre
ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo.
Solo puede ser apagado con la interrupción de la fuente de tensión, abriendo
el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa
máxima, provocándose la destrucción del elemento (por avalancha en la
unión).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe
generarse una corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe
haber una pequeña corriente en la puerta capaz de provocar una ruptura por
avalancha en la unión J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el
dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una
corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el
dispositivo dejaría de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de
disparo. Se puede controlar así la tensión necesaria entre ánodo y cátodo
para la transición OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la
tensión entre ánodo y cátodo dependen directamente de la tensión de
puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente
suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor
será la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.
También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe
intensidad de puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la tensión de
bloqueo.
Aplicaciones:
Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o tensiones muy
grandes, también son comúnmente usados para controlar corriente
alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexión
o desconexión del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de
forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo está abierto, comienza a
conducir corriente en fase con la tensión aplicada sobre la unión cátodo-
ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este
momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido.
No se debe confundir con la operación simétrica, ya que la salida es
unidireccional y va solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es
asimétrica.
Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en
controladores accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por
ancho de pulsos para limitar la tensión en corriente alterna.

4.3 Transistores IGBT.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés
Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se
aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para
la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables
hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las
aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta
100 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en
aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la
tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar
altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La
tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de
controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy
débil en la puerta.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la
capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las
corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente
altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre
los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo
más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

4.4 Aplicaciones de dispositivos de potencia.

Aplicaciones :
 Control de motores.
 aplicaciones domésticas.
 Cargadores de baterías.
 Control de iluminación.
 Control numérico.
 Ordenadores, etc.