LABORATORIO DE POLARIZACIÓN

OSCAR RICARDO TOLOZA ORTIZ #1092342402

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

DUBAN PEÑA CORREA #1005025193

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

DAVID JONAIKERT VERA HERRERA # 1004914846

INGENIERIA ELECTRICA

DOCENTE: CARLOS FELIPE VELASQUEZ OSORIO

MATERIA: ELECTRONICA I

UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELETRICA Y TELECOMUNICACIÓN
VILLA DEL ROSARIO, NORTE DE SANTANDER
2024
 UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
DOCENTE: Ing. CARLOS FELIPE VELÀSQUEZ

Polarización de transistores
1. Objetivo

Comprobar el funcionamiento del transistor en sus respectivas

polarizaciones para determinar las diferencias entre cada circuito de
polarización , teniendo en cuenta la teoría vista en clase y haciendo uso
de Proteus y Matlab para comprobar los resultados.

2. Marco Teórico

-Transistores BJT (de unión dipolar)

Están formados por dos uniones PN y constan de 3 terminales (colector,
base y emisor), que se corresponden con las tres zonas de material
semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a través
de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están indicados
en la figura).

Tipos de transistores

Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP, con diferentes

símbolos de circuito. Las letras hacen referencia a las capas de material
semiconductor usado para construir el transistor. La mayoría de los
transistores usados hoy son NPN
porque este es el tipo más fácil de construir usando silicio. Si tú eres
novato en la electrónica es mejor que te inicies aprendiendo cómo usar
un transistor NPN.

Los terminales son rotulados como base (B), colector (C) y emisor (E).
Estos términos se refieren al funcionamiento interno del transistor, pero
no ayuda mucho a entender cómo se usa, así que los trataremos como
rótulos

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo, pueden ser usados

para amplificar la pequeña corriente de salida de un circuito integrado
(IC) lógico de tal forma que pueda manejar una bombilla, un relé u otro
dispositivo de mucha corriente.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la máxima
corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y
como amplificador (siempre conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, β o
hFE.

Probando un transistor
Los transistores pueden dañarse por calor cuando los estamos soldando
o por uso indebido en un circuito. Si tú sospechas que un transistor
puede estar dañado hay dos maneras fáciles de probarlo:

1. Probarlo con un multímetro

Usa un multímetro (batería, resistor y LED) para verificar por conducción
cada par de terminales. Coloca un multímetro digital en la posición diodo
test o un multímetro analógico en el rango de baja resistencia.
Prueba cada par de terminales en ambos sentidos (seis en total):
* La juntura base-emisor (BE) debería comportarse como un diodo y
conducir sólo en un sentido.
* La juntura base-colector (BC) debería comportarse como un diodo y
conducir sólo en un sentido.
* Entre colector-emisor (CE) no debería conducir en ningún sentido.
 Probando un transistor NPN

La figura muestra cómo se comportan las junturas en un transistor NPN.

Para un transistor PNP los diodos están invertidos, pero puede usarse el
mismo procedimiento de prueba.

3. Materiales, Equipos e Insumos

 Multímetro digital
 Protoboard y alambres (cal # 24 o 26)
 Resistencias de 100Ω, 470, 1KΩ, 2.2 KΩ, 3k, 10 KΩ, 100 KΩ, y
220 KΩ a ½ W
 Transistor 2N3904 o 2N2222
 Transistor 2N3906
 Transformador 12v 1A
 Diodos Zener 3.3v
 Potenciómetros de 10k
 Fototransistor NPN
 Diodos Leds
 3 pulsadores normalmente abierto
 Puente rectificado circular de 1 A

4. Reactivos
N/A
 5. Procedimiento
PARTE 1

1. Monte en el protoboard los siguientes

Q7
circuitos 10 K 40%
10 K Q2N390
Q2N390 1K
4 4
1K 470
1K 47
0 1K
5V
V8 FIGURA 1 V8
10V
FIGURA
2

10 K 40% 10 K 40%
Q2N3906
Q2N390
1K 1K
1K 470
6 1K 470

V8 V8
10V
FIGURA FIGURA
3 4

A) En las FIG.1 y 3, Ajuste el potenciómetro al máx. valor (10k), mida las

corrientes del colector (Ic), del emisor (Ie), el voltaje emisor – base (Vbe),
el voltaje colector-base (Vcb) y el voltaje colector (Vce).

B) Explique que relación encontró entre las intensidades y los voltajes medidos
en el punto anterior.
¿Qué sucede con los voltajes y las intensidades si colocamos el potenciómetro
en las posiciones de 5k y 0.1k respectivamente?

C) En las FIG: 2 y 4, Verifique la polaridad y las conexiones de las dos

fuentes, repita de nuevo los literales A y B, explique las diferencias entre
un circuito y otro.

D) Repita el punto anterior para las figuras 1 y 3.

E) ¿Cuál de las figuras corresponde a la correcta polarización de un BJT, PNP y

NPN.
2. Monte el siguiente circuito:
F) Acerque el foto-transistor a la luz (dIrecta), observe que sucede con el led.

G) Retire el foto-transistor a un lugar escaso de luz, ¿ qué sucede con el

diodo led?. Basado en los puntos anteriores cómo puede describir el
funcionamiento de un foto-transistor.

3. Monte el siguiente circuito

H) Vaya variando el potenciómetro, anote en una tabla los valores tanto de

voltaje como de corriente, luego realice una gráfica de corriente contra voltaje.
Establezca la relación que existe entre corriente de base y corriente de
colector.

4. Monte el siguiente circuito

Usando tres valores de diodos zener diferentes accione el primer swiche, mida el
voltaje a la salida, luego presiones el siguiente swiche, vuelva y mida el voltaje de
salida, accione el último swiche y mida el voltaje de salida. Anote estos valores
obtenidos. ¿cómo cree usted que se está comportando el transistor? ¿El sentido
que toma la corriente en este circuito es el correcto como para conectar un diodo
led en paralelo y hacer que este se encienda, ( cuando lo haga no olvide colocar
una resistencia en serie con el diodo con el fin de protegerlo de la corriente)? ¿si
no se enciende el diodo led que plantea usted para resolver este inconveniente
( no sugiera invertir el diodo).
PARTE 2
1. Polarización por base:
1.1Realice el montaje del circuito de la Figura 1.

Figura 1. Circuito de polarización por base

1.2Mida la corriente de base (I B), la corriente de colector (IC), el voltaje

base−emisor (VBE) y el voltaje colector−emisor (VCE). Consigne estos
valores en las tablas 1 y 2, y compárelos con los datos obtenidos
analíticamente.

Tabla 1. Polarización por base (NPN)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 0.04mA 11.25mA 0.74V 4.24V
Valor medido 0.04mA 11.39mA 0.68V 3.10V
%error 0mA 0.14mA 0.06V 1.12V

1.3 Repita el procedimiento utilizando un transistor PNP, registre la

información en la tabla 2.

Tabla 2. Polarización por base (PNP)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 0.09mA 2.36mA 14V 14.6V
Valor medido 0.06mA 2.80mA 11.40V 12.04V
%error 0.03mA 0.44mA 2.6V 1.96V

1.4 Con los datos medidos, grafique la recta de carga y determine el

punto de operación para ambos transistores.
 2. Polarización por base con resistencia de emisor
2.1Realice el montaje del circuito de la Figura 2.

Figura 2. Circuito de polarización por base con resistencia de emisor

2.2 Mida la corriente de base (IB), la corriente de colector (I C), el

voltaje base−emisor (VBE) y el voltaje colector−emisor (VCE).
Consigne estos valores en las tablas 3 y 4, y compárelos con
los datos obtenidos analíticamente.

Tabla 3. Polarización por base con resistencia de emisor (NPN)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 6.96uA 1.95mA 0.80V 9V
Valor medido 6 uA 1.96mA 0.75V 8.74V
%error 0.96mA 0.01mA 0.5V 0.26V

2.3Repita el procedimiento utilizando un transistor PNP, registre la

información en la tabla 4.

Tabla 4. Polarización por base con resistencia de emisor (PNP)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 5.85mA 8.63mA 0.80V 8.7mV
Valor medido 4.65mA 7.55mA 0.75V 6.37mV
%error 1.2mA 1.08mA 0.5V 2.33mV

2.4 Con los datos medidos, grafique la recta de carga y

determine el punto de operación para ambos transistores.
3. Polarización por base con realimentación de colector
3.1Realice el montaje del circuito de la Figura 3.

Figura 3. Circuito de polarización por base con realimentación de colector

3.2 Mida la corriente de base (I B), la corriente de colector (I C), el

voltaje base−emisor (VBE) y el voltaje colector−emisor (V CE).
Consigne estos valores en las tablas 5 y 6, y compárelos con los
datos obtenidos analíticamente.

Tabla 5. Polarización por base con realimentación de colector (NPN)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 30uA 7.56mA 0.73V 7.41V
Valor medido 43uA 2.75mA 0.70V 6.70V
%error 13uA 0.25mA 0.03V 0.71V

3.3Repita el procedimiento utilizando un transistor PNP, registre la

información en la tabla 6.

Tabla 6. Polarización por base con realimentación de colector (PNP)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 0.35mA 3mA 0.63V 12V
Valor medido 0.28mA 2.75mA 0.61V 12.02V
%error 0.07mA 0.25mA 0.02V 0.02V

3.4Con los datos medidos, grafique la recta de carga y determine

el punto de operación para ambos transistores.
 lOMoARcPSD|48005117

4 Polarización por base con realimentación de colector y resistencia de emisor

4.1Realice el montaje del circuito de la Figura 4.

Figura 4. Circuito de polarización por base con realimentación de colector y resistencia

de emisor

4.1 Mida la corriente de base (I B), la corriente de colector (IC), el

voltaje base−emisor (VBE) y el voltaje colector−emisor (V CE). Consigne
estos valores en las tablas 7 y 8, y compárelos con los datos
obtenidos analíticamente.

Tabla 7. Polarización por base con realimentación de colector y resistencia de emisor

(NPN)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 28.8uA 7.18mA 0.73V 2.07V
Valor medido 40uA 11.72mA 0.70V 1.61V
%error 11.2uA 4.54mA 0.03V 0.46

4.3Repita el procedimiento utilizando un transistor PNP, registre la

información en la tabla 4.
Tabla 8. Polarización por base con realimentación de colector y resistencia de emisor
(PNP)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 30uA 3mA 0.65V 13V
Valor medido 20uA 2.48mA 0.67V 12.6V
%error 10uA 0.52mA 0.02V 0.04V

4.4 Con los datos medidos, grafique la recta de carga y determine

el punto de operación para ambos transistores.
 lOMoARcPSD|48005117

5 Polarización por divisor de voltaje

5.1Realice el montaje del circuito de la Figura 5.

Figura 5. Circuito de polarización por divisor de voltaje

5.2 Mida la corriente de base (IB), la corriente de colector (IC), el

voltaje base−emisor (VBE) y el voltaje colector−emisor (V CE). Consigne
estos valores en las tablas 9 y 10, y compárelos con los datos
obtenidos analíticamente.

Tabla 9. Polarización por divisor de voltaje (NPN)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 7.39uA 1.99mA 0.69V 6.42V
Valor medido 6uA 1.91mA 0.65V 6.09V
%error 1.38uA 0.08mA 0.04V 0.33V

5.3Repita el procedimiento utilizando un transistor PNP, registre la

información en la tabla 10.

Tabla 10. Polarización por divisor de voltaje (PNP)

IB IC VBE VCE
Valor Teórico 768uA 3.05mA 0.65V 1.65V
Valor medido 437uA 3.12mA 0.70V 1.37V
%error 331uA 0.07mA 0.5V 0.28V

5.4 Con los datos medidos, grafique la recta de carga y determine

el punto de operación para ambos transistores.

6. Concluya acerca de del funcionamiento, experiencias y peculiaridades

de cada polarización y montaje de transistores BJT.

7. Realice una tabla comparativa de cada polarización.

 lOMoARcPSD|48005117

LABORATORIO DE POLARIZACIÓN

OSCAR RICARDO TOLOZA ORTIZ #1092342402

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

DUBAN PEÑA CORREA #1005025193

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

DAVID JONAIKERT VERA HERRERA # 1004914846

INGENIERIA ELECTRICA

DOCENTE: CARLOS FELIPE VELASQUEZ OSORIO

MATERIA: ELECTRONICA I
 lOMoARcPSD|48005117

Para obtener los puntos extra cada estudiante deberá grabar un video
exponiendo cada parte del laboratorio:
- Parte 1 = 0,2
- Parte 2 = 0,2
Estos puntos son acumulables para el 20%

F) Nivel de Riesgo

La práctica de laboratorio presenta un nivel de riesgo bajo, se

recomienda preguntar al docente encargado ante cualquier duda en la
conexión de los componentes para evitar descargas eléctricas debidas a
malas conexiones

G)Bibliografía

Principios de Electrónica, MALVINO Albert P. Cuarta, quinta y sexta

edición, España, 1999.