UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA Y APLICADAS

CARRERA DE ELECTRICIDAD
INFORME

INTEGRANTES:
CÁCERES FERNANDEZ CÉSAR JAVIER
MAIGUALCA OCHOA ALEX DAVID
SUÁREZ TOSCANO ITALO DANILO
DOCENTE: PHD. SECUNDINO MARRERO

MAYO - 2023
 TEMA: USO DE TRANSISTORES

2. OBJETIVOS

Objetivo general.

Identificar el funcionamiento del transistor mediante el montaje de componentes electrónicos en el

protoboard para establecer su punto de carga.

Objetivos específicos

➢ Analizar la variación existente entre los cálculos matemáticos obtenidos y los datos
arrojados por el multímetro.
➢ Utilizar las especificaciones de tolerancia manejadas por del fabricante con la finalidad
de realizar los cálculos matemáticos.
➢ Comprobar mediante gráficas los puntos mínimos y máximos de trabajo en los
diferentes transistores a utilizar.

3. Introducción

TRANSISTOR

Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”) a un tipo de dispositivo
electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal eléctrica de salida como respuesta a una
de entrada, sirviendo como amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma. [1]

Figura 1. Curvas Características BJT

 FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como amplificadores (recibiendo una
señal débil y generando una fuerte) o como interruptores (recibiendo una señal y cortándole el
paso) de la misma. Esto ocurre dependiendo de cuál de las tres posiciones ocupe un transistor en
un determinado momento, y que son: [1]

➢ En Activa: Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos corriente).

➢ En Corte: No deja pasar la corriente eléctrica.
➢ En Saturación: Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente máxima)

ELEMENTOS DE UN TRANSISTOR

Todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y emisor. La primera es la que media
entre el emisor (por donde entra el caudal de corriente) y el colector (por donde sale el caudal de
corriente). Y lo hace, a su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta de la que
modulada por el transistor.

De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en posición de corte; si recibe
una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en determinada cantidad; y si la base recibe la
suficiente corriente, entonces se abrirá del todo el dique y pasará el total de la corriente modulada.
[2]

Figura 2. Estructura y símbolo de un transistor bipolar

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la cantidad de electricidad que
pasa en determinado momento, permitiendo así la construcción de relaciones lógicas de
interconexión.
TRANSISTOR TIPO NPN

Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.

La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. [3]
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

TRANSISTOR TIPO PNP

El transistor PNP (Transistor de polarización de base a Emisor) es un dispositivo

semiconductor que combina tres conexiones: una base, un emisor, y un colector. Estas conexiones
son usadas para controlar la señal o la potencia que pasa a través del mismo. Está compuesto
generalmente de silicio o materiales de compuestos similares.

Uno de los principales usos del transistor PNP es como amplificador o interruptor, ya que puede
convertir o regular el flujo de corriente a través de un circuito electrónico. También se usa para
controlar el volumen en sistemas de audio, ajustar la potencia de un motor y muchas otras
funciones. [3]

Figura 3. Transistor NPN y PNP

 ECUACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor como un nodo: 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 + (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝐶0 ; 𝐼𝐶0 : Corriente 𝐼𝐶 con la base en circuito abierto.
𝐼
Ganancia en corriente 𝛼: 𝛼 = 𝐼𝐶
𝐸

Tensiones:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 ; para transistores NPN.
𝑉𝐸𝐶 = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝐵𝐶 ; para transistores PNP.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO

Figura 4. Condición de funcionamiento para transistores bipolares

4. Materiales y Equipos

Tabla 1. Materiales y equipos utilizados en la práctica.

N° Materiales Cantidad
1 Fuente DC 12 voltios 10 A 1
2 Multímetro 1
3 Protoboard 1
4 Transistor 2N3904 1
5 Resistencia 20 K Ω 1
6 Resistencia 5.6 K Ω 1
7 Resistencia 250 Ω 1
8 Resistencia 15 Ω 1
Nota. Componentes electrónicos y equipo
5. Procedimientos

1. Para comenzar analice el circuito de polarización emisor común de la figura 5.

Figura 5. Configuración emisor-común.

2. Obtenga los datos necesarios para el cálculo que vienen en el datasheet del fabricante del
transistor NPN 2N3904 que utilizó en el laboratorio y verifique que el transistor funciona
correctamente utilizando el multímetro.

Figura 6. Terminales transistor 2N3804.

3. A continuación, se procede a calcular los valores de resistencias RB, RC en el circuito con

una fuente de 10.4 V, una beta β=100 y IB=0.4mA. Podemos analizar en el circuito que
tenemos dos mallas una de entrada y otra de salida a continuación, calcularemos:
En la malla de Entrada con los datos planteados encontramos el valor de resistencia de RB.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
10.4 − 0.7
𝑅𝐵 =
0.4𝑚𝐴
𝑅𝐵 = 24.25 𝐾𝛺 ≅ 25 𝑘𝛺
 A continuación, en la malla de Salida obtenemos el valor de IC despejando de la formula.

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 𝛽(𝐼𝐵 ) = 100(0.4𝑚𝐴) = 40𝑚𝐴

Para el valor de VCE se obtiene mediante la tabla característica de saturación del 2N3904
que determina el fabricante.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
= 𝑅𝐶
𝐼𝐶
10.4 − 0.20
= 𝑅𝐶
40 𝑚𝐴
𝑅𝐶 = 255 𝛺
Calculamos la Imax

𝑉𝐶𝐶 10.4 𝑉
𝐼𝑚𝑎𝑥 = = = 40.78 𝑚𝐴
𝑅𝐶 255 𝛺
Encontramos los valores de punto de carga del transistor

𝐼𝑚𝑎𝑥 40.78𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = = = 20.39 𝑚𝐴
2 2
𝑉𝐶𝑚𝑎𝑥 10.4 𝑉
𝑉𝐶𝐸𝑄 = = = 5.2 𝑉
2 2
𝐼𝐶𝑄 20.39 𝑚𝐴
𝐼𝛽𝑄 = = = 203.9 𝜇𝐴
𝛽 100

4. Monte los componentes electrónicos al Protoboard de acuerdo al circuito de polarización

emisor común, utilizando el transistor NPN 2n3904, RB=25KΩ, RB=5.6KΩ, RC=250Ω y
RC=15 Ω.
 Figura 7. Conexión circuito configuración emisor-común.

5. Mida los voltajes VB, VC, VBE, VCE, IB, IC en el circuito y compare sus valores medidos con
los calculados.

Figura 8. Medición valores de tensión y corrientes.

6. Análisis de Resultados

A continuación, comparamos los valores obtenidos de VB, VC, VBE, VCE, IB, IC en el circuito de
polarización emisor común alimentado con una fuente de 10.4 voltios, una corriente IB=0.4mA y
una beta β=100 como se muestra a continuación:

Tabla 2. Valores obtenidos y calculados de la práctica.

Valores medidos Valores Calculados
VB 9.63 V 10 V
VC 10.04 V 10.02 V
VBE 0.79 V 0.7 V
VCE 0.38 V 0.20 V
IB 0.37 mA 0.40 mA
IC 38.60 mA 40 mA
Nota. Mediciones de tensiones y corrientes en el transistor.
 ➢ ¿Qué es un transistor BJT?

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un dispositivo

semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para controlar el flujo de corriente
eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente en el conductor base controla una mayor
cantidad de corriente entre el Colector y el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal
débil, como un oscilador o un interruptor

¿Cuáles son las partes de un transistor BJT?

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se denomina
base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del nombre de la
zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

➢ ¿Qué tipo de transistores son los que se muestran a continuación?

Para la primera figura es el transistor NPN y para la segunda figura es el transistor PNP.

➢ ¿Qué es un transistor de efecto de campo FET?

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE (Source),
DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuente
a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta.

➢ ¿Qué son los transistores JFET?

También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del acrónimo

inglés Junction Field Effect Transistor. La principal característica de este tipo de transistores es
que prácticamente no requieren de corriente de entrada en su terminal de control. Permite el paso,
o no, de corriente entre sus terminales Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la aplicación
de voltaje en su terminal Gate (Puerta).
 ➢ Indica las distintas partes y tipo del siguiente transistor JFET

➢ Identificar los tipos de transistores de la siguiente figura

En la primera figura se observa que es un Transistor JFET canal N y en la segunda figura es un

transistor JFET canal P
7. CONCLUSIONES

• Tras realizar la práctica y analizar los resultados obtenidos, podemos demostrar que
lasmediciones son equivalentes, existen pequeñas variaciones de medida entre los
cálculos matemáticos realizados y los arrojados por el multímetro, pero están
dentro del margen de tolerancias.
• Además, podemos aseverar que el datasheet es de mucha ayuda al momento de
encontrar algún transistor en específico o a su vez realizar algún cálculo
matemático requerido.
• Por consecuencia, podemos confirmar que los transistores trabajan de acuerdo a las
especificaciones establecidas en cuanto a mínimo y máximo de acuerdo a sus tolerancias

8. RECOMENDACIONES

• Es recomendable usar correctamente los instrumentos de medición porque al

no sermanipulados correctamente corren el riesgo de averiarse.
• También es necesario interpretar adecuadamente el datasheet, ya que de no hacerlo es
probable que se utilice un transistor equivocado y éste se arruine.
• Es importante seguir las recomendaciones del docente a cargo, ya que su
experiencia esbase fundamental para nuestro desarrollo estudiantil.

9. BIBLIOGRAFIA

[1] J. Miguel, “El Transistor bipolar de heterounión : física, electrónica y

microondas,” Mdx.cat, 2021, doi: https://doi.org/9788498800937.
[2] “INTRODUCCION A LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: PRINCIPIOS
Y MODELOS.” Accessed: May 29, 2023. [Online]. Available: https://ediuns.com.ar/wp-
content/uploads/2018/02/Introduccion-a-los-semiconductores_web.pdf
[3] “Electrónica general. Polarización de transistores: Conceptos básicos y exámenes
resueltos,” Google Books, 2018.
https://books.google.es/books?hl=es&lr=&id=HTJvDwAAQBAJ&oi=fnd&pg=PA1&dq
=libro+transistores&ots=NUU_mbYO8L&sig=WC2R8xqTw_gQ5hznqvNsBWIUhmg#v
=onepage&q=libro%20transistores&f=false (accessed May 29, 2023).
ANEXOS

Anexo 1. Montaje de componentes electrónicos en Protoboard.

Anexo 2. Obtención de valores de tensiones y corrientes