INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y

ELECTRICA UNIDAD “ZACATENCO”

Nombre: Vázquez Salvador Jahir

Grupo: 5CM5
Profesor: Reyes Aquino José
Dispositivos

PRACTICA 5
“TRANSISTOR BIPOLAR”
“Transistor Bipolar”

Introducción:

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificados, oscilador, conmutador o rectificador. El término “transistor” es la
contracción en ingles de transfer resistor (resistencia de transferencia).

Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilización porque toda
la electrónica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como
también formando parte de circuitos integrados, analógicos o digitales, de todo
tipo: microprocesadores, controladores de motores eléctricos, procesador de
señal, reguladores de voltaje, etc.

Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de

uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavarropas automáticas, automóviles, equipo de refrigeración,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadores, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipo de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, etc.

El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas

artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores(base). A diferencia de las
válvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que
son elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante
mecánica cuántica, luego en realidad el transistor es un dispositivo cuántico.

El transistor bipolar es el más común de los transistores y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la dirección del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de
transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el gráfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregara
por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en una factor que se llama
amplificación.

Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:

 IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a β (factor de

amplificación) por IB (corriente que pasa por la patilla base).
 IC = β*IB
 IB (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que IC, sólo
que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de él o
viceversa.

Según la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente IB cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el gráfico las corrientes de base (IB) son ejemplos para poder entender
que a más corriente la curva es más alta
Material:

 Osciloscopio de doble trazo

 Generador de señales
 Multímetro analógico y/o digital
 Una pinza de punta
 Una pinza de corte
 6 cables caimán – caimán de 50cm.
 6 cables caimán – banana de 50cm.
 6 cables banana – banana de 50cm.
 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación BNC y en el otro
caimanes
 Tablilla de conexiones (protoboard)
 Fuente de voltaje CD (variable)
 Fuente de corriente CD (variable)
 1 transistor de germanio NPN AC127
 4 transistor de silicio NPN BC547
 4 resistor de 1kΩ a ½ watt
 1 resistor de 100kΩ a ½ watt
 1 encendedor

Objetivos:

1. Identificar las terminales del transistor.

2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.

3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base – emisor y de colector

– base de un transistor de silicio.

4. Obtener la curva característica de entrada del transistor bipolar en

configuración de emisor- común observar su variación con el voltaje de colector
emisor.

5. Obtener las curvas características de salida en configuración de emisor

común. Observar su variación con la temperatura. Identificar las regiones de
operación corte, saturación y activa directa.

Desarrollo:

Experimentos:
1. Es requisito que para antes de realizar la práctica el alumno presente por
escrito y en forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar:

a) Símbolo

b) Construcción interna

c) Diagrama típico de uniones

d) Modelo matemático
e) Comportamiento gráfico de entrada y salida

f) Parámetros principales y su definición

g) Circuitos equivalentes

h) Parámetro “h”

i) Polarización típica

El profesor deberá revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, así como que se presente con los circuitos correspondientes
debidamente armados, de NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendrá
derecho a quedarse en el laboratorio y se le considerara como falta al mismo.

2. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor
bipolar y si este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se
consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos
indican cómo están ubicadas las terminales de emisor colector y base.

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el

dispositivo este en buen estado.

En el caso que no se cuete con la información suficiente, mediante algunas

mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los
transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

2.1. Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como

“prueba de amplificador” e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante

entre las uniones emisor - base y colector – base (para el caso de un transistor NPN,
cuando se coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el
negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse baja resistencia,
al invertir la polaridad, la resistencia medida deberá de ser alta (use la misma escala
del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre las terminales de colector
– emisor se observará alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de
las terminales de las uniones certificantes en el transistor bipolar y el tipo de
transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor
será necesario aplicar la “prueba del amplificador”.

b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de

transistor NPN o PNP la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el
caso del NPN, conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente es
el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe de aparecer en el óhmetro es
de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre colector y la base
(esto es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia de orden de M
ohms) y observar la disminución de la resistencia medida entre colector – emisor,
cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta disminución en el
valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es
tal, sino la de emisor al efectuar dicha prueba la disminución de la resistencia no
será tan importante. Para estar seguro de cual es cual, deberá realizarse ambos
casos y comparar las resistencias medidas.

2.2. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es
mediante el uso de un multímetro digital que nos permite medir la “beta” de
transistor. Esto es que elegimos en el multímetro digital la función de medición de la
beta colocamos las terminales del transistor como creamos que están correctas y
medimos la beta, cuando el dispositivo está correctamente colocando la beta
medida, generalmente es grande (en la mayoría de los casos mayor a 50), cuando
no está bien colocados la beta que se mide es pequeña (en la mayoría de los casos
menores a 20 y en algunos cosos indica circuito abierto.

2.3. Después de identificar las terminales de sus transistores bipolares. Dibújelos

en isométrico en la figura 1, indicando donde está el colector, el emisor y la base.
 BC547 AC127
Figura 1. Dibujo isométrico del Transistor Bipolar indicando la base, el emisor y el
colector en un NPN y en un PNP.

Figura 2. Símbolo del transistor.

3. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes

de fuga (generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares
también se presentan de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per de
terminales del transistor se podrán medir estas corrientes. Según el par de
terminales que elija, la corriente tendrá valores diferentes, aunque del mismo orden
de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeñas
comparadas con las corrientes de operación del dispositivo y que además para el
caso del silicio son muchos menores que para el germanio. En la expresión
matemática que se usa para la corriente de saturación inversa colector – base con
el emisor abierto en la figura 3 se propone un circuito para medir esta corriente y
observar cómo varia con la temperatura. Para esta medición usaremos el transistor
de germanio AC127.

Figura 3. Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variación con la

temperatura usando el transistor de germanio.
ICBO = ICO= 4.65 mA a temperatura ambiente.

ICBO1 = ICO1= 4.83 mA a temperatura mayor que la ambiente.

Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos.

4. Observar y medir el voltaje de ruptura de la unión base – emisor y de la unión

colector – base de un transistor bipolar con tecnología planar.

Actualmente la gran mayoría de los transistores bipolares están construidos con

tecnología planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan
diferentes concentraciones de impurezas y tamaños debido a las características de
construcción que se tienen en las uniones emisor – base y colector - base, el voltaje
de ruptura que se presenta en la unión emisor – base es menor que el que se
presenta en la unión colector – base, llegándose en la práctica a generalizar
diciendo; que launión emisor – base de un transistor bipolar de silicio se comporta
como un diodo zener.

Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor – base

posteriormente desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del
diodo colector – base, use una señal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12V a una
frecuencia entre 60Hz y 1KHz.
 Curva del diodo emisor-base
Reporte el voltaje al cual rompe la unión emisor – base VEB = 9 V.

Curva del diodo colector- base.

Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la

figura 4, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el
comportamiento de la unión emisor – base del transistor bipolar y observar su
variación con el voltaje de colector – emisor.
Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor –
base en un transistor bipolar y su variación con el voltaje colector – emisor.

Curvas características de entrada del transistor bipolar

Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los

diferentes voltajes de base – emisor.
 5. Obtener las curvas características de salida del transistor bipolar en configuración
IB (µA) medida sobre VBE (V) medido sobre VBE (V) medido sobre VBE (V) medido sobre
la curva del diodo la curva del diodo la curva del diodo la curva del diodo
emisor – base emisor – base emisor – base emisor – base
cuando VCE=0V cuando VCE=0.5V cuando VCE=5V
20 0.7 0.80 0.76
100 0.7 0.81 0.81
150 0.7 0.78 0.75
de emisor común. Observar y reportar su variación con la temperatura. Armar el
cuito de la figura 6 y obtener una a una las curvas características de salida del
transistor bipolar emisor – común, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6a) circuito propuesto para obtener las curvas características de salida del
transistor bipolar.

Figura 6.b. Curvas características de salida del transistor bipolar ubicando las
regiones de corte, saturación y activa directa
 Curvas características de salida de transistor bipolar

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje
colector – emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la
corriente de base, tal que la IB, haga que el transistor bipolar trabaje en la región de
corte, los valores de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la región activa directa (de
amplificación) y la corriente IB4 lo lleve a la región de saturación.

Corriente en la Medir los valores de corriente de colector IC (mA) para cada uno
base de los valores.

VCE = VCE = VCE = VCE = VCE = VCE = VCE =

0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
IB1 Corte 0 0.02 0.03 0.04 0.06 0.10 0.13
IB2 Activa 0.01 0.07 0.09 0.04 0.10 0.11 0.13
IB3 Activa 0.01 0.08 0.09 0.09 0.11 0.13 0.11
IB4Saturación 0.04 0.09 0.09 0.09 0.09 0.10 0.91

Fije la corriente de base en el valor de IB3 (región Activa), acerque un cerillo

encendido al transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de
colector. Digas si aumento o disminuye la corriente.
De 4.23 mA a Temperatura ambiente pasa a 4.83 mA con una temperatura
ambiente mayor por lo tanto aumenta.

Reporte en la gráfica de abajo la curva característica de salida del transistor

bipolar para la IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la
misma grafica el cambio con diferentes colores de tinta.
 Curva característica de salida en configuración de emisor común para el transistor
bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base
constante.

Cuestionario
1.- Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unión emisor
– base este polarizada directamente y la unión colector – base presente
polarización cero.

Unión Emisor – Base.

Unión Colector – Base.

2.- Determinar el valor de la alfa (α) para las lecturas que se realizaron en el
circuito de la figura 2.
3.- Escriba la expresión matemática que se usa para determinar el aumento de la
corriente de fuga en una unión rectificante cuando aumenta la temperatura, hágalo
tanto para el caso del silicio como para el germanio.

Silicio:

Germanio:

4.- Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de
un transistor bipolar e indique con que literales se conocen.

La corriente de fuga con la terminal de emisor abierta IC.

5.- Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unión

emisor – base con el colector corto – circuitado.

6.- ¿De qué orden es el voltaje de ruptura colector – emisor en el transistor de

silicio BC547?

Es de segundo orden.

7.- A partir de la tabla 2 obtenga las curvas características de salida del transistor
bipolar en emisor común.
9.-Proponga el circuito equivalente de parámetros “h” para el transistor bipolar en
emisor – común y defina cada uno de los parámetros “h”.

hie= La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del

emisor re).

hre = Representa la dependencia de la curva IB – VBE del transistor en el valor de

VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se
considera cero).

hfe = La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente

referido como hfe o como la ganancia de corriente continua (β) en las hojas de
datos.

hoe = La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente

especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.

10.- A partir de las curvas características de la pregunta 7 obtenga los parámetros

hfe, hoe, para la gráfica que obtuvo con la corriente de IB3 y un VCE = 4V
respectivamente.
11.- Cuando la corriente en la base es cero, ¿Cuánto debe de valer la corriente de
colector?

Es cero ya que

12.- Usando los datos de la tabla 1, obtenga las curvas características de entrada
del transistor bipolar en emisor común.

13.- Determine los parámetros híbridos hfe, hre, usando las gráficas de la
pregunta anterior para una corriente de base de 40µA

Conclusiones:
En esta práctica pudimos observar la configuraciones de un transistor bipolar
además de su funcionamiento el cual pude emplearse en cualquier ámbito de la
electrónica digital y la electrónica analógica así mismo pudimos observar la corriente
fuga y su variación con la temperatura con la cual se pudo obtener las curvas
características de entrada y salida del transistor bipolar lo cual nos llevó a ver las
regiones de corte, saturación y activa directa.

En resumen, el análisis de las curvas características del transistor bipolar en emisor

común proporciona información valiosa para el diseño y la optimización de circuitos
amplificadores y de conmutación, permitiendo maximizar la eficiencia, la linealidad
y la estabilidad del sistema.

BIBLIOGRAFIA

EcuRed. (s. f.). Transistor bipolar - EcuRed.

https://www.ecured.cu/Transistor_bipolar