UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

INVERSOR SEMIPUENTE MONOFÁSICO

Identificación:
GL-AA-F-1
Guías de Prácticas de Número de
Revisión No.:
Páginas:
Laboratorio 2
4
Fecha Emisión:
2018/01/31
Laboratorio de:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

CONMUTACIÓN DE MOSFET

Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:

I.E. Luis Francisco Niño MSc. I.E. Dario Amaya H., Ph.D. Ing. William Gómez, Ph.D.
Docente Jefe Área Electrónica Director
Programa Ing. en Programa Ing. en Programa Ing. en
Mecatrónica Mecatrónica Mecatrónica

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Control de Cambios

Fecha de
Descripción del Cambio Justificación del Cambio Elaboración /
Actualización
El área encargada de
seguir los procesos de
Actualización del formato calidad ha actualizado el 17-07-2018
formato correspondiente a
las guías de laboratorio.
Actualización de
competencias. Cambios en
la práctica buscando el
acercamiento del
Actualización de guía 05-08-2019
estudiante a dispositivos
tecnológicos actuales y
circuitos impresos de
potencia.
Actualización de guía Ajustes con el fin de llevar 21-07-2020
a cabo la práctica con
ambientes de aprendizaje
remotos

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1. FACULTAD O UNIDAD ACADÉMICA: INGENIERÍA

2. PROGRAMA: MECATRÓNICA

3. ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA

4. SEMESTRE: VII

5. OBJETIVOS:

 Diseñar circuitos de conmutación de Mosfet o IGBTs

 Comprobar sus características en conmutación

6. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS DEL LABORATORIO:

DESCRIPCIÓN (Material,
UNIDAD DE
reactivo, instrumento, software, CANTIDAD
MEDIDA
hardware, equipo)

7. MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS, SOFTWARE, HARDWARE O

EQUIPOS DEL ESTUDIANTE:

DESCRIPCIÓN (Material,
UNIDAD DE
reactivo, instrumento, software, CANTIDAD
MEDIDA
hardware, equipo)
Proteus 1 Ud
Orcad 1 Ud
MatLab 1 Ud

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8. PRECAUCIONES CON LOS MATERIALES, REACTIVOS, INSTRUMENTOS
Y EQUIPOS A UTILIZAR:

9. PROCEDIMIENTO, MÉTODO O ACTIVIDADES:

PARTE A. DISPARO DE TRANSISTORES MOSFET / IGBT

1. Realice la implementación de un circuito de conmutación usando Mosfet,

con capacidad de corriente de al menos 3A @ 120V. Puede tomar como
base el circuito de la figura 1. V2=12VDC, RL=22Ω. Determine el valor de
potencia de RL. V1 debe ser del voltaje necesario para el disparo de su
transistor.

FIGURA 1. Circuito para conmutación usando Mosfet

2. Analice los valores de voltaje en la carga y el voltaje Vds en el Mosfet, para

el interruptor abierto y para el interruptor cerrado
3. Analice los valores de corriente en la carga para el interruptor abierto y para
el interruptor cerrado.
4. Reemplace RL por un motor DC como se observa en la Figura 2 y realice
de nuevo las mediciones.

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FIGURA 2. Circuito de conmutación con Mosfet y carga Inductiva

5. Reemplace la fuente V1 por un dispositivo programable para activar el

Mosfet.
6. Utilice el dispositivo programable para generar una señal PWM y variar la
velocidad del motor.

10. RESULTADOS ESPERADOS:

Se espera que cada grupo de estudiantes realice un análisis de las
características de conmutación de transistores.

11. CRITERIO DE EVALUACIÓN A LA PRESENTE PRÁCTICA:

Para recibir, la práctica cada grupo debe presentar primero el preinforme, en

donde deben aparecer los correspondientes análisis de las mediciones realizadas.

Las metas que se evalúan en este laboratorio y sus indicadores son:

 Habilidad para identificar, formular y resolver problemas complejos

de Ingeniería aplicando principios de Ingeniería, ciencias y
matemáticas.
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 Habilidad para comunicarse efectivamente ante un rango de
audiencias.
 Capacidad de funcionar de manera efectiva en un equipo cuyos
miembros juntos proporcionan liderazgo, crean un entorno
colaborativo e inclusivo, establecen metas, planifican tareas y
cumplen objetivos
 Capacidad de desarrollar y llevar a cabo la experimentación
adecuada, analizar e interpretar datos, y usar el juicio de Ingeniería
para sacar conclusiones.

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