ID NIVELES DE RESISTENCIA 21

Características ideales

10 mA

ID

⫺20 V

0.7 V VD

Características reales
Is ⬵ 0 mA

FIG. 1.22
Características de semiconductor ideales contra reales.

De nueva cuenta:
Como la corriente es de 0 mA en cualquier parte de la línea horizontal, la resistencia es de
`V en cualquier punto del eje.
Por la forma y ubicación de la curva para la unidad comercial en la región de polarización en
directa, habrá una resistencia asociada con el diodo de más de 0 ⍀. Sin embargo, si la resisten-
cia es lo bastante pequeña comparada con los otros resistores de la red conectados en serie con el
diodo, a menudo es una buena aproximación suponer que la resistencia de la unidad comercial
es de 0 ⍀. En la región de polarización en inversa, si suponemos que la corriente de saturación
en inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a 0 mA, tenemos la misma equivalencia de
circuito abierto provista por el interruptor abierto.
El resultado es, por consiguiente, que existen suficientes similitudes entre el interruptor ideal
y el diodo semiconductor que lo hacen ser un dispositivo electrónico eficaz. En la siguiente sec-
ción se determinan los diversos niveles de resistencia de importancia para usarlos en el siguien-
te capítulo, donde se examina la respuesta de diodos en una red real.

1.8 NIVELES DE RESISTENCIA

●
A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su resistencia
también cambia debido a la forma no lineal de la curva de características. En los párrafos si-
guientes se demostrará que el tipo de voltaje o señal aplicada definirá el nivel de resistencia de
interés. En esta sección se presentarán tres niveles diferentes, los cuales volverán a aparecer
cuando examinemos otros dispositivos. Es de suma importacia, por consiguiente, que su deter-
minación se entienda con toda claridad.

Resistencia de CD o estática
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce un
punto de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. La resistencia del
diodo en el punto de operación se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID co-
mo se muestra en la figura 1.23 y aplicando la siguiente ecuación:

VD
RD = (1.3)
ID
22 DIODOS
SEMICONDUCTORES

FIG. 1.23
Determinación de la resistencia de cd de un
diodo en un punto de operación particular.

Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores que los niveles de
resistencia obtenidos para la sección de levantamiento vertical de las características. Los nive-
les de resistencia en la región de polarización en inversa son por naturaleza bastante altos. Co-
mo los óhmetros en general emplean una fuente de corriente relativamente constante, la resis-
tencia determinada será un nivel de corriente preestablecido (por lo general de algunos
miliamperes).
En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo, menor se-
rá el nivel de resistencia de cd.

EJEMPLO 1.3 Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura 1.24 con
a. ID = 2 mA (bajo nivel)
b. ID = 20 mA (alto nivel)
c. VD = - 10 V (polarizado en inversa)

Silicio

FIG. 1.24
Ejemplo 1.3.

Solución:
a. Con ID ⫽ 2 mA, VD ⫽ 0.5 V (en la curva) y
VD 0.5 V
RD = = = 250 æ
ID 2 mA
b. Con ID ⫽ 20 mA, VD ⫽ 0,8 V (en la curva) y
VD 0.8 V
RD = = = 40 æ
ID 20 mA
c. Con VD ⫽ ⫺10 V, ID ⫽ ⫺IS ⫽ ⫺1 mA (en la curva) y NIVELES DE RESISTENCIA 23
VD 10 V
RD = = = 10 Mæ
ID 1 mA
lo que confirma con claridad algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles
de resistencia de cd de un diodo.

Resistencia de CA o dinámica
Es obvio de acuerdo con la ecuación (1.3) y el ejemplo 1.3 que la resistencia de cd de un diodo
es independiente de la forma de las características en la región alrededor del punto de interés. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd, la situación cambiará por completo. La en-
trada variable moverá el punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región
de las características, y por lo tanto define un cambio específico de la corriente y voltaje como
se muestra en la figura 1.25. Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de operación sería el
punto Q que aparece en la figura 1.25, determinado por los niveles de cd aplicados. La designa-
ción de punto Q se deriva de la palabra quiescente, que significa “fijo o invariable”.

Característica de diodo

Línea tangente

Punto Q
(operación de cd)

FIG. 1.25
Definición de la resistencia dinámica o resistencia de ca.

Una línea recta trazada tangente a la curva por el punto Q como se muestra en la figura 1.26
definirá un cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la re-
sistencia de ca o dinámica en esta región de las características del diodo. Se deberá hacer un es-
fuerzo por mantener el cambio de voltaje y corriente lo más pequeño posible y equidistante a
ambos lados del punto Q. En forma de ecuación,
Punto Q

¢Vd
rd = (1.4)
¢Id

donde ⌬ indica un cambio finito de la cantidad.

Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el valor de ⌬Vd con el mismo cambio de ⌬Id FIG. 1.26
y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la región de levantamiento vertical de la carac- Determinación de la resistencia de
terística es, por consiguiente, bastante pequeña, en tanto que la resistencia de ca es mucho más ca en un punto Q.
alta con niveles de corriente bajos.
En general, por consiguiente, cuanto más bajo esté el punto de operación (menor corriente
o menor voltaje), más alta es la resistencia de ca.
24 DIODOS
SEMICONDUCTORES EJEMPLO 1.4 Para las características de la figura 1.27:
a. Determine la resistencia de ca con ID ⫽ 2 mA.
b. Determine la resistencia de ca con ID ⫽ 25 mA.
c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en cada nivel de
corriente.

I D (mA)

30

25 Δ Id

20
ΔVd

15

10

5
4
2 Δ Id

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 VD (V)
ΔVd

FIG. 1.27
Ejemplo 1.4.

Solución:
a. Con ID ⫽ 2 mA, la línea tangente en ID ⫽ 2 mA se trazó como se muestra en la figura 1.27
y se eligió una variación de 2 mA por encima y debajo de la corriente de diodo especifica-
da. Con ID ⫽ 4 mA, VD ⫽ 0.76 V y con ID ⫽ 0 mA, VD ⫽ 0.65 V. Los cambios resultantes
de la corriente y voltaje son, respectivamente,
¢Id = 4 mA - 0 mA = 4 mA
y ¢Vd = 0.76 V - 0.65 V = 0.11 V
y la resistencia de ca es
¢Vd 0.11 V
rd = = = 27.5 æ
¢Id 4 mA
b. Con ID ⫽ 25 mA, la línea tangente en ID ⫽ 25 mA se trazó como se muestra en la figura 1.27
y se eligió una variación de 5 mA por encima y debajo de la corriente de diodo especifica-
da. Con ID ⫽ 30 mA, VD ⫽ 0.8 V y con ID ⫽ 20 mA, VD ⫽ 0.78 V. Los cambios resultantes
de la corriente y voltaje son, respectivamente,
¢Id = 30 mA - 20 mA = 10 mA
y ¢Vd = 0.8 V - 0.78 V = 0.02 V
y la resistencia de ca es
¢Vd 0.02 V
rd = = = 2æ
¢Id 10 mA
c. Con ID ⫽ 2 mA, VD ⫽ 0.7 V y
VD 0.7 V
RD = = = 350 æ
ID 2 mA
la cual excede por mucho la rd de 27.5 ⍀.
 Con ID ⫽ 25 mA, VD ⫽ 0.79 V y NIVELES DE RESISTENCIA 25
VD 0.79 V
RD = = = 31.62 æ
ID 25 mA
la cual excede por mucho la rd de 2 ⍀.

Determinamos la resistencia dinámica gráficamente, pero hay una definición básica en el

cálculo diferencial que manifiesta que:
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente trazada
en dicho punto.
Por consiguiente, la ecuación (1.4), definida por la figura 1.26, se encuentra hallando esencial-
mente la derivada de la función en el punto Q de operación. Si determinamos la derivada de la
ecuación general (1.1) para el diodo semiconductor con respecto a la polarización en directa
aplicada y luego invertimos el resultado, obtendremos una ecuación para la resistencia de ca o
dinámica en dicha región. Es decir, si tomamos la derivada de la ecuación (1.1) con respecto a
la polarización aplicada tendremos
d d
1ID2 = C Is 1eVD>nVT - 12 D
dVD dVD
y
dID 1
= 1ID + Is2
dVD nVT
luego aplicamos algunas maniobras básicas de cálculo diferencial. En general, ID ⬎⬎ Is en la sec-
ción de pendiente vertical de las características y
dID ID
⬵
dVD nVT
Invirtiendo el resultado para definir una relación de resistencia (R ⫽ V/I) se tiene
dVD nVT
= rd =
dID ID
Sustituyendo n ⫽ 1 y VT ⬵ 26 mV del ejemplo 1.1 se obtiene

26 mV
rd = (1.5)
ID

La importancia de la ecuación (1.5) debe entenderse con claridad. Implica que la resistencia diná-
mica se determina con sólo sustituir el valor quiescente de la corriente de diodo en la ecuación.
No es necesario disponer de las características o preocuparse de trazar líneas tangentes como lo
define la ecuación (1.4). Es importante tener en cuenta, sin embargo, que la ecuación (1.5) es pre-
cisa sólo con valores de ID en la sección de levantamiento vertical de la curva. Con valores meno-
res de ID, n ⫽ 2 (silicio) y el valor de rd obtenido debe multiplicarse por un factor de 2. Con valores
pequeños de ID por debajo de la rodilla de la curva, la ecuación (1.5) se vuelve inapropiada.
Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora fueron definidos por la unión p-n
y no incluyen la resistencia del material semiconductor propiamente dicho (llamada resistencia
del cuerpo) y la resistencia introducida por la conexión entre el material semiconductor y el con-
ductor metálico externo (llamada resistencia de contacto). Estos niveles de resistencia adiciona-
les se pueden incluir en la ecuación (1.5) agregando una resistencia denotada rB:

26 mV
r¿d = + rB ohms (1.6)
ID

La resistencia r d⬘, incluye, por consiguiente, la resistencia dinámica definida por la ecuación
(1.5) y la resistencia rB que se acaba de introducir. El factor rB puede variar desde 0.1 ⍀ para dis-
positivos de alta potencia hasta 2 ⍀ para algunos diodos de uso general de baja potencia. En el
ejemplo 1.3 la resistencia de ca a 25 mA resultó ser de 2 ⍀. Utilizando la ecuación (1.5) tenemos
26 mV 26 mV
rd = = = 1.04 æ
ID 25 mA
La diferencia de aproximadamente 1 ⍀ puede ser considerada como la contribución de rB.
26 DIODOS En el ejemplo 1.4 la resistencia de ca a 2 mA resultó ser de 27.5 ⍀. Utilizando la ecuación
SEMICONDUCTORES (1.5) pero multiplicando por un factor de 2 en esta región (en la rodilla de la curva n ⫽ 2),
26 mV 26 mV
rd = 2a b = 2a b = 2113 Æ2 = 26 æ
ID 2 mA
La diferencia de 1.5 ⍀ puede ser considerada como la contribución de rB.
En realidad, la determinación de rd con alto grado de precisión a partir de una curva de carac-
terística utilizando la ecuación (1.4) es un proceso difícil en el mejor de los casos y los resultados
tienen que ser tratados con reservas. Con bajos niveles de corriente en el diodo el factor rB nor-
malmente es lo bastante pequeño comparado con rd como para ignorar su impacto en la resis-
tencia de ca del diodo. Con altos niveles de corriente, el nivel de rB puede aproximarse al de rd,
pero puesto que con frecuencia habrá otros elementos resistivos de mucha mayor magnitud en
serie con el diodo, en este libro supondremos que la resistencia de ca está determinada única-
mente por rd, y el impacto de rB se omitirá a menos que se diga lo contrario. Mejoras tecnológi-
cas de años recientes indican que el nivel de rB continuará reduciéndose en magnitud y con el
tiempo llegará a ser un factor que ciertamente puede ser ignorado en comparación con rd.
El análisis anterior se centró únicamente en la región de polarización en directa. En la región
de polarización en inversa supondremos que el cambio de la corriente a lo largo de la línea Is es
nulo desde 0 V hasta la región Zener, y la resistencia de ca calculada con la ecuación (1.4) es su-
ficientemente alta como para permitir la aproximación de circuito abierto.

Resistencia de ca promedio
Si la señal de entrada es suficientemente grande para producir una amplia variación tal como se
indica en la figura 1.28, la resistencia asociada con el dispositivo en esta región se llama resisten-
cia de ca promedio. La resistencia de ca promedio es, por definición, la resistencia determinada
por una línea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores máximo y
mínimo del voltaje de entrada. En forma de ecuación (observe la figura 1.28),

¢Vd
rprom = ` (1.7)
¢Id punto a punto

En la situación indicada por la figura 1.28,

¢Id = 17 mA - 2 mA = 15 mA

I D (mA)

20

15

Δ Id 10

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 VD (V)
ΔVd

FIG. 1.28
Determinación de la resistencia de ca promedio entre los límites indicados.
y ¢Vd = 0.725 V - 0.65 V = 0.075 V CIRCUITOS 27
EQUIVALENTES
¢Vd 0.075 V DEL DIODO
con rprom = = = 5æ
¢Id 15 mA
Si la resistencia de ca (rd) se determinara con ID ⫽ 2 mA, su valor sería de más de 5 ⍀ y si
se determinara con 17 mA, sería menor. Entre estos valores, la resistencia de ca cambiaría del
valor alto con 2 mA al valor bajo con 17 mA. La ecuación (1.7) define un valor considerado
como el promedio de los valores de ca desde 2 mA hasta 17 mA. El hecho de que un nivel de
resistencia se pueda utilizar en un intervalo tan amplio de características comprobará su utilidad
en la definición de circuitos equivalentes de un diodo en una sección posterior.
Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto más bajo sea el nivel de las corrientes
utilizadas para determinar la resistencia promedio, más alto será el nivel de resistencia.

Tabla de resumen
La tabla 1.5 se desarrolló para reforzar las conclusiones importantes de las últimas páginas y
para recalcar las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. Como ya se indicó antes,
el contenido de esta sección es el fundamento de varios cálculos de resistencia que se realizarán
en secciones y capítulos posteriores.

TABLA 1.5
Niveles de resistencia

Características Determinación
Tipo Ecuación especiales gráfica

VD ID
CD o estática RD = Definida como un punto
ID Qpt.
en las características

VD

¢Vd 26 mV ID
CA o dinámica rd = = Definida por una línea
¢Id ID Qpt. ⌬Id
tangente en el punto Q

⌬Vd

¢Vd ⌬Id
CA promedio rprom = 2 Definida por una línea recta
¢Id punto a punto
entre los límites
de operación
⌬Vd

1.9 CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

●
Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente seleccionados
para que representen mejor las características terminales reales de un dispositivo o sistema
en una región de operación particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, el símbolo del dispositivo
puede ser eliminado de un esquema y el circuito equivalente insertado en su lugar sin afectar
gravemente el comportamiento real del sistema. Con frecuencia, el resultado es una red que se
puede resolver con técnicas tradicionales de análisis de circuito.