UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRNICA

LABORATORIO ELECTRNICA ANALOGA I
PRACTICA No. 1
CARACTERSTICA I V DEL DIODO DE UNION
OBJETIVOS

Determinar por medio de la prctica la caracterstica I-V del diodo de unin

al tomar diferentes medidas para su aproximacin tanto grfica como
terica.
Aprender a tener los cuidados necesarios cuando el diodo se polariza en
inverso a una excitacin determinada.
Comprobar que los efectos de la temperatura afectan el circuito en donde
se encuentra el diodo y no solo a este.

JUSTIFICACIN
Dentro del estudio de semiconductores encontramos el diodo de unin,
dispositivo muy usado en la electrnica por sus mltiples funciones en las
aplicaciones en DC y AC y que ha permitido un gran avance en el campo de
la electrnica.
En el presente trabajo se pretenden mostrar las caractersticas generales
de los diodos de unin como el voltaje, corriente y diferentes
comportamientos de acuerdo a la conexin en un circuito en particular.
Estas caractersticas sern demostradas en el comportamiento grfico de la
curva de I vs V para poder corroborar datos tericos basndonos en ella.
MATERIALES Y EQUIPO
EQUIPO REQUERIDO
Multmetro digital (DMM).
Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de
silicio 1N4004.
Fuente DC.
1 cautn.

PROCEDIMIENTO
2. Caractersticas I-V de los diodos polarizados en directo:

I D=

VR
R

Resultados en tabla numero 1

3. Polarizacin en inverso:

I s=

I s=

VR
Rmed / R m

1.7 mV
1.7 mV
=
=1.8837 nA
0.8925 M
0.992 M10 M
0.992 M +10 M

3.e) Resistencia del diodo (RD):

R D=

V D V F V R
=
ID
IS

R D=

20000 mV 1.7 mV
=18.049 M
1.8837 nA

Resultados en la tabla numero 2

4. Resistencia esttica del diodo (RD)
R D=

VD
ID

Resultados presentes en tabla numero 3

5.a) Resistencia Dinmica (rd)
ID alrededor de 9mA
rd =

V
I

rd =

b)

V f V o
( 0.70.69 ) V
=
=4.9=5
I f I o (10.18.08) mA

rd =

nVt
ID

n=1
Vt= 25 mV
ID= 9 mA
rd =

nVt 125 mV
=
=2.77
ID
9 mA

5.c) ID = 2mA tabla numero 3

Id alrededor 2mA
rd =

V
I

rd =

V f V o (0.6450.596)V
=
=24.5
I f I o
(3.031.01)

rd formula:
nVt
rd =
ID
n=1
Vt= 25 mV
ID= 2 mA
rd =

nVt 125 mV
=
=12.5
ID
2 mA

6. Voltaje umbral (V T )
El voltaje umbral del diodo se especfica en la tabla nmero 4.

7. Demostracin de los efectos de la Temperatura

b) diodo a alta temperatura:
I D=
I D=

VR
R

1.0 V
0.990 K

I D =1.01mA

DESARROLLO DE LA PRCTICA Y RESULTADOS MEDIDOS

En las siguientes tablas se encuentran datos de los literales 2 b), 3 b), 4 a), 5.c) y
6 utilizando los valores obtenidos en la prctica para hallar los tericos.
Tabla 1
VR(V)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

VD(V)

0.492

0.521

0.534

0.549

0.558

0.568

0.575

0.582

0.587

ID(mA)

0.101

0.202

0.303

0.404

0.505

0.606

0.707

0.808

0.909

VR(V)

10

VD(V)

0.596

0.626

0.645

0.659

0.669

0.677

0.684

0.690

0.695

0.700

ID(mA)

1.01

2.02

3.03

4.04

5.05

6.06

7.07

8.08

9.09

10.1

Tabla 2
Rm
IR(calculada)
RD(calculada)

10M
1.8837nA
18.047M

Tabla 3
Si

ID (mA)

VD (V)

0.2
1
5
10

0.5
0.596
0.669
0.700

Tabla 4
ID (mA)
9
2

rd (calc. Grafica) (
5
24.5

RD ( K
2.5
0.596
0.133
0.070

rd (calc. ecuacion)
()
2.77
12.5

Tabla 5
VT (V)

Si
0.492
ANLISIS DE RESULTADOS

3) Polarizacin en Inverso
f) Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para
considerar al diodo como un circuito abierto si se usa en un circuito
en serie con un resistor cuyo valor este en un rango bajo de k?
R/ si, ya que la resistencia del diodo es demasiado grande ( 18.049 M
comparada con la que hay en serie y pues por ste (el diodo) pasara una
corriente muy mnima, y prcticamente caera todo el voltaje en l.
4) Resistencia esttica (RD)
b) Cul es la tendencia de R D para el diodo cuando la corriente aumenta y el
punto de operacin del diodo se mueve hacia la seccin de crecimiento vertical
de la caracterstica? Explique este comportamiento.
R/ cuando la corriente aumenta, RD tiende a volverse lo ms pequea posible
(disminuye) debido a esto se dice que el diodo est en directo y se empieza
comportar como un corto circuito.

5) Resistencia Dinmica

a) Con la ecuacin respectiva determine rd para el diodo de silicio

alrededor de ID =9mA usando la curva de la figura 2. Escriba el
procedimiento para realizar esta labor.
R/ Mediante la ecuacin de la pendiente escogemos dos pares de puntos
que estn alrededor de 9mA; para este caso tenemos X1=0.69 Y1=8.08 y
X2=0.7 Y2=10.1. El resultado es la resistencia dinmica.
b) Compare los resultados de las resistencias dinmicas obtenidos por
las diferentes formas de calcularlas.
R/ Como se puede apreciar en la tabla los datos obtenidos por medio de la
nVt
rd =
ecuacin
I D son practicamente la mitad de los datos obtenidos por
el mtodo grfico. Esto se puede presentar debido a que la resistencia
nVt
rd =
dinmica obtenida con la ecuacin
es netamente teorica y la
ID
obtenida por el mtodo grfico es ms realista ya que se adapta a las
condiciones en las que trabajamos el circuito como la temperatura, errores
de medicin, fallas en el equipo de laboratorio, etc.

c) Comparacin de resultados ID= 9mA e ID= 2mA explicar diferencia.

R/ Aplicando la ley de OHM a mayor corriente menor resistencia. En el caso
del diodo cuando conduce a plenitud tiene a comportarse como un corto
circuito por lo que la resistencia tiende a ser mnima. Por lo tanto, cuando
ID=9mA la resistencia es ms pequea que ID=2mA.
7. Demostracin de los efectos de la temperatura
a) Efecto en VD cuando el diodo se calienta con un cautn.
R/ Podemos apreciar que cuando se calienta el diodo con el cautn su
voltaje disminuye. Para este caso VD=0.591V y disminuy a VD=0.448V.
b) Efecto en ID y VR cuando se calienta el diodo con el cautn.
VR
I
=
D
R/
entonces cuando se calienta el diodo el voltaje en la
R
resistencia tambin aumenta por lo que la corriente del diodo aumenta.
Para el caso VR=1V en fro y al calentar aumenta a VR=1.125 y el efecto en
ID fue de ID=1.01mA y aument a ID=1.13mA
c) Efecto en RD cuando se calienta el diodo con el cautn.

R D=

R/

VD
ID

entonces cuando se calienta el diodo el voltaje en l

disminuye, por lo que la resistencia del diodo disminuye. Para el caso

RD=585K y disminuy a RD=396K
d) El diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo
o negativo? Explique su respuesta.
R/ El diodo tiene un coeficiente de temperatura negativo ya que el voltaje en
el diodo disminuye cuando su temperatura aumenta.
NOTA: Todos estos coeficientes satisfacen la ley de Ohm.

CONCLUSIONES

Los valores de la resistencia dinmica varan de los datos tericos a

los prcticos, al usar las ecuaciones por medio de la pendiente y la
ecuacin de la resistencia dinmica, vemos que los resultados
hallados con la pendiente son prcticamente el doble de los
obtenidos con la otra. Adems vara al tomar puntos diferentes en la
grfica alrededor de determinada corriente.
Cuando polarizamos el diodo en inverso idealmente el voltaje en el
diodo es el mismo que el de la fuente, pero realmente no lo es ya
que en la R y la resistencia interna del aparato tambin hay una
pequea cada y el voltaje del diodo no es completamente el voltaje
suministrado por la fuente.
Si en la polarizacin en inverso se hubiese dejado R= 1K, Is
hubiese daado el diodo ya que empezara a ser muy grande por lo
tanto dejamos R= 1M, para contrarrestar Is y hacerla muy pequea,
para ste caso del orden de nano amperios.

Tanto ideal como realmente la ley de OHM se cumple ya que el

voltaje es directamente proporcional a la corriente e inversamente a
la resistencia, y esto lo comprobamos tanto en la prctica como en
los resultados tericos.
Se pudo comprobar de forma terica y prctica, que el voltaje umbral
de un diodo de este tipo (1N4004), est entre 0.5 y 0.6 volt.
Mirando el datasheet de este diodo, se pudo determinar que estos
semiconductores de la serie 1N400X, la X determina el voltaje pico
que soportan (PIV), adems de suministrar otros datos tcnicos del
diodo, importantes para su uso e implementacin en circuitos
electrnicos.