Fase 2 - Implementación de métodos de análisis de circuitos resistivos

Grupo – 115

Jesús David Mejía Torres

Escuela de Ciencias Básicas, tecnología e ingeniería ECBTI

Análisis de circuitos

Cód. 202446761_4

Tutor Carlos Arturo Boada Quijano

Tecnología en automatización y electrónica industrial

16, abril 2023

 Objetivos
Objetivos generales:
- Relacionar los métodos de análisis de nodos, mallas y teoremas de redes mediante el
de circuitos y las variables eléctricas que intervienen en él.
Objetivos específicos:
- Implementar un algoritmo en un sistema embebido que seleccione, controle y mida
los diferentes parámetros del sistema.
- Diseñar una interfaz gráfica que permita al usuario controlar los parámetros del
circuito y visualizar las diferentes medidas.
 Conceptos de la unidad
Tabla 1.
1. Concepto 2. Definición
Nodo Se conoce como nodo, el punto donde se
interconectan dos o mas elementos de un
circuito eléctrico o electrónico.
Super nodo Es un método teórico para encontrar
magnitudes eléctricas, se aplica cuando
solo existen fuentes de voltajes.
Malla En este método se utilizan dos términos
especiales.
Lazo, que es cualquier trayectoria cerrada
alrededor de un circuito,
Malla, es una clase restringida de lazo, en
otras palabras, una malla es un lazo que no
contiene otros lazos.
Super malla Es una malla creada a partir de dos mallas
que tienen una fuente de corriente común
ya sea dependiente o independiente.
Método de superposición Es una técnica muy útil para añadir a un
conjunto de herramientas que sirven para
realizar circuitos. usa la superposición o
sea la suma, cuando se tenga un circuito
con entradas múltiples o múltiples fuentes
de poder.
Teorema de Norton Permite simplificar un circuito a un modelo
equivalente formado por una fuente de
corriente en paralelo a una resistencia.
Teorema de Thévenin Establece que cualquier circuito compuesto
de elementos lineales puede simplificarse a
una sola fuente de voltaje y una resistencia
en serie (o impedancia en serie para el
análisis con corriente alterna).
Máxima transferencia de potencia Es una máxima potencia que utiliza un
aparato eléctrico o electrónico con la
mínima perdida en las líneas de conexión o
en las líneas de alimentación.
 Distribución de resistencias por estudiante
Tabla 2. Distribución de resistencias por estudiante
1. Resistencia 2. 3. 4. 5. 6.
Estudiante Estudiante Estudiante Estudiante Estudiante
1 2 3 4 5
R1 1.2kΩ 1.5kΩ 1.8kΩ 2.2kΩ 2.7kΩ
R2 1.5kΩ 1.8kΩ 2.2kΩ 2.7kΩ 3.3kΩ
R3 1.8kΩ 2.2kΩ 2.7kΩ 3.3kΩ 1.2kΩ
R4 2.2kΩ 2.7kΩ 3.3kΩ 1.2kΩ 1.5kΩ
R5 2.7kΩ 3.3kΩ 1.2kΩ 1.5kΩ 1.8kΩ
R6 3.3kΩ 1.2kΩ 1.5kΩ 1.8kΩ 2.2kΩ

Imagen 1. Circuito para desarrollar

Método de (Malla)
Malla (corriente I1) Aplicando LVK

∑ Vk =0−V 1+ I 1∗R 1+ I 1∗R 2−I 2∗R 2=0

−5 V + I 1∗( 2.2 KΩ ) + I 1∗( 2.7 KΩ )−I 2∗2.7 KΩ=¿
( 2.2 KΩ )∗I 1+ ( 2.7 KΩ )∗I 1− (2.7 KΩ ) I 2=5V 4.9 KΩI 1−2.7 KΩI 2=5V EC .1

Malla (corriente I2) Aplicando LVK

∑ Vk =0I 2∗R 3+ I 2∗R 4−I 3∗R 4 + I 2∗R 2−I 1∗R 2=0

I 2∗( 3.3 KΩ )+ I 2∗(1.2 KΩ )−I 3∗( 1.2 KΩ ) + I 2∗( 2.7 KΩ )−I 1∗( 2.7 KΩ )=0
( 3.3 KΩ ) I 2+ ( 1.2 KΩ ) I 2− (1.2 KΩ ) I 3+ ( 2.7 KΩ ) I 2−( 2.7 KΩ ) I 1=0
−2.7 KΩI 1+7.2 KΩI 2−1.2 KΩI 3=0 Ec .2
Malla (Corriente I3) Aplicando LVK
∑ Vk =0I 3∗R 5+ I 3∗R 6+V 2+ I 3∗R 4−I 2∗R 4=0
I 3∗( 1.5 KΩ ) + I 3∗( 1.8 KΩ )+12 V + I 3∗( 1.2 KΩ )−I 2∗( 1.2 KΩ )=0
( 1.5 KΩ ) I 3+ ( 1.8 KΩ ) I 3+ ( 1.2 KΩ ) I 3− ( 1.2 KΩ ) I 2=−12 V
−1.2 KΩI 2+4.5 KΩI 3=−12 V Ec .3
Malla(I1) 4.9 KΩI 1−2.7 KΩI 2+ 0 I 3=5 V Ec .1=974 µA

Malla (I2) −2.7 KΩI 1+7.2 KΩI 2−1.2 KΩI 3=0 Ec .2=−82.5 µA

Malla (I3) 0 I 1−1.2 KΩI 2+ 4.5 KΩI 3=−12V Ec .3=−2.68 mA

Corriente en cada uno de los resistores del circuito.

IR 1=I 1IR 1=974 µA

IR 2= ( I 1−I 2 ) IR 2= ( 974 µA−(−82.5 µA ) )=1.029 mA

IR 3=I 2IR 3=−82 .5 µ A

IR 4= ( I 2−I 3 ) IR 4= (−82.5 µA −(−2.68 mA ) )=2.59 mA

IR 5=I 3IR 5=−2.68 mA

IR 6=I 3IR 6=−2.68 mA

Voltaje en cada uno de los componentes del circuito.

VR 1=IR 1∗R1VR 1=974 µA∗2.2 KΩ=2.1428 V

VR 2=IR 2∗R 2VR 2=1.029 mA∗2.7 KΩ=2.77 V

VR 3=IR 3∗R 3VR 3=−82.5 µA∗3.3 KΩ=−272mV

VR 4=IR 4∗R 4VR 4=2.59 mA∗1.2 KΩ=3.108V

VR 5=IR 5∗R 5VR 5=−2.68 mA∗1.5 KΩ=−4.02V

VR 6=IR 6∗R 6VR 6=−2.68 mA∗1.8 KΩ=−4.82 V

Potencia en cada uno de los componentes del circuito.

P=V ∗I

PR 1=2. 1428V ∗974 µA=2.08 mW PR 2=2.77 V ∗1.029 mA=2. 85 mW

PR 3=−272 mV ∗−2.68 mA=−728.96 µW PR 4=3.108 V∗2.59 mA =8.04 mW
PR 5=−4.02V ∗−2.68 mA =10.77 mW PR 6=−4.82 V∗−2.68 mA =12.91 mW

Método de (Nodo)

∑ Ientran=∑ Isalen
Ecuaciones para el nodo (Vx)

0=I 1+ I 2+ I 3I 1+ I 2+ I 3=0

Aplicando la ley de ohm para corriente

V Vx−V 1 Vx Vx−Vy Vx−5V Vx Vx−Vy

I= + + =0 + + =0
R R1 R2 R3 2.2 KΩ 2.7 KΩ 3.3 KΩ
Vx 5V Vx Vx Vy
− + + −
2.2 KΩ 2.2 KΩ 2.7 KΩ 3.3 KΩ 3.3 KΩ
1 5V 1 1 1
Vx− + Vx+ Vx− Vy =0
2.2 KΩ 2.2 KΩ 2.7 KΩ 3.3 KΩ 3.3 KΩ
 1 1 1 1 +5 V
Vx + Vx+ Vx− Vy =
2.2 KΩ 2.7 KΩ 3.3 KΩ 3.3 KΩ 2.2 kΩ
67 1 +5 V
Vx− Vy = Ec .1 Vx=2.855 V
59400Ω 3.3 KΩ 2.2 KΩ

Ecuaciones para el nodo (Vy)

∑ Ientran=∑ Isalen0=I 3+ I 4+ I 5I 3+ I 4 + I 5=0

Aplicando la ley de ohm para corriente

V Vy−Vx Vy Vy−V 2 Vy−Vx Vy Vy −12V

I= + + =0 + + =0
R R3 R 4 R 5+ R 6 3.3 KΩ 1.2 KΩ 1.5 KΩ+1.8 KΩ
Vy Vx Vy Vy 12V
− + + −
3.3 KΩ 3.3 KΩ 1.2 KΩ 1.5 KΩ+1.8 KΩ 1.5 KΩ+1.8 KΩ
1 1 1 1 12 V
Vy− Vx+ Vy + Vy − =0
3.3 KΩ 3.3 KΩ 1.2 KΩ 3.3 KΩ 3.3 KΩ
−1 19 12 V
Vx+ Vy= Ec .2 Vy=3.127 V
3.3 KΩ 13200Ω 3.3 KΩ
Corriente en cada uno de los resistores del circuito.

Vx−Vy 2.855 V −5 V
IR 1= IR 1= =975 µA
R1 2.2 KΩ

Vx 2.855 V
IR 2= IR 2= =1.05 mA
R2 2.7 KΩ

Vx−Vy 2.855 V −3.127 V

IR 3= IR 3= =−82.42 µA
R3 3.3 KΩ

Vy 3.127 V
IR 4= IR 4= =2.60 mA
R4 1.2 KΩ

Vy −V 2 3.127 V −12 V
IR 5= IR 5= =−2.68 mA
R 5+ R 6 1.5 KΩ+1.8 KΩ

Vy −V 2 3.127 V −12V
IR 6= IR 6= =−2.68 mA
R 5+ R 6 1.5 KΩ+1.8 KΩ
Voltaje en cada uno de los componentes del circuito.

V =I ∗RVR 1=IR 1∗R1VR 1=975 µA∗2.2 KΩ=2.145 mV

VR 2=IR 2∗R 2VR 2=1.05 mA∗2.7 KΩ=2.835 V

VR 3=IR 3∗R 3VR 3=−82.42 µA∗3.3 KΩ=−271 mV

VR 4=IR 4∗R 4VR 4=2.60 mA∗1.2 KΩ=3.12V

VR 5=IR 5∗R 5VR 5=−2.68 mA∗1.5 KΩ=−4.02V

VR 6=IR 6∗R 6VR 6=−2.68 mA∗1.8 KΩ=−4.824 V

Potencia en cada uno de los componentes del circuito.

P=V ∗I PR 1=2.145 mV ∗975 µA=2.09 µW PR 2=2.835 V∗1.05 mA =2.97 mW

PR 3=−271 mV ∗−8242 µA=22.33 µW PR 4=3.12 V∗2.60 mA =8.112mW
PR 5=−4.02V ∗−2.68 mA =10.77 mW PR 6=−4.824 V ∗−2.68 mA=12.92 mW

Valores simulados . Metodo de Malla

I 1=974.95 µA I 2=−82. 507 µA I 3=−2.6887 mA
Valore teorico−Valor simulado
*100=Porcentaje de error
Valor teorico
974 µA−974.95 µA −82.5 µA− (−82.507 µA )
∗100=9 7.53 % ∗100=8.48 %
974 µA −82 .5 µA
−2.68 mA−(−2.68 87 mA )
∗100=0.32 %
−2.68 mA

Tabla 3. Tabla de datos solicitados

1. Método de mallas
Corrientes de malla Corriente Teórica Corriente Simulada Error relativo %
(Teórico - simulada)
Corriente malla 1 974µA 974.95µA 97.53%
(I1)
Corriente malla 1 -82.5µA -82.507µA 8.48%
(I2)
Corriente malla 1 -2.68mA -2.6887mA 0.32%
(I3)

Valores simulados. Metodo de nodo

Valore teorico−Valor simulado
Vx=2. 8551V Vy =3.1274 V *100=Porcentaje de error
Valor teorico
2.855V −2.8551 V 3.127 V −3.1274 V
∗100=3.50 % ∗100=0.01 %
2.885 V 3.127 V
 Tabla 3. Tabla de datos solicitados
2. Voltajes de los nodos
Voltajes de los nodos Voltaje Teórico Voltaje Simulado Error relativo %
(Teórico - simulado)
Voltaje Nodo 1 (Vx) 2.855V 2.8551V 3.50%
Voltaje Nodo 2 (Vy) 3.127V 3.1274V 0.01%

Valores simulados
Valore teorico−Valor simulado
*100=Porcentaje de error
Valor teorico
2.1428 V −2.144 V 2.77 V −2.8 551V
R1= *100= 0.05% R2= *100=3.07%
2.1428 V 2.77 V
−272 mV −(−272.27 mV ) 3.108 V −3.127 V
R3= *100=0.09% R4= *100= 0.61%
−272 mV 3.108 V
−4.02V −(−4.03V ) −4.82V −(−4.83 V )
R5= *100=0.24% R6= *100=0.20%
−4 .02V −4. 82 V
Valore teorico−Valor simulado
*100=Porcentaje de error
Valor teorico
974 µA−974.95 µA 1.029 mA−1.0575 mA
R 1= ∗100=0.09 % R 2= ∗100=2.72 %
974 µA 1.029 mA
−82.5 µA−(−82.507 µA ) 2.59 mA−2.6062 mA
R 3= ∗100=0 % R 4= ∗100=0.62 %
−82.5 µA 2.59 mA
−2.68 mA −(−2.6887 mA )
R 5= ∗100=0.32 %
−2.68 mA
−2.68 mA −(−2.6887 mA )
R 6= ∗100=0.32 %
−2.68 mA

Tabla 3. Tabla de datos solicitados

3. Voltajes, corrientes y potencia de cada elemento
Elemento Voltaje Voltaje Error Corriente Corriente Error Potencia
Teórico Simulado relativo Teórica Simulada relativo (W)
(Vt) (Vs) % (Vt - (It) (Is) % (It -
Vs) Is)
R1 2.1428V 2.144V 0.05% 974µA 974.95µA 0.09% 2.08mW
R2 2.77V 2.8551V 3.07% 1.029mA 1.0575mA 2.72% 2.85mW
R3 -272mV - 0.09% -82.5µA -82.507µA 0% -
272.27mV 728.96µW
R4 3.108V 3.127V 0.61% 2.59mA 2.6062mA 0.62% 8.04mW
R5 -4.02V -4.03V 0.24% -2.68mA - 0.32% 10.77mW
2.6887mA
R6 -4.82V -4.83V 0.20% -2.68mA - 0.32% 12.91mW
2.6887mA
 Conclusión
- Se logro verificar exitosamente todos los métodos de análisis de circuitos con la
ayuda
Del simulador que luego se verifica en la práctica y también al realizar el informe es
así que se puede decir que los datos que se obtuvieron en la práctica
fueron tomados de la mejor manera con un bajo margen de error.
a través de la práctica del laboratorio podemos comprobar el teorema en este caso
las leyes de Kirchhoff son una herramienta ms que nos permite el análisis de circuitos ya
que existen otros métodos que también son importantes, pero que son usados de acuerdo de
acuerdo con nuestras necesidades. el método de análisis de mallas y nodos nos permiten
ver de sencilla la manera y el comportamiento de la corriente y voltaje dentro de un circuito
siempre y cuando las ecuaciones están bien planteadas.

- Conocer para cada una de las ramas de un circuito sus voltajes de rama y sus
corrientes de rama permite realizar todos los cálculos requeridos en el circuito. Una
 manera de calcular estos valores es la aplicación de las leyes de Kirchhoff, la ley de
Ohm y el principio de conservación de potencia.

Referencias bibliográficas (Bajo normas APA)

https://www.multisim.com/content/Lg3oWAZ5FkfeJ4RTN9Ymwx/circuitos-de-mallas/
open/
https://www.youtube.com/watch?v=iIr6Lx2ZB3Y
https://www.youtube.com/watch?v=AuPUFpUJllg