MODELO EQUIVALENTE PARA SEÑALES PEQUEÑAS - BJT Características del transistor configuración emisor común:

Tipos de conexión: (EC) emisor común: (CC) colector común; (BC) base
común. “el lado común de la tierra o masa está conectado a una salida del
transistor”. El tipo de conexiones se clasifica según por donde está entrando
y saliendo la señal. Cada configuración tiene sus propias características que
se verán a continuación.

Emisor Común Base común Colector común

Vcc1 Vcc1 Vcc1

R1 Rc1 R1 Rc1 R1 Rc1

Cc1 salida Cc1 salida

entrada Cb1 Q1 Q1 entrada Cb1 Q1

Ce1 entrada Ce1 salida

R2 Re1 R2 Re1 R2 Re1

Características de conexión: Características de conexión: Características de conexión:

Ganancia de corriente: 𝐴𝐼 > 1 Ganancia de corriente: 𝐴𝐼 ≈ 1 Ganancia de corriente: 𝐴𝐼 > 1

Ganancia de tensión: 𝐴𝑉 > 1
Ganancia de potencia: 𝐴𝑃 > 1
Impedancia: 𝑍𝑖𝑛 = 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒 ; 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒
Ancho de banda: reducido (bajas frecuencias)
**nota: produce inversión de señal de voltaje
**nota: no produce inversión de señal de corriente
Ganancia de tensión: 𝐴𝑉 > 1
Ganancia de potencia: 𝐴𝑃 > 1
Impedancia: 𝑍𝑖𝑛 = 𝑝𝑒𝑞𝑢𝑒ñ𝑎 ; 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒
Ancho de banda: muy grande
**nota: no produce inversión de señal de voltaje
**nota: no produce inversión de señal de corriente
Ganancia de tensión: 𝐴𝑉 ≈ 1
Ganancia de potencia: 𝐴𝑃 > 1
Impedancia: 𝑍𝑖𝑛 = 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒 ; 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑝𝑒𝑞𝑢𝑒ñ𝑎
Ancho de banda: muy grande
**nota: no produce inversión de señal de voltaje
**nota: no produce inversión de señal de corriente

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Modelos de transistor: Relación entre los parámetros r y H: los parámetros 𝑟 emplean más
cantidades como 𝛽 y 𝑟𝑒′ . Esta es más preferida por los profesionales de la
Modelo 𝝅 y T:
electrónica.

Esto no significa que los parámetros H no sirvan, se han mantenido por que
son más fáciles de medir. Se tiene la siguiente relación de parámetros:
ℎ𝑖𝑒
ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 𝑟𝑒′ =
ℎ𝑓𝑒

𝑍𝑖𝑛(𝑏𝑎𝑠𝑒) = 𝛽𝑟𝑒′ Los dos últimos parámetros ℎ𝑖𝑒 𝑦 ℎ𝑜𝑒 no son necesarios ni para localización
Bajas frecuencias (parámetros H): Cuando se utiliza los parámetros h para de averías ni para diseño.
describir una red de transistores, el par de ecuaciones se describe como Bajas Frecuencias (modelo pi hibrido): Se utiliza mayormente para altas
sigue: frecuencias, pero tiene su modelo para bajas frecuencias.
𝑣1 = ℎ𝑖 𝑖1 + ℎ𝑟 𝑣2
𝑖2 = ℎ𝑓 𝑖1 + ℎ𝑜 𝑣2

𝑣1 𝑖2
𝑅𝑒𝑛 = ℎ𝑖 = | ℎ = |
𝑖1 𝑣2=0 𝑓 𝑖1 𝑣2=0
𝑣1 𝑖2
ℎ𝑟 = | 𝑌 = ℎ𝑜 = |
𝑣2 𝑖1=0 𝑠𝑎𝑙 𝑣2 𝑖1 =0

Donde los parámetros h se definen como:

ℎ𝑖 = ℎ11 = 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 Los parámetros son los siguientes:
ℎ𝑟 = ℎ12 = 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
ℎ𝑓 = ℎ21 = 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 1 1
𝑔𝑚 = ; 𝑟𝜋 = ℎ𝑖𝑒 ; 𝑟𝑑 =
ℎ𝑜 = ℎ22 = 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 ℎ𝑖𝑏 ℎ𝑜
ℎ𝑖𝑒 𝑉𝑇
Nota: se añade un segundo ℎ𝑖𝑏 = ; ℎ𝑖𝑒 = ; 𝑰𝑪𝑸 = 𝜷𝑰𝑩𝑸 ; 𝑽𝑻 = 𝟐𝟔 𝒎𝑽
𝛽 𝐼𝐵𝑄
subíndice a cada parámetro hibrido
para proporcionar la distinción para Nota: en particular es sobresaliente el hecho de que para frecuencias en el
las configuraciones BC (ℎ𝑖𝑏 ), CC (ℎ𝑖𝑐 ) rango bajo – medio (por lo general <100 kHz):
y EC (ℎ𝑖𝑒 ). Los tres valores se
relacionan entre sí como: La entrada de un amplificador a transistores BJT es de naturaleza solamente
ℎ𝑖𝑒 = (1 + 𝛽)ℎ𝑖𝑏 ≈ 𝛽ℎ𝑖𝑏 = ℎ𝑖𝐶 resistiva y según la forma en que el transistor se emplee, esta puede variar
desde unos cuantos ohms hasta megaohms.
Nota: se llaman parámetros híbridos debido a que usa dos variables para su
configuración, esta son (V,I).
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Determinación grafica de los parámetros Híbridos: Mediante el empleo de
derivadas parciales (calculo) es posible mostrar que se puede encontrar la
magnitud de los parámetros – h para el circuito equivalente del transistor a
pequeñas señales en la región de operación para la configuración de emisor
común mediante las siguientes ecuaciones:

Determinación de ℎ𝑖𝑒 :

A continuación, se presentará un pequeño ejemplo de cómo se realiza este Al igual que en el anterior caso se aplica
procedimiento. los valores que están alrededor del
punto Q.
Determinación de ℎ𝑓𝑒 :

Aplicando la ecuación alrededor del punto Q:

Determinación del parámetro ℎ𝑖𝑒 :

Determinación de ℎ𝑜𝑒 :

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 FORMULARIO PAR LAS DIFERNTES CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES
CONFIGURACIONES DE ENTRADA DE SEÑAL Ganancia de tensión (𝑨𝒗 ) Ganancia de corriente (𝑨𝒊 ) Resistencia de entrada (𝑹𝒆𝒏 )
Formula larga: Formula larga: Formula larga:
𝑅𝐿 ||𝑅𝑐 𝑅𝐵 𝑅𝐶 𝑅𝐵 (ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 )
Vcc1
R1 Rc1 𝐴𝑣 = − 𝐴𝑖 = − ∗ 𝑍𝑒𝑛 =
𝑅𝐵 𝑅𝐵
ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸
Cc1 salida 𝛽 𝛽
Condición de forma corta: si 𝒉𝒊𝒃 ≪ 𝑹𝑬 𝒚 𝑹𝑩 ≪ 𝜷𝑹𝑬
entrada Cb1 Q1
Formula corta: Formula corta: Formula corta:
𝑅𝐿 ||𝑅𝑐 𝑅𝐵 𝑅𝐶 𝑍𝑒𝑛 = 𝑅𝐵
𝐴𝑣 = − 𝐴𝑖 = − ∗
R2 Re1
𝑅𝐸 𝑅𝐸 𝑅𝐿 + 𝑅𝐶

Formula larga: Formula larga: Formula larga:

𝑅𝐿 ||𝑅𝐸 𝑅𝐵 𝑅𝐸 𝑅𝐵 (ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 )
Vcc1
R1 Rc1 𝐴𝑣 = 𝐴𝑖 = ∗ 𝑍𝑒𝑛 =
𝑅𝐵 𝑅𝐵
ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿
𝛽 𝛽

Cb1
entrada Q1 Condición de forma corta: si 𝒉𝒊𝒃 ≪ 𝑹𝑬 ||𝑹𝑳 𝒚 𝑹𝑩 ≪ 𝜷(𝑹𝑬 ||𝑹𝑳 )
Ce1 salida
Formula corta: Formula corta: Formula corta:
𝐴𝑣 = 1 𝑅𝐵 𝑍𝑒𝑛 = 𝑅𝐵
R2 Re1 𝐴𝑖 =
𝑅𝐿

Formula larga: Formula larga: Formula larga:

𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 𝑅𝐸 𝑅𝐶 𝑅𝐵
Vcc1
R1 Rc1 𝐴𝑣 = 𝐴𝑖 = ∗ 𝑍𝑒𝑛 = 𝑅𝐸 || (ℎ𝑖𝑏 + )
𝑅 𝑅𝐵
ℎ𝑖𝑏 + 𝐵 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 𝛽
Cc1 salida 𝛽 𝛽

Q1 Condición de forma corta: si 𝒉𝒊𝒃 ≪ 𝑹𝑬 𝒚 𝑹𝑩 ≪ 𝜷𝑹𝑬

Ce1 entrada Formula corta: Formula corta: Formula corta:
𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 𝑅𝐶 𝑅𝐵
R2 Re1 𝐴𝑣 = 𝐴𝑖 = 𝑍𝑒𝑛 = + ℎ𝑖𝑏
𝑅 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 𝜷
ℎ𝑖𝑏 + 𝐵
𝛽

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CIRCUITO EQUIVALENTE PARA LAS DIFERNTES CONFIGURACIONES DE AMPLIFICADORES:

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