TRANSISTORES

BIPOLARES

NPN

• Si la tensión base-emisor es positiva se hace la suposición inicial de que el transistor trabaja en la zona activa:

UBE = 0,7 V
IC = β∙IB
IE = IB+IC = IB+β∙IB = IB∙(β+1)

• Se calcula IB.
• Se calcula UCE:
o Si es >0 la suposición inicial es correcta y el transistor trabaja en la zona activa
o Si es <0 el transistor está en saturación

UBE = 0,7 V
UCE = 0 V

• Analizar de nuevo el circuito, por ejemplo, por mallas.

Ejemplo
PNP

• Si la tensión emisor-base es positiva se hace la suposición inicial de que el transistor trabaja en la zona activa:

UEB = 0,7 V
IC = β∙IB
IE = IB+IC = IB+β∙IB = IB∙(β+1)

• Se calcula IB.
• Se calcula UCE:
o Si es <0 la suposición inicial es correcta y el transistor trabaja en la zona activa
o Si es >0 el transistor está en saturación, UCE=0
Ejemplo
MOSFET
nMOS de acumulación

• Calcular UGS :
o Si es <Uth el transistor está en corte
o Si es ≥Uth se supone inicialmente que el transistor trabaja en la zona de saturación o corriente
constante.

• Calcular ID=g(UGS-Uth)2.
• Calcular UDS:
o Si UDS≥UCON la suposición inicial es correcta y el transistor se encuentra en la zona de corriente
constante.
o Si UDS<UCON el transistor se encuentra en la zona óhmica o lineal. Utilizando el modelo correspondiente
𝑈𝐶𝑂𝑁
se obtiene RDS= 𝐼𝐷
Ejemplo
nMOS de deplexión

Es habitual proporcionar (en lugar de la ganancia) el valor de IDSS, que es la corriente del drenador en la zona de
corriente constante cuando la tensión de puerta es nula (UGS=0).

Si UGS>Uth (esta última suele ser negativa) el transistor conduce y, si además:

• Es positiva: se comporta como un nMOS de acumulación.

• Es negativa: el transistor conduce en deplexión (la tensión de la puerta disminuye el ancho del canal)

Ejemplo