Tarea 3: Cálculo y simulación de circuitos BJT

Peña-Rostrán, J.

Resumen—En este trabajo se fortaleció el entendimiento de

los transistores BJT mediante el análisis de un circuito tanto en
cálculos matemáticos como en simulación mediante el
programa LTspice XVII, esencialmente, se realizó un barrido
para Vin = [0, 2.5]V y de esta forma determinar en cuál punto
se logra una equivalencia entre I c1 e I c2

I. RESULTADOS
Se presenta el circuito[1] y los comandos de la Figura 4. Intersección de las corrientes recolectoras
simulación realizada: de cada transistor.

II. CÁLCULOS

Vx

Figura 2. Circuito con dos transistores BJT

NPN. Parámetros de ajuste: Is = 5x10-16, β= 100, VA=5V.
Especificaciones de la simulación:
Comando de barrido : .dc Vin 0 2.5 0.001
Comando de modelado para transistor 2N2222:
.model My_2N2222 NPN(IS=5E-16 VAF=5 BF=100
IKF=0.3 XTB=1.5 BR=3 CJC=8E-12 CJE=25E-12
TR=100E-9 TF=400E-12 ITF=1 VTF=2 XTF=3 RB=10
RC=.3 RE=.2 Vceo=30 Icrating=800m mfg=NXP)
Figura 3. Simulación realizada para V in =
[0, 2.5]V. Se muestra el comportamiento de Ic1 e Ic2 tras el
barrido.
Figura 5. Cálculos empleados para determinar Vin
cuando las corrientes recolectoras son iguales.
III. DISCUSIÓN
Tras los resultados obtenidos en la simulación mostrada
en la fig. 3, donde se toma en cuenta el efecto Early, y que
fue ampliada en la fig. 4, donde se muestra la intersección
que indica qué valor de corriente colectora se obtiene en cada
transistor para el barrido en DC realizado en V in.
Se determina que para un V in de 1.498V resulta en Ic1 =
392µA e Ic2 = 395,4 µA, aproximadamente. Mientras tanto,
según la fig. 5 se puede calcular la corriente para V in = 1,5V
como:
Ic = 5 x10-16 e(1,5-2kΩxIc)
Ic = 393,8974529 µA
Este resultado revela que efectivamente este voltaje
provoca que el comportamiento general del circuito

Tecnológico de Costa Rica. © 2020 IEEE

encuentra igualdad de corrientes recolectoras para 1,5V con
diferencias menores al 10% en la simulación. Además, tal y
como se ve en la fig. 3, para voltajes menores a este la
corriente colectora en Q2 tendrá un comportamiento similar
a una fuente de corriente, de forma análoga lo hará Q1 para
superiores a 1,5V pero esta vez con una pendiente debida al IEEE conference templates contain guidance text for
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[1] Razavi, B. (2013). Fundamentals of Microelectronics, 2nd ed., Chapter
4, Wiley, ISBN 978-1118156322.