ESIME ICE GONZALEZ MARTINEZ LUIS FERNANDO IPN

BC337 / BC338 — NPN Epitaxial Silicon Transistor

BC337 / BC338
Transistor de silicio epitaxial NPN

Funciones
• Aplicaciones de conmutación y amplificadores
• Adecuado para etapas de controlador AF y etapas de salida de baja potencia
• Complemento para BC327 / BC328
1 TO-92
1. Colector 2. Base 3. Emisor

Información sobre pedidos

Número de pieza Marca Paquete Método de
superior embalaje
BC33716BU BC33716 TO-92 3L Bulto
BC33716TA BC33716 TO-92 3L Munición
BC33716TFR BC33716 TO-92 3L Cinta y carrete
BC33725BU BC33725 TO-92 3L Bulto
BC33725TA BC33725 TO-92 3L Munición
BC33725TAR BC33725 TO-92 3L Munición
BC33725TF BC33725 TO-92 3L Cinta y carrete
BC33725TFR BC33725 TO-92 3L Cinta y carrete
BC33740BU BC33740 TO-92 3L Bulto
BC33740TA BC33740 TO-92 3L Munición
BC33825TA BC33825 TO-92 3L Munición

Calificaciones máximas absolutas

Las tensiones que excedan las clasificaciones máximas absolutas pueden dañar el dispositivo. Es posible que el
dispositivo no funcione o no esté operativo por encima de las condiciones de funcionamiento recomendadas y no se
recomienda estresar las piezas a estos niveles. Además, la exposición prolongada a tensiones por encima de las
condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a la fiabilidad del dispositivo. Las clasificaciones
máximas absolutas son solo clasificaciones de estrés. Los valores están en TA = 25 °C a menos que se indique lo
contrario.
Símbol Parámetro Valor Unida
o d
BC337 50
VCES Voltaje del colector-emisor V
BC338 30
BC337 45
VCEO Voltaje del colector-emisor V
BC338 25
VEBO Voltaje de base del emisor 5 V
IC Corriente del colector (CC) 800 mamá
TJ Temperatura de unión 150 
TSTG Temperatura de almacenamiento De -55 a 150 

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BC337 / BC338 — NPN Epitaxial Silicon Transistor

Características térmicas(1)
Los valores están en TA = 25 °C a menos que se indique lo contrario.

Símbol Parámetro Valor Unida

o d
Disipación de potencia 625 Mw
PD
Reducción de potencia por encima de 25 C 5.0 mW/
R𝜃JA Resistencia térmica, unión a ambiente 200  C/W

Nota:
1. Tamaño de PCB: FR-4, 76 mm x 114 mm x 1,57 mm (3,0 pulgadas x 4,5 pulgadas x 0,062 pulgadas) con un tamaño
mínimo del patrón de tierra.

Características eléctricas
Los valores están en TA = 25 °C a menos que se indique lo contrario.

Símbol Parámetro Condiciones Min. Typ. Máxi Uni

o mo. dad
Voltaje de ruptura BC337 45
BVCEO IC = 10 mA, IB = 0 V
del colector-emisor BC338 25
Voltaje de ruptura BC337 50
BVCES IC = 0,1 mA, VBE = 0 V
del colector-emisor BC338 30
BVEBO Voltaje de ruptura de la base del IE = 0,1 mA, IC = 0 5 V
emisor
BC337 VCE = 45 V, IB = 0 2 100
CIEM Corriente de corte del nA
colector BC338 VCE = 25 V, IB = 0 2 100
hFE1 VCE = 1 V, IC = 100 mA 100 630
Ganancia de corriente continua
hFE2 VCE = 1 V, IC = 300 mA 60
VCE Voltaje de saturación colector-emisor IC = 500 mA, IB = 50 0.7 V
(sat) mA
VBE(on) Base-Emisor Con Voltaje VCE = 1 V, IC = 300 mA 1.2 V
VCE = 5 V, IC = 10
Pies Producto de ancho de banda de 100 MHz
mA, f = 50 MHz
ganancia de corriente

Cob Capacitancia de salida VCB = 10 V, I E = 0, 12 pF

f = 1 MHz

Clasificación hFE
Clasificación 16 25 40
hFE1 100 ~ 250 160 ~ 400 250 ~ 630
hFE2 60 ~ 100 ~ 170 ~

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APROBADO
14-Julio-2008