bt151 Español Gaaaaaa :V

BT151-500R
SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78

Rev. 5 a 2 marzo 2009 Hoja de datos del producto
perfil 1. Producto
1.1 Descripción general

Planar pasivado SCR (rectificador de silicio controlado) en un paquete de plástico SOT78.
1.2 Características y beneficios
Alta fiabilidad De alto rendimiento de ciclos térmicos
capacidad de corriente de alta aumento
1.3 Aplicaciones
control de los circuitos de Los circuitos de conmutación de
encendido del motor protección estática
1.4 Datos de referencia rápida
Tabla 1. Referencia rápida
símbolo del parámetro condiciones Unidad Min Tipo Max
V DRM pico repetitivo de - - 500 V

estado de voltaje
yo T (AV) promedio actual en el onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; - - 7.5 A

estado ver figura 3
yo T (RMS) RMS estado onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; - - 12 UNA
actual ver Figura 1 ; ver Figura 2
características estáticas
yo GT la corriente de disparo de puerta V = D 12 V; T j = 25 ° C; yo T = 100 -2 15 mamá
mA; ver Figura 8

NXP Semiconductors BT151-500R
SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
2. Fijación de la información
Tabla 2. Fijación de la información
Alfiler símbolo Descripción esquema simplificado Símbolo gráfico
1 K cátodo
UNA KG
2 UNA ánodo
3 sol portón sym037
megabyte megabyte ánodo
1 2 mb 3
SOT78 (TO-220AB;
SC-46)
3. Información para pedidos
Tabla 3. Información sobre pedidos
Teclea un número Nombre del
paquete Descripción Versión

BT151-500R To-220ab; paquete de composición única de plástico; disipador de calor montado; 1 orificio de montaje; 3-plomo To-220ab SOT78
SC-46
BT151-500R_5 © NXP BV 2009. Todos los derechos reservados.
Hoja de datos del producto Rev. 5 a 2 marzo 2009 2 de 11

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
4. Valores límite
Tabla 4. valores límite

De acuerdo con el Sistema de Clasificación máximo absoluto (IEC 60134).
Símbolo Parámetro condiciones min Max Unidad
V DRM pico repetitivo de estado de - 500 V

voltaje
V RRM tensión inversa pico repetitiva - 500 V
yo T (AV) promedio actual en el onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; ver figura 3 - 7.5 A
estado
yo T (RMS) RMS estado actual onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; ver Figura 1 ; ver - 12 UNA
Figura 2
dI T / dt velocidad de aumento de la corriente yo T = 20 A; yo G = 50 mA; dI SOL/ dt = 50 mA / mu s - 50 A / mu s
en estado
yo GM corriente de pico puerta - 2 UNA
PAGS GM potencia de pico puerta - 5 W
T STG temperatura de almacenamiento - 40 150 °C
Tj temperatura de la Unión - 125 °C
yo TSM pico no repetitiva en el onda sinusoidal medio; t p = 8,3 ms; T j (init) = 25 ° C - 132 UNA
estado actual
onda sinusoidal medio; t p = 10 ms; T j (init) = 25 ° C; ver - 120 UNA
Figura 4 ; ver Figura 5
yo 2 t I2t para fusionar t p = 10 ms; pulso de onda sinusoidal - 72 UNA 2 s
PAGS G (AV) potencia media puerta durante cualquier período de 20 ms - 0,5 W
V RGM voltaje de la puerta de punta - 5 V

inversa
001aaa954 001aaa999
16
(RMS)
TI (RMS)
(UNA)
(UNA)
TI
12
15
8
20 25
10
4
5
0 0
10 - 2 10 - 1 1 10 - 50 0 50 100 150
Duración (s) contra sobretensiones tmb ( ° C)
Fig 2. RMS de corriente en estado como una función de montaje

temperatura base; valores máximos
Fig 1. RMS actual sobre el estado en función del aumento
duración; valores máximos

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
003aab830
15
Ptot
a = 1,57
(W)
1.9
2.2
10
2.8
conducción factor de
ángulo
forma de una 30 60
(grados)90 120 180
5
4
2.8
α
2.2
1.9
1.57
0
0 2 4 6 8
(AV) (A)
Fig 3. disipación de energía total como una función de la media en el estado actual; valores máximos
001aaa956
103
ITSM DLT / límite dt

(A)
102
ITSM
máx TI
tp Tj inicial = 25 ° Ct
10
10 - 5 10 - 4 10 - 3 10 - 2
tp (s)
pico Fig 4. no repetitiva en el estado actual como una función del ancho de pulso para corrientes sinusoidales; valores máximos

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
003aab829
160
ITSM
(A)
120
80
ITSM
40
máx TI
tp Tj inicial = 25 ° Ct
0
1 10 102 103
número de ciclos
pico Fig 5. no repetitiva en estado de corriente en función del número de ciclos de corriente sinusoidal; máximo
valores
5. Características térmicas
Tabla 5. características térmicas
Símbolo Parámetro condiciones min Typ Max Unidad
R º (j-mb) resistencia térmica de la salida ver Figura 6 - - 1,3 K / W

a la base de montaje
R º (ja) resistencia térmica de la salida al - 60 - K/W

aire ambiente libre de
001aaa962
10
Zth (j-mb) (K /
W)
10 - 1
tp
δ=
T
10 - 2
tp t
TP
10 - 3
10 - 5 10 - 4 10 - 3 10 - 2 10 - 1 1 10
tp (s)
Fig 6. Transient impedancia térmica de la salida a la base de montaje en función de la anchura de impulso

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
6. Características
Tabla 6. características
Símbolo Parámetro condiciones min Typ Max Unidad
características estáticas
yo GT la corriente de disparo de puerta V = D 12 V; T j = 25 ° C; yo T = 100 mA; ver - 2 15 mamá
Figura 8
yo L actual enclavamiento V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver Figura 9 - 10 40 mamá
yo H corriente de mantenimiento V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver Figura 10 - 7 20 mamá
VT en estado de tensión yo T = 23 A; T j = 25 ° C; ver Figura 11 - 1.4 1,75 V
V GT voltaje de disparo de puerta yo T = 100 mA; V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver - 0.6 1,5 V

Figura 12
yo T = 100 mA; V = D 500 V; T j = 125 ° C 0.25 0.4 - V
yo re fuera del estado actual V = D 500 V; T j = 125 ° C - 0.1 0,5 mA
yo R corriente inversa V R = 500 V; T j = 125 ° C - 0.1 0,5 mA
características dinámicas
dV RE/ dt tasa de subida de una tensión en V DM = 335 V; T j = 125 ° C; onda exponencial; 50 130 - V / mu s
estado circuito abierto puerta
V DM = 335 V; T j = 125 ° C; R GK = 100 Ω; onda 200 1000 - V / mu s
exponencial; ver Figura 7
t gt de encendido controlado por puerta de yo TM = 40 A; V = D 500 V; yo G = 100 mA; dI SOL/ dt = 5 A / - 2 - mu s
tiempo mu s; T j = 25 ° C
tq tiempo de apagado conmutado V DM = 335 V; T j = 125 ° C; yo TM = 20 A; V R = 25 V; (di T / dt) - 70 - mu s
M= 30 A / mu s; dV RE/ dt = 50 V / mu s; R GK = 100 Ω
001aaa949 001aaa952
104 3
DVD / dt
(V / μ s) (25 ° C)
(1)
103 2
(2)
IGT IGT
102 1
10 0
0 50 100 150 - 50 0 50 100 150
Tj ( ° C) Tj ( ° C)
Fig corriente de disparo 8. puerta normalizado como una función de

temperatura de la Unión
Fig 7. tasa crítica de subida de una tensión en estado como una

función de temperatura de la unión; valores mínimos

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
001aaa951 001aaa950
3 3
IH IH
(25 ° C) (25 ° C)
2 2
IL IL
1 1
0 0
- 50 0 50 100 150 - 50 0 50 100 150
Tj ( ° C) Tj ( ° C)
Fig 9. Normalizado de enganche de corriente en función de Fig 10. Normalizado corriente de retención como una función de
temperatura de la Unión temperatura de la Unión
001aaa959 001aaa953
30 1.6
VGT VGT
TI
(A) (25 ° C)
20 1.2
(2) (1) (3)
10 0.8
0 0.4
0 0.5 1 1.5 2 - 50 0 50 100 150
VT (V) Tj ( ° C)
voltaje de disparo de puerta Normalizado Fig 12. como una función de

temperatura de la Unión
la corriente en función de en estado Fig 11. En el estado

voltaje

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
Esquema 7. Paquete
paquete de plástico de un solo extremo; disipador de calor montado; 1 orificio de montaje; 3-plomo To-220ab SOT78
mi UNA
pags A1
q
Base de
D1 montaje
re
L1 (1) L2 (1)
b1 (2)
L (3 x)
b2 (2)
(2 x)
1 2 3
b (3 x) c
mi mi
0 5 10 mm
escala
DIMENSIONES (mm son las dimensiones originales)
UNIDAD A A1 si b1 (2) b2 (2) C re D1 mi mi L L1 (1) L2 (1) pags q Q

máx.
1.6 1.3 0.7 15.0 3.8 3.0 2.6

mm 4,7 2.54 3.0
4,1 1,40 1,25 0,9 0.6 1.0 1.0 0,4 16,0 15,2 6,6 5,9 10,3 9.7 12,8 3,302.79 3.5 2.7 2.2
notas
1. diseños de hombro de plomo pueden variar.
2. Dimensión incluye exceso Dambar.
versión de Referencias proyección

FECHA DE ASUNTO
esquema IEC JEDEC JEITA europea
08-04-23
SOT78 3-plomo To-220ab SC-46
08-06-13
Fig 13. Paquete contorno SOT78 (To-220ab)

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
8. Revisión historia
Tabla 7. Revisión histórica
documento de identidad el estado de la fecha de lanzamiento de la ficha técnica aviso de cambio Reemplaza
BT151-500R_5 20090302 Hoja de datos del producto - BT151_SER_L_R_4
modificaciones: • esbozo paquete actualizado.
• Número de tipo BT151-500R separado de la hoja de datos BT151_SER_L_R_4.
BT151_SER_L_R_4 20061023 Hoja de datos del producto - BT151_SERIES_3
BT151_SERIES_3 (9397 20040607 Especificaciones del producto - BT151_SERIES_2

750 13159)
BT151_SERIES_2 19990601 Especificaciones del producto - BT151_SERIES_1
BT151_SERIES_1 19970901 Especificaciones del producto - -

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
9. Información legal
el estado de la hoja de datos 9.1
Estado del documento [1] [2] Estado del producto [3] Definición
Objetivo hoja de datos [corto] Desarrollo Este documento contiene los datos de la especificación objetiva para el desarrollo de productos.
Preliminar [corto] Calificación hoja de datos Este documento contiene los datos de la especificación preliminar.
Hoja de datos del [corto] Producción Este documento contiene la especificación del producto.
[1] Por favor consulte el documento más reciente emitida antes de iniciar o completar un diseño. [2]
El término 'hoja de datos corto' se explica en la sección "Definiciones". [3]
El estado del producto de dispositivo (s) descrito en este documento puede haber cambiado desde este documento fue publicado y puede diferir en el caso de múltiples dispositivos. La información más reciente sobre el estado del producto está disponible en la siguiente
dirección de Internet http://www.nxp.com .
9.2 Definiciones dañar. NXP Semiconductors acepta ninguna responsabilidad por la inclusión y / o uso de productos de NXP
Semiconductors en tales equipos o aplicaciones, por lo que tal inclusión y / o el uso es bajo el propio riesgo del
cliente.
Sequía - El documento es una versión única versión. El contenido es todavía bajo revisión interna y sujeto a la
aprobación formal, que puede resultar en modificaciones o adiciones. NXP Semiconductors no da ninguna
representación o garantía en cuanto a la exactitud o integridad de la información incluida en este documento y aplicaciones - Las aplicaciones que se describen en el presente documento por cualquiera de estos
no tendrá ninguna responsabilidad por las consecuencias del uso de dicha información. productos son sólo para fines ilustrativos. NXP Semiconductors hace ninguna representación o garantía de
que tales aplicaciones serán adecuadas para el uso especificado sin más pruebas o modificación.
Hoja de datos de corto - Una hoja de datos a corto es un extracto de una hoja de datos completa con el número (s) mismo datos de referencia rápida - Los datos de referencia rápida es un extracto de los datos de los productos dados
tipo de producto y el título. Una hoja de datos a corto está destinado a solamente referencia rápida y no debe ser invocada en los valores y características limitantes secciones de este documento, y como tal no es completa, exhaustiva
para contener información detallada y completa. Para obtener información detallada y completa consulte la hoja de datos o legalmente vinculante.
completa correspondiente, que está disponible bajo petición a través de la oficina local de ventas de NXP Semiconductors.
En caso de cualquier inconsistencia o conflicto con la ficha de datos de resumen, la hoja de datos completa prevalecerá. valores límite - El estrés por encima de uno o más valores de limitación (como se define en el sistema de
calificaciones máximo absoluto de la norma IEC 60134) puede causar daño permanente al dispositivo. valores límite
son sólo calificaciones de estrés y el funcionamiento del dispositivo en estas u otras condiciones anteriores los que
figuran en las secciones de características de este documento no está implicado. La exposición a valores límite
durante períodos prolongados puede afectar a la fiabilidad del dispositivo.
9.3 Aviso legal

General - La información contenida en este documento se considera precisa y fiable. Sin embargo, NXP Términos y condiciones de venta - Productos Semiconductores NXP se venden sujetos a los términos y
Semiconductors no da ninguna representación o garantía, expresa o implícita, en cuanto a la exactitud o condiciones de venta comercial general, tal como se publicó en el http://www.nxp.com/profile/terms , Incluyendo
integridad de dicha información y no tendrá ninguna responsabilidad por las consecuencias del uso de dicha las relativas a la garantía, la infracción de los derechos de propiedad intelectual y la limitación de la
información. responsabilidad, a menos que expresamente se acuerde lo contrario por escrito por NXP Semiconductors. En
caso de cualquier inconsistencia o conflicto entre la información contenida en este documento y sus términos y
condiciones, prevalecerán estas últimas.
Derecho de realizar cambios - NXP Semiconductors se reserva el derecho a realizar cambios en la información
publicada en este documento, incluyendo sin limitación las especificaciones y descripciones de productos, en
cualquier momento y sin previo aviso. Este documento anula y sustituye toda la información suministrada antes Sin oferta de venta o licencia - Nada en este documento puede ser interpretado o interpretarse como una oferta
de la publicación de este documento. de venta de productos que es abierto a la aceptación o la concesión, transporte o implicación de ninguna licencia
bajo cualquier derecho de autor, patentes u otros derechos de propiedad industrial o intelectual.
Idoneidad para el uso - productos de NXP Semiconductors no están diseñados, autorizados o garantiza que los
adecuado para su uso en aplicaciones médicas, militares, aviones, el espacio o el equipo de soporte vital, ni en
aplicaciones donde un fallo o mal funcionamiento de un producto NXP Semiconductors se puede esperar 9.4 Marcas
razonablemente que resulte en lesiones personales , la muerte o daños materiales considerables o ambiental
Aviso: Todas las marcas de referencia, nombres de productos, nombres de servicio y marcas comerciales son
propiedad de sus respectivos dueños.
10. Información de Contacto
Para mayor información por favor visite: http://www.nxp.com
Para obtener las direcciones de oficina de ventas, por favor envíe un correo electrónico a: salesaddresses@nxp.com

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78
11. Contenido
1 Perfil del producto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1

1.1 Descripción general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
1.2 Características y Beneficios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
1.3 Aplicaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
1.4 datos de referencia rápida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
2 Fijación de información. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2 3
Información sobre pedidos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2 4
Los valores límites. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3 5

Características térmicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5 6
Características. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6 7
esbozo paquete. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8 8
Revisión histórica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9 9
Información legal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
9.1 el estado de la hoja de datos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
9.2 Definiciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
9.3 Renuncias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
9.4 Marcas comerciales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
10 Información del contacto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10
Tenga en cuenta que los avisos importantes con respecto a este documento y el producto (s) descrito en el presente
documento, se han incluido en la sección 'Información legal'.
© 2009 NXP BV. Todos los derechos reservados.
Para obtener más información, visite: http://www.nxp.com para direcciones de las oficinas de ventas, por favor envíe un
correo electrónico a: salesaddresses@nxp.com
Fecha de lanzamiento: March 2 2009
identificador de documento: BT151-500R_5

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BT151-500R

SCR, 12 A, 15 mA, 500 V, SOT78

1.1 Descripción general

1.2 Características y beneficios

Alta fiabilidad De alto rendimiento de ciclos térmicos

capacidad de corriente de alta aumento

control de los circuitos de Los circuitos de conmutación de

encendido del motor protección estática

1.4 Datos de referencia rápida

Tabla 1. Referencia rápida

símbolo del parámetro condiciones Unidad Min Tipo Max

V DRM pico repetitivo de - - 500 V

yo T (AV) promedio actual en el onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; - - 7.5 A

yo T (RMS) RMS estado onda sinusoidal medio; T megabyte ≤ 109 ° C; - - 12 UNA

actual ver Figura 1 ; ver Figura 2

yo GT la corriente de disparo de puerta V = D 12 V; T j = 25 ° C; yo T = 100 -2 15 mamá

mA; ver Figura 8

Tabla 2. Fijación de la información

Alfiler símbolo Descripción esquema simplificado Símbolo gráfico

3 sol portón sym037

megabyte megabyte ánodo

3. Información para pedidos

Tabla 3. Información sobre pedidos

Teclea un número Nombre del

paquete Descripción Versión

BT151-500R_5 © NXP BV 2009. Todos los derechos reservados.

Hoja de datos del producto Rev. 5 a 2 marzo 2009 2 de 11

Tabla 4. valores límite

Símbolo Parámetro condiciones min Max Unidad

V DRM pico repetitivo de estado de - 500 V

V RRM tensión inversa pico repetitiva - 500 V

dI T / dt velocidad de aumento de la corriente yo T = 20 A; yo G = 50 mA; dI SOL/ dt = 50 mA / mu s - 50 A / mu s

yo GM corriente de pico puerta - 2 UNA

PAGS GM potencia de pico puerta - 5 W

T STG temperatura de almacenamiento - 40 150 °C

Tj temperatura de la Unión - 125 °C

Figura 4 ; ver Figura 5

yo 2 t I2t para fusionar t p = 10 ms; pulso de onda sinusoidal - 72 UNA 2 s

PAGS G (AV) potencia media puerta durante cualquier período de 20 ms - 0,5 W

V RGM voltaje de la puerta de punta - 5 V

Fig 2. RMS de corriente en estado como una función de montaje

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Hoja de datos del producto Rev. 5 a 2 marzo 2009 3 de 11

ITSM DLT / límite dt

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Hoja de datos del producto Rev. 5 a 2 marzo 2009 4 de 11

Tabla 5. características térmicas

Símbolo Parámetro condiciones min Typ Max Unidad

R º (j-mb) resistencia térmica de la salida ver Figura 6 - - 1,3 K / W

R º (ja) resistencia térmica de la salida al - 60 - K/W

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Hoja de datos del producto Rev. 5 a 2 marzo 2009 5 de 11

Símbolo Parámetro condiciones min Typ Max Unidad

yo GT la corriente de disparo de puerta V = D 12 V; T j = 25 ° C; yo T = 100 mA; ver - 2 15 mamá

yo L actual enclavamiento V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver Figura 9 - 10 40 mamá

yo H corriente de mantenimiento V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver Figura 10 - 7 20 mamá

VT en estado de tensión yo T = 23 A; T j = 25 ° C; ver Figura 11 - 1.4 1,75 V

V GT voltaje de disparo de puerta yo T = 100 mA; V = D 12 V; T j = 25 ° C; ver - 0.6 1,5 V

yo T = 100 mA; V = D 500 V; T j = 125 ° C 0.25 0.4 - V

yo re fuera del estado actual V = D 500 V; T j = 125 ° C - 0.1 0,5 mA

yo R corriente inversa V R = 500 V; T j = 125 ° C - 0.1 0,5 mA

estado circuito abierto puerta

V DM = 335 V; T j = 125 ° C; R GK = 100 Ω; onda 200 1000 - V / mu s