Escuela Militar de Ingeniería

5-A

LECTURA Y ESCRITURA DE MEMORIA

EEPROM
N°…9…

ESTUDIANTES

HEREDIA LARREA MIGUEL ANGEL A25485-1

Apellido Paterno Apellido Materno Nombres Código
ASIGNATURA
SISTEMAS DIGITALES II
DOCENTE
Ing. JOSE ARTURO MARIN THAMES
CARRERA
INGENIERIA ELECTRONICA
LA PAZ – BOLIVIA
2023
 LABORATORIO LECTURA Y ESCRITURA DE MEMORIA EEPROM

Descripción del laboratorio:

Este laboratorio tuvo como objetivo aprender a utilizar una memoria EEPROM
Para el diseño de nuestro circuito se utilizo la memoria EEPROM 28C16, esta
reprogramable y borrable que contiene 2048 localidades de memoria con 8 bits de
capacidad de celda, es una memoria estática de alta velocidad, está fabricada con la
tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0 Voltios y está dispuesta
en una pastilla de 24 terminales.
Para el armado del circuito primeramente se realizaron las conexiones de la memoria
EEPROM, A0-A10: Líneas de direcciones, E/S0- E/S7: Entrada y Salida de datos, CS
Habilitador de la pastilla, OE Habilitador de salidas, WE Habilitador para la escritura, Vcc
Voltaje de alimentación +5.0 Volts, GND Terminal de tierra 0.0 Volts. Esta memora 28:16
se puede programar de dos modos: una de 5 volts positivo y otro de alto voltaje. El primer
modo se inicia con un pulso de escritura con un fianco de bajada es decir de alto a bajo de
duracion de 200 ns. La memora 28c16 borra automaticamente el byte seleccionado antes
de escribir el nuevo dato, el tiempo total de borrado y escritura es de 10 ms. Para leer la
memoria su tiempo de acceso es de 250 ns. A continuacion se muestra una imagen de la
disposicion de los pines de la memoria eeprom 28c16.
En el siguiente circuito se observa el diseño empleado para este laboratotrio:
El funcionamiento de las dos memorias RAM fueron verificados y evaluados tanto en el
simulador como en la protoboard en el caso de la memoria RAM de (2k x 8 bit). Partamos
analizando el segundo ejercicio de este laboratorio ya que es netamente simulado, la Figura
12 (memoria RAM de 8 x 1 bits) en donde se colocan los siguientes estados como datos de
entrada:

Resultados

Los pines AD a A10 indican el bus de direcciones, el cual dependiendo la combinacion

seleccionada se accede a los datos por medio de los pines I/O. 141104 13003
Los pines 1/00 a 1/07 son los pines por medio del cual se accede a la informacion
previamente seleccionada con (A0-A10) ó por el cual se ingresan los datos a guardar
cuando la memoria se pone en modo escritura.
CE negado: Por medio de este pin se habilita o deshabilita la memoria, para habilitar la
memoria se pone este pin a tierra para deshabilitar la memoria es decir para que ni este a
modo escritura ni lectura se pone a 5 volts positivos.
OE negado: Por medio de este pin se configura la memoria para que trabaje de modo
lectura o escritura.
Cuando este pin se pone a tierra la memoria esta en modo escritura y cuando este pin esta
a 5 volts positivo esta en modo lectura.
WE negado: Por medio de este pin la memoria se configura para tener el voltaje necesario
para escribir los datos o leerlos. Cuando el pin se pone a tierra la memoria tiene el voltaje
necesario para escribir en ella y cuando esta a 5 volts positivos tiene el voltaje necesario
para realizar la lectura.
Vcc y Gnd: Por medio de estos pines se alimenta la memoria Vcc a 5 volts y Gnd a tierra.

La línea de lectura (RD) está conectada al pin “OE” y es utilizada para el paso de los datos
del 2816 al bus de datos. La entrada “WE” del 2816 está ligada a la parte superior del
interruptor WEN. Con el interruptor WEN en la posición superior, la entrada “WE” esta
conectada a la línea de escritura
Marco teórico
Una memoria ROM contiene datos almacenados en forma permanente o semi permanente.
Una memoria ROM almacena datos que pueden ser usados repetidamente en aplicaciones
de sistemas electrónicos tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para
inicialización de un sistema micro computarizado.

La memoria ROM retiene datos almacenados cuando se corta la energía y por tanto son
memorias no volátiles.

La memoria ROM de máscara es el tipo de memoria que se programa en el momento de la

fabricación del C.I. La PROM es el tipo de memoria en la cual los datos son almacenados
por el usuario con la ayuda de equipo especializado. La UVPROM es programada
eléctricamente por el usuario pero los datos pueden ser borrados por exposición a rayos
ultra violeta sobre un periodo de varios minutos. La EEPROM que puede ser escrita y leída
en forma eléctrica puede ser borrada en milisegundos.
Clasificación de memorias ROM, fuente: Thomas Floyd Fundamentos
sistemas
de digitales

En forma básica una memoria ROM se puede considerar como una matriz de celdas donde
se almacenan bits que pueden ser 0 o 1 lógico. El procedimiento de lectura básico es el
siguiente: cuando se aplica un código de dirección binario a las líneas de dirección la línea
de fila correspondiente se pone a nivel alto. Este nivel alto se conecta las líneas de
columnas a través de los transistores de cada unión (celda de memoria) donde se almacena
un 1 lógico. En cada celda donde se almacena un cero lógico la línea de columna
permanece en nivel bajo debido a la resistencia de terminación. Las líneas de columnas
constituyen la salía de datos. Los bits de datos almacenados en la fila seleccionada se
presentan en las líneas de salida.

Repesentación esquemática del funcionamiento

memoria
de ROM, fuente: Thomas
. Fundamentos de sistemas digitales
MEMORIA EEPROM 2816
La memoria 2816 desarrollada inicialmente por INTEL es una memoria EEPROM de 16384
bits, que puede ser leída con una tensión de alimentación de 5 V y escrita y borrada con
un pulso de 21 V.
La memoria 2816 posee 11 líneas de direccionamiento y 8 líneas de entrada/salida de
datos.

Diagrama funcional memoria 2816

Pin
out de la memoria 2816 Identificación de los pines
Ciclo de lectura de la memoria EEPROM 2816

Las líneas de control CE y OE deben encontrase en nivel lógico BAJO para obtener
información del chip.
Los datos están disponibles en las salidas después de un retardo de tiempo t oe asumiendo
que las direcciones están estables y CE se encuentra en nivel lógico bajo.

Ciclo de escritura de la memoria EEPROM 2816

Para escribir en una posición de memoria particular se debe primero borrar la posición de
memoria correspondiente. El borrado se logra aplicando un 1 lógico a los pines de datos,
poniendo en BAJO el pin CE y aplicando un pulso de 21 V a Vpp.
Interpretación de resultados

Se revisó la hoja de datos de la memoria EPROM 2816 Se procedió armar el circuito que
se mostró anteriormente, para borrar la memoria.
Posteriormente se realizó una tabla de diez direcciones diferentes donde se grabaron datos
binarios.
Seguidamente se comprobaron los datos guardados en las direcciones anteriores, y se
demostró los ciclos de lectura que se especifican para la memoria ROM.
Se verificó los ciclos de lectura que se especifican para la memoria ROM.
Este dispositivo contiene seis modos de operación, según se muestra en la siguiente figura,
los modos de programación están diseñados para proporcionar compatibilidad máxima con
los microprocesadores y para obtener una consistencia optima en el diseño del circuito
impreso, el chip EEPROM 2816 es una memoria no volátil, y contiene una densidad
apropiada para una aplicación de tipo industrial, con esto se logra optimizar el
costo/eficiencia de manera funcional, todas las tensiones que usa son compatibles, con la
tecnologia TTL con la excepción del modo de borrado total de la memoria, en este modo el
voltaje se debe subir arriba de +9 Volts, en las otras formas se debe sostener a + 5 Volts
durante la escritura y la lectura.
Conclusiones

En este laboratorio pudimos ver como se hace la lectura y escritura manual en la memoria
EEROM 2816 y para eto utilizamos interruptores y circuitosindicadores que ya vienen
montado en el microtrainer 8085.
Se pudo sacar deducir que esta memoria es no volatil pues cuando se desconecta la fuente
de alimentación y se la vuelve a conectar, la información no se pierde si no a{un queda
almacenada.
Se debe cuidar el armado del circuito, por ello se debe verificar por pasos la implementación
del circuito, con la hoja de datos de la memoria.

Se logro ejecutar el laboratorio, observando la escritura en la memoria EEPROM,

luego de haber apagado el equipo y encenderlo nuevamente, sucedió que la
información introducida anteriormente se mantenía aun en la dirección especificada
tanto en la posición superior como inferior, es decir A8 dirección de memoria
superior e inferior.

Referencias

• [1 "Manejo de una memoria RAM 6116," Esime-Ipn ] Comunidad Geek, 2017.

[Online]. Available: http://esime-ipn.blogspot.com/2015/10/manejo-de- una-
memoria-ram-6116.html.

• [2 I. Integrated Device Technology, "CMOS STATIC RAM ] 16K (2K x 8 BIT),"

[Online]. Available: http://www.princeton.edu/~mae412/HANDOUTS/D
atasheets/6116.pdf.

• López, J. (2005). Programación Shell y línea de comandos.

• Wkipedia.ORG. (30 de julio de 2019). EEPROM.

• Obtenido de Wikipedia.Org: https://es.wikipedia.org/wiki/SRAM.

• Rodríguez, C. E. (2010). Salidas lógicas TRI-Estados.

• Brunings, M. (3 de julio de 2016). slideshare. Obtenido de slideshare.net:

• https://www.slideshare.net/MiguelBrunings/diferentes-tipos-de-flip-flops-jk-sr-d-t-
sus-tablas-de-verdad.

• sosa, G. (2019). Memoria EEPROM de 8 Bits. Bogotá D.C.: Universidad Central.

• Rodríguez, C. E. (2010). Salidas lógicas TRI-Estados.