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Ing.
Mecatronica
Ing.
Electronica
FECHA DE ENTREGA
08/11/2019
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OBJETIVO. –
Desarrollar en el estudiante las habilidades para escribir y leer en memoria de tipo
EEPROM.
FUNDAMENTO TEORICO. –
Una memoria ROM contiene datos almacenados en forma permanente o semi
permanente. Una memoria ROM almacena datos que pueden ser usados
repetidamente en aplicaciones de sistemas electrónicos tales como tablas,
conversiones o instrucciones programadas para inicialización de un sistema micro
computarizado.
La memoria ROM retiene datos almacenados cuando se corta la energía y por tanto
son memorias no volátiles.
La memoria ROM de máscara es el tipo de memoria que se programa en el momento
de la fabricación del C.I. La PROM es el tipo de memoria en la cual los datos son
almacenados por el usuario con la ayuda de equipo especializado. La UVPROM
es programada eléctricamente por el usuario pero los datos pueden ser borrados por
exposición a rayos ultra violeta sobre un periodo de varios minutos. La EEPROM que
puede ser escrita y leída en forma eléctrica puede ser borrada en milisegundos.
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La memoria 2816 posee 11 líneas de direccionamiento y 8 líneas de entrada/salida de
datos.
/Las líneas de control CE y OE deben encontrase en nivel lógico BAJO para obtener
información del chip. Los datos están disponibles en las salidas después de un retardo
de tiempo toe asumiendo que las direcciones están estables y CE se encuentra en nivel
lógico bajo.
/
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Ciclo de escritura de la memoria EEPROM 2816
Para escribir en una posición de memoria particular se debe primero borrar la posición
de memoria correspondiente. El borrado se logra aplicando un 1 lógico a los pines de
datos, poniendo en BAJO el pin CE y aplicando un pulso de 21 V a Vpp.
/
DESCRIPCION DE LABORATORIO. –
Inicialmente, se armó de manera física el circuito utilizando una memoria EEPROM
28C16.
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Una vez armado se pone en positivo compuerta OUTPUT ENABLE.
Se procede a configurar la dirección deseada con el DIPSWITCH.
Se ingresa los datos con los leds.
Se pulsa el botton que activa el VPP del integrado para grabarlo.
Y para leer los datos se pone en negativo la compuerta OUTPUT ENABLE.
Después de desconectar la alimentación de los leds porque estos se volverán en datos
de salida.
RESULTADOS. –
Las direcciones y datos proporcionados por el docente para la prueba son los
siguientes:
DIRECCION DATO
01H 02H
02H 03H
03H 04H
04H 05H
Para realizar la escritura se hizo la conversión a decimal con cuatro bits
DIRECCION DATO
001 010
010 011
011 100
100 101
INTERPRETACION DE RESULTADOS. -
Siguiendo los pasos de escritura y lectura proporcionados en la hoja de datos del
mismo se sacó los resultados esperados, ya que una vez realizado el proceso, la
memoria EEPROM guardo los datos de manera exitosa, solo con poner la dirección en
la memoria que está en los terminales A0-A7, este nos proporcionaba el dato guardado
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en esa dirección al ser como una matriz, entonces realizado el proceso anterior
tendremos que cambiar el tipo de configuración a lectura por lo tanto al desconectar lo
leds de alimentación estos serán datos de salida para comprobar si efectivamente se
guardaron los datos, la memoria EEPROM al igual que la RAM trabaja con el mismo
concepto y el funcionamiento se comprendió de manera satisfactoria.
E. CONCLUSIONES. -
En el laboratorio realizado del tema de memorias semiconductoras se pudo escribir
y leer datos en una memoria de tipo EEPROM que es el circuito integrado 28C16 lo
cual nos dio los resultados esperados.
REFERENCIAS. –
Ronald Tocci Widmer , Sistemas digitales 11° edición
Floyd Thomas, Fundamentos de sistemas digitales, 9° edición
Wakerly John, Diseño digital principios y prácticas, 3° edición.
Data sheet memoria EEPROM AT28C16
http://micropinguino.blogspot.com/2014/10/eeprom-at28c16.html