Universidad Nacional Autónoma de México

Facultad de Ingeniería
Lab. Dispositivos de Almacenamiento y E/S
Cuevas García Luis Daniel
Hernández Aviles Daniel Enrique
Previo 2 Grupo 10 24.febrero.2017

1. Existen 5 tipos de memoria ROM, mencione ¿cuáles son?, sus características y su

definición principal.
 EAROM: (Electronically Alterable Read-Only Memory - Memoria ROM electrónicamente
alterable) Tipo de memoria ROM que puede reprogramarse. Esto es posible porque puede
alterarse la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor MOS.
 ROM DE MÁSCARA: Un negativo fotográfico llamado máscara se usa para controlar las
interconexiones eléctricas en el chip. Se requiere una máscara especial para cada conjunto
distinto de información que se almacenará en la ROM. Usaremos la abreviación MROM
para referirnos a las ROM programadas con máscara.
 PROM: por las siglas de Programmable Read Only memory, En ella, cada uno de los bits
depende de un fusible, el cual puede ser quemado una única vez. Esto ocasiona que, a
través de un programador PROM, puedan ser programadas por única vez. La memoria
PROM es utilizada en casos en que los datos necesiten cambiarse en todos o la mayoría de
los casos.
 EPROM: por las siglas en inglés de Erasable Programmable Read-Only Memory, en
castellano, ROM programable borrable de sólo lectura. Esta memoria ROM es un chip no
volátil y está conformada por transistores de puertas flotantes o celdas FAMOS que salen
de fábrica sin carga alguna. Esta memoria puede programarse a través de un dispositivo
electrónico cuyos voltajes superan a los usados en circuitos electrónicos. A partir de esto,
las celdas comienzan a leerse como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta memoria
puede ser borrada sólo si se la expone a luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es
programada, se vuelve no volátil, o sea que los datos almacenados permanecen allí de
forma indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y reprogramada con la utilización de
elevados niveles de voltaje.
 EEPROM: Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, esta memoria, como su
nombre indica puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente y no con
rayos ultravioleta, como en el caso de las EPROM, lo que hace que resulten no volátiles.
Además de tener las puertas flotantes, como las anteriores, cuenta con una capa de óxido
ubicado en el drenaje de la celda MOSFET, lo que permite que la memoria pueda borrarse
eléctricamente. Como para realizar esto no se precisan programadores especiales ni rayos
ultravioletas, se puede hacer en el propio circuito.
 2. Realice el diseño y simulación en computadora del inciso (1) de la práctica a partir
del uso del Circuito Integrado 74LS139.

3. Si una memoria tiene capacidad de 4096 x 8 bits, calcular:

a) Número de células de la matriz.

4096=4 k
8 bits=8
¿ ( 4096 )( 8 )=32,768
32768
=32k ¿ células de lamatriz
1024=1 k
b) Estructura de la matriz suponiendo que la memoria tenga dos decodificadores.

Deco 4 X 16

L.D

Dec Almacenamiento
8 X 256 256 X 8

Control E/S
 T . M =√ 32 K=181.01  256 X 128
8 7
2 =256 ,2 =128
c) Número de líneas de dirección
 Líneas de Dirección: 12
 Líneas Control, Vcc, GND, Vpp, L/P, E
 L. Dirección: 12
 Líneas de Control: 6
 E/S: 8

d) Número de líneas de datos.

 Líneas de dirección: 6+8 = 14

4. Describir las características de la EPROM que utilizará en el inciso 2 de la práctica,

para implementar un decodificador BCD de 7 segmentos. Dibujar el circuito eléctrico
completo con las entradas y las salidas que deberá alambrar y presentar la tabla de
datos y direcciones a grabar en su EPROM de acuerdo a las características que se
piden en el inciso 2.

Una memoria EEPROM muy usada es la 28C64. ATMEL produce la AT28C64 (AT quiere
decir que ATMEL es el fabricante, 28 identifica el tipo de memoria, en este caso EEPROM;
la C significa que la tecnología usada es C-MOS, o sea con base en transistores Mosfet
canal P y canal N en modo complementario, y el 64 es la capacidad: 64 Kilobits, o sea 8192
palabras de 8 bits cada una, lo que es lo mismo que 8 Kbytes).

Bibliografía

https://www.fing.edu.uy/tecnoinf/mvd/cursos/arqcomp/material/2014/teo/arq-teo11.pdf

http://www.fic.udc.es/files/asignaturas/5TC/tema8.pdf

http://arquitectura1244.blogspot.mx/2012/09/memoria-rom-prom-eprom-y-eeprom.html