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PRÁCTICA No.

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PROGRAMACIÓN MEMORIA EEPROM
Andrea Carolina Kryksman Valbuena, código:27451984

Facultad de Ingeniería mecánica y mecatrónica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá.

OBJETIVO: ​Aprender a programar una memoria


EEPROM en diferentes posiciones, de forma OPERACIÓN DE LECTURA
manual, tal que actúe como un publik de letras.
Un dato será leído del dispositivo de
INTRODUCCIÒN. almacenamiento RAM 6116, mediante la
Entender cómo se programa y se lee en una aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)',
memoria EEPROM de manera manual un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la
comprendiendo su funcionamiento desde su terminal (OE)', con estas conexiones se dispone
tabla de verdad, el circuito para ello será que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se
dividido en 3 partes o secciones, la primera coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o
seccion sera la localidad de memoria, la (CS)' las líneas de E/S y/o la pastilla 6116 se
segunda de escritura y finalmente de lectura. ponen en estado de alta impedancia,
respectivamente.
MARCO TEÓRICO (CS)' posee la función de controlar la activación
1.Memoria EEPROM HM 6116. de la pastilla, la cual puede ser usada por un
sistema con microprocesadores para la
Es una memoria de acceso aleatorio, Random
selección del dispositivo.
Access Memory (RAM), cuenta con una
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone
capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una,
en estado de alta impedancia, la cual puede ser
es una memoria estática de alta velocidad, está
habilitada cada vez que el microprocesador
fabricada con la tecnología CMOS, opera con
requiere leer la memoria.
una fuente de alimentación de +5.0 Voltios y
está dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
OPERACIÓN DE ESCRITURA

Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116


mediante la aplicación de un nivel bajo en la
terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel
alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las
terminales E/S de la memoria RAM 6116 se
habiliten para aceptar la información, en estas
condiciones la terminal (OE)' posee la opción de
ser colocada en estado de alto bajo, para
realizar así la operación de escritura.

Figura 1. configuración pines EEPROM HM 6116


DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
• A0-A10: Líneas de direcciones
• E/S0- E/S7: Entrada y Salida de datos
• CS Habilitador de la pastilla
• OE Habilitador de salidas
• WE Habilitador para la escritura
• Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
• GND Terminal de tierra 0.0 Volts
Tabla 1. tabla de verdad memoria EEPROM HM 6116
2. DM74LS126A (buffer 3-state)

Este dispositivo contiene cuatro puertas


independientes, cada una de las cuales realiza
una función de búfer sin inversión. Las salidas
tienen la característica 3-ESTADO. Cuando
están habilitadas, las salidas exhiben las
características de baja impedancia de una
salida LS estándar con capacidad de
accionamiento adicional para permitir la
conducción de líneas de bus sin resistencias
externas. Cuando está deshabilitado, los dos
transistores de salida se apagan presentando
un estado de alta impedancia a la línea de bus.
Figura 3. Circuito simulado en multisim para
Por lo tanto, la salida no actuará como una
programar memoria HM 6116.
carga significativa ni como un controlador. Para
minimizar la posibilidad de que dos salidas Este circuito se diseñó con tres secciones, la
intenten llevar un bus común a niveles lógicos primera sección es la localidad de memoria, la
opuestos, el tiempo de desactivación es más segunda de escritura y finalmente de lectura. la
corto que el tiempo de activación de las salidas. sección de la memoria está compuesta por un
dip switch de 8 disposiciones el cual enviará
estados altos o bajos, dependiendo de lo que se
busque, a las entradas de la memoria de A0 a A7
qué son las localidades de la memoria en la
que serán alojados estos estados. El resto de
las entradas de la memoria deberán ser
conectadas a tierra. La otra parte está formada
por un display de tres segmentos con el que se
grabara los datos en la memoria.

Figura 2. Diagrama lógico buffer 74126 .

MATERIALES

● una Memoria EEPROM HM 6116.


● 4 Dip Switch de 4 disposiciones
● 16 Resistencias,
● 1 Display 7 segmentos.
● 4 Buffer tri-state 74126
● Fuente DC, protoboard.

Figura 4. Sección localidad de memoria


METODOLOGÍA

Se realiza la simulación del circuito planteado


La sección de escritura, cuando habilitamos
para verificar la funcionalidad de este.
esta sección con el dip-switch de 3 segmentos,
encontraremos un dip-switch de ocho
segmentos en la cual se escribirá el dato que se
guardará en la memoria, estos están
conectados a buffer 3-state 74126, los cuales https://www.idt.com/document/dst/6116sala-
evitarán que se haga un corto circuito realizando data-sheet
ya sea la lectura o la escritura de datos.
http://ltodi.est.ips.pt/lab-dee-et/datasheets/TT
L/74126.pdf

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/vi
ew/51031/FAIRCHILD/74126.html

Figura 5. Sección localidad de memoria

La sección de lectura está conectado


nuevamente a 2 buffer 3-state 74216 y a su vez
a un display de 7 segmentos, en el que se verán
los datos guardados

Figura 6. Sección localidad de lectura.

CONCLUSIÓN.

● Los buffer 3-state 74126, evitarán que


se haga un corto circuito realizando la
lectura o la escritura de datos.
● Es necesario conocer las disposiciones
de la memoria para poder armar el
circuito de forma correcta.
● las compuertas de entrada sin utilizar
en la memoria deben ir a tierra para un
funcionamiento idoneo.

BIBLIOGRAFÍA.

http://esime-ipn.blogspot.com/2015/10/manej

o-de-una-memoria-Tram-6116.html