Manejo de una memoria EEPROM 28C16 Parte 1

En este post explicaremos como utilizar una memoria EEPROM 28C16.

Antes que nada una memoria es un dispositivo electronico que es capaz de almacenar informacion en su
interior en forma de ceros y unos por medio de unas celdas configuradas en su interior. En el mercado
existen diferentes tipos de memorias ya sea por su tecnologia de fabricacion, como su forma de acceder a la
informacion, por la cantidad de datos que puede guardar en su interior, etc...
Las memorias que analizaremos en este post son del tipo ROM (Memoria de Solo Lectura), no volatiles y
que pueden ser borradas y programadas electricamente, que contiene 2048 localidades de memoria de 8
bits ( 1 byte) cada una es decir es una memoria de 2k x 8 que opera con una sola fuente de alimentacion de
5 volts positivo.
Esta memora 28c16 se puede programar de dos modos: una de 5 volts positivo y otro de alto voltaje.El
primer modo se inicia con un pulso de escritura con un flanco de bajada es decir de alto a bajo de duracion
de 200 ns. La memora 28c16 borra automaticamente el byte seleccionado antes de escribir el nuevo dato, el
tiempo total de borrado y escritura es de 10 ms. Para leer la memoria su tiempo de acceso es de 250 ns. A
continuacion se muestra una imagen de la disposicion de los pines de la memoria eeprom 28c16.

Los pines A0 a A10 indican el bus de direcciones, el cual dependiendo la combinacion seleccionada se
accede a los datos por medio de los pines I/O.
Los pines I/O0 a I/O7 son los pines por medio del cual se accede a la informacion previamente seleccionada
con (A0-A10) por el cual se ingresan los datos a guardar cuando la memoria se pone en modo escritura.
CE negado : Por medio de este pin se habilita o deshabilita la memoria, para habilitar la memoria se pone
este pin a tierra para deshabilitar la memoria es decir para que ni este a modo escritura ni lectura se pone a
5 volts positivos.
OE negado: Por medio de este pin se configura la memoria para que trabaje de modo lectura escritura.
Cuando este pin se pone a tierra la memoria esta en modo escritura y cuando este pin esta a 5 volts
positivo esta en modo lectura.
WE negado: Por medio de este pin la memoria se configura para tener el voltaje necesario para escribir los
datos o leerlos. Cuando el pin se pone a tierra la memoria tiene el voltaje necesario para escribir en ella y
cuando esta a 5 volts positivos tiene el voltaje necesario para realizar la lectura.
Vcc y Gnd : Por medio de estos pines se alimenta la memoria Vcc a 5 volts y Gnd a tierra.

Operacion Modo Lectura

Para leer un dato (1byte) de la memoria 28c16 se hace por medio de los pines I/O0 a I/O7 pero primero se
debe de direccionar alguna de las 2048 localidades disponibles de la memoria por medio de los pines A0 a
A10 despues se aplica un voltaje de 5 volts positivo s W/E negado, para CE negado se pone a tierra, OE
negado tambien se pone a tierra. Si algunos de estos pines se encontraran en 5 volts positivo las salidas
estarian en alta impedancia por lo que no se podrian leer datos.
Operacion Modo Escritura.
Para este modo ocuparemos la programacion a 5 volts. Para poder escribir en la memoria es decir para
guardar informacion en ella lo primero que tenemos que hacer es: direccionar alguna de las 2048 localidades
disponibles en la memoria despues poner a tierra el pin W/E negado 200 ns, mientras que OE negado debe
estar en 5 volts positivo y CE negado debe estar conectado a tierra cuando esto ocurre el dato es
almacenado en la localidad direccionada por medio del flanco de bajada pero antes la arquitectura de la
propia memoria borra automaticamente el dato almacenado anteriormente y procedera a escribir el nuevo
dato. Todos los datos pueden ser borrados y escritos en 10 ms, mientras que los pines I/O permanecen en
alta impedancia durante el tiempo en que dura el proceso de escritura.
Si durante el proceso de borrado y grabado el circuito se desconectara la informacion que se ha guardado
no se perderia usando el modo "stanby" para que la informacion no se borre.
Operacion de Borrado
Si se desea borrar todas las direcciones de la 28c16 la memoria ofrece una funcion de borrado inmediato de
todas las localidades.

En el siguiente post "Manejo de una memoria EEPROM 28c16 Parte 2" veremos un ejemplo practico de
como se implementa un circuito fisico para operar en modo lectura .

Memorias Estticas; 6116, 2716 y 2816.

Ing. Juan Gilberto Mateos Surez

MEMORIAS
A todo dispositivo que sirva para almacenar informacin se le asigna el nombre de
memoria, en una memoria debe existir la posibilidad de poder extraer la informacin que
fu previamente almacenada.
En un sistema la informacin se almacena en forma de datos y de instrucciones, de tal
manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y
palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha informacin
cuando as se requiera, para realizar esta funcin se necesita un sistema de control para la
transferencia de informacin, que se encuentra dentro de la memoria.
La memoria esta constituida por localidades con casilleros individuales para cada bit de
informacin, (BIT significa BInary digIT), cada localidad corresponde a una direccin
determinada, la estructura de una memoria es similar al barrio de una ciudad, en el que
cada casa corresponde a su nmero..

Una vez que dicha informacin haya sido incluida dentro de la memoria de un sistema,
cada informacin, ya sea dato o instruccin puede alcanzarse nicamente a travs de su
direccin.
La memoria esta caracterizada por tres propiedades fundamentales;
* Capacidad de la memoria
* Tiempo de acceso
* Costos por bit
CAPACIDAD DE LA MEMORIA
La capacidad de la memoria o capacidad de almacenamiento viene definida por el
nmero de bits de almacenamiento existente y el nmero de la longitud de palabras, la
capacidad de la memoria se indica en Kbytes, en un sistema la capacidad puede
ampliarse indefinidamente, sin que tengan que cambiarse las unidades de E/S ni la CPU,
las etapas de ampliacin pueden ser;
1,024
2,048
4,096
8,192
16,384
32,768
65,536
131,072
262,144

Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes
Kbytes

TIEMPOS DE ACCESO
El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una informacin
almacenada; el tiempo de acceso es una caracterstica importante para determinar la
velocidad de resolucin de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir
el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se
alcanzan ms rpidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se
habla entonces del tiempo de acceso promedio.
COSTOS POR BIT
Los costos por bit comprenden los gastos de adquisicin de una memoria referidos
nicamente a un solo bit, si al adquirir una memoria se establece un limite de gastos que
no ha de ser sobrepasado, puede apreciarse que cuando ms grande se elija la capacidad
de la memoria, mayor ser el tiempo de acceso, en cambio si se requiere una capacidad
mnima los costos disminuirn a medida que aumentan los tiempos de acceso.

LA MEMORIA RAM 6116

El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory
(RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria
esttica de alta velocidad, esta fabricada con la tecnologa CMOS, opera con una fuente
de alimentacin de +5.0 Volts y esta dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116
Organizacin de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnologa
TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM 6132

DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES

A0-A10: Lineas de direcciones
E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos
CS Habilitador de la pastilla
OE Habilitador de salidas
WE Habilitador para la escritura
Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts
GND Terminal de tierra 0.0 Volts

OPERACIN DE LECTURA
Un dato ser ledo del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicacin
de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la
terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM
6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la
pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la funcin de controlar la activacin de la pastilla, la cual puede ser usada por
un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual
puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicacin de un nivel bajo en
la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116
se habiliten para aceptar la informacin, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la
opcin de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar as la operacin de escritura.

LA MEMORIA EPROM 2716

Descripcin general
La EPROM 2716 contiene caractersticas borrables y es elctricamente reprogramable, es
de alta velocidad y proporciona acceso a 16 Kbits de informacin, esta diseada para
aplicaciones en donde son importantes los cambios rpidos en la tensin.
La EPROM 2716 esta empacada en un circuito integrado de 24 terminales, usa una placa
transparente en su dorso, lo cual nos permite exponer el chip a rayos ultravioleta pticos,
que se utilizan para borrar la memoria, se le puede depositar una nueva informacin aun
despus de estar borrada siguiendo los procedimientos de programacin adecuados, esta
EPROM 2716 esta constituida con tecnologa de alta densidad con compuertas CMOS de
canal N.
Ventajas
Tiempo

de acceso menor que 250 nseg.

Bajo consumo de potencia

Disipacin

en estado activo: 525 mW mx.

Disipacin en estado inactivo: 132 mW mx.
Fuente de alimentacin de +5 Volts
Rango de temperatura de -40 hasta +85 grados centgrados
Caractersticas estticas (no requiere refrescamiento por medio del reloj)
Entradas y salidas compatibles con la tecnologa TTL
Capacidad de colocarse en tercer estado.
OPERACIN DEL DISPOSITIVO
Existen 5 modos de operacin, se debe hacer notar que todas las entradas son TTL
independientemente del modo de operacin, la fuente de alimentacin requiere de +5.0
Volts en la terminal Vcc, la terminal Vpp esta en alta tensin +25 Volts durante 3 modos
y en +5 Volts en los otros dos modos de operacin.
DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES

A0-A10: Lineas de direcciones

D0-D7: Salida de datos
(CE)' Habilitador de la pastilla
(OE)' Habilitador de salidas
PGM Condicin de programacin
Vcc Voltaje de alimentacin +5.0 Volts
Vss Terminal de tierra 0.0 Volts
Vpp Voltaje de programacin
NC No conexin
OPERACIN DE LECTURA
Para leer la memoria se deben hacer las conexiones de las terminales que a continuacin
se especifican, la terminal Vpp se conecta a Vcc para inhibir con esto la programacin,
las entradas (OE)' y (CE)' se colocan en tierra y con estas simples conexiones se puede
leer la memoria, los datos estarn sobre las terminales D1 - D7, la informacin se puede
visualizar con LED'S quienes indican el dato direccionado por las terminales A0 - A10,

cuya capacidad es de (2K X 8), 2048 localidades de 8 bits cada una.

MODO DE PROGRAMACIN
Para programar la memoria se requieren las siguientes conexiones:
En la terminal 18 se debe depositar un pulso de Tw = 45 mseg aproximadamente, dicho
pulso deber estar dado por un monoestable.
La terminal 20 que es el habilitador de salidas se conecta a la polarizacin de +5.0 Volts
(la alimentacin).
La terminal 21, voltaje de programacin se conecta a un voltaje fijo de +25.0 Volts, la
memoria normalmente cuando no esta grabada contiene "unos", por lo tanto en la
operacin de grabacin se procede a depositar ceros.
PRECAUCIONES
Excediendo de los 25 Volts en la terminal Vpp (pin 21) se daara la EPROM 2716 y
despus todos los bits quedaran en el estado uno lgico.
La informacin debe ser introducida usando el modo de programacin, depositando
solamente ceros lgicos en la localidad seleccionada y con la combinacin deseada,
aunque ambos unos y ceros pueden ser presentados como datos de entrada en la palabra
de informacin a grabar.
La nica manera de cambiar los ceros por los unos es borrando totalmente la memoria
EPROM 2716 a travs de una intensa luz ultravioleta.
La EPROM 2716 esta en la modalidad de programacin cuando la fuente de
alimentacin de Vpp esta en +25 Volts y (OE)' en estado lgico alto.
Se requiere un capacitor de 0.1 uF dispuesto entre +Vcc y GND para suprimir los estados
transitorios de tensin que puedan daar al dispositivo EPROM 2716.
La informacin debe se programada en 8 bits en paralelo dispuestos en las terminales de
salida del chip, los niveles deben ser compatibles con la tecnologa TTL.
Cuando la direccin y el programa son estables, se debe hacer presente el pulso activo de
programacin durante 45 mseg.
Se puede programar cualquier localidad en cualquier tiempo en forma secuencial o con
acceso aleatorio,.
El pulso de programacin debe tener una duracin mxima de 55 mseg.

La EPROM 2716 no debe ser programada con una seal de CD en la terminal de

programacin (CE)'.
Se pueden programar varias EPROM 2716 en paralelo con la misma informacin, debido
a la simplicidad de los requerimientos de programacin.

LA MEMORIA EEPROM 2816

El circuito integrado EEPROM 2816 es una memoria reprogramable y borrable que
contiene 2048 localidades de memoria con 8 bits cada una, (2K X 8) y opera con una sola
fuente de alimentacin de + 5 Volts, con tiempos similares a los de una RAM esttica en
modo de lectura, tiene dos modos de programacin una de +5 Volts y otra de alto voltaje.
El modo de programacin de +5 Volts se inicia con un pulso de escritura con una
transicin alto/bajo de nivel TTL con una duracin de 200 nseg, el circuito
automticamente borra el byte seleccionado antes de escribir otro dato nuevo, se
completa un ciclo de borrado/escritura en un tiempo mximo de 10 mseg, el tiempo de
acceso a lectura es de 250 nseg, todas sus salidas son compatibles con la tecnologa
TTL.
CARACTERSTICAS DE LA 2816
Organizacin de la memoria 2048 X8
Tipo de funcionamiento; chip esttico
Tiempos de acceso a lectura; 250 nseg.
Capacidad de correccin para un solo bit
Tiempo de escritura max, 10 mseg.
Compatible con la arquitectura de microprocesadores
Potencia de disipacin
a).- Estado activo; 610 mW
b).- Estado inactivo: 295 mW

LA DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES ES LA SIGUIENTE

A0 - A10 Lineas de direcciones
E/S0 E/S7 Entrada y salida de datos
(CE)' Habilitador del chip
(OE)' Habilitador de las salidas
Vpp Voltaje de programacin
Vcc + 5 Volts
Vss 0.0 Volts tierra.
OPERACIN DE EPROM 2816
Este dispositivo contiene seis modos de operacin, segn se muestra en la siguiente
figura, los modos de programacin estn diseados para proporcionar compatibilidad
mxima con los microprocesadores y para obtener una consistencia optima en el diseo
del circuito impreso, el chip EEPROM 2816 es una memoria no voltil, y contiene una
densidad apropiada para una aplicacin de tipo industrial, con esto se logra optimizar el
costo/eficiencia de manera funcional, todas las tensiones que usa son compatibles, con la
tecnologa TTL con la excepcin del modo de borrado total de la memoria, en este modo
el voltaje se debe subir arriba de +9 Volts, en las otras formas se debe sostener a + 5
Volts durante la escritura y la lectura.
OPERACIN DE LECTURA
Un dato es ledo de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicacin de un nivel alto
en Vpp, (voltaje de programacin conectada a Vcc), un nivel bajo en (CE)' y un nivel
bajo en (OE)', con estas condiciones se obtiene informacin de terminales E/S estarn en
estado de alta impedancia siempre y cuando (OE)' y/o (CE)' estn en un nivel alto.
La funcin de la terminal (CE)' es la de poder controlar la activacin del chip, puede ser
usado por un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo.
La terminal que habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, si se tiene en
cuanta que las entradas son estables el tiempo de acceso es igual al tiempo de retardo de

la terminal (CE)', los datos estn disponibles despus de un tiempo de retardo de la

terminal (OE)'.

OPERACIN DE ESCRITURA
(modo de programacin de + 5 Volts)
El ciclo de escritura es iniciado por la aplicacin de un nivel bajo en Vpp, 200 nseg,
mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la direccin es
doblemente almacenada a la cada y a la salida de Vpp, una vez realizado esto la
arquitectura interna de la memoria borrara automticamente el dato seleccionado y
proceder a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg, mientras tanto las terminales
E/S o E/S; permanecern en estado de alta impedancia durante un tiempo igual al de la
operacin del proceso de escritura,
La EEPROM 2816 se escribe y se borra elctricamente utilizando un voltaje de +5 Volts
para grabar y leer, la condicin de grabado es "borrado antes de escribir", esta memoria
es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el circuito de alimentacin
de la energa la informacin no se pierde, se puede usar el modo de "stanby" para que la
informacin no se borre.
La 2816 se borra y se programa elctricamente y no pticamente como lo requieren
normalmente las EPROMS, en estas, se borra la informacin con luz ultravioleta, el
dispositivo EEPROM 2816 ofrece flexibilidad para borrar un solo bit o todo el chip si as
se desea.
Para escribir en una localidad en particular, el bit existente se borra antes de escribir el
nuevo bit, los niveles de las terminales E/S deben ser compatibles con la tecnologa TTL
en cuanto a sus equivalentes de niveles lgicos deseados como niveles de grabacin, la
programacin debe durar mnimo 9 msg y un mximo de 15 mseg.
OPERACIN DE BORRADO
Si se desean borrar todas las direcciones de la EEPROM 2816, el dispositivo ofrece una
funcin para borrado inmediato de todas las localidades, cuando esta funcin se lleva a
cabo ... (seguir)