UNIVERSIDAD TÉCNICA “LUIS VARGAS TORRES”

FACULTAD DE CIENCIA DE LA INGENIERIA “FCI”

CARRERA:

ING. ELÉCTRICA

PARALELO:

“B”

MATERIA:

FISICA III

TEMAS:
 Partícula en una caja.
 Pozos de potencial.
 Barreras de potencial y tunelamiento.
 El oscilador armónico.
 Sólidos Cristalinos
 Semiconductores
 Semiconductores intrínsecos y extrínsecos

 Densidad de portadores en un semiconductor

 Transporte de portadores en un semiconductores

 Efecto fotoeléctrico
 Movimiento de un foton y efecto de un comptonlongitud de onda de broglie y
Resonancia de las ondas de broglie

AUTOR(A):

ORDOÑEZ QUINTERO CINDY

TUTOR: Ing. LUIS GONZALEZ

ESMERALDAS – ECUADOR
2023
PARTÍCULA EN UNA CAJA
En física, la partícula en una caja (también conocida como pozo de potencial infinito) es un
problema muy simple que consiste de una sola partícula que rebota dentro de una caja inmóvil
de la cual no puede escapar, y donde no pierde energía al colisionar contra sus paredes.

En mecánica clásica, la solución al problema es trivial: la partícula se mueve en una línea

recta a una velocidad constante hasta que rebota en una de las paredes. Al rebotar, la
velocidad cambia de sentido cambiando de signo la componente paralela a la dirección
perpendicular a la pared y manteniéndose la velocidad paralela a la pared, sin embargo, no
hay cambio en el módulo de la misma velocidad.

POZOS DE POTENCIAL

Un pozo de potencial es la región que rodea un mínimo local de energía potencial. La energía
capturada en un pozo de potencial no es posible convertirla en otro tipo de energía (energía
cinética en el caso de un potencial gravitatorio) debido a que se encuentra en un mínimo local
de la energía potencial. Por tanto, un cuerpo no puede proseguir hasta un mínimo global de la
energía potencial, como tendería de forma natural debido a la entropía.

BARRERAS DE POTENCIAL Y TUNELAMIENTO.

En mecánica cuántica, la barrera de potencial finita es un problema modelo mono-

dimensional que permite demostrar el fenómeno del efecto túnel. Para ello se resuelve
la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo para una partícula que incide sobre una
barrera de potencial.

EL OSCILADOR ARMÓNICO.

Se dice que un sistema cualquiera, mecánico, eléctrico, neumático, etc., es un oscilador

armónico si, cuando se deja en libertad fuera de su posición de equilibrio, vuelve hacia ella
describiendo oscilaciones sinusoidales, o sinusoidales amortiguadas en torno a dicha posición
estable.

El ejemplo es el de una masa colgada a un resorte. Cuando se aleja la masa de su posición de

reposo, el resorte ejerce sobre la masa una fuerza que es proporcional al desequilibrio
(distancia a la posición de reposo) y que está dirigida hacia la posición de equilibrio.
Si se suelta la masa, la fuerza del resorte acelera la masa hacia la posición de equilibrio. A
medida que la masa se acerca a la posición de equilibrio y que aumenta su velocidad,
la energía potencial elástica del resorte se transforma en energía cinética de la masa. Cuando
la masa llega a su posición de equilibrio, la fuerza será cero, pero como la masa está en
movimiento, continuará y pasará del otro lado. La fuerza se invierte y comienza a frenar la
masa. La energía cinética de la masa va transformándose ahora en energía potencial del
resorte hasta que la masa se para. Entonces este proceso vuelve a producirse en dirección
opuesta completando una oscilación.

Si toda la energía cinética se transformase en energía potencial y viceversa, la oscilación

seguiría eternamente con la misma amplitud. En la realidad, siempre hay una parte de la
energía que se transforma en otra forma, debido a la viscosidad del aire o porque el resorte no
es perfectamente elástico. Así pues, la amplitud del movimiento disminuirá más o menos
lentamente con el paso del tiempo. Se empezará tratando el caso ideal, en el cual no hay
pérdidas. Se analizará el caso unidimensional de un único oscilador (para la situación con
varios osciladores, véase movimiento armónico complejo).

SÓLIDOS CRISTALINOS

Los sólidos cristalinos tienen matrices ordenadas regulares de componentes mantenidos

unidos por fuerzas intermoleculares uniformes, mientras que los componentes de los sólidos
amorfos no están dispuestos en matrices regulares. El objetivo de aprendizaje de este módulo
es conocer las propiedades características de los sólidos cristalinos y amorfos.
Con pocas excepciones, las partículas que componen un material sólido, ya sea iónico,
molecular, covalente o metálico, se mantienen en su lugar por fuertes fuerzas de atracción
entre ellas. Cuando discutimos sólidos, por lo tanto, consideramos las posiciones de los
átomos, moléculas o iones, que están esencialmente fijos en el espacio, en lugar de sus
movimientos (que son más importantes en líquidos y gases). Los constituyentes de un sólido
pueden disponerse de dos maneras generales: pueden formar una estructura tridimensional
repetitiva regular llamada celosía cristalina, produciendo así un sólido cristalino, o pueden
agregarse sin ningún orden particular, en cuyo caso forman un sólido amorfo (del griego
ámorphos, que significa “sin forma”).

Los sólidos cristalinos, o cristales, tienen estructuras internas distintivas que a su vez
conducen a superficies planas o caras distintivas. Las caras se cruzan en ángulos que son
característicos de la sustancia. Cuando se expone a rayos X, cada estructura también produce
un patrón distintivo que se puede utilizar para identificar el material. Los ángulos
característicos no dependen del tamaño del cristal; reflejan la disposición repetitiva regular de
los átomos componentes, moléculas o iones en el espacio. Cuando se escinde un cristal iónico
(Figura 12.1), por ejemplo, las interacciones repulsivas hacen que se rompa a lo largo de
planos fijos para producir nuevas caras que se cruzan en los mismos ángulos que las del
cristal original. En un sólido covalente como un diamante tallado, los ángulos en los que se
encuentran las caras tampoco son arbitrarios sino que están determinados por la disposición
de los átomos de carbono en el cristal.

SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales capaces de actuar como conductores eléctricos o como
aislantes eléctricos, dependiendo de las condiciones físicas en que se encuentren. Estas
condiciones usualmente involucran la temperatura y la presión, la incidencia de las
radiaciones o las intensidades del campo eléctrico o campo magnético al cual se vea sometido
el material.
 Los semiconductores están compuestos por elementos químicos muy variados entre sí, que de
hecho provienen de regiones distintas de la Tabla Periódica, pero que comparten ciertos
rasgos químicos (generalmente son tetravalentes), que les confieren sus particulares
propiedades eléctricas. En la actualidad, el semiconductor más empleado es el silicio (Si),
particularmente en la industria electrónica y de la computación.

Junto con los materiales aislantes, los semiconductores fueron descubiertos en 1727 por el
físico y naturalista inglés Stephen Gray (1666-1736), pero las leyes que describen sus
comportamientos y propiedades fueron descritas mucho después, en 1821, por el célebre
físico alemán Georg Simon Ohm (1789-1854).

Aplicaciones de los semiconductores

Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la electrónica, dado que
permiten conducir y modular la corriente eléctrica de acuerdo a los patrones necesarios. Por
esa razón, es usual que se empleen para:

 Transistores

 Circuitos integrados

 Diodos eléctricos

 Sensores ópticos

 Láseres de estado sólido

Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de guitarra eléctrica)

Tipos de semiconductores
Los semiconductores pueden ser de dos tipos distintos, dependiendo de su respuesta al
entorno físico en que se encuentren:

Semiconductores intrínsecos

Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos en moléculas tetraédricas (o sea,
de cuatro átomos con valencia de 4) y sus átomos unidos por enlaces covalentes.

Esta configuración química impide el movimiento libre de los electrones alrededor de la

molécula, excepto ante un aumento de temperatura: entonces los electrones toman parte de
la energía disponible y “saltan”, dejando un espacio libre que se traduce como una carga
positiva, que a su vez atraerá nuevos electrones. Dicho proceso se llama recombinación, y la
cantidad de calor requerida para ello depende del elemento químico del que se trate.

Semiconductores extrínsecos

Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir, permiten que se incluyan en su

configuración atómica algún tipo de impurezas. Dependiendo de estas impurezas, que pueden
ser pentavalentes o trivalentes, los materiales semiconductores se dividen en dos:

 Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores). En este tipo de materiales, los

electrones superan en número a los huecos o portadores de carga libre (“espacios” de carga
positiva). Cuando se aplica una diferencia de potencial al material, los electrones libres se
mueven hacia la izquierda del material y los huecos entonces hacia la derecha. Cuando los
huecos llegan al extremo derecho, los electrones del circuito externo entran al
semiconductor, y se produce la transmisión de corriente eléctrica.
 Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores). En estos materiales, la impureza
añadida, en lugar de aumentar los electrones disponibles, aumenta los huecos Así, se habla
de material aceptor añadido, ya que hay mayor demanda de electrones que disponibilidad y
cada “espacio” libre en donde debería ir un electrón sirve para facilitar el paso de la
corriente.

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS

Semiconductor intrínseco
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo. Los más
frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos, el silicio es el que
encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos, por ser el que más abunda en la
naturaleza y el que mejor se comporta a grandes temperaturas.

Los átomos de los semiconductores poseen 4 electrones en su órbita externa, que comparte
con los átomos adyacentes y forman 4 enlaces covalentes. Así, cada átomo tiene 8 electrones
en su capa más externa. Esto forma una red muy fuerte entre átomos y sus electrones, que en
circunstancias normales no se desplazan y son aislantes.

Cuando se aumenta la temperatura mediante la aplicación de una carga eléctrica, los

electrones ganan energía y empiezan a moverse. Se separan del enlace y se convierten en
conductores eléctricos. Por lo tanto, su resistencia disminuye con la temperatura.

Semiconductor extrínseco
El semiconductor extrínseco es el resultado de introducir átomos de otros elementos a fin de
que el semiconductor primitivo pierda su pureza y gane en conductividad. Este proceso de
impurificación se conoce como “dopaje”. Según el tipo de impureza que se le añada al
semiconductor tendremos dos tipos de semiconductores extrínsecos.

DENSIDAD DE PORTADORES DE UN SEMICONDUCTOR

La densidad de portadores en un semiconductor se refiere a la cantidad de portadores de carga

(electrones o huecos) por unidad de volumen en el material. Los semiconductores son
materiales que tienen propiedades eléctricas intermedias entre los conductores (como metales)
y los aislantes. La cantidad y tipo de portadores de carga en un semiconductor son
fundamentales para su comportamiento eléctrico.

Hay dos tipos principales de portadores de carga en un semiconductor: electrones y huecos.

Los electrones son portadores de carga negativa, mientras que los huecos son regiones donde
un electrón debería estar, pero no lo está, creando una "ausencia" de carga negativa, que se
comporta como una carga positiva. La concentración de electrones y huecos en un
semiconductor es lo que determina su tipo (N o P) y su comportamiento eléctrico.

La densidad de portadores se expresa generalmente en términos de portadores por unidad de

volumen y se mide en unidades como portadores/cm³. La densidad de portadores en un
semiconductor dopado se puede ajustar mediante el proceso de dopaje, que implica la
introducción controlada de impurezas (átomos de otros elementos) en la estructura cristalina
del semiconductor.

En un semiconductor intrínseco (no dopado), la densidad de portadores es relativamente baja,

ya que se deben a procesos térmicos y de excitación. En cambio, en un semiconductor dopado,
la densidad de portadores puede ser significativamente mayor debido a la introducción
controlada de impurezas que proporcionan portadores adicionales.
La densidad de portadores es un parámetro clave que afecta las propiedades eléctricas de un
semiconductor y es fundamental para el diseño y funcionamiento de dispositivos electrónicos
basados en semiconductores, como transistores y diodos.

TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTORES

Electrones y Huecos:

Electrones: Portadores de carga negativa. Huecos: Regiones donde un electrón debería estar,
pero no lo está, creando una carga positiva.

Mecanismos de Transporte:

Conducción por Electrones: En presencia de un campo eléctrico, los electrones se mueven

hacia la dirección opuesta al campo. En semiconductores tipo n (dopados con impurezas
donantes), los electrones son los principales portadores.

Conducción por Huecos: En semiconductores tipo p (dopados con impurezas aceptoras), los
huecos son las principales portadores y se mueven en la dirección del campo eléctrico.

Difusión: Los portadores tienden a difundirse desde regiones de alta concentración a regiones
de baja concentración. Contribuye al movimiento de portadores en ausencia de un campo
eléctrico externo.

Deriva: Movimiento de portadores bajo la influencia de un campo eléctrico externo. Los

portadores experimentan una "deriva" en la dirección del campo.

Velocidad de Deriva y Movilidad: La velocidad de deriva de los portadores bajo un campo

eléctrico se relaciona con su movilidad. La movilidad es una medida de la facilidad con la que
los portadores se mueven en respuesta a un campo eléctrico y se expresa en unidades de cm²/
(V·s).

Conductividad: La conductividad eléctrica (σ) de un semiconductor está relacionada con la

densidad de portadores (n para electrones, p para huecos) y la movilidad (μ) según la ecuación:
=⋅(⋅+⋅)σ=q⋅(n⋅μ n +p⋅μ p ), donde q es la carga elemental.

Temperatura y Dopaje: La temperatura y el dopaje afectan significativamente el transporte

de portadores. A temperaturas más altas, la generación térmica de portadores aumenta.

Dispositivos Semiconductores: El entendimiento del transporte de portadores es esencial

para diseñar dispositivos semiconductores como transistores, diodos y circuitos integrados.

EFECTO FOTOELÉCTRICO

El efecto fotoeléctrico consiste en la emisión de electrones por un material al incidir sobre él

una radiación electromagnética (luz visible o ultravioleta, en general).A veces se incluyen en
el término otros tipos de interacción entre la luz y la materia:

Fotoconductividad: Es el aumento de la conductividad eléctrica de la materia o en diodos

provocada por la luz. Descubierta por Willoughby Smith en el selenio hacia la mitad del siglo
xix.

Efecto fotovoltaico: Transformación parcial de la energía lumínica en energía eléctrica. La

primera célula solar fue fabricada por Charles Fritts en 1884. Estaba formada por selenio
recubierto de una fina capa de oro.
El efecto fotoeléctrico fue descubierto y descrito por Heinrich Hertz, en 1887, al observar que
el arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensión alcanza distancias mayores
cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. La explicación
teórica fue hecha por Albert Einstein, quien publicó en 1905 el revolucionario artículo
Heurística de la generación y conversión de la luz, basando su formulación de la
fotoelectricidad en una extensión del trabajo sobre los cuantos de Max Planck. Más tarde
Robert Andrews Millikan pasó diez años experimentando, en el intento de demostrar que la
teoría de Einstein no era correcta, para finalmente concluir que sí lo era. Eso permitió que
Einstein y Millikan fueran galardonados con Premios Nobel en 1921 y 1923, respectivamente.

MOVIMIENTO DE UN FOTON Y EFECTO DE UN COMPTON

Un fotón es una partícula elemental que constituye la "luz" electromagnética. De acuerdo con
la teoría cuántica, los fotones no tienen masa en reposo y viajan a la velocidad de la luz (c),
que es aproximadamente 299,792,458299,792,458 metros por segundo en el vacío. Aquí hay
algunas características clave sobre el movimiento de un fotón:

Velocidad Constante: Los fotones siempre se mueven a la velocidad de la luz en un vacío

(c).Esta velocidad es la máxima posible en el universo según la teoría de la relatividad de
Einstein.

Comportamiento Ondulatorio y Corpuscular: Los fotones exhiben tanto propiedades

ondulatorias como corpusculares. En experimentos de interferencia, los fotones pueden
mostrar patrones de interferencia características de ondas. En experimentos de efecto
fotoeléctrico, los fotones se comportan como partículas al liberar electrones de un material.

Sin Masa en Reposo: Los fotones no tienen masa en reposo. Esto significa que siempre se
mueven a la velocidad de la luz, incluso cuando se generan o se detectan.

Energía Relacionada con la Frecuencia: La energía de un fotón está directamente relacionada

con su frecuencia mediante la ecuación de Planck: =ℎ⋅E=h⋅f, donde E es la energía, ℎh es la
constante de Planck y f es la frecuencia.

Interacción con la Materia: Los fotones pueden interactuar con la materia de varias maneras,
como ser absorbidos, reflejados o transmitidos. Su interacción con la materia es fundamental
en fenómenos como la fotosíntesis, la visión y diversas tecnologías basadas en la óptica.

Dualidad Onda-Partícula: La dualidad onda-partícula significa que, aunque los fotones son
partículas, su comportamiento en ciertos experimentos es más consistente con el de ondas
electromagnéticas.

El efecto Compton (o dispersión Compton) consiste en el aumento de la longitud de

onda de un fotón cuando choca con un electrón libre y pierde parte de su energía. La
frecuencia o la longitud de onda de la radiación dispersada dependen únicamente del ángulo
de dispersión. El efecto Compton fue estudiado por el físico Arthur Compton en 1923, quien
pudo explicarlo utilizando la noción cuántica de la radiación electromagnética
como cuantos de energía y la mecánica relativista de Einstein. El efecto Compton constituyó
la demostración final de la naturaleza cuántica de la luz tras los estudios de Planck sobre
el cuerpo negro y la explicación de Albert Einstein del efecto fotoeléctrico.

LONGITUD DE ONDA DE BROGLIE Y RESONANCIA DE LAS ONDAS DE BROGLIE

La longitud de onda de De Broglie es una propiedad asociada a partículas, como electrones o

átomos, que exhiben comportamientos de onda según la teoría cuántica. Esta longitud de onda
se llama así en honor a Louis de Broglie, quien propuso la idea de que las partículas también
pueden tener propiedades ondulatorias.
La fórmula para calcular la longitud de onda de De Broglie (λ) para una partícula con
momento lineal (p) es:=λ= p h

Dónde:λ es la longitud de onda de De Broglie.ℎh es la constante de Planck (6.626×10−34Js

6.626×10 −34 J⋅s).p es el momento lineal de la partícula.

Es importante destacar que esta relación sugiere que cuanto mayor es el momento lineal de
una partícula, menor será su longitud de onda de De Broglie. Esta relación tiene
implicaciones significativas en el ámbito de la mecánica cuántica, especialmente cuando se
trata de describir el comportamiento de partículas a escalas microscópicas.

La resonancia de las ondas de De Broglie se refiere al fenómeno en el cual las ondas de De

Broglie de una partícula, como un electrón, están en fase y se refuerzan entre sí. Este
concepto está relacionado con la interferencia cuántica y tiene implicaciones importantes en
la mecánica cuántica.

Cuando se trata de partículas con propiedades ondulatorias, como electrones, átomos o

moléculas, sus longitudes de onda de De Broglie pueden interferir constructiva o
destructivamente. La interferencia constructiva ocurre cuando las crestas de las ondas
coinciden en fase, aumentando la amplitud de la onda resultante. Por otro lado, la
interferencia destructiva ocurre cuando las crestas de una onda coinciden con los valles de
otra, reduciendo la amplitud resultante.

La resonancia de las ondas de De Broglie puede observarse en experimentos de difracción y

dispersión, donde las partículas atraviesan estructuras cristalinas, rendijas u obstáculos. En
tales condiciones, las ondas de De Broglie pueden interferir de manera constructiva en ciertos
ángulos y destructiva en otros, dando lugar a patrones de interferencia que son característicos
de las ondas.

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_Cu%C3%A1ntica_Avanzada_(Kok)/13%3A_La_ecuaci%C3%B3n_de_Schr%C3%B6dinge
r/13.3%3A_Part%C3%ADculas_libres_y_la_longitud_de_onda_de_Broglie