Tema 5: Reguladores de Tensión

5.1. Realimentación. Definición General.

5.2. Descripción General de un regulador de Tensión.
5.3. Reguladores de Tensión con Transistores.
5.4. Protección frente a Sobrecargas.
5.5. Soluciones con Amplificadores Operacionales.
5.6. Ejemplos de Circuitos Reguladores.
5.7. Soluciones Integradas.
5.8. Fuentes de Tensión Reguladas Ajustables.
5.9. Gestión de la Corriente de Salida.

5.1. Realimentación. Definición General.

En Electrónica se aplican esquemas de realimentación negativa y positiva. La

realimentación negativa se usa en el diseño de amplificadores para estabilizar la
ganancia frente a cambios en la temperatura o alguna característica del dispositivo; por
ejemplo, para disminuir la distorsión, aumentar el ancho de banda o modificar los valores
de las impedancias de entrada y salida. El precio de la realimentación negativa es la
pérdida de ganancia, pero ésta se compensa fácilmente introduciendo nuevos
dispositivos activos, en especial, en el diseño en tecnología integrada, donde es más
fácil diseñar un dispositivo activo que una resistencia o un condensador. Por eso, la
realimentación negativa es un recurso básico en el diseño en tecnología integrada.
La realimentación positiva es la base de los osciladores tanto lineales como no
lineales y se usa, por consiguiente, en la generación de formas de onda.
En ambos casos, para sistemas lineales invariantes en tiempo que admiten una
descripción por diagrama de bloques, el esquema general es el de la figura 5.1, donde
𝐴(𝜔) representa a la función de transferencia del amplificador sin realimentar, 𝛽(𝜔) es
la función de transferencia de la red de realimentación y el comparador admite los signos
(+) ó (-) dependiendo de que la realimentación sea positiva o negativa respectivamente.

𝜀(𝑡)
𝑉𝑖 (𝑡) 𝐴(𝜔) 𝑉𝑜 (𝑡)

𝑣1 (𝑡)
𝛽(𝜔)
𝐻(𝜔)

Figura 5.1. Esquema general de un sistema realimentado.

 Es decir, tomamos una muestra en tensión o corriente de la señal de salida y la
pasamos a través de una red de realimentación 𝛽(𝜔) que modifica, en general, su
amplitud y su fase. Esta señal modificada (𝑣1 (𝑡) ó 𝑖1 (𝑡)), se resta o suma a la entrada
del amplificador 𝑉𝑖 (𝑡), dando lugar a una nueva entrada 𝜀(𝑡), de forma que la excitación
real del amplificador es 𝜀(𝑡) o la diferencia o suma entre la señal externa 𝑉𝑖 (𝑡) y una
medida de la salida 𝑣1 (𝑡).
La función de transferencia en lazo cerrado 𝐻(𝜔) es:

𝑉𝑜 (𝜔) 𝐴(𝜔)
𝐻(𝜔) = = (5.1)
𝑉𝑖 (𝜔) 1±𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔)

Ya que:
𝑉𝑜 (𝜔) = 𝜀(𝜔) · 𝐴(𝜔)
Y
𝜀(𝜔) = 𝑉𝑖 (𝜔) ± 𝑉1 (𝜔) = 𝑉𝑖 (𝜔) ± 𝛽(𝜔) · 𝑉𝑜 (𝜔)
Por lo que
𝑉𝑜 (𝜔) = 𝜀(𝜔) · 𝐴(𝜔) = 𝐴(𝜔) · [𝑉𝑖 (𝜔) ± 𝛽(𝜔) · 𝑉𝑜 (𝜔)]
Reagrupando
𝑉𝑜 (𝜔)[1 ± 𝐴(𝜔) · 𝛽(𝜔)] = 𝐴(𝜔) · 𝑉𝑖 (𝜔)
Por lo que:
𝑉𝑜 (𝜔) 𝐴(𝜔)
=
𝑉𝑖 (𝜔) 1 ± 𝐴(𝜔) · 𝛽(𝜔)
El signo (+) para la Realimentación Negativa
El signo (-) para la Realimentación Positiva

En este tema estudiaremos la realimentación negativa en el diseño de

reguladores de tensión. La realimentación positiva, propia de los osciladores la
dejaremos para el tema correspondiente.
La ventaja principal de la realimentación negativa a frecuencias intermedias es
la desensibilización del amplificador de forma que para valores altos de la ganancia de
1
lazo 𝐴(𝜔) · 𝛽(𝜔), la ganancia total 𝐻(𝜔), es prácticamente 𝛽(𝜔) de forma que ésta
ganancia está determinada totalmente por la red de realimentación, lo que permite una
gran estabilidad en la síntesis activa de filtros y funciones de transferencia en general.
Vamos a estudiarlo más formalmente.
La sensitividad de una función de transferencia 𝐻(𝜔) respecto de un parámetro
𝑥 se define como:
∆𝐻(𝜔)/𝐻(𝜔) 𝑥 𝑑𝐻(𝜔)
𝑆𝑥𝐻 = = (5.2)
∆𝑥/𝑥 𝐻(𝜔) 𝑑𝑥
 En general, la ganancia en lazo abierto 𝐴(𝜔) varía en función de la temperatura
y la dispersión en los dispositivos. Sin embargo, la ganancia del amplificador
realimentado apenas detecta estas variaciones. En efecto, los cambios de la función de
transferencia en lazo cerrado frente a los cambios en la ganancia en lazo abierto es:

𝑑𝐻(𝜔) 1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔)−𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔) 1
= (1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔))2
= (5.3)
𝑑𝐴(𝜔) (1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔))2

Por lo que la sensitividad de la función de transferencia respecto de la ganancia 𝐴(𝜔)

es:
𝐴(𝜔) 𝑑𝐻(𝜔) 𝐴(𝜔) 1 1
𝑆𝐴𝐻 = · = 𝐴(𝜔) · = (5.4)
𝐻(𝜔) 𝑑𝐴(𝜔) (1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔))2 1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔)
1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔)

Entendamos la expresión (5.4) con un ejemplo. Supongamos que a una determinada

frecuencia 𝐴 = 200 y 𝛽 = 1.
A esta frecuencia, la ganancia en lazo cerrado será:
200
𝐻= = 0.995
201
Si por alguna razón, se reduce la ganancia del amplificador a la mitad 𝐴 = 100
La nueva ganancia en lazo cerrado será:
100
𝐻= = 0.990
101
Es decir, apenas se ha modificado.
Esta desensibilización se utiliza para eliminar la distorsión no lineal. Si en dos
zonas, la característica de transferencia del amplificador pasa de una ganancia 200 a
otra 100, la ganancia total en lazo cerrado es prácticamente lineal (0.995-0.990), figura
5.2.

𝑉𝑜𝑢𝑡 A 𝑉𝑜𝑢𝑡 H

𝐴 = 100 𝐻 = 0.990

𝐴 = 200 𝐻 = 0.995

𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑖𝑛

Figura 5.2. La realimentación negativa puede eliminar distorsiones. a) ganancia en

lazo abierto. b) ganancia en lazo cerrado.
 Obviamente, existe un límite en la no linealidad corregible en función de la
ganancia que podemos sacrificar. La influencia de la realimentación sobre las
impedancias de entrada y de salida de un amplificador depende de la topología del
circuito y las estudiaremos más adelante.
Para completar estas consideraciones iniciales sobre la definición general de
realimentación, veamos cómo influye ésta sobre la respuesta en frecuencia
disminuyendo la ganancia y aumentando el ancho de banda.
Supongamos que tenemos un amplificador que tiene una función de
transferencia con un polo único:
𝐴0 𝐴0
𝐴(𝜔) = 𝜔 = 𝑠 (5.5)
1+𝑗 1+
𝜔0 𝜔0

Si realimentamos este amplificador con otro o una red con función de transferencia
𝛽(𝜔), la función de transferencia en lazo cerrado será:
𝐴(𝜔) 𝐴0 𝐻0
𝐻(𝜔) = = 𝜔 = 𝜔 (5.6)
1+𝐴(𝜔)·𝛽(𝜔) 1+𝛽(𝜔)𝐴0 +𝑗 1+𝑗
𝜔0 𝜔0𝑅

Donde
0𝐴
𝐻0 = 1+𝛽(𝜔)·𝐴 (5.7)
0

𝜔0𝑅 = 𝜔0 (1 + 𝛽(𝜔) · 𝐴0 ) (5.8)

Es decir, la frecuencia de corte ha sido desplazada en el mismo valor 1 + 𝛽(𝜔) ·

𝐴0 que ha disminuido la ganancia. La figura 5.3. muestra la interpretación gráfica.

𝐴(𝜔)

𝐻(𝜔)

𝜔
𝜔0 𝜔0𝑅

Figura 5.3. La realimentación negativa disminuye la ganancia y aumenta el ancho de

banda.
 5.2. Descripción General de un Regulador de Tensión.

Una fuente de tensión continua procedente de un proceso de conversión AC-DC

sin ningún tipo de regulación está sometida a cambios temporales consecuencia del
rizado, variaciones en la tensión de línea y variaciones en la carga. El Objeto de un
circuito regulador de tensión es proporcionar una tensión continua fija y estable frente a
los cambios enumerados dentro de ciertos márgenes que definen los límites del
regulador.

La estructura general de todos los reguladores de tensión es la propia de un

sistema de control con realimentación negativa constando de cinco elementos básicos:

1. Un elemento de referencia que suministre un nivel de tensión conocido y

estable. En general se tratará de un diodo zener o una referencia Band-Gap.

2. Un elemento de prueba para sensar la tensión de salida. La solución más

sencilla suele ser un partidor de tensión en paralelo con la carga con valores
altos de resistencia para que su consumo sea pequeño.

3. Un Amplificador diferencial para comparar la muestra de la tensión de salida

con la tensión de referencia y proporcionar una señal de control proporcional
al error.

4. Un Amplificador de error que adapta la salida del amplificador diferencial a

las características del elemento de control (en general será un transistor de
potencia o una configuración Darlington).

5. Un elemento de control que puede operar en paralelo (figura 5.4.a) o en serie

(figura 5.4.b). La regulación más habitual es la de tipo serie y el diagrama de
bloques se muestra en la figura 5.5.

𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙
𝑉𝑖𝑛 𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑜𝑢𝑡

𝑎) 𝑏)

Figura 5.4. El control puede operar en paralelo (a) o en serie (b)

 𝐶𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙

𝐴𝑚𝑝𝑙 𝑑𝑒 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑜𝑢𝑡

𝑅𝑒𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝐶𝑜𝑚𝑝𝑎𝑟𝑎𝑑𝑜𝑟 𝑆𝑒𝑛𝑠𝑜𝑟 𝑠𝑖𝑚𝑝𝑙𝑒

Figura 5.5. Diagrama de Bloques de un Regulador de Tensión Serie Básico

5.3. Reguladores de Tensión con Transistores.

Estudiemos primero circuitos reguladores con transistores por su utilidad

pedagógica y por su necesidad en algunos diseños externos. Todas las funciones de
regulación en la actualidad se encuentran integradas de forma que la tarea del diseñador
es prácticamente de selección y caracterización. Solo cuando necesitamos fuentes de
alimentación variables o con corrientes superiores del orden de los 3 Amperios
necesitaremos añadir componentes externos. En general se tratará de nuevos
transistores de paso de mayor potencia, elevadores o partidores de tensión o circuitos
de protección. En aplicaciones especiales tales como en conversores A/D y D/A se
suelen utilizar reguladores con componentes externos de alta precisión.
Las figuras 5.6 a) b) y c) muestran el esquema clásico de un regulador serie

Figura 5.6 a) Esquema general

Figura 5.6 b) Regulador con dos transistores bipolares. El elemento de control serie es
el transistor Q1, el amplificador diferencial es el transistor Q2 y la referencia de tensión
es el diodo zener.

𝐼𝑍 𝐼𝐿
𝐼𝐵1 𝐼1

∆𝐼𝐶2 = 𝑖𝑐2
∆𝐼 = 𝑖 ∆𝑉𝑜 = 𝑣𝑜

𝐼𝐵2
∆𝑉𝑖𝑛 = 𝑣𝑖

𝑉𝑅

Figura 5.6. c). Circuito de análisis del regulador de tensión serie.

La figura 5.6 a) representa el esquema general sin especificar la forma de realizar

el amplificador diferencial y la tensión de referencia. La figura 5.6 b) muestra que la
comparación se realiza en la unión base-emisor del transistor Q2 y se usa como
referencia un diodo zener que fija la tensión del emisor de Q2. La tensión en la base de
Q2 se obtiene de un partidor de tensión (R1,R2) de forma que es proporcional a la
tensión en la carga RL. La figura 5.6 c) muestra los sentidos de las corrientes y los
incrementos en las tensiones para ayudar en el análisis y diseño de este tipo de
regulador serie. Se ha añadido la resistencia de protección Ro y la resistencia dinámica
del diodo zener RZ.
 Veamos una descripción general del proceso regulador y posteriormente el
proceso de diseño.
Puesto que la tensión de salida 𝑉𝑜 depende de la tensión de entrada 𝑉𝑖𝑛 , de la
corriente de carga 𝐼𝐿 y de la temperatura 𝑇 podemos expresar las variaciones en la
tensión de salida como:
𝜕𝑉𝑜 𝜕𝑉𝑜 𝜕𝑉𝑜
∆𝑉𝑜 = 𝑣𝑜 = ∆𝑉𝑖𝑛 + ∆𝐼𝐿 + ∆𝑇 (5.9)
𝜕𝑉𝑖𝑛 𝜕𝐼𝐿 𝜕𝑇

Que podemos expresar como:

𝑣𝑜 = 𝑆𝑉 ∆𝑉𝑖𝑛 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 ∆𝐼𝐿 + 𝑆𝑇 ∆𝑇 (5.10)

Siendo estos coeficientes así definidos:

Factor de regulación de entrada:
∆𝑉𝑜
𝑆𝑉 = | (5.11)
∆𝑉𝑖𝑛 ∆𝐼 =∆𝑇=0
𝐿

Resistencia de salida:
∆𝑉𝑜
𝑅𝑜𝑢𝑡 = | (5.12)
∆𝐼𝐿 ∆𝑉 =∆𝑇=0
𝑖𝑛

Coeficiente de temperatura:
∆𝑉𝑜
𝑆𝑇 = | (5.13)
∆𝑇 ∆𝑉𝑖𝑛 =∆𝐼𝐿 =0

Lógicamente, cuanto menores sean estos coeficientes, más estable será la

salida de forma que la función del regulador es disminuir estos factores.
Supongamos por ejemplo, que 𝑉𝑜 aumenta. Si esto ocurre, deberá generarse en
el circuito un proceso de realimentación negativa que la haga disminuir. En efecto, si 𝑉𝑜
aumenta, aumentará la tensión en la base de Q2 en una cantidad proporcional:
𝑅2
∆𝑉𝐵𝑄2 = ∆𝑉𝑜 · = Δ𝑉𝐵𝐸𝑄2 (5.14)
𝑅1 +𝑅2

Como la tensión en el emisor de Q2 está fijada por el zener, la tensión base-

emisor de Q2 experimentará el mismo incremento (5.14). Esto produce un incremento
en la corriente de colector de Q2 y, por consiguiente, una disminución en la corriente de
base del transistor Q1, 𝐼𝐵1 . Esta disminución en la corriente de base del transistor de
control o de paso Q1 provoca a su vez una disminución en su corriente de emisor que,
prácticamente se traslada a la carga RL. Esta disminución en la corriente de carga
produce una caída de tensión en 𝑉𝑜 que compensa el incremento inicial.
La disminución en el coeficiente de temperatura 𝑆𝑇 se consigue mediante la
selección de componentes con baja deriva térmica y en el proceso de montaje final en
el que se intenta poner un disipador de calor a todos los transistores que se deseen
aparear térmicamente. En nuestro caso serían a los transistores Q1 y Q2.
 La regulación en la entrada del circuito regulador la realizan el transistor Q1 y la
resistencia R3 de forma que un incremento en la tensión de entrada o un rizado por
filtrado insuficiente provocan un cambio ∆𝑉𝑖𝑛 que debe ser absorbido por la tensión
colector-emisor de Q1 y por un cambio en la corriente que pasa por R3. Estos efectos
se superponen. La figura 5.7 muestra un esquema del circuito de salida y un esquema
de la variación de la recta de carga y de 𝐼𝐵1 ante un supuesto incremento positivo en la
tensión de la fuente sin regular.

𝐼𝐶

𝑉𝑖𝑛 ± ∆𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 + ∆𝑉𝑖𝑛
𝑅𝐿
𝑉𝑖𝑛 𝐼𝐵 (𝑉𝑖𝑛 + ∆𝑉𝑖𝑛 )
𝑅𝐿

3 ∆𝐼𝐵1 = ∆𝑉𝑖𝑛 ⁄𝑅3

1 2 𝐼𝐵 (𝑉𝑖𝑛 )
𝑉𝑜 ± ∆𝑉𝑜
𝐴 𝐶 𝐵
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝑖𝑛 + ∆𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛

Figura 5.7. Circuito de salida del Regulador Serie y recta de carga de Q1

Salvo la pequeña caída de tensión en Ro, la tensión 𝑉𝑖𝑛 se reparte entre la carga
RL y tensión Colector-Emisor de Q1. En la gráfica aparece en el punto 𝐴. Ante el
incremento de la tensión de línea, pasamos a otra recta de carga de forma que ahora la
tensión Colector-Emisor de Q1 es la correspondiente al punto 𝐵 y a la carga solo le
alcanza una fracción: ∆𝑉𝑜 = ∆𝑉𝑖𝑛 − ∆𝑉𝐶𝐸1. Esto sería así si no existiera la resistencia R3.
Por R3, un incremento en 𝑉𝑖𝑛 provoca un aumento de la corriente de base ∆𝐼𝐵1 =
∆𝑉𝑖𝑛 ⁄𝑅3 que para 𝐼𝐶2 constante entra prácticamente en la base de Q1 haciendo que el
punto de operación pase a (3) con una tensión Colector-Emisor en el punto 𝐶.
Observemos que un gran incremento en la tensión de entrada 𝑉𝑖𝑛 se emplea solo en
incrementar la tensión Colector-Emisor de Q1 y no en incrementar 𝑉𝑜 .
Vamos ahora a pensar en criterios de diseño. El primer paso es la selección de
los componentes en función de la tensión sin regular, la tensión regulada y la corriente
de carga. Siguiendo el esquema de la figura 5.6 b) suponiendo que queremos una fuente
de alimentación de 12 Voltios con una corriente de carga máxima de 100mA a partir de
una fuente sin regular de 20 Voltios. Supongamos que disponemos de un diodo zener
de 1Watt tipo 1N4733 con tensión zener de 5.1 Voltios y transistores del tipo 2N2222A.
El transistor Q2N2222A es un transistor de propósito general que puede disipar
hasta 1.5 Watts soportando tensiones máximas Colector-Emisor de hasta 40 Voltios y
corrientes de Colector de hasta 500mA.
 El editor de modelos nos proporcionará los datos de partida. La evolución de la
𝛽 en función de la corriente de colector del transistor 2N2222A es:

Para Q1. Si observamos la ganancia del transistor para una corriente de 100𝑚𝐴,
leemos una ganancia en corriente 𝛽 = 153
Este valor de ganancia determina la característica de Q2 y R3 puesto que la
corriente de base que requiere Q1 será:

𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 100𝑚𝐴
𝐼𝐵1 = 𝛽𝑄1
= 153
= 653𝜇𝐴 (5.15)

Por otro lado, como la tensión regulada a la salida es de 12 Voltios,

necesitaremos un diodo zener cuya tensión zener o de ruptura sea bastante menor.
Como criterio de diseño se suele elegir una tensión zener menor o igual que la mitad de
la tensión regulada. Observemos que esta tensión aparecerá en el Emisor del Transistor
Q2 y debemos dejar un margen de operación a la tensión de Colector de Q2. Por tanto:

𝑉𝑜 12
𝑉𝑍 ≤ 2
= 2
= 6 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (5.16)

Elijamos el zener 1N4733 con una tensión 𝑉𝑍 = 5.1 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠.

 Con el editor de modelos podemos estimar la tensión de referencia 𝑉𝑅 en función
de la corriente de polarización inversa del diodo:

Tengamos en cuenta que la corriente de polarización del diodo se extrae de dos

corrientes: La corriente de emisor de Q1 (salida) y la corriente de emisor de Q2.
𝐼𝑍 = 𝐼𝐸𝑄2 + 𝐼𝑅𝐷 (5.17)

Como primera aproximación, conviene pensar que esa corriente se reparte por
igual. Si elegimos una corriente de polarización del diodo de 10𝑚𝐴 pensando que por
la resistencia 𝑅𝐷 pasan 5𝑚𝐴 (𝐼𝑅𝐷 = 5𝑚𝐴) y la corriente de emisor de Q2 es también de
5𝑚𝐴 (𝐼𝐸𝑄2 = 5𝑚𝐴). Según la gráfica podemos decir que la tensión de referencia para
una 𝐼𝑍 = 10𝑚𝐴 es de 𝑉𝑅 = 5.0 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠
Y si por 𝑅𝑃 van a circular 5𝑚𝐴, el valor de la resistencia de polarización 𝑅𝐷 será:

𝑉𝑜 −𝑉𝑅 12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠−5.0 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠

𝑅𝑃 = 𝐼𝑅𝐷
= 5·10−3 𝐴
= 1400Ω (5.18)

Por otro lado, el partidor de tensión (R1-R2) polariza la base del transistor Q2
para que el transistor se encuentre en modo activo. Por tanto, la tensión en la Base de
Q2 será:
𝑉𝐵𝑄2 = 𝑉𝑅 + 𝑉𝐵𝐸𝑄2 = 5.0 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 + 0.7 = 5.7 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (5.19)

Los valores de R1 y R2 deben ser lo suficientemente altos para que su consumo

de corriente pueda despreciarse frente al consumo en la carga. Además, como la
corriente de emisor de Q2 supuesta es de 5𝑚𝐴 lo que implica una ganancia en corriente
según la gráfica de 𝛽𝑄2 = 170, implicarían corrientes de base de Q2 de:
5·10−3 𝐴
𝐼𝐵𝑞2 ≈ 170
= 29 𝜇𝐴 (5.20)

Con esta corriente de base tan pequeña, podemos simplificar el cálculo de las
resistencias del partidor suponiendo que esa corriente es despreciable. Así podemos
afirmar que:
𝑅2
𝑉𝐵𝑄2 = 𝑉𝑜 · (5.21)
𝑅1 +𝑅2

Además, para que el consumo de R1 y R2 sea bajo, debemos imponer la

condición de que:
𝑅1 + 𝑅2 > 𝑅𝐿 (5.22)
Como por 𝑅𝐿 no debe circular una corriente superior a 100𝑚𝐴, deberá cumplir
que:
𝑉𝑜 12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠
𝑅𝐿 ≥ 𝐼𝐿
= 100·10−3 𝐴 = 120 Ω (5.23)

Elijamos un criterio de consumo de 𝑅1 + 𝑅2 del 5% del máximo consumido por la

carga. Es decir:
𝑉𝑜
𝐼𝑅1 +𝑅2 = 𝑅 = 5𝑚𝐴 (5.24)
1 +𝑅2

De donde:
12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠
𝑅1 + 𝑅2 = = 2400Ω (5.25)
5·10−3 𝐴

Por lo que 𝑅2 según (5.21) será:

𝑉𝐵𝑄2 ·(𝑅1 +𝑅2 ) 5.7 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠·2400Ω

𝑅2 = 𝑉0
= 12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠
= 1140Ω (5.26)

Y según (5.25) 𝑅1 será:

𝑅1 = 2400Ω − 𝑅2 = 2400Ω − 1140Ω = 1260Ω (5.27)

Finalmente nos queda calcular el valor de la resistencia 𝑅3 que viene

determinada por:

𝑉𝑖𝑛 −(𝑉𝑜 +𝑉𝐵𝐸𝑄1 ) 𝑉𝑖𝑛 −(𝑉𝑜 +𝑉𝐵𝐸𝑄1 ) 20𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠−(12𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠+0.7𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠)

𝑅3 = 𝐼𝐶𝑄2 +𝐼𝐵𝑄1
≅ 𝐼𝐸𝑄2 +𝐼𝐵𝑄1
= 5·10−3 𝐴+653·10−6 𝐴
= 1291Ω (5.28)
 Llevando estos resultados al simulador tenemos lo siguiente:

861.0mW

Fuente No Regulada 13.28mW

109.8mA -110.4mA Carga
115.3mA Q1
Ro 5.018mA
Q2N2222A 12.05V
20.00V
1
19.89V 38.59mW 5.032mA
R3 652.0uA RP
Q2 R1
4.816mA 1400 31.91mW
1291 1260
-2.305W Q2N2222A 35.25mW 100.4mA
Vin 5.467mA
20 12.83V
26.34uA RL 1.209W
5.707V
115.3mA 37.60mW -4.842mA 5.006mA 120

9.860mA R2
5.022V 28.57mW
49.51mW 1140
D1 D1N4733

0V
0

El estado de polarización de los transistores y diodo es:

Observemos que los resultados se aproximan en

buen grado a los calculados. Debemos estudiar los
consumos de cada uno de los de componentes y verificar
que no superan los límites del fabricante.
Este regulador produce una tensión regulada de
12.05 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 con 20 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 en su entrada, pero hemos de
pensar que esta tensión de entrada está sometida a
variaciones arbitrarias función de las características de la
línea de alimentación a igual que la carga que puede
presentar un consumo variable y también las variaciones
de la tensión regulada con la temperatura.
¿Cuáles son los límites efectivos del circuito
Regulador?. Para responder a esta pregunta haremos uso
de nuevo del simulador para estudiar la estabilidad de la
tensión regulada que según (5.9) pueden cambiar bien por
cambios en la tensión de entrada (variaciones de línea),
cambios en la carga (consumo variable como el de un
teléfono móvil por ejemplo) y cambios térmicos.

 Límites efectivos del regulador a la entrada (factor de regulación de entrada:

𝑺𝑽 ).
Para estudiar estos límites, realicemos un análisis DC Sweep considerando la
tensión de entrada no regulada variable entre dos límites. Es evidente que para que la
regulación tenga efecto y funcione el regulador, es necesario que la tensión de entrada
sea mayor que la tensión regulada. Por tanto, el límite inferior podemos ponerlo en la
tensión regulada 𝑉𝑜 (para el ejemplo 12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠). El límite superior debemos ponerlo en
la potencia máxima que consume el transistor Q1 sin superar la tensión colector-emisor
máxima que soporta. El transistor Q2N2222A soporta consumos de hasta 1.5 Watios y
tensiones colector-emisor de hasta 40 Voltios. Por tanto si el transistor está
consumiendo menos de 1.5 Watios podríamos llegar a un límite superior de:

𝑉𝑖𝑛_𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸_𝑚𝑎𝑥𝑄1 + 𝑉𝑜 |𝑃𝑜𝑡<1.5𝑊𝑎𝑡𝑡𝑠 = 52 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (5.29)

El análisis DC Sweep muestra lo siguiente:

La tensión regulada 𝑉𝑜 en la carga permanece estable en un margen de variación

entre 14 Voltios y 52 Voltios presentando una tensión de salida variable entre 11.8
Voltios y 12.4 Voltios aproximadamente, lo que nos da una variación de 0.6 Voltios a la
salida cuando la entrada cambia en 38 Voltios. El factor de regulación de entrada o
parámetro 𝑆𝑉 puede determinarse midiendo la pendiente de la curva anterior.
Observemos que dicha pendiente no es del todo lineal por el comportamiento no lineal
de los transistores.
A 20 Voltios el parámetro 𝑆𝑉 = 20 · 10−3 = 20𝑚𝑉/𝑉 (verificarlo como ejercicio)
 Los resultados anteriores pueden mantenerse si la potencia puesta en juego en
el transistor Q1 no supera el límite del fabricante que es de 1.5 Watios.
La evolución de la potencia en el Transistor Q1 con una carga de 120 Ohmios
cuando cambia la tensión de entrada es la siguiente:

Observamos que el transistor Q1 alcanza un consumo de 1.5Watss con una

tensión de entrada de 25.8 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠. Por tanto, para cargas de 120 Ohmios, la tensión de
entrada 𝑉𝑖𝑛 no puede superar los 28.8 Voltios con el objeto de no quemar el transistor
Q1.

 Dependencia de la tensión de salida con la corriente de carga (resistencia

de salida: 𝑹𝒐𝒖𝒕 )
Manteniendo 𝑉𝑖𝑛 = 20 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 cambiemos la carga de forma paramétrica para
analizar la influencia del cambio en la corriente de carga con la tensión regulada de
salida 𝑉𝑜 . Para ello debemos llamar al parámetro PARAM de la librería SPECIAL.OLB.
Incluimos la librería en el diseño y llamamos a la parte PARAM. Un doble clic sobre la
parte ‘PARAMETERS’ hace aparecer al editor de propiedades. Una vez en él elegimos
‘New Column’ y añadimos el nombre y el valor inicial 1.

Fuente No Regulada
Carga
Q1
Ro
Q2N2222A
1
R3 RP V
Q2 R1
1400
1291 1260
Q2N2222A PARAMETERS:
Vin
20
RL
I
{120+n}

R2
1140
D1 D1N4733

0
 La gráfica representa la corriente que circula por la carga a medida que cambia
la Resistencia de Carga (gráfico verde) y la tensión regulada 𝑉𝑜 en función de esa
resistencia.

100mA

50mA

SEL>>
0A
-I(RL)
12.07V

12.06V

12.05V

12.04V
0.1K 0.2K 0.3K 0.4K 0.5K 0.6K 0.7K 0.8K 0.9K 1.0K 1.1K 1.2K
V(RL:2)
120+n

Observemos que cambios en la corriente en carga desde 100mA a 20mA, la

tensión de salida cambia entre 12.04 y 12.07.
Para calcular la resistencia de salida 𝑅𝑜𝑢𝑡 , calculemos la derivada de 𝑉𝑜 en
función de la corriente en carga:

240m

200m

160m

120m

80m

40m
-100mA -90mA -80mA -70mA -60mA -50mA -40mA -30mA -20mA -10mA
D(V(RL:2))
I(RL)

La resistencia de salida 𝑅𝑜 depende ligeramente de la corriente (comportamiento

no lineal de los transistores), cambiando entre 210𝑚Ω a 100𝑚𝐴 y 160𝑚Ω a 30𝑚𝐴.
Ciertamente la fuente regulada se comporta como una fuente ideal de tensión con una
pequeña resistencia en serie (0.1-0.2 Ohms).
  Dependencia de la tensión de salida con la temperatura (coeficiente de
temperatura 𝑺𝑻 )

Para estudiar la dependencia de la temperatura con la tensión regulada 𝑉𝑜 debemos

hacer un barrido térmico en el dispositivo manteniendo constante la tensión de entrada
𝑉𝑖𝑛 = 20 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 y la resistencia de carga 𝑅𝐿 = 120Ω
Hagamos un barrido térmico entre −50𝑜 y +150𝑜 .

12.3V

12.2V

12.1V

12.0V

11.9V

11.8V

11.7V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V(RL:2)
TEMP

Observemos una dependencia negativa con la temperatura. En un rango de 200

grados centígrados, la tensión de salida cambia entre 12.2 voltios y 11.8 voltios
aproximadamente. La pendiente de la curva (parece bastante lineal), nos dará el
coeficiente de temperatura:
-2.16m

-2.20m

-2.24m

-2.28m

-2.32m

-2.36m

-2.40m
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
D(V(RL:2))
TEMP

Observamos una dependencia con la temperatura del coeficiente 𝑆𝑇 que cubre

un rango de variación entre -2.20 y -2.40 milivoltios/grado.
 5.4. Protección frente a sobrecargas.

En el regulador a transistores clásico expuesto en el apartado anterior hay, al

menos, tres problemas distinguibles:

1. La calidad del amplificador diferencial.

2. La Potencia del Transistor de Paso.
3. La protección frente a Sobrecargas.
En el regulador de tensión clásico, el amplificador diferencial está realizado con
un solo transistor (Q2), de forma que se tiene una mejora sustancial cambiando este
transistor por un auténtico amplificador diferencial con alta ganancia, alta impedancia de
entrada (No consumiría corriente apreciable), y una baja impedancia de salida. De
hecho, todos los reguladores integrados incluyen esta estructura diferencial.
La segunda mejora está asociada a la corriente máxima en la carga capaz de
ser regulada que está controlada por el transistor Q1. Para aumentar esta corriente se
recurre a la configuración Darlington o Superbeta (figura 5.8)

𝐶 𝛽2 𝐸
𝑄1
𝐶 𝐸

𝛽1
𝐵

Figura 5.8. El transistor Q1 se sustituye por una configuración Darlington

Esta configuración de dos transistores con colectores unidos permite una gran
ganancia en corriente. El conjunto se comporta como un único transistor donde la
tensión base-emisor en modo activo es 1.4 voltios (0.7+0.7) y una ganancia en corriente
de:
𝛽𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = 𝛽1 𝛽2 + 𝛽1 + 𝛽2 ≅ 𝛽1 𝛽2 (5.30)

El aumento brusco en la ganancia en corriente del transistor Q1 conlleva un

aumento del valor de la resistencia R3 y, por consiguiente, una mejor regulación y una
disminución en la potencia disipada. Los reguladores de tensión integrados no pueden
resolver este problema para corrientes de carga superiores a 3 Amperios de forma que
cuando usemos soluciones integradas, todavía tendremos que añadir transistores de
paso externos para aumentar el nivel de potencia regulada.
Igualmente pasa con el problema de la protección frente a sobrecargas. Vamos
a estudiar alguna solución discreta porque, aparte de su valor intrínseco, todavía es
necesario añadir circuitos de protección a algunos reguladores integrados cuando
queramos manejar potencia superior a la nominal.
 Un circuito típico de protección es el de la figura 5.9. Se trata de poner una
resistencia 𝑅𝑆 en el emisor del transistor de paso e intercalando entre la unión Base-
Emisor-Resistencia dos o más diodos, de forma que para valores bajos de la corriente
de carga, la caída de tensión en 𝑅𝑆 no es suficiente para pasar los diodos al estado de
conducción. Hay sin embargo un valor de corriente 𝐼𝐿_𝑀𝐴𝑋 tal que polariza a los diodos
en sentido directo desviando por ellos la corriente de la fuente sin regular y protegiendo
así al transistor de paso.

Q1 Rs

R3 D1 DN

Q2

Figura 5.9. Solución clásica para la protección frente a sobrecargas

Para que los diodos entren en conducción se tiene que cumplir:

𝑉𝐵𝐸_𝑄1 + 𝐼𝐸 · 𝑅𝑆 ≥ 𝑛𝑉𝐷_𝑜𝑛 (5.31)

La corriente máxima que puede circular por la carga sin que se disparen los
diodos será:
𝑛·𝑉𝐷_𝑜𝑛 −𝑉𝐵𝐸_𝑄1
𝐼𝐸_𝑀𝐴𝑋 = (5.32)
𝑅𝑆

A estos métodos activos hay que añadir un fusible en serie aunque su protección
a veces no es eficiente porque la constante de tiempo térmica del fusible es
normalmente mucho mayor que la del transistor de paso.
El método de la 𝑅𝑆 en serie requiere una cierta disipación de potencia y degrada
algo la función del regulador porque aumenta la impedancia de salida en una cantidad
igual al valor de 𝑅𝑆 . Por eso 𝑅𝑆 debe tener el valor más pequeño posible.
Otro mecanismo más sofisticado de limitación de corriente se muestra en la
figura 5.10.

Q1
Vin

R3

R5

1
RL
Q2 1 2 2
D1

R4

Q3
0

Figura 5.10. Solución alternativa para la limitación de corriente en carga.

 Para bajos niveles de corriente, el transistor Q3 se encuentra en saturación por
lo que presenta una baja resistencia. Para sobrecargas, se ajusta la resistencia variable
R4 de forma que la corriente máxima produce una caída de tensión que pasa a
conducción al diodo D1. La conducción de D1 baja la tensión Base-Emisor del transistor
Q3 pasando al transistor a una baja conducción o al corte.
En el caso en que aparezca un cortocircuito en la carga (𝑅𝐿 = 0), toda la tensión
𝑉𝑜 aparece en el colector de Q3 junto con el valor máximo de la corriente. Por tanto, Q3
debe ser capaz de disipar la potencia correspondiente. Cuando se alcanza la corriente
límite, la temperatura de la unión de Q3 se eleva considerablemente sobre la
temperatura ambiente, haciendo aumentar la corriente de cortocircuito debido a la deriva
térmica de la tensión base-emisor. Este efecto se minimiza montando al transistor Q3 y
al diodo D1 sobre el mismo disipador de calor.

5.5. Soluciones con Amplificadores Operacionales.

Existen muchas aplicaciones en las que no necesarios altos niveles de corriente,
en especial para dispositivos portátiles de bajo consumo. Veremos que podemos
obtener fuentes de tensión y de corriente controlables mediante el uso de Zeners y
Amplificadores Operacionales. La alta impedancia de entrada, baja impedancia de
salida y la facilidad para controlar la ganancia hace que este circuito sea especialmente
idóneo para la regulación de baja potencia. Hemos visto que el diodo zener polarizado
en el codo zener proporciona un mecanismo de regulación fijando la tensión zener en
un gran rango de corrientes. Conjugando el diodo zener polarizado en su codo con el
Amplificador operacional podemos obtener útiles referencias de tensión que pueden ser
utilizadas en circuitos de regulación.
La figura 5.11 a) y b) muestran un diodos zener polarizados conectados a la
entrada inversora o no inversora de un amplificador operacional. La función del conjunto
es obtener una referencia arbitraria de tensión estable sobre una salida de baja
impedancia (la del AO).

𝑅2
𝑅2 𝑉𝑜 = 1 + · 𝑉𝑍
𝑉𝑜 = − ·𝑉 𝑅1
𝑅1 𝑍

Figura 5.11. Referencias de Tensión con zener y A.O.

 De acuerdo con el esquema general de regulador de tensión propuesto en la
figura 5.6, podemos utilizar la referencia zener y el amplificador operacional para
construir un regulador que posee un verdadero amplificador diferencial lineal en el lugar
del transistor Q2 del esquema clásico. La figura 5.12 muestra un regulador de tensión
que usa una referencia de tensión zener sobre la entrada no inversora del AO. Se ha
incluido la resistencia 𝑅𝑏 que limita la corriente de base del transistor Q1.

RP

Ro 𝑅2 + 𝑅1
Q1 𝑉𝑜 = · 𝑉𝑍
𝑅2

7
U2
3 5

V+
+ OS2
Vz Rb R1
6
Vin OUT
2 1

V-
- OS1 RL

D1
4 R2
0

Figura 5.12. Regulador de Tensión con referencia zener y AO.

5.5.1. Referencias Zeners ajustables.

El elemento más importante del regulador de tensión es la referencia de tensión
con la que se realiza la comparación. Las fuentes de alimentación actuales deben
proporcionar cada vez menores niveles de tensión regulada (5 Voltios, 3.3 Voltios, 1.1
Voltios, 0.9 Voltios). Los diodos Zeners actuales no superan tensiones de ruptura
inferiores a 1.8 Voltios por lo que es necesario buscar topologías que nos permitan
obtener referencias de tensión de cualquier valor e incluso negativas. La conjugación
del zener con el AO nos permite conseguir esas referencias con facilidad. La figura 5.13
muestra una referencia que puede obtener cualquier valor positivo entre 𝑉𝑍 y cero,
siendo 𝑉𝑧 la tensión de ruptura del zener. La misión del amplificador operacional es
proporcionar la baja impedancia de salida necesaria. El condensador actúa de filtro para
el ruido térmico y shot en las resistencias y diodo.
Vin

RP

Vz

R1 -
𝑅2
𝑉𝑜 = 𝑉𝑧 ·
𝑅1 + 𝑅2
OUT
D1
C1 +

R2 OA

Figura 5.13. Referencia de tensión positiva ajustable mediante AO

 La topología de la referencia de tensión en la figura 5.14 proporciona una tensión
de salida negativa y ajustable con valores superiores o inferiores a 𝑉𝑍 .

D1 R2
C1

R1
Vz
- 𝑅2
𝑉𝑜 = −𝑉𝑍 ·
RP OUT
𝑅1
+

OA

-Vin
0

Figura 5.14. Referencia de tensión negativa ajustable mediante AO

5.5.2. Referencias de tensión Band-Gap

Las referencias de tensión basadas en diodos zener presentan dos problemas.

Uno inherente al fenómeno zener: La generación de ruido propio del fenómeno del flujo
de electrones por efecto túnel y avalancha. El ruido producido es de tipo shot por lo que
posee un amplio espectro. La amplificación del ruido producido por un zener polarizado
en el codo es un método habitual de obtener fuentes de ruido gaussiano. El otro
problema es la dependencia térmica. Como todo diodo, la referencia de tensión zener
depende de la temperatura.

Estos problemas se solventan en gran medida utilizando referencias de tensión

llamadas ‘Band-Gap’ o referencias de Banda Prohibida o de Salto de Banda que fueron
desarrolladas por Wildar y otros en la década de los 70. Una referencia de tensión Band-
Gap es un circuito ampliamente utilizado en circuitos integrados que produce una
tensión constante independiente de la temperatura con un nivel de ruido sensiblemente
menor que el producido en codos Zeners. El circuito original desarrollado presentaba
una tensión constante entorno a los 1,25 Voltios, análogos a los que se producen en la
banda prohibida del silicio a 0 Kelvins (1,205 eV). De ahí el nombre de la referencia.
Las referencias de tensión Band-Gap se basan en la compensación del
coeficiente de temperatura negativo de la tensión 𝑉𝐵𝐸 de una unión base-emisor de un
transistor bipolar, con el coeficiente de temperatura positivo de la tensión térmica 𝑉𝑇 .
En un transistor bipolar polarizado en la región activa se cumple que la tensión
Base-Emisor es una función de la corriente de Colector 𝐼𝐶 y de la Corriente de Saturación
de la Unión Base-Emisor 𝐼𝑆 (parámetro Spice):

𝑉𝐵𝐸
𝐼
𝐼𝑐 = 𝐼𝑠 · 𝑒 𝑉𝑇
⇒ 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇 · 𝑙𝑛 (𝐼𝐶 ) (5.33)
𝑆
 Donde 𝑉𝑇 es la tensión térmica:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = (5.34)
𝑞

e 𝐼𝑠 la corriente de saturación de la unión Base-Emisor

𝐸𝑔 𝑉𝑔
3 −( ) 3 −
𝐼𝑆 = 𝐴𝐸 · 𝐾 · 𝑇 · 𝑒 𝑘𝑇 = 𝐴𝐸 · 𝐾 · 𝑇 · 𝑒 𝑉𝑇 (5.35)

Donde 𝑇 es la temperatura absoluta, 𝐴𝐸 es el área de la unión Base-Emisor, 𝑉𝑔 =

𝑞𝐸𝑔 es la tensión del gap (para el silicio 𝑉𝑔 = 1.205 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠), 𝐾 es una constante (véase
solución del problema 6 de la relación 3) y 𝑉𝑇 es la tensión térmica (𝑉𝑇 = 25.8 𝑚𝑉 𝑎 27𝑜 ).
La corriente de saturación está en el rango de los picoamperios a los femtoamperios.

Los coeficientes de temperatura de la tensión térmica 𝑉𝑇 y de la tensión Base-

Emisor son:
𝜕𝑉𝑇 𝑘 0.0862𝑚𝑉
𝑆𝑇 (𝑉𝑇 ) = = = >0 (5.36)
𝜕𝑇 𝑞 grado

Coeficiente de temperatura positivo

𝜕𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸 −𝑉𝐺 𝑉𝑇

𝑆𝑇 (𝑉𝐵𝐸 ) = = −3 <0 (5.37)
𝜕𝑇 𝑇 𝑇

Coeficiente de temperatura negativo

Dado que los coeficientes de temperatura tienen polaridad opuesta, si en un
circuito como el de la figura 5.15, se suman dos componentes con tensiones
proporcionales a 𝑉𝑇 y 𝑉𝐵𝐸 , los coeficientes de temperatura se cancelan dando lugar a
una referencia de tensión estable. El amplificador operacional sirve para elevar el valor
de la tensión de referencia 𝑉𝑅𝑒𝑓 a un valor estándar de 5 Voltios.
R5

1.281V VSS 3.72k

U2
4

R4 uA741
2 1 5.002V
V-

- OS1
1.28k
6
OUT
3 5
V+

+ OS2
0
7

VCC
𝑉𝑟𝑒𝑓 1.281V R6

5.002V
980

R2 𝑅2
· ∆𝑉𝐵𝐸 VCC
1046 R1 1238
𝑅3 15.00V 𝑅2
Q3
Q2N2222A
𝑉𝑅𝑒𝑓 = 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 + · ∆𝑉𝐵𝐸
𝑅3
633.1mV
V1
Q2N2222A 15
Q2
Q2N2222A 671.5mV

0V
Q1
𝑉𝐵𝐸_𝑄3
V2 0
6.532mV R3 0V 15
9.15

𝑉𝐵𝐸_𝑄1 − 𝑉𝐵𝐸_𝑄2 = ∆𝑉𝐵𝐸 -15.00V

VSS

Figura 5.15. Referencia de tensión Band-Gap.

 En el circuito, la tensión proporcional a 𝑉𝑇 se obtiene utilizando una fuente de
Widlar. La caída de tensión en la resistencia R2 depende de la diferencia de tensiones
Base-Emisor del transistor Q1 y Q2:

𝑅
𝑉𝑅2 = 𝑅2 · ∆𝑉𝐵𝐸 (5.38)
3

Donde
𝐼𝐶_𝑄1 𝐼𝑠_𝑄2 𝐼𝐶_𝑄1
∆𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸_𝑄1 − 𝑉𝐵𝐸_𝑄2 = 𝑉𝑇 𝑙𝑛 ≅ 𝑉𝑇 𝑙𝑛 (5.39)
𝐼𝐶_𝑄2 𝐼𝑠_𝑄1 𝐼𝐶_𝑄2

Así, la caída de tensión en R2 depende de la tensión térmica que tiene un

coeficiente de temperatura positivo determinado por (5.36). Si los transistores Q1 y Q2
están construidos sobre el mismo sustrato y son idénticos, las corrientes de saturación
de cada uno de ellos son iguales y se pueden eliminar.
Por otro lado, la caída de tensión 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 en el transistor Q3 tiene un coeficiente
de temperatura negativo determinado por (5.37).
La tensión de referencia es la suma de la caída de tensión en R2 más la tensión
Base-Emisor del transistor Q3:
𝑉𝑅𝑒𝑓 = 𝑉𝑅2 + 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 = 𝑥𝑉𝑇 + 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 (5.40)

Siendo

𝑅 𝐼𝐶𝑄1
𝑥 = 𝑅2 𝑙𝑛 ( ) (5.41)
3 𝐼𝐶𝑄3

Para que los coeficientes de temperatura se cancelen en 𝑉𝑅𝑒𝑓 se tendrá que

verificar que:

𝑆𝑇 (𝑉𝑅𝑒𝑓 ) = 𝑆𝑇 (𝑥𝑉𝑇 ) + 𝑆𝑇 (𝑉𝐵𝐸_𝑄3 ) = 0 (5.42)

O lo que es lo mismo:
𝑘 𝑉𝐺 −𝑉𝐵𝐸𝑄3 𝑉𝑇
𝑆𝑇 (𝑉𝑅𝑒𝑓 ) = 𝑥 𝑞 − ( +3 )=0 (5.43)
𝑇 𝑇

De donde
𝑉𝐺 −𝑉𝐵𝐸_𝑄3
𝑥= +3 (5.44)
𝑉𝑇

Por lo que podemos calcular la relación entre las resistencias R2 y R3

conjugando las ecuaciones (5.41) y (5.44):
𝐼𝐶
𝑄1
𝑙𝑛( )
𝑅3 𝐼𝐶
𝑄3
= 𝑉𝐺−𝑉𝐵𝐸_𝑄3 (5.45)
𝑅2 +3
𝑉𝑇

Además, según (5.40), la tensión de referencia Band-Gap será:

𝑉𝐺 −𝑉𝐵𝐸_𝑄3
𝑉𝑅𝑒𝑓 = 𝑥𝑉𝑇 + 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 = ( + 3) 𝑉𝑇 + 𝑉𝐵𝐸_𝑄3 = 𝑉𝐺 + 3𝑉𝑇 = 1.282 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 (27𝑜 𝐶) (5.50)
𝑉𝑇
 Calculadas y ajustadas de acuerdo con la tensión Base-Emisor que proporciona
el simulador, podemos obtener la curva del coeficiente de temperatura siguiente:

Observemos que en el margen de temperaturas de 0 a 40 grados, el circuito es

virtualmente independiente de la temperatura. A -50 grados, la dependencia es de 150
microvoltios/grado al igual que a 150 grados. De 0 a 80 grados el coeficiente no es
superior a los 40 microvoltios/grado.

5.6. Ejemplos de Circuitos Reguladores.

5.6.1. Regulador Paralelo simple.

A continuación se muestran algunos circuitos reguladores de interés. La figura
5.16 muestra un regulador paralelo básico realizado con un solo diodo zener. El efecto
de regulación no es debido a realimentación negativa, sino a la respuesta no lineal que
tiene el zener en su codo.
Rs

40
Vv ar V
VOFF = 0
VAMPL = 3 D1
FREQ = 100 RL
D1N4733
200
Vin
10

0
Figura 5.16. Regulador de tensión paralelo básico

El factor de regulación de este regulador es:

∆𝑉 𝑟𝑧 𝑟
𝑆𝑉 = ∆𝑉 𝑜 | =𝑅 ≅ 𝑅𝑍 (5.51)
𝑖𝑛 ∆𝐼𝐿 =∆𝑇=0 𝑆 +𝑟𝑧 𝑆
 Lo deseable es que el factor de regulación 𝑆𝑉 F sea lo más pequeño posible,
para que la tensión de salida cambie poco ante variaciones de la tensión de entrada. De
acuerdo con (5.51), es necesario que la resistencia dinámica del diodo 𝑟𝑍 en el punto de
polarización sea pequeña comparada con 𝑅𝑆 . En el caso del ejemplo de la figura 𝑟𝑍 =
0.21Ω por lo que 𝑆𝑉 = 0.21⁄40 = 5.25 · 10−3.
Por otro lado, la resistencia de salida será el equivalente thevening del circuito:

∆𝑉𝑜
𝑅𝑜𝑢𝑡 = | = 𝑟𝑧 ∥ 𝑅𝑆 ≅ 𝑟𝑍 (5.52)
∆𝐼𝐿 ∆𝑉 =∆𝑇=0
𝑖𝑛

Finalmente, el coeficiente de temperatura solo dependerá del único elemento

que posee dependencia térmica (despreciamos la dependencia térmica de las
resistencias). Como el diodo está en paralelo con la carga el coeficiente de temperatura
coincide con el coeficiente de temperatura del diodo. Podemos calcularlo mediante
simulación. 744u

742u

740u

738u

736u
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
D(V(RP:2))
TEMP

∆𝑉𝑜
𝑆𝑇 = |
∆𝑇 ∆𝑉𝑖𝑛 =∆𝐼𝐿 =0
= 0.7𝑚𝑉/𝑜 𝐶 (5.53)

Tengamos en cuenta que la corriente máxima que soporta el diodo zener es la

corriente máxima que soportará la carga.
𝐼𝑅𝐿_𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 (5.54)

5.6.2. Regulador paralelo con transistor.

El circuito de la figura 5.17 muestra un regulador paralelo con un transistor que

introduce realimentación negativa:

Rs

40 D1

VOFF = 0
Vv ar 𝑉𝑍
VAMPL = 3 D1N4733
Q1
FREQ = 100
RL
Vin Q2N2222A 200
10 R2
𝑉𝐵𝐸
30k

Figura 5.17. Regulador paralelo con un transistor.

 El transistor, además de realizar una función de realimentación negativa permite
ampliar la potencia entregada en carga. De acuerdo con la topología del circuito,
podemos decir que la tensión en la carga 𝑅𝐿 coincide con la tensión Colector-Emisor del
transistor Q1 que a su vez, debe ser igual a la caída de tensión Base-Emisor más la
caída de tensión en del diodo zener:

𝑉𝑜 = 𝑉𝐶𝐸_𝑄1 = 𝑉𝐵𝐸𝑄1 + 𝑉𝑍 (5.55)

El efecto realimentador negativo es el siguiente: Si la tensión de salida 𝑉𝑜 baja,

la corriente de polarización del zener baja y la corriente de base y colector del transistor
también bajan, lo que lleva el punto de trabajo del transistor a una tensión Colector-
Emisor mayor lo que compensa la perturbación que generó la caída de tensión en 𝑉𝑜 .

Si elegimos la resistencia 𝑅2 lo suficientemente grande se verifica

aproximadamente que:
𝐼𝑍 ≅ 𝐼𝐵 |𝑅2≫ (5.56)

Si ocurre (5.56) podemos decir que el consumo total de corriente es:

𝐼𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐶_𝑄1 + 𝐼𝐿 (5.57)

Ahora bien, si 𝑅𝐿 → ∞, 𝐼𝐿 → 0 y toda la corriente se derivaría por el zener y el

transistor. En el caso en que la resistencia de carga sea infinito o se haya desconectado
el regulador del dispositivo a regular, ocurre que la corriente total deberá limitarse de
manera que:

𝐼𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙_𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 + 𝐼𝐶_𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 + 𝛽 · 𝐼𝐵_𝑀𝐴𝑋 (5.58)

Y si se verifica (5.56), podemos decir que:

𝐼𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙_𝑀𝐴𝑋 = 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 + 𝛽 · 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 = 𝛽 · (1 + 𝐼𝑧𝑀𝐴𝑋 ) ≅ 𝛽 · 𝐼𝑍_𝑀𝐴𝑋 (5.59)

Por lo que podemos decir que el consumo total no deberá exceder beta veces la
corriente máxima que soporte el zener. Esta corriente, en ausencia de carga, es
consumida, en efecto por el transistor que deberá soportarla. Observemos que en este
circuito la corriente máxima que puede pasar por la carga es beta veces la del circuito
anterior con un solo diodo.

Este circuito presenta también un comportamiento térmico mejorado ya que al

verificarse que 𝑉𝑜 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝐵𝐸 el coeficiente de temperatura tiene dos partes:

𝜕𝑉𝑜 𝑑𝑉𝑍 𝑑𝑉𝐵𝐸

𝑆𝑇 = | = + (5.60)
𝜕𝑇 ∆𝑉𝑖𝑛 =∆𝐼𝐿 =0 𝑑𝑇 𝑑𝑇

Observemos que las dos uniones semiconductoras, la del diodo zener polarizada
en inversa y la de la Unión Base-Emisor del Transistor posee coeficientes de
temperatura invertidos que, aunque no están equilibrados, suponen una reducción del
coeficiente.
5.6.3. Regulador serie con Amplificador Operacional.

Analicemos el circuito de la figura 5.6 a) que repetimos en la figura 5.18.

𝑉𝑖𝑛
Figura 5.18. Regulador serie con un AO.

𝑉𝐵𝐸
𝑣𝜀 𝐴

Figura 5.18. Regulador Serie con AO.

Supongamos que el AO tiene una ganancia en lazo abierto de valor 𝐴 muy alto.
La tensión de salida regulada 𝑉𝑜 está relacionada con la tensión de salida del AO de
forma que:
𝑉𝑜 = 𝑉𝑜′ + 𝑉𝐵𝐸 = 𝐴 · (𝑉𝑅 − 𝛽𝑉𝑜 ) + 𝑉𝐵𝐸 (5.61)
Reagrupando términos tenemos:
𝐴·𝑉𝑅 +𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑜 (1 + 𝐴𝛽) = 𝐴 · 𝑉𝑅 + 𝑉𝐵𝐸 ⇒ 𝑉𝑜 = (5.62)
1+𝐴𝛽

Si la ganancia del amplificador operacional en lazo abierto es muy grande 𝐴 ≫

comparada con la tensión 𝑉𝐵𝐸 del transistor (5.62) puede reducirse a:

𝐴·𝑉𝑅 𝑉𝑅
𝑉𝑜 ≅ ≅ 𝑠𝑖 𝐴𝛽 ≫ (5.63)
1+𝐴𝛽 𝛽

Donde 𝛽 es el denominado factor de realimentación (no confundir con la 𝛽 del

transistor) o porción de la tensión de salida que se lleva a la entrada. En el caso de la
figura se trata de un partidor de tensión por lo que 𝛽 es una tensión en voltios que vale:
𝑅2
𝛽=𝑅 (5.64)
1 +𝑅2

Por lo que podemos decir que si 𝐴 ≫ y𝐴𝛽 ≫ que:

𝑅1 +𝑅2
𝑉𝑜 = · 𝑉𝑅 (5.65)
𝑅2
 La figura 5.19 muestra un ejemplo práctico de un regulador de 7.5 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 con
una tensión nominal de entrada de 𝑉𝑜 = 10 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠.
RP

9.957V 7.500V
460
7.500V

Ro
Q1

1
10.00V

7
U3 8.417V R1
Vz 3 5

V+
+ OS2 5k
Vin 5.000V 6
10 OUT RL
2 1 5.000V

V-
D1 - OS1 200
uA741 8.417V
D1N4733 R2

4
0 10k

0V

Figura 5.19. Regulador serie de 7.5 Voltios con AO.

En este regulador hemos sustituido el transistor Q2 clásico por un amplificador

operacional. La inclusión de este amplificador diferencial lineal de alta ganancia mejora
las características del regulador. Calculemos sus parámetros mediante simulación:
El factor de regulación de entrada es:

7.5004V

7.5003V

7.5002V

7.5001V

7.5000V

7.4999V

7.4998V
8V 10V 12V 14V 16V 18V 20V 22V 24V 26V 28V 30V
V(R1:2)
V_Vin
29.5u

29.0u

28.5u

28.0u

27.5u

27.0u

26.5u
8V 10V 12V 14V 16V 18V 20V 22V 24V 26V 28V 30V
D(V(R1:2))
V_Vin

𝑆𝑉 = 27 · 10−6 = 27 𝜇𝑉 ⁄𝑉
 La resistencia de salida es: 𝑅𝑜 < 0.5 · 10−3 Ω

1.87m

1.50m

1.00m

0.50m

0
-70.796mA -70.600mA -70.400mA -70.200mA -70.000mA -69.800mA -69.600mA -69.400mA -69.200mA -69.000mA -68.800mA -68.600mA -68.400mA -68.200mA
D(V(R1:2))
I(RL)

El coeficiente térmico es:

828u

827u

826u

825u

824u

823u

822u
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
D(V(R1:2))
TEMP

𝑆𝑇 = 0.82 𝑚𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠/𝑜 𝐶

Estos parámetros son considerablemente mejores que los calculados en el

regulador a transistores.

5.6.4. Regulador serie con Amplificador Operacional y protección contra

sobrecargas.

En el circuito del ejemplo anterior hemos incluido un transistor adicional para evitar
sobrecargas de corriente en la carga (figura 5.20). Mientras el transistor Q2 se
mantenga cortado, el regulador funcionará como si éste no existiera.
 RP

460

Ro Rsense
Q1
PARAMETERS:
1 12.3 V

7
U3 R1
Q2
Vz 3 5

V+
+ OS2 5k
Vin 6 Q2N2222A
10 OUT RL
2 1

V-
D1 - OS1 {200/n}
uA741
D1N4733 R2

4
0 10k

Figura 5.20. Regulador con AO con protección contra sobrecorrientes.

Analíticamente y de acuerdo con la topología, la tensión Base-Emisor del Q2 será:

𝑉𝐵𝐸_𝑄2 = 𝐼𝑅𝐿 · 𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑒 (5.66)

Siempre que la corriente en la carga 𝐼𝑅𝐿 no supere un cierto límite, la tensión Base-
Emisor del transistor Q2 estará por debajo de 0.6 voltios y se encontrará en situación de
corte. Sin embargo, cuando 𝐼𝑅𝐿 lo supere, el transistor entrará en conducción haciendo
que la corriente de base que mantiene la regulación en Q1 se desvíe hacia Q2 y la
tensión Colector-Emisor de Q1 aumente, disminuyendo el valor de la tensión regulada
y haciendo que la corriente que circula también baje. Se trata de otro mecanismo de
realimentación negativa que se superpone al de regulación.
Para estudiar ese efecto, hagamos un análisis paramétrico haciendo que la carga
𝑅𝐿 disminuya desde un valor donde el circuito regula, por ejemplo 200Ω hasta un valor
muy pequeño próximo a cero:
120mA

100mA

80mA

60mA

40mA

20mA
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-I(RL)
200/n

Observamos que el efecto regulador (en carga hay 7.5 Voltios), hasta una
resistencia 𝑅𝐿 de 80 ohmios. Cuando la carga disminuye por debajo de 80 ohmios, ya
no se mantiene la tensión regulada y aumenta la corriente hasta un valor máximo de
100mA cuando la carga se convierte en un cortocircuito.
 La tensión en la carga evoluciona de la siguiente manera:

8.0V

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
V(R1:2)
200/n

Realizar el estudio analítico de este comportamiento como ejercicio.

5.7. Soluciones Integradas.

Hoy en día existe una gran variedad de soluciones integradas en

reguladores de tensión lineales. Las primeras soluciones integraban la estructura
discreta de regulador serie que incluía el transistor de paso, el amplificador
diferencial, una referencia de tensión Band-Gap y una protección contra
cortocircuitos (La serie 78XX, por ejemplo), dando lugar a una nueva serie de
dispositivos discretos de tres terminales (figura 5.21).

78xx
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑜

Figura 5.21. Regulador serie integrado clásico

Posteriormente se desarrollan familias de reguladores lineales que

poseen alguna característica común:

 Reguladores con capacidad de cambiar su polaridad en función de una referencia

interna o externa.
 Reguladores con capacidad de cambiar la tensión regulada (Reguladores de
tensión variable controlados externamente).
 Reguladores con corriente máxima de salida programable antes de desactivarse.
  Reguladores de bajo dropout o de baja diferencia de tensión entre la entrada no
regulada y la regulada.
 Reguladores con función de desconexión programable.
 Reguladores caracterizados por un tipo de encapsulado con capacidad de
disipación térmica.
La tabla presenta algunos ejemplos de reguladores comerciales

Las principales casas comerciales que fabrican reguladores integrados son:

Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, Rohm, ST Microelectronics o
Texas Instruments y pueden adquirirse en distribuidores internacionales tales como
www.farnell.com ó www.rs-online.com
Las casas comerciales suelen presentar, además de los parámetros básicos del
regulador, añaden algunos otros que con carácter general son:
1. Coeficiente de Regulación (𝑚𝑉⁄𝑉 ó 𝜇𝑉/𝑉): Derivada de la tensión de salida
frente a la tensión de entrada.
2. Regulación de Línea: Coeficiente de regulación pero expresado en % para
una cierta tensión dada.
3. Resistencia de Salida: Derivada de la tensión de salida frente a la corriente
en la carga.
4. Regulación de Carga: Es también una medida de la impedancia de salida:
Relación entre el cambio en la corriente de carga y la caída o incremento de
tensión que produce. Si la resistencia depende de la tensión de salida se
representa gráficamente.
5. Coeficiente de temperatura: Derivada de la tensión de salida frente a la
Temperatura.
6. Tensión regulada de salida 𝑉𝑜 : Tensión regulada que se expresa siempre
para un valor de corriente de carga con unos valores máximo y mínimo.
7. Corriente máxima en carga: Corriente máxima que puede suministrar el
regulador dentro de los límites de regulación de línea y de carga. Se pueden
distinguir rangos de corriente de funcionamiento en los circuitos integrados:
Tres rangos: Baja corriente: Reguladores para corrientes inferiores a 500mA.
Media corriente: Reguladores entre los 750mA y 1500mA. Alta corriente:
Reguladores para corrientes superiores a los 3ª.
8. Tensión de entrada sin regular 𝑉𝑖𝑛 : Se admiten en general márgenes
bastante amplios frente a la tensión regulada.
 9. Dropout: Diferencia mínima entre la tensión de entrada y salida regulada.
Existe un gran interés en el diseño de fabricar reguladores de bajo dropout
con el objetivo de minimizar el consumo del regulador.
El espectro de reguladores lineales integrados que ofrecen las casas
comerciales es muy amplio. Por eso, la única solución razonable es usar los catálogos
ante un problema concreto.
Existen algunos reguladores que permiten incluir referencias de tensión externas
tales como diodos Zeners discretos o Referencias Band-Gap Integradas.

5.8. Fuentes Reguladas de Tensión Ajustables.

A veces es necesario disponer de tensiones reguladas variables o bien que la

tensión que se necesita no se encuentra entre los valores estándar ofrecidos por los
fabricantes. Para conseguir un regulador de tensión ajustable podemos recurrir a
reguladores integrados con partidores de tensión y a amplificadores operacionales
separados para construir esquemas tales como los que se muestran en las figuras 5.22,
5.23 y 5.24 para obtener tensiones reguladas superiores o inferiores al valor nominal del
regulador. El método consiste en sustituir las referencias zener de los esquemas
clásicos por los propios reguladores integrados.

El circuito propuesto en la figura 5.22 muestra un regulador serie positivo tipo

7805 que proporciona una tensión nominal de 5 Voltios para obtener una tensión
superior de 12 Voltios regulada.
Fuente No Regulada Carga
14.97V -64.82mA
U1 11.96V
69.78mA Ro MC7805C Vout
1 2
GND

IN OUT
0.5
69.78mA 4.996mA
R1
15.00V 59.82mA
3

1000
-4.959mA Iq
Vin
Vg RL
15
9.956mA 200
6.968V R2
69.78mA
700
0V

0 0
0V 0

Figura 5.22. Fuente regulada de 12 Voltios a partir de un regulador integrado de

5Voltios.

La salida del regulador MC7805 está regulada internamente a 5 Voltios sobre el

terminal 3 (supuesto de referencia), que normalmente se conecta a tierra cuando
usamos el dispositivo como un regulador a tensión fija. Si apoyamos este terminal a otro
nivel de tensión superior o inferior al nivel de tierra, obtendremos en el terminal de salida
2 tensiones superiores o inferiores a la nominal. Para obtener tensiones superiores
podemos calcular el valor de R1 y R2 de la siguiente manera:

𝑉𝑟𝑒𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉𝑅1 + 𝑉𝑅2 = 𝑉𝑅𝑒𝑓 + 𝑅2 (𝐼𝑞 + ) (5.66)
𝑅1
 𝑉𝑟𝑒𝑓
Si 𝐼𝑞 ≪ 𝑅1
, la tensión 𝑉𝑜 (5.66) se reduce a un partidor por lo que:

𝑅 𝑉𝑟𝑒𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉𝑟𝑒𝑓 (1 + 𝑅2 ) 𝑠𝑖 𝐼𝑞 ≪ 𝑅1
(5.67)
1

En el caso de la figura, si queremos obtener una tensión de salida de 𝑉𝑜 =

12 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 usando un regulador de 𝑉𝑅𝑒𝑔 = 5 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠. Este regulador puede suministrar
hasta 500mA. Supongamos un consumo de 5mA para R1. Entonces:

𝑉𝑟𝑒𝑓 5𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑅1 = = = 1000Ω
5 · 10−3 𝐴 5 · 10−3 𝐴

En una primera aproximación podemos pensar en que por el terminal 3 de tierra

circula una corriente del orden de la que circula por 𝑅1 de forma que 𝑅2 está sometida
al doble de corriente que 𝑅1 . Considerando que 𝐼𝑞 = 5𝑚𝐴 y despejando 𝑅2 de (5.66)
tenemos:
𝑉𝑜 −𝑉𝑟𝑒𝑓 12−5
𝑅2 = 𝑉𝑟𝑒𝑓 = 5 = 700Ω (5.67)
𝐼𝑞 + 𝑅 5·10−3 +
1000
1

Este resultado puede iterarse con los resultados obtenidos del simulador para
ajustar mejor la tensión de salida.

El circuito de la figura 5.23 muestra el mismo circuito de la figura anterior pero

sometido a una fuente de alimentación simétrica de ±10𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠 para obtener ahora una
tensión regulada menor que la nominal (𝑉𝑜 = 2 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜𝑠). Razonar sobre su
funcionamiento.

Fuente No Regulada Carga

9.990V -15.18mA
U1 2.036V
20.23mA Ro MC7805C Vout
1 2
GND

IN OUT
0.5
10.00V 20.23mA 4.997mA
R1
Vin1 10.18mA
3

1000
10 -5.058mA Iq
20.23mA Vg RL
0V
10.06mA 200
0 -2.961V R2

Vin2 700
10

0
10.06mA

-10.00V

Figura 5.23. Regulador Ajustable a una tensión menor que la nominal.

 Se puede mejorar la ganancia del lazo de realimentación usando un amplificador
entre 𝑉𝐺 y el terminal 3 del regulador (Fig. 5.24)

9.993V
Fuente sin regular
-55.52mA Carga
14.97V U1
60.52mA Ro MC7805C
1 2

GND
IN OUT
0.5
4.996mA
60.52mA 565.2uA 4.996V R1

3
U2 1000 49.96mA
15.00V

7
uA741
5 3

V+
-4.998mA OS2 +
6 79.73nA 4.996mA RL
Vin OUT
15 4.998mA 1 2 200

V-
OS1 - R2
4.996V 79.78nA
60.52mA 1000

4
-565.4uA

0V

Figura 5.24. Regulador de tensión de salida ajustable y gran estabilidad.

La misión de este amplificador operacional es actuar como buffer separador de

ganancia unidad para que las variaciones en la carga que detecta el partidor R1 y R2
no afecten al regulador.

5.9. Gestión de la Corriente de Salida.

Una de las necesidades más frecuentes en el uso de reguladores integrados es

aumentar el nivel de corriente en la carga. Esto se consigue añadiendo uno o mas
transistores de paso. La figure 5.25 muestra una solución para la serie 78xx. El transistor
MJE2955 puede proporcionar corrientes de hasta 5 Amperios. El valor de la resistencia
R1 determina cuando empieza a conducir este transistor de paso.

Fuente no Regulada

1.250W 4.982A Q1
5.000A Ro 22.88W
MJE2955 -4.771A Carga

0.05 9.750V 4.995V

907.6mW
10.00V -210.7mA
U1 4.995A
R1 MC7805C
V1 1 2 RL
GND

10 IN OUT 24.95W
50 1
-50.00W 17.84mA -223.5mA

15.92mW 8.858V 228.5mA

3

C1 C2
5.000A -4.976mA
10uF 100nF

0V

Figura 5.25. Solución Integrada con transistor externo para manejar potencias
en carga.
 Observemos el uso de condensadores a la entrada y a la salida del regulador,
útiles para filtrar cambios bruscos en la tensión de entrada. El uso de condensadores
para filtrar los cambios en las tensiones de entrada es completamente necesario pero
hemos de tener cuidado extremo en su elección ya que se pueden producir oscilaciones
no deseadas en la salida del regulador.