Diseño y Construcción de Un Distribuidor Amplificador para Audífonos

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD PROFESIONAL “ADOLFO LÓPEZ MATEOS”

ZACATENCO
“DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN
DISTRIBUIDOR AMPLIFICADOR PARA
AUDÍFONOS”
T E S I S
PARA OBTENER EL TÍTULO DE:

INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA
PRESENTAN:
LUIS ENRIQUE CÁRDENAS ZAMORA
JESSE DIEGO DURÁN GÓMEZ
ASESORES:
ING. HUGO JORGE MACÍAS PALACIOS
DRA. ITZALÁ RABADÁN MALDA
Ciudad de México, Junio 2018

ÍNDICE
JUSTIFICACIÓN ......................................................................................................................................... 1
OBJETIVO .................................................................................................................................................. 2
INTRODUCCIÓN ........................................................................................................................................ 3
CAPÍTULO 1 .............................................................................................................................................. 4
ANTECEDENTES ........................................................................................................................................ 4
1.1 Bulbos ............................................................................................................................................. 5
1.1.2 Características de los bulbos ....................................................................................................... 6
1.2 Amplificadores ............................................................................................................................... 7
1.2.1 Amplificador Operacional ........................................................................................................... 8
CAPÍTULO 2 ............................................................................................................................................ 10
MARCO TEÓRICO .................................................................................................................................... 10
2.1 Transistores .................................................................................................................................. 11
2.1.1 Funcionamiento y características de los transistores ............................................................... 12
2.2 Amplificador Operacional ............................................................................................................ 14
2.3 Amplificador de audio .................................................................................................................. 16
2.4 Amplificadores de audífonos........................................................................................................ 16
2.5 Etapas de un amplificador de audio ............................................................................................. 17
2.6 Amplificadores de potencia: clasificación y clases ....................................................................... 19
2.7 Potencia RMS ............................................................................................................................... 21
2.8 Características técnicas del amplificador ..................................................................................... 21
2.8.1 Impedancia ................................................................................................................................ 22
2.8.2 Factor de amortiguación ........................................................................................................... 22
2.8.3 Potencia de salida ..................................................................................................................... 23
2.8.4 Potencia máxima ....................................................................................................................... 24
2.8.5 Potencia máxima útil ................................................................................................................. 24

2.8.6 Potencia de pico ........................................................................................................................ 24
2.8.7 Relación señal/ruido ................................................................................................................. 25
2.8.8 Acoplamiento ............................................................................................................................ 25
2.8.9 Respuesta en fase ..................................................................................................................... 25
2.8.10 Ganancia.................................................................................................................................. 26
2.8.11 Sensibilidad ............................................................................................................................. 26
2.8.12 Distorsión ................................................................................................................................ 27
2.8.13 Diafonía ................................................................................................................................... 28
2.9 Umbral de Audición...................................................................................................................... 28
2.10 Respuesta en frecuencia ............................................................................................................ 29
CAPÍTULO 3 ............................................................................................................................................ 32
DESARROLLO Y DISEÑO .......................................................................................................................... 32
3.1 Diagrama a Bloques del prototipo propuesto .............................................................................. 33
3.2 Cálculos, diseño por etapas.......................................................................................................... 34
3.3 Simulación .................................................................................................................................... 38
3.4 Medición Señal a Ruido ................................................................................................................ 42
3.5 Selección de componentes .......................................................................................................... 44
3.6 PCB y Máscara de componentes .................................................................................................. 44
3.7 Pruebas y correcciones ................................................................................................................ 45
COSTOS Y PRESUPUESTOS...................................................................................................................... 48
CONCLUSIONES ...................................................................................................................................... 52
RECOMENDACIONES A FUTURO ............................................................................................................ 53
ANEXOS .................................................................................................................................................. 54
JUSTIFICACIÓN
Debido a que en la actualidad existen en el mercado un sin número de distribuidores

amplificadores para audífonos, se pretende diseñar y construir uno de acuerdo a las
necesidades del Estudio de Grabación de la ESIME Zacatenco.
Existen diversos tipos de amplificadores que pertenecen a marcas reconocidas tanto

a nivel nacional como internacional; encontrando como principal desventaja un costo
elevado, por lo tanto, este distribuidor amplificador pretende reducir costos, la
posibilidad de ser modificado internamente mediante módulos, fácil de transportar e
intuitivo.
1
OBJETIVO
Diseñar y construir un distribuidor amplificador para el uso de audífonos en el

Laboratorio de Grabación de la ESIME Zacatenco.
2
INTRODUCCIÓN
El presente proyecto está destinado al diseño y construcción de un distribuidor

amplificador para audífonos en el estudio de grabación, ya que actualmente tenemos la
carencia de dicho equipo para cubrir prácticas de la asignatura.
Como sabemos un amplificador de audio incrementa la señal de salida respecto a la de

entrada, sin alterar la información que contiene dicha señal.
En este desarrollo usaremos un amplificador de clase A ya que estos tienen un bajo

rendimiento, por lo que la mayoría de potencia absorbida de la alimentación es disipada
en forma de calor en los transistores. Se tomó la decisión de usar un arreglo tipo
Darlington, ya que este opera en bajas potencias.
Los audífonos a usarse con dicho prototipo son de impedancia baja (audífonos de
monitoreo); de acuerdo con el diseño propuesto tendremos la facilidad de poder agregar
módulos adicionales dependiendo la aplicación, así como los parámetros de la grabación
que se llevara a cabo en ese momento.
3
CAPÍTULO 1
ANTECEDENTES
4
1.1 Bulbos
Los bulbos fueron los dispositivos electrónicos activos por excelencia desde principios
del siglo XX. Entonces se vieron desplazados por los diminutos transistores y diodos de
estado sólido, capaces de desempeñar las mismas funciones en espacios mucho más
reducidos, con un menor peso y con temperaturas de funcionamiento muy inferiores a las
de los bulbos. Parecía ser un gran alivio para los músicos, ya que se conseguían mayor
potencia y menos peso. A principios de los setenta se empezó a apostar por la
amplificación a transistores y se empezaron a fabricar amplificadores de este tipo.
Pero el transistor se encontró desde un principio con un grave problema, su baja

linealidad y su mejor rendimiento teórico daban como resultado en circuitos de audio
sonidos con baja ganancia, cosa que no sucedía con los bulbos cuyo comportamiento es
más lineal que los transistores. Esta es una de las causas por las que el bulbo se ha
mantenido desde entonces en amplificadores para instrumentos musicales y aplicaciones
de audio profesional para estudios de grabación y alta fidelidad.
Un simple circuito con un solo bulbo puede dar una gran ganancia al sonido, por eso se
dice que ni un complejo circuito digital es capaz de emular al 100% el comportamiento de
un bulbo.
Figura 1.1 Imagen Ilustrativa de un Bulbo
5
Para que un bulbo funcione correctamente, necesita temperaturas superiores a los 100
ºC y algunas de ellas llegan incluso a los 250°C y 300°C. El componente del bulbo que
se encarga de calentar se llama filamento. Existen cuatro topologías de bulbos utilizadas
comúnmente en audio diferenciadas por el número de componentes internos, pero sin
tener en cuenta el filamento, que las componen:
 Diodos
 Tríodos
 Tetrodos
 Pentodos
En todas estas topologías tenemos dos elementos comunes: el ánodo y el cátodo. El

cátodo se encuentra alrededor del filamento del cual se desprenden los electrones que
fluyen hacia el ánodo creando una corriente eléctrica. Como bien se ha dicho
anteriormente ha de existir una temperatura mínima de funcionamiento en el cátodo para
que se produzca este flujo de electrones. Para facilitar el movimiento de los electrones
entre el cátodo y el ánodo, se ha de conseguir el vacío en el interior del bulbo. Se necesita
unas tensiones muy altas, para que los electrones que salen del cátodo sean atraídos
fácilmente por el ánodo (entre 300V y 600V). El resto de componentes utilizados en los
tríodos, tetrodos y pentodos permiten controlar la cantidad de electrones que pasan de
cátodo a ánodo introduciendo de esta forma el concepto de la amplificación.
1.1.2 Características de los bulbos
Algunas de las características de los bulbos son las siguientes:
 Los bulbos o válvulas tienen una ganancia relativamente baja

 Alta impedancia de entrada.
 Respuesta lineal
 La capacidad de aguantar abusos momentáneos
 Son más susceptibles a las vibraciones, que los dispositivos de transistores,
6
incluso sufren de ruido cuando se usan con filamentos en corriente alterna.
La mayoría de los amplificadores de bulbos usan un transformador de salida, el cual

añade distorsión del segundo armónico y presenta una caída gradual en la respuesta a
altas frecuencias.
Figura 1.2 Bulbos o válvulas de vacío
1.2 Amplificadores
Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilización de energía, magnifica la

amplitud de un fenómeno, es decir es un dispositivo utilizado para aumentar el sonido
con baja potencia para poder ser utilizado en un altavoz. Aunque el término se aplica
principalmente al ámbito de los amplificadores electrónicos, también existen otros tipos
de amplificadores, como los mecánicos, neumáticos e hidráulicos.
En términos particulares, un amplificador es un dispositivo en el cual entra una señal de

audio y a su salida tenemos una ganancia en amplitud. En audio, se usan de manera
obligada en las guitarras eléctricas y en los bajos, pues estos instrumentos no tienen caja
de resonancia, la señal se obtiene debido a que las cuerdas metálicas vibran sobre una
cápsula electromagnética, y esta señal no es audible, pero aumentada por un
amplificador suena con su sonido característico. Mediante su interfaz se le puede agregar
distintos efectos, distorsiones o reverberación entre otros.
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1.2.1 Amplificador Operacional
El Sr. George Philbrick, que trabajaba en los Huntington Engeneering Labs, y a quien se
le atribuye su invención, lo introdujo al mercado en el año 1948. La idea principal de estos
“operacionales” originales era la de ser utilizados en computadoras analógicas, para
sumar, restar, multiplicar y realizar operaciones más complejas. Fue la
empresa Fairchild la que en los años 1964 y 1967 introdujo al mercado los conocidos
Amplificadores operacionales 702, 709 y 741. Y la National Semiconductor hizo lo mismo
con el 101 y 301.
Estos circuitos integrados son muy versátiles, de bajo precio, tamaño pequeño y
redujeron el diseño de un amplificador a la adición de unos resistores. Con el paso de
los años y la mejora en la tecnología de fabricación, los amplificadores
operacionales mejoraron notablemente. En su configuración interna se reemplazaron
unos transistores bipolares por transistores de efecto de campo (JFET).
Estos amplificadores JFET están a las entradas del amplificador operacional

incrementándose así la impedancia de entrada de este. El operacional puede ahora
amplificar señales que pueden tener la amplitud de la fuente que los alimenta y tomar
muy poca corriente de la señal de entrada. Los transistores MOS (semiconductor de óxido
metálico) se pusieron en los circuitos de salida.
El primer amplificador (BIFET) con transistores de efecto de campo fue el LF356. El

amplificador operacional BIMOS como el CA3130 tiene entradas bipolares y salida MOS
(de allí viene el nombre). Estos últimos amplificadores son más rápidos y tienen una
respuesta mejor a las altas frecuencias que el conocido 741. Hay versiones de varios
operacionales en un solo integrado como el LM358 con 2 y el LM324 con 4 amplificadores
operacionales juntos.
En algún momento se tuvo que especializar el amplificador de propósito general que

hasta ahora se había utilizado y salieron al mercado una gran variedad del original con
las siguientes características:
8
 Capacidad de alta corriente, alto voltaje o ambos
 Amplificadores múltiples
 Amplificadores de ganancia programable
 Amplificadores de instrumentación y control automotriz
 Circuitos integrados para comunicaciones
 Circuitos integrados para radio / audio / video
Los amplificadores operacionales de propósito general no dejarán de usarse debido a su

gran demanda e infinidad de posibles aplicaciones, pero los amplificadores
operacionales de propósito específico como los de la lista anterior seguirán aumentando
con el avance de la tecnología.
http://unicrom.com/historia-amplificador-operacional/ (Desconocido, Electrónica

Unicrom, 2014)
http://www.neoteo.com/amplificadores-valvulares-valen-lo-que-pesan (Desconocido,
neoteo, 2010)
9
CAPÍTULO 2
MARCO TEÓRICO
10
2.1 Transistores
Una de las causas por las que se usan transistores es porque los bulbos son
excesivamente caros para amplificadores de muy alta potencia, ya que la mayoría de los
amplificadores de bulbos dan menos de 50W por canal.
Cuando salieron los primeros amplificadores de transistores, eran peores que los mejores
amplificadores de bulbos de aquellos días. Debido a las bajas capacidades internas, los
amplificadores de bulbos tienen unas características de entrada muy lineales, esto hace
a los amplificadores fáciles de alimentar y tolerantes a fuentes de altas impedancias de
salida; pero los amplificadores de transistores podrían tener un alto acoplamiento entre
entrada y salida. Sin embargo, algunos diseños de circuito reducen estos efectos, incluso,
algunos amplificadores de transistores evitan totalmente estos problemas usando JFET
como circuitos de entrada.
Figura 2.1 Amplificadores con Transistores.
11
2.1.1 Funcionamiento y características de los transistores
Los transistores operan con portadores minoritarios inyectados desde el emisor a la base
que hace que fluyan a través de la base hacia el colector, controlando la corriente de la
base. Los transistores BJTs están disponibles en pares emparejados y empaquetados, e
incluso en complejos circuitos integrados, donde están combinados con resistencia y
condensadores para conseguir funciones de circuitos complejos, como en el caso de este
proyecto.
Como sucedía con los bulbos, hay muchas clases de transistores, BJTs disponibles,
algunos con una alta ganancia de corriente, mientras que otros tienen una menor. Existen
transistores que son rápidos, y otros que son lentos. Algunos que manejan capacidades
de entrada baja y algunos tienen menos ruido que otros, es decir, existen como bien se
ha dicho muchos modelos distintos de transistores con características totalmente
diferentes.
En general, las características de la mayoría de los transistores son las siguientes:
 Tienen alta ganancia.

 Tienen baja resistencia de entrada.
 Se saturan rápidamente.
 Son lentos de recuperarse de la sobrecarga, de la saturación.
 Son también susceptibles a distorsión con altas temperaturas cuando se usan
incorrectamente.
Además de los transistores tipo BJT en el diseño de amplificadores se usan también

MOSFETs y JFETs.
Los MOSFETs al igual que en los BJTs, también están disponibles en pares y en circuitos
integrados. Los MOSFETs emparejados no se acoplan tan bien como los pares de
transistores bipolares, pero si lo hacen mejor que los de válvulas.
12
Los MOSFETs tienen algunas características como las siguientes:
 Tienen baja corriente de entrada y baja capacidad de entrada.

 Tienen menor ganancia
 Se saturan moderadamente y se recuperan rápidamente de la saturación
 Sin embargo, los MOSFETs no pueden soportar abusos como los BJTs.
Los JFETs, operan exactamente igual que los MOSFETs, pero no tienen una compuerta
aislada. Los JFETs comparten la mayoría de las características de los MOSFETs,
incluyendo parejas disponibles, tipos P y N. Por el contrario, los JFETs no están
disponibles normalmente como dispositivos de potencia, pero funcionan como excelentes
preamplificadores de bajo ruido. La unión de la compuerta da a los JFETs mayor
capacidad de entrada que los MOSFETs.
También podremos encontrar transistores bipolares de compuerta aislada; son una

combinación de un MOSFET y un transistor bipolar, pero se suelen usar para
amplificadores de extremadamente alta potencia.
Existen muchos tipos de transistores diferentes, en la práctica, cada uno tiene puntos
fuertes y débiles, incluso cada tipo de dispositivo está disponible en diferentes tipos de
encapsulado, la mayoría de ellos pueden usarse en casi todos los amplificadores con
éxito.
Figura 2.1.1 Transistores de inserción.

13
2.2 Amplificador Operacional
El amplificador operacional (AO), es un amplificador que posee, dos entradas activas

referidas a masa (entrada diferencial); la entrada inversora (-), y la no inversora (+). Tiene
una salida y se alimenta con tensión simétrica (dos fuentes de tensión).
El símbolo de un amplificador operacional es el siguiente:
Figura 2.2 Símbolo de un amplificador operacional
Los Terminales son:
V+: Entrada no inversora.

V-: Entrada Inversora
Vout: Salida
Vs+: Alimentación positiva
Vs-: Alimentación negativa.
Lazo Abierto:
Si no existe realimentación, la salida del AO será la resta de sus 2 entradas multiplicada

por un factor. Este factor suele ser del orden de 100,000 (que se considera infinito en
cálculos con el componente ideal). Por lo tanto si la diferencia entre las 2 tensiones es de
1mV la salida debería de ser 100V. Debido a la limitación que supone no poder entregar
más tensión de la que hay en la alimentación, el AO estará saturado si se da este caso.
Si la tensión más alta es la aplicada a la terminal positiva la salida será la que corresponde
14
a la alimentación Vs+, mientras que si la tensión más alta es la de la Terminal negativa
la salida será la alimentación Vs-.
Lazo Cerrado:
Se conoce como lazo a la retroalimentación en un circuito. Aquí se supondrá

realimentación negativa. Para conocer el funcionamiento de esta configuración se parte
de las tensiones en las 2 entradas exactamente iguales, se supone que la tensión en la
terminal positiva sube y por lo tanto la tensión en la salida también se eleva. Como existe
la realimentación entre la salida y la terminal negativa, la tensión en esta terminal también
se eleva, por tanto la diferencia entre las 2 entradas se reduce, disminuyéndose también
la salida, este proceso pronto se estabiliza y se tiene que la salida es la necesaria para
mantener las 2 entradas, idealmente con el mismo valor.
Siempre que hay realimentación negativa se aplican estas 2 aproximaciones para

analizar el circuito:
V+ = V-
I+ = I- = 0
Alimentación:
El amplificador operacional puede ser polarizado, tanto con tensiones simples como con
tensiones simétricas, si utilizamos tensiones simples, a la salida no podremos
conseguir valores menores de 0V. El valor de estas tensiones no suele ser fijo, dando los
fabricantes un margen entre un máximo y un mínimo, no teniendo ninguna consecuencia
en el funcionamiento del amplificador el valor de tensión que se escoja, únicamente las
tensiones de salida nunca superarán las tensiones de alimentación.
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2.3 Amplificador de audio
Etapa de potencia, amplificador de potencia o etapa de ganancia son los nombres que
se usan para denominar a un amplificador de audio. La función del amplificador como
sabemos es aumentar el nivel de una señal, incrementando, para ello, la amplitud de la
señal de entrada mediante corrientes de polarización (voltaje negativo, voltaje positivo)
en el transistor de salida.
El amplificador trabaja, internamente, con corriente continua; en caso de ser alimentado

con la tensión entregada por la red doméstica se necesita un transformador y rectificador
para adaptar el nivel de voltaje y tipo de corriente a los valores necesarios para el buen
funcionamiento del equipo.
Básicamente, se puede hacer la división atendiendo a los elementos que se van a usar,
por lo que podemos hablar de dos tipos de amplificadores:
• Amplificadores realizados con bulbos.

• Amplificadores realizados con transistores.
2.4 Amplificadores de audífonos
Un amplificador de audífonos es un amplificador de audio diseñado particularmente para

funcionar en audífonos en lugar de altavoces. Por lo general, forman parte de
reproductores portátiles de música, televisiones o amplificadores integrados. Los
amplificadores de audífonos comerciales permiten obtener ganancias mayores y son
capaces de dar una mayor corriente en comparación con los amplificadores incluidos en
reproductores portátiles.
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Figura 2.4 Amplificador de audífonos
La mayoría de los amplificadores para audífonos suelen proporcionar una potencia entre
10mW y 2W, dependiendo del uso específico del audífono y del propio diseño del
amplificador. El beneficio de tal potencia de salida con audífonos no está determinado,
ya que incluso audífonos con baja sensibilidad pueden conseguir altas amplitudes de
señal.
Un amplificador de audio puede representarse con una impedancia de entrada alta o

infinita; y una impedancia de salida muy baja o idealmente nula. Esto permite que unos
audífonos de baja sensibilidad suenen más alto gracias a la tensión extra proporcionada
por el amplificador de audio. La mayoría de amplificadores de audífonos tienen una
impedancia en el intervalo de 0.5 a 50 ohms. Una alta impedancia de salida puede causar
variaciones en la respuesta en frecuencia, debido a la variación de la impedancia de
carga a diferentes frecuencias. Además, lo que es aún más importante, con una baja
impedancia de salida del amplificador se reduce drásticamente la distorsión, mejorando
el control que tiene la fuente sobre el transductor. Lo que hace que tener una impedancia
de salida en el amplificador sea un parámetro importante.
2.5 Etapas de un amplificador de audio
La estructura general que tienen los amplificadores, y en la cual se basará y se tomará

en cuenta para el prototipo.
Se ha de tener en cuenta que los amplificadores comerciales constan de una o más

fuentes de alimentación, previos como controles de balance, graves, agudos, ganancia y
17
otros después de las etapas de potencia, sin estar contenidas las anteriormente dichas
en esta etapa. En el caso de existir control digital, el selector de canal puede ir incluido
en esa parte, aunque puede ser mecánico. Un extra que se ha extendido a casi la
totalidad de los amplificadores es el mando a distancia, lo cual como se ha de suponer
no es indispensable para estos equipos, sino que lo que ofrecen es una mayor comodidad
al usuario final.
Lo mínimo necesario que debe tener para que pueda funcionar un amplificador es:
• Fuente de alimentación.
• Control de volumen.
• Preamplificador (previos).
• Etapa(s) de potencia.
El esquema más normal de un amplificador es el siguiente:
FUENTE DE
ALIMENTACION AMPLIFICADOR
DE
POTENCIA
BALANCE
DERECHO CONTROL DE
ESTEREO
IZQUIERDO GANANCIA
ENTRADAS
Figura 2.5 Esquema general de un amplificador de audífonos.
 La fuente de alimentación es la encargada de transformar la tensión de 120 Volts en las

diferentes tensiones de trabajo que necesita el amplificador para trabajar correctamente.
Existen tres partes diferenciadas dentro de la fuente de alimentación: el transformador de
alimentación el rectificador y los filtros.
 El control de volumen y balance se suele hacer utilizando un potenciómetro. Una de las
ventajas que ofrece es que no puede añadir distorsión armónica a la señal, aunque por
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el contrario presenta la desventaja de que si añade un bajo ruido.
 La distorsión, la ecualización y efectos como la reverberación se añaden a la señal en
esta parte del amplificador. Debido a esto tendremos que más de un 50% del carácter del
sonido del amplificador depende del diseño del preamplificador.
 Hay que tener muy en cuenta la etapa de potencia ya que es la más importante.
2.6 Amplificadores de potencia: clasificación y clases
La primera clasificación que podemos hacer con los amplificadores viene determinada
por las frecuencias con las que va a trabajar. Si las frecuencias están comprendidas
dentro de la banda audible los amplificadores reciben el nombre de amplificadores de
audio frecuencia o amplificadores de baja frecuencia.
También, podemos hacer una clasificación atendiendo a su forma de trabajo:
a) Amplificadores de tensión: son los que su principal misión es suministrar

una tensión mayor en su salida que en su entrada
b) Amplificadores de potencia: aquellos que, aparte de suministrar una mayor tensión,

suministran también un mayor corriente (amplificación de tensión y amplificación de
corriente y, por ende, amplificación de potencia).
Este tipo de amplificadores pueden entregarnos en su salida toda la señal de entrada o

una parte de la misma; de acuerdo a esta característica, los amplificadores de potencia,
podemos clasificarlos de la siguiente forma:
Amplificadores clase A: un amplificador de potencia funciona en clase A cuando la

tensión de polarización y la amplitud máxima de la señal de entrada poseen valores tales
que hacen que la corriente de salida circule durante todo el período de la señal de
entrada; es frecuente en circuitos de audio y en los equipos domésticos de gama alta o
amplificadores de audio, ya que proporcionan una calidad de sonido potente y de muy
buena calidad.
19
La gran ventaja de la clase A es que es casi lineal, y en consecuencia la distorsión es
menor a comparación del resto.
Figura 2.6.1 Señal de un amplificador de clase A
Amplificadores clase B: un amplificador de potencia funciona en clase B cuando la

que hacen que la corriente de salida circule durante un semiperíodo de la señal de
entrada.
Figura 2.6.2 Señal de un amplificador de clase B
Amplificadores clase AB: son, por así decirlo, una mezcla de los dos anteriores, un
amplificador de potencia funciona en clase AB cuando la tensión de polarización y la
amplitud máxima de la señal de entrada poseen valores tales que hacen que la corriente
de salida circule durante menos de un período y más de un semiperíodo de la señal de
entrada.
Figura 2.6.3 Señal de un amplificador de clase AB
20
Amplificadores clase C: un amplificador de potencia funciona en clase C cuando la
que hacen que la corriente de salida circule durante menos de un semiperíodo de la señal
de entrada.
Figura 2.6.4 Señal de un amplificador de clase C
2.7 Potencia RMS
El termino RMS (por sus siglas en inglés) o raíz media cuadrática es utilizado
comúnmente para indicar que la potencia ha sido medida utilizando un metro que indica
el valor RMS del voltaje. Así que siendo una lectura de potencia promedio, este término
RMS, no debe ser utilizado cuando se habla de potencia. El nivel RMS o valor de una
onda se determina tomando el cuadrado de los valores de la señal en el tiempo,
promediando esos valores (la media) y sacando la raíz cuadrada de ese promedio. Hoy
en día con los metros RMS cada día más comunes, se hace más fácil este cálculo.
El valor RMS de una onda sinusoidal es el 0,707 de su valor máximo, o lo que es lo

mismo, el 70,7%.
2.8 Características técnicas del amplificador
Las características técnicas de cada modelo determinarán la calidad del amplificador:
 Impedancia.
 Factor de amortiguamiento.
 Potencia de salida.
 Relación señal a ruido.
 Acoplamiento.
21
 Respuesta en frecuencia.
 Respuesta en fase.
 Ganancia.
 Sensibilidad.
 Distorsión.
 Diafonía.
2.8.1 Impedancia
La impedancia (Z) es una medida de oposición que presenta un circuito a una corriente
cuando se aplica una tensión. La impedancia extiende el concepto de resistencia a los
circuitos de corriente alterna (CA), y posee tanto magnitud como fase, a diferencia de la
resistencia, que sólo tiene magnitud. Cuando un circuito es alimentado con corriente
continua (CC), su impedancia es igual a la resistencia, lo que puede ser interpretado
como la impedancia con ángulo de fase cero.
Cuando la impedancia de los audífonos aumenta, una mayor tensión y una menor
corriente será necesaria para su funcionamiento; en cambio la amplitud de la señal
disminuye para un determinado valor de tensión.
2.8.2 Factor de amortiguación
Indica la relación entre la impedancia nominal del altavoz a conectar y la impedancia de

salida del amplificador (la eléctrica que realmente presenta en su salida).
Cuanto mayor sea el factor de amortiguamiento mejor, pero por encima de doscientos,
puede significar que el amplificador está deficientemente protegido contra cargas
reactivas que pueden deteriorarlo.
El factor de amortiguamiento se expresa: 200 sobre 8 Ω, lo que significaría que la

impedancia de salida real del amplificador es de 0,04 Ω (8/200).
22
Muchos fabricantes incluyen el factor de amortiguamiento para graves, lo que resulta muy
útil, porque sabemos que ésa es la respuesta en frecuencia crítica. Vendría indicado
como 150 sobre 8 Ω a 60 Hz.
2.8.3 Potencia de salida
Hace referencia a la potencia eléctrica, no confundir con la potencia acústica.
Como en el altavoz, es la cantidad de energía que se puede introducir en la etapa de

potencia antes de que distorsione en exceso o de que pueda sufrir desperfectos. Se
especifica la potencia máxima del amplificador en función de una determinada
impedancia, generalmente, 8 Ω. (Por ejemplo: 175 W sobre 8 Ω).
Si el amplificador es estéreo, hay que tener en cuenta si esa potencia se refiere a cada
uno de los canales o a ambos.
Por ello, en las especificaciones técnicas, se añade una de estas dos indicaciones:
 con los dos canales alimentados.

 por canal.
En el ejemplo anterior con una potencia de salida de 175 W sobre 8 Ω, si se añade con
los dos canales alimentados significa que por canal la potencia será la mitad (87,5 W
sobre 8 Ω).
Por el contrario, con una potencia de salida de 175W sobre 8 ohms por canal, tendremos
350 W sobre 8 Ω con los dos canales alimentados.
En este caso se hacen aproximaciones cercanas, nunca son absolutas, porque en el

estado actual de los amplificadores, esto no es posible. Así, si tenemos un amplificador
en el que en las especificaciones técnicas figura 175 W sobre 8 Ω, si reducimos la
impedancia a 4 Ω, la potencia será cercana al doble, los 350 W (en un amplificador ideal,
debería ser justamente estos 350 W).
Dentro de la potencia se diferencia entre potencia nominal y potencia de pico.
23
2.8.4 Potencia máxima
Potencia máxima eficaz, o potencia media a régimen continuo es la potencia eléctrica

real verificable con instrumentos que puede proporcionar la etapa de salida durante un
minuto a una frecuencia de 1 kHz sobre la impedancia nominal especificada por el
fabricante (normalmente 4, 6 u 8 Ohms) y viene dada por la expresión Po=Vo (rms)²/Zo.
Dónde:
Po=Potencia de salida.
Vo=Voltaje eficaz de salida
Zo=Impedancia nominal del amplificador
Nota: para medir la potencia se emplea una resistencia unitaria, pues una impedancia
compleja altera el desempeño del amplificador.
2.8.5 Potencia máxima útil
La potencia eficaz está limitada por la distorsión del equipo, ya que esta crece con la
potencia, de modo que se especifica la potencia útil a un nivel de distorsión nominal,
como 1, 2 o 5 % (10% en amplificadores de baja calidad) o menos de 0.25 % en otros de
alta calidad, esta medida es inferior a la anterior.
2.8.6 Potencia de pico
Potencia máxima impulsiva (un pico de señal), que puede soportar cada cierto tiempo el
amplificador antes de deteriorarse.
Algunos fabricantes en lugar de especificar la potencia nominal especifican la potencia

de pico, para maquillar el alcance del amplificador, pues la potencia de pico siempre es
superior a la potencia nominal. Hay que estar alerta a este detalle y tener en cuenta que la
potencia de pico de un amplificador es 1,4142 (raíz cuadrada de 2) veces su valor
nominal.
24
2.8.7 Relación señal/ruido
Hace referencia al voltaje de ruido residual a la salida y se expresa en dB.
Para que la relación señal /ruido esté por debajo del umbral de audición, debe ser de al
menos 100 dB. Mayor, 110 dB, en el caso los amplificadores de alta potencia (por encima
de los 200 v).
2.8.8 Acoplamiento
Indica la forma en que el amplificador está conectado al altavoz. Puede haber varios
modos:
 “acoplamiento directo”, cuando ambos están acoplados directamente. Este permite la

mejor respuesta en frecuencia y el mayor rendimiento en cuanto a potencia entregada a
la carga.
 “acoplamiento inductivo”, cuando el amplificador y su carga están acoplados mediante un
transformador.
 “acoplamiento capacitivo”, si el acoplamiento se realiza mediante condensadores.
Internamente, el amplificador funciona con tensión continua, pero a la salida convierte la

señal en corriente alterna. Cuando conectamos directamente un amplificador con el
altavoz, este acoplamiento directo debe hacerse de forma que la corriente continua
residual (DC offset) sea lo más baja posible, no superando los 40mv. (Los más habituales
están en 15mv).
2.8.9 Respuesta en fase
Indica la relación en la fase entre las frecuencias medias con respecto a las altas o las
bajas. Este desfase (adelanto o retraso) en el espectro de audiofrecuencias (20 – 20,000
Hz) no debería ser superior a los 15º, para que no se produzca distorsión o cancelación
de la señal.
25
Existen ciertos modelos de amplificador que invierte la fase en toda su banda de paso, lo
que puede ocasionar dificultades en su operación (sino lo tenemos presente podremos
tener una cancelación de fase).
2.8.10 Ganancia
Es la relación entre la potencia de salida y la potencia de entrada de la señal. Se expresa

siempre como una relación logarítmica, y la unidad suele ser en dB, esto es, diez veces
el logaritmo decimal del cociente entre potencias (si se relacionan tensiones, sería veinte
veces en lugar de diez debido a que la potencia es proporcional al cuadrado de la
tensión).
Si la potencia de salida es 40 W (watts) y la de entrada 20 W, la ganancia es: 3dB. Si la

tensión de salida es de 4 VRMS y la de entrada 2 VRMS, la ganancia es: 6 dB.
Cuando la ganancia es menor que 1, hablamos de atenuación.
En lo relativo a amplificadores, como el dB siempre expresa una comparación hablaremos

de dBW o dBu, lo que nos indicará cual es la referencia.
 dBW: La W indica que el dB hace referencia a watts. Es decir, se toma como referencia
1 W. Así, a un watt le corresponden 0 dBw.
 dBm: Cuando el valor expresado en watts es muy elevado, se usa el (mW). Así, a un mW
le corresponden 0 dBm.
 dBu: El dBu expresa el nivel de señal en dB y referido a 774,6 mVRMS 0.775 VRMS es la
tensión aproximada que aplicada a una impedancia de 600 Ω, disipa una potencia de
1mW.
2.8.11 Sensibilidad
Indica la cantidad de flujo eléctrico necesario de entrada para producir la máxima potencia
de salida.
26
La sensibilidad viene indicada por dBu a una determinada impedancia. El dBu expresa el
nivel de señal en dB y referido a 0.7746 VRMS. (Al hacer referencia a volts, en muchos
manuales, principalmente norteamericanos, en lugar de dBu usan dBV). Así, 774.6
mVRMS equivaldrán a 0 dBu.
Si se supera el valor especificado por la sensibilidad la señal de salida sufrirá un recorte

(por arriba como por abajo), como ocurre en los limitadores, y quedara distorsionada de
tal modo que puede causar daño en ciertos equipos como en los tweeter.
Para evitar este gran problema, la mayoría de equipos profesionales cuentan con
un control de nivel de la entrada, que nos permite atenuar la señal si resulta excesiva.
2.8.12 Distorsión
La distorsión (distorsión armónica) describe la variación de la forma de onda a la salida

del equipo, con respecto a la señal que entró y se debe a que los equipos de audio, no
sólo los amplificadores, introducen armónicos en la señal.
Las causas de esta distorsión pueden ser múltiples. En el caso de los amplificadores, la
más usual es la sobrecarga a la entrada, es decir, sobrepasar la potencia recomendada
por el fabricante, lo que produce a la salida un recorte de la señal, queda el sonido
"cortado".
La distorsión armónica total, debe ser, como máximo de 0,1 % THD (total harmonic
distortion) en todo el espectro de frecuencias (las frecuencias altas – agudos, distorsionan
más que la bajas – graves).
La distorsión también puede expresarse en dB en relación a una frecuencia. Es lo que se

conoce como distorsión por intermodulación de transistores. Para medir esta distorsión
lo que se hace es calcular la distorsión del amplificador para dos ondas senoidales
diferentes (generalmente, 19 y 20 kHz) y ver cuál es la diferencia entre estas señales
expresada en dB. Los amplificadores de calidad deben estar en los 70 dB de diferencia
en ese tono diferencial de 1 kHz.
27
2.8.13 Diafonía
La diafonía indica que en un sistema estéreo, un canal de audio, afecta al otro.
La diafonía depende de la frecuencia. Así hablaremos de que la diafonía es soportable

cuando este en torno a 50 dB para graves y agudos así como 70 dB para
los tonos medios.
Para eliminar problemas de diafonía, los amplificadores cuentan

con rectificadores, condensadores de filtro. Además, muchos fabricantes introducen
fuentes de alimentación independientes para cada canal, lo que resulta muy efectivo.
2.9 Umbral de Audición
El umbral de audición es la intensidad mínima de sonido capaz de excitar el oído humano.

Aunque no siempre este umbral sea el mismo para todas las frecuencias, es el nivel
mínimo de un sonido para que logre ser percibido.
El valor normal se sitúa entre 0dB audiométrico (equivalentes a 20µPa) y 25dB, sin
embargo, en frecuencias muy bajas, como aproximadamente entre 20Hz y 80Hz, este
umbral tiende a subir, debido a que a estas frecuencias poseen un sonido mucho más
bajo. Caso contrario sucede en las frecuencias superiores a 10kHz; pues debido a la
agudeza de estas ondas el umbral será siempre 0dB. Para la media de los humanos, el
umbral de audición se fija en 20µPa, para frecuencias entre 2kHz y 4kHz. Para sonidos
que se encuentren en frecuencias más altas o más bajas, se requiere una mayor presión
para excitar el oído.
28
Figura 2.9 Umbral absoluto contra frecuencia
2.10 Respuesta en frecuencia
La respuesta en frecuencia es una especificación que se usa para establecer el

comportamiento de un dispositivo (amplificador, parlante, micrófono, medio de grabación,
medio ambiente, etc.) o incluso del oído humano.
Normalmente son curvas que se toman dentro del rango auditivo de frecuencias, aunque
se pueden extender por afuera de ellas también. Se miden en decibeles, y para
dispositivos de alta fidelidad se busca que la respuesta sea plana dentro de todo el ancho
de banda. Los límites de frecuencia inferior y superior se determinan cuando la caída en
respuesta es igual a 3 dB respecto a la respuesta a 1 KHz.
La respuesta en frecuencia puede ser dependiente del nivel, como ocurre con nuestros
oídos.
29
Figura 2.10 Rango dinámico del oído humano (curvas de Fletcher y Munson).
A continuación, mostramos el rango de audición en el ser humano, enfocándonos

principalmente en el rango de frecuencia de la música, en la siguiente figura 2.11
podemos ver que va desde los 50 Hz hasta los 15KHz.
Figura 2.11 Área de la audición.
30
RUMSEY, Francis & McCORMICK, Tim. Sonido y grabación. Introducción las técnicas
sonoras. IORTV. 2004 (2ª edición).
http://unicrom.com/amplificadores-de-potencia-clasificacion/
http://www.ifent.org/temas/amplificadores_operacionales.asp (Desconocido, ifent, 2006)
Manuel Martín Ruiz (2012). Amplificador de Audio en Clase A para Auriculares. Tesis
Universitaria. Universidad Carlos III de Madrid. Leganés, España. 102 paginas.
Millman, Jacob (1979). Microelectronics: Digital and Analog Circuits and Systems.
McGraw-Hill. p. 523-527.
http://unicrom.com/amplificadores-de-potencia-clasificacion/
https://www.ecured.cu/Amplificador_clase_A
Juan de Dios Sánchez López, (2002). Dispositivos electrónicos de potencia. Universidad

Autónoma de Baja California, Mexicali B.C., México.
https://books.google.com.mx/books?id=dh2rprNm_VYC&lpg=PA47&ots=SeSoT3HRd4&
dq=amplificador%20arreglo%20darlington&hl=es&pg=PA47#v=onepage&q&f=false
http://www.escuelasuperiordeaudio.com.ve/Ampca/potencia.htm
GRUPO EDITORIAL OCÉANO, ed. (1987). «Volumen 5». Gran Enciclopedia de la Ciencia y la
Técnica. Barcelona: Ediciones Océano-Éxito S.A.
31
CAPÍTULO 3
DESARROLLO Y DISEÑO
32
ENTRADA AMPLIFICADOR
CONTROL DE SALIDA
ESTEREO DE BAJA
AMPLITUD 6.3mm
6.3 mm IMPEDANCIA
3.1 Diagrama a Bloques del prototipo propuesto
Figura 3.1 Diagrama a bloques del prototipo de

amplificador para audífonos
33
3.2 Cálculos, diseño por etapas
Módulo del Amplificador
Primeramente, se tomaron en cuenta estos datos iniciales para desarrollar los cálculos y
diseño del amplificador.
Figura 3.2 Amplificador de audio con arreglo Darlington.
En la Figura 3.2 mostramos uno de los dos canales (circuito simétrico).
Los valores asignados a R1, R2, R4 y R7 se consideraron de acuerdo a la polarización

del transistor ya que estamos buscando su punto de estabilidad (Q); inicialmente para el
diseño sabemos que estos valores deben ser en el orden de kΩ de ser inferiores el
amplificador no entregaría la potencia suficiente requerida a la salida.
Se escogió el transistor 2N2222A debido a que es un transistor de baja potencia (no

mayor a medio Watt) fabricado en silicio, utilizado generalmente para amplificación lineal
y conmutación, su equivalente en componentes de montaje de superficie es MMBT2222A
(Encapsulado SOT-23) el cual utilizaremos para el diseño.
34
Estos son nuestros valores iniciales y conocidos del para la primera etapa, obtenidos de
la hoja de especificaciones del transistor tipo NPN:
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 2.2522𝑚𝐴 𝛽 = 75
𝐼𝑜𝑢𝑡 = 363.6363𝑚𝐴 𝑉𝑝𝑝 = 50𝑚𝑉
𝑓𝑐𝑖 = 200 𝐻𝑧
Dónde:
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝐶𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑑𝑜

𝐼𝑜𝑢𝑡 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
𝑓𝑐𝑖 = 𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑖𝑛𝑓𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟
𝛽 = 𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑐𝑖ó𝑛
𝑉𝑝𝑝 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑝𝑖𝑐𝑜 𝑎 𝑝𝑖𝑐𝑜
Primera etapa
Primeramente, obtendremos el voltaje en la Base del transistor; sabemos que
𝑉𝑐𝑐 = 9𝑣 este es el voltaje con el cual se alimentará el amplificador.
De la Figura 3.2 decimos que R1 = 𝑅𝐵1 𝑦 R2 = 𝑅𝐵2 entonces tenemos:
𝑉𝑐𝑐 𝑅𝐵2 (9𝑣)(10𝐾𝛺)

𝑉𝐵 = = = 1.363 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 (56𝐾𝛺) + (10𝑘𝛺)
El fabricante nos dice que el 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 por lo tanto:
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 1.363 𝑉 − 0.6𝑉 = 0.763 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐 9𝑣
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = ∴ 𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 = = = 3996.09𝛺
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 2.2522𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝐼𝐶𝑄 + 25% ∴ 𝐼𝐶𝑄 = = 1.8017𝑚𝐴 = 𝐼𝐸
1.25
35
𝑉𝐸 0.763𝑣
𝑅𝐸 = 𝐼𝐸
= 1.8017𝑚𝐴 = 423.48𝛺 ≈ 470𝛺 (Valor comercial)
𝑉𝐶𝐶 9𝑣
𝑅𝐶 = 𝐼 − 𝑅𝐸 = 2.2522𝑚𝐴 − 423.48𝛺 = 3572.6127𝛺 ≈ 3𝑘9𝛺 (Valor comercial)
𝐶𝑠𝑎𝑡
Análisis en CA
Se hace el análisis en CA ya que es necesario para el cálculo de voltajes y corrientes

de entrada y salida, así como para obtener los valores de los capacitores entre cada
etapa.
25𝑚𝑉 25𝑚𝑉
𝑟′𝑒 = = = 13.87𝛺
𝐼𝐸 1.8017𝑚𝐴
𝑅𝐸𝑛𝑡𝐵𝑎𝑠𝑒 = 𝛽𝐶𝐴(𝑟 ′ 𝑒) = 86.25(13.87𝛺) = 1196.28𝛺 ≈ 1𝑘2𝛺
1
𝑅𝐸𝑛𝑡 = = 1051.314𝛺
56𝑘 −1 + 10𝑘 −1 + 1𝑘2−1
1 1
𝐶𝐼𝑛 = = = 0.7569𝜇𝑓 ≈ 800𝑛𝐹
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐𝑖 ∙ 𝑅𝐸𝑛𝑡 2𝜋(200𝐻𝑧)(1051.31𝛺)
1 1
𝐶𝑂𝑢𝑡 = = = 0.204𝜇𝑓 ≈ 220𝑛𝐹
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐𝑖 ∙ 𝑅𝐶 2𝜋(200𝐻𝑧)(3𝑘9𝛺)
𝑅𝐸1 = 5(13.87𝛺) = 69.35𝛺 ≈ 68𝛺
𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸 − 𝑅𝐸2 = 470 − 68𝛺 = 402𝛺
402𝛺
𝑋𝐶𝐸 = = 40.2𝛺
10
1 1
𝐶𝐸 = + 50% = = 19.79𝜇𝑓 + 9.89𝜇𝑓 = 29.68𝜇𝑓 ≈ 33𝑢𝑓
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐𝑖 ∙ 𝑋𝐶𝐸 2𝜋(200𝐻𝑧)(40.2𝛺)
36
Se escogió un arreglo Darlington ya que es el indicado para emplearse en nuestro
amplificador de audífonos, debido a que es de baja potencia y su estructura consta de
conectar dos transistores BJT en serie por una unión Emisor-Base.
Figura 3.2.1 Transistores en arreglo Darlington
De la Figura 3.2.1 la base de Q2 se excita mediante una señal y la amplifica, la señal sale
por su emisor y entra a la base de Q1 para salir por el emisor con una amplificación
equivalente a (𝐵1 )(𝐵2 ) donde 𝐵 es el factor de ganancia de cada transistor utilizado; por
lo tanto, tenemos que 𝐵1 = 75 y 𝐵2 = 75, así que a la salida tendremos una ganancia de
5625 veces.
Para el arreglo Darlington en CD
Sabemos que de la figura 3.1 conocemos R7 = 𝑅𝐵3 𝑦 R4 = 𝑅𝐵4 entonces decimos que:
𝑉𝑐𝑐 ∙ 𝑅𝐵4 9𝑣(22𝑘𝛺)

𝑉𝐵 = = = 7.173 𝑉
𝑅𝐵3 + 𝑅𝐵4 5600𝛺 + 22𝑘𝛺
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 2𝑉𝐵𝐸 = 7.17 − 1.2 = 5.97 𝑉
363.6363𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = = 0.2909 𝐴
1.25
𝑉𝐸 5.97 𝑣
𝑅𝐸 = = = 20.52𝛺
𝐼𝐸 0.2909 𝐴
𝑃𝑅𝐸 = 𝐼𝐸 ∙ 𝑉𝐸 = 0.2909 𝐴 (5.97 𝑣) = 1.73 𝑊
37
Una vez calculada la potencia de salida del amplificador 𝑃𝑅𝐸 = 1.73𝑊 podemos elegir el
transistor adecuado para esta segunda etapa; se propuso el FZT851 por la potencia en
la cual opera (revisar hoja de especificaciones en anexos).
0.2909𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = 28.51𝜇𝑓
(100 + 1)2
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐸 = 9𝑣 − 5.97𝑣 = 3.03 𝑉
25𝑚𝑉 25𝑚𝑉
𝑟′𝑒 = = = 85.94𝑚𝛺
𝐼𝐸 0.2909𝐴
1
𝑅𝐸 = = 5.75𝛺
20.52−1 + 8−1
𝑅𝐸𝑛𝑡𝐵𝑎𝑠𝑒 = 𝛽𝐶𝐴2 (2𝑟 ′ 𝑒 + 𝑅𝐸 ) = (115)2 (2(85.94𝑚𝐴) + 5.75𝛺) = 78.31𝑘𝛺
1 1
𝑅𝐸𝑛𝑡 = −1 −1 −1 = = 4223.04𝛺
𝑅𝐵3 + 𝑅𝐵4+ 𝑅𝐸𝑛𝑡𝐵𝑎𝑠𝑒 5600 + 22000−1 + 78.31𝑘 −1
−1
1 1
𝐶𝑜𝑢𝑡 = = = 138.39𝜇𝑓 ≈ 150𝜇𝑓
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐𝑖 ∙ 𝑅𝐸𝑛𝑡 2𝜋(200𝐻𝑧)(5.75𝛺)
3.3 Simulación
Se utilizó la herramienta de apoyo NI Multisim en su versión 14.0 para la simulación de

uno de los canales de salida del amplificador, con la finalidad de ver su respuesta en
frecuencia y corroborar que nuestro diseño está trabajando dentro de un margen de
tolerancia del 15% así como su funcionamiento y operación sean los correctos.
Utilizaremos específicamente esta plataforma como herramienta para visualizar el

diagrama de Bode y ver la señal de entrada respecto a la de salida en el osciloscopio.
38
Figura 3.3. Diagrama eléctrico en NI Multisim (14.0)
En la Figura 3.3 se hizo la simulación para ver el comportamiento de uno de los canales,
conectando a la salida del amplificador un trazador de Bode el cual nos sirve para ver la
respuesta en frecuencia.
Figura 3.3.1 Voltaje del transistor NPN (FZT851)
39
Podemos constatar que a la salida del amplificador en arreglo Darlington tenemos un Vpp
de 50mV los cuales nos indica el fabricante en condiciones ideales. Como sabemos un
analizador de Bode es una herramienta muy utilizada en el análisis de circuitos
en electrónica, siendo fundamental para el diseño y análisis de filtros y amplificadores.
Figura 3.3.2 Diagrama de Bode 𝑓𝑐𝑖 = 200𝐻𝑧
En la figura 3.3.2 tenemos el diagrama de bode el cual nos muestra la respuesta en

frecuencia de nuestro amplificador de manera logarítmica, podemos observar que a
203.079Hz tenemos una ganancia a la salida de 10.636dB
Figura 3.3.3 Respuesta e frecuencia 𝑓𝑐𝑠 = 20𝑘𝐻𝑧
40
Podemos observar en la gráfica 3.3.3 que conforme va aumentando la Frecuencia
tenemos una mayor ganancia en dB alcanzando en su frecuencia de corte superior
26.836dB por canal cabe señalar.
3.3.4 Osciloscopio digital
Figura 3.3.5 Señal de entrada vs señal de salida amplificada
Tenemos en la figura 3.3.5 la señal de entrada a una escala de 50mV/Div teniendo como
voltaje total 100mVpp. A la salida del amplificador podemos ver que, el voltaje que
41
tenemos es de 240Vpp teniendo una ganancia alrededor del 140% respecto a la señal
de entrada.
Figura 3.3.6 Diagrama en magnitud y fase de Bode
Aquí podemos observar en el Bode dos gráficas, la primera que corresponde a la

magnitud de ficha función y la segunda que corresponde a la fase.
Notamos que la respuesta en frecuencia es buena debido al comportamiento de la señal;

en la gráfica de fase podemos ver que la señal se encuentra acotada entre 90° y -90°
dentro del rango audible para un ser humano, este parámetro es un requerimiento mínimo
necesario en electrónica para que esa señal no esté desfasada.
3.4 Medición Señal a Ruido
1. A la entrada del Amplificador se metió una señal, a una frecuencia de 1KHz.

2. Se ajustó el potenciómetro de amplitud hasta de tener un nivel de salida
deseado “máximo”
3. Se midió la tensión en la Salida
4. Se quitó la fuente de alimentación y se cortocircuitó la entrada.
42
5. Se midió de nuevo la señal a la salida, obteniéndose una tensión (R)
6. Dividimos Señal a Ruido (S/R) lo cual nos dio un valor en dB
7. Se repitió el paso 2 para diferentes niveles de salida
Figura 3.4 Generador de audio a 1kHz
Relación Señal a Ruido (S/R)
Mediciones Señal (Volts) Ruido (Volts) (S/R) Decibeles

1 2.23 1.2 1.85
2 4.23 3.12 1.33
3 3.18 2.63 1.2
4 2.91 3.18 0.91
5 3.11 4.29 0.72
6 2.92 4.1 0.71
7 2.92 4.19 0.69
8 2.21 3.87 0.57
9 1.13 2.26 0.5
10 1.64 5.2 0.31
Tabla 3.4 Mediciones obtenidas de la relación señal a ruido del amplificador
43
3.5 Selección de componentes
Se escogió el LM7809 ya que es un regulador que nos entrega a la salida un voltaje de 9

volts en corriente continua.
Figura 3.5 Fuente de alimentación general.
3.6 PCB y Máscara de componentes
En la figura 3.6 siguiente, se tiene el tamaño real de las placas de fibra de vidrio,
procederemos a su elaboración y hacer las pruebas pertinentes, como la relación señal
a ruido, ganancia, respuesta en frecuencia, carga individual de cada amplificador para
posteriormente determinar la carga total y diseñar la fuente que se encargará de alimentar
los módulos.
Figura 3.6 Circuito impreso de un módulo
44
En la siguiente figura 3.6.1 se muestra la vista superior y como se verá físicamente cada
una de las placas terminadas.
Figura 3.6.1 Mascara de Componentes.
3.7 Pruebas y correcciones
Teniendo ya listo el prototipo del amplificador, procedimos a valorar su funcionamiento,

calidad del audio, ganancia, paneo de izquierda a derecha, medimos la carga y
verificamos su consumo.
Figura 3.7 Prototipo de un módulo portátil.
45
En la Figura 3.7.1 conectamos una batería recargable marca GP a 9 volts con una
corriente de 170mA, entregándonos una duración de 30 minutos con una carga de 64Ω
(Audífonos de monitoreo marca Sennheiser modelo HD 280 pro).
Figura 3.7.1 Prueba con baterías recargables
En la figura 3.7.2 se tomaron mediciones con una impedancia de salida mucho menor al
modelo HD 280 pro, para verificar el comportamiento del amplificador, se conectaron
unos audífonos de monitoreo HD 201 con una impedancia de 24Ω dándonos una
respuesta buena, sin pérdidas ni distorsión a la salida.
46
Figura 3.7.2 Audífonos marca Sennheiser con una impedancia de 24 Ω
Figura 3.7.3 Pruebas realizadas con audio en formato .wav
47
COSTOS Y PRESUPUESTOS
Parte fundamental para el desarrollo y construcción del prototipo es contar con los
componentes electrónicos necesarios a usar para la elaboración del mismo.
Precio por unidad

Material en moneda
nacional
Cable de alimentación estándar tipo NEMA 5-15P a IEC-60320-C13
$70.00
Macho a hembra de 125V/10A
Switch de balancín, de 1 polo 1 tiro, 2 posiciones (ON-OFF) con piloto
$10.00
12 VCC
Contacto Eléctrico Monofásico Polarizado para Chasis con Porta
$25.00
Fusible Presión AS-08
Fusible de fusión rápida de 0.16A tipo europeo $3.50
Disipador para encapsulado TO220 $10.00
Gabinete rígido con inclinación en la parte superior, Modelo #276 de 8
cm de altura mayor 5.5 cm Altura menor por 27.5 cm de ancho y 17 $380.00
cm de profundidad.
Sujetador lateral de plástico para gabinete $14.00
Conector combo Hembra XLR de 3 polos con Jack estéreo de 1/4"
$90.00
Amphenol
Jack monoaural de 1/4” 6.3 mm $8.00
Placa Fenólica PCB de fibra de vidrio de 30x30 cm $80.00
1 transformador de 120V a 12 V RMS a 1 A $180.00
Diodo rectificador 1N4001 $3.00
Capacitor electrolítico 1200uF a 25 Volts $12.00
Capacitor cerámico de 0.1uF a 25 volts $2.00
Regulador de voltaje LM7812 de 12V a 1ª $9.00
Capacitor cerámico de 10uF a 25 volts $6.00
Potenciómetro unidad doble 50KΩ $10.00
Resistencia SMD de 10KΩ a 1/4 de watt $2.00
Resistencia SMD de 470Ω a 1/4 de watt $2.00
Resistencia SMD de 68Ω a 1/4 de watt $2.00
Resistencia SMD de 3K9Ω a 1/4 de watt $2.00
Resistencia SMD de 5K6Ω a 1/4 de watt $2.00
Resistencia de potencia de 220Ω a 3 watts $19.00
48
Capacitor de tantalio SMD de 33uF a 25 volts $6.00
Capacitor de tantalio SMD de 820nF a 25 volts $8.00
Capacitor de tantalio SMD de 220nF a 25 volts $8.00
Capacitor de tantalio SMD de 150uF a 25 volts $10.00
Disipador para Montaje de Superficie $16.00
Transistor SMD MMBT2222A (Encapsulado SOT-23) $3.94
Transistor SMD FZT851 $32.83
Conector Molex paso 100 de 3 pines macho y hembra $7.00
Conector Molex paso 100 de 2 pines macho y hembra $6.50
Zapata para conector molex paso 100 $0.50
Cable de audio Plug a Plug estéreo de 1/4" de 5 metros $300.00
Rollo de 450 gramos de soldadura con aleación estaño/plomo (60/40) $480.00
Metro de cable de cobre calibre 22 color negro $6.00
Metro de cable de cobre calibre 22 color rojo $6.00
Metro de cable de cobre calibre 22 color azul $6.00
Costo Total de Material por unidad $1,842.27
Fuente de Alimentación
Precio en
Cantidad Descripción Moneda
Nacional
1 Placa Fenólica PCB de fibra de vidrio de 5 x 5 cm $60.00
Cable de alimentación estándar tipo NEMA 5-15P a IEC-
1 $71.00
60320-C13 Macho a hembra de 125V/10A
Switch de balancín, de 1 polo 1 tiro, 2 posiciones (ON-OFF)
1 $10.00
con piloto 12 VCC
Contacto Eléctrico Monofásico Polarizado para Chasis con
1 $25.00
Porta Fusible Presión AS-08
1 Fusible de fusión rápida de 0.16A tipo europeo $3.50
1 1 transformador de 120V a 12 V RMS a 1 A $180.00
4 Diodo rectificador 1N4001 $12.00
1 Capacitor electrolítico 1200uF a 25 Volts $12.00
1 Capacitor cerámico de 0.1uF a 25 volts $2.00
1 Regulador de voltaje LM7812 de 12V a 1A $9.00
1 Capacitor cerámico de 10uF a 25 volts $6.00
1 Disipador para encapsulado TO220 $10.00
49
4 Disipador para Montaje de Superficie $64.00
2 Conector Molex paso 100 de 2 pines macho y hembra $13.00
1 Metro de cable de cobre calibre 22 color negro $6.00
1 Metro de cable de cobre calibre 22 color rojo $6.00
1 Metro de cable de cobre calibre 22 color azul $6.00
Costo Total en Moneda Nacional $495.50
Módulo Amplificador
Precio en
Cantidad Descripción Moneda
Nacional
1 Placa Fenólica PCB de fibra de vidrio de 6.5 x 7 cm $80.00
4 Potenciómetro unidad doble 50KΩ $8.00
2 Resistencia SMD de 10KΩ a 1/4 de watt $4.00
2 Resistencia SMD de 470Ω a 1/4 de watt $4.00
2 Resistencia SMD de 68Ω a 1/4 de watt $4.00
2 Resistencia SMD de 3K9Ω a 1/4 de watt $4.00
2 Resistencia SMD de 5K6Ω a 1/4 de watt $4.00
2 Resistencia de potencia de 220Ω a 3 watts $38.00
2 Capacitor de tantalio SMD de 33uF a 25 volts $12.00
2 Capacitor de tantalio SMD de 820nF a 25 volts $16.00
2 Capacitor de tantalio SMD de 220nF a 25 volts $16.00
2 Capacitor de tantalio SMD de 150uF a 25 volts $20.00
2 Transistor SMD MMBT2222A (Encapsulado SOT-23) $7.88
4 Transistor SMD FZT851 $131.32
2 Metro de cable de cobre calibre 22 color negro $12.00
2 Metro de cable de cobre calibre 22 color rojo $12.00
2 Metro de cable de cobre calibre 22 color azul $12.00
Costo total en Moneda Nacional $446.70
50
Costos de Ingeniería en moneda nacional
Personal Salario por mes Meses Total
2 $18,000 10 $360,000
Costos Totales en moneda nacional

Materiales $446.70
Costos de Ingeniería $360,000.00
Costo total del Prototipo $360,942.20
Precio en Moneda
Comparativo en el mercado Actual
Nacional
Módulo Amplificador diseñado $446.70
Behringer Powerplay P1 $2,600
Behringer MA400 $900
51
CONCLUSIONES
El objetivo fundamental de este trabajo terminal es elaborar el prototipo de un
distribuidor amplificador para el uso de audífonos, en el estudio de grabación de la
ESIME Zacatenco, ya que actualmente no se cuenta con uno para monitorear al
momento de hacer una grabación en vivo; y adicional a esto tener la posibilidad de
tener módulos compactos y portátiles que puedan facilitar más el manejo del usuario.
Es muy útil para la grabación de un grupo musical, dúo, grabaciones de entrevistas,

narrador, etcétera.
Llegamos a la meta de concluir dicho prototipo, así como lograr un diseño pequeño y
compacto. Puede ser llevado consigo de 8 a 10 metros de distancia (cableado) para
un mejor manejo sin que este tenga pérdida alguna de alimentación y/o señal de audio.
Ahora bien, en conclusión, este equipo está diseñado para operar con audífonos de
baja potencia lo cual es indispensable saber primeramente para qué es su uso y donde
se debe ocupar.
El módulo tiene una duración continua de aproximadamente 25 a 30 minutos en este

prototipo; y lo ideal es que este distribuidor es de un costo muy accesible y reducido
en tamaño conforme a otros que existen en el mercado.
52
RECOMENDACIONES A FUTURO
• Diseñar gabinete cargador.

• Integrar modulo para cargar a través de un puerto micro-USB.
• Hacer el prototipo aún más pequeño (Utilizar únicamente componentes SMD).
• Integrar control de paneo.
• Eliminar el cableado y que todo quede integrado en la PCB.
• Incluir conector combo a la entrada, para una hacerlo más flexible.
• Diseñar fuente de alimentación fija
• Hacer inalámbrico el módulo portátil.
53
ANEXOS
54
Especificaciones Técnicas
Especificaciones Técnicas
Dimensiones (An x Al x Pro) aprox. 100 x 41 x 72 mm
Peso aprox. 147 g
Potencia de salida máx aprox. 1.73W @ 1 kHz con 64 W de carga a la salida TRS 6.3mm
Respuesta de frecuencia 20 Hz a 10000 Hz

Rango dinámico 112 dB @ 70 de carga (ponderación A
Rango de temperatura de servicio 0 °C – 45 °C
Alimentación
Rango de tensión de alimentación 7.2 – 10.8 Vcc ~ 60 Hz
Salida de auriculares de 6,35 mm
Asignación de pines Punta: izquierdo, anillo: derecha, chasis : tierra
Impedancia mín. 16 
SOLID TANTALUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
F92 Resin-molded Chip,

Compact Series
Type numbering system (Example: 6.3V 10µF)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Compliant to the RoHS directive (2002/95/EC).
F 9 2 0 J 1 0 6 M P Taping code
(Refer to page 333 for details)
Case code
Capacitance tolerance
Rated capacitance Rated voltage
Series
Drawing
L W1
W2
S S
Marking Dimensions (mm)

Rated capacitance code Rated capacitance (µF) Case code L W1 W2 H S
P Case A Case B Case P 2.0 ± 0.2 1.25 ± 0.1 0.9 ± 0.1 1.1 ± 0.1 0.5 ± 0.2
A 3.2 ± 0.2 1.6 ± 0.2 1.2 ± 0.1 1.1 ± 0.1 0.8 ± 0.2
B 3.4 ± 0.2 2.8 ± 0.2 2.3 ± 0.1 1.1 ± 0.1 0.8 ± 0.2
AS G226 22
10V 10 seconds reflow at 260˚C, 5 seconds immersion at 260˚C
Rated voltage Rated capacitance
Capacitance Change...
(Voltage code) (Capacitance code)
Rated voltage (V) Resistance Refer to next page ( 1) * Refer to next page ( *1)
4V G 16V C 35V V Dissipation Factor...150% of
to Soldering Heat
6.3V J 20V D Iess than the initial specified value Initial specified value or less
10V A 25V E Leakage Current...
Initial specified value or less Initial specified value or less
Capacitance code of “P” case products are as shown below.
After application of surge voltage in series with a 33Ω (For “P” case : 1kΩ)
resistor at the rate of 30 seconds ON, 30 seconds OFF, for 1000
Specifications successive test cycles at 85˚C, capacitors shall meet the characteristic
requirements table below.
Performance Characteristics
Item Capacitance Change...
P Case A • B Case Surge∗
Category
Refer to next page ( 1) * Refer to next page ( *1)
– 55 to +125˚C (Rated temperature : +85˚C) Dissipation Factor...150% or
Temperature Range less than the initial specified value Initial specified value or less
Capacitance Tolerance ± 20% (at 120Hz) Leakage Current...
Dissipation Factor (120Hz) Refer to Next Page Initial specified value or less Initial specified value or less
ESR (100kHz) Refer to Next Page After 2000hours' application of After 2000hours' application of
rated voltage in series with a rated voltage in series with a
• After 1 minute's application of rated voltage, leakage current 3Ω resistor at 85˚C, or derated 3Ω resistor at 85˚C, or derated
at 20˚C is not more than 0.01CV or 0.5µA, whichever is greater. voltage in series with a 3Ω voltage in series with a 3Ω
• After 1 minute's application of rated voltage, leakage current resistor at 125˚C, capacitors resistor at 125˚C, capacitors
Leakage Current
at 85˚C is not more than 0.1CV or 5µA, whichever is greater. shall meet the characteristic shall meet the characteristic
• After 1 minute's application of derated voltage, leakage current Endurance∗ requirements table below. requirements table below.
at 125˚C is not more than 0.125CV or 6.3µA, whichever is greater. Capacitance Change... Capacitance Change...
+20% Max. (at +125˚C) +15% Max. (at +125˚C)

Refer to next page ( 1) * Refer to next page ( 1) *
Capacitance Change Dissipation Factor...150% or Dissipation Factor...
+15% Max. (at +85˚C) +10% Max. (at +85˚C) less than the initial specified value Initial specified value or less
by Temperature
--15% Max. (at --55˚C) --10% Max. (at --55˚C) Leakage Current... Leakage Current...
At 40˚C 90 to 95% R.H. 500 hours (No voltage applied) Initial specified value or less Initial specified value or less
Capacitance Change ... After applying the pressure load of 5N for
Refer to next page (*1) Refer to next page (*1) 10±1 seconds horizontally to the center
Damp Heat
Dissipation Factor...150% or of capacitor side body which has no
(Steady State)
Iess than the initial specified value Initial specified value or less Shear Test electrode and has been soldered 5N (0.51kg ¥ f)
Leakage Current... beforehand on a substrate, there shall be
For 10 ± 1 seconds
Initial specified value or less Initial specified value or less found neither exfoliation nor its sign at
the terminal electrode.
--55˚C / +125˚C 30 minutes each 5 cycles
Keeping a capacitor surface-mounted on a substrate upside
Capacitance Change... down and supporting the substrate at both of the opposite
Refer to next page (*1) Refer to next page ( *1) bottom points 45mm apart from the center of capacitor, the
Temperature Cycles Dissipation Factor...150% or pressure strength is applied with a specified
Terminal Strength jig at the center of substrate so that R230 20
Iess than the initial specified value Initial specified value or less the substrate may bend by 1mm as
Leakage Current... illustrated.
1mm
Initial specified value or less Initial specified value or less Then, there shall be found no
remarkable abnormality on the 45 45
capacitor terminals.
Standard Ratings ∗ As for the surge and derated voltage at 125˚C, refer to page 332 for details.
V 4 6.3 10 16 20 25 35
Cap. (µF) Code 0G 0J 1A 1C 1D 1E 1V Capacitance code
0.22 224 A J
0.33 334 A N
0.47 474 P P • A A S
0.68 684 P A W
1 105 P P PA • P • A A A
1.5 155 P P A E
2.2 225 P P P • A (P) • A A • B B J
3.3 335 P P P • A A B N
4.7 475 P P P • A (P) • A • B A • B A • B S
6.8 685 P P P • A B w
10 106 P • A P • A P • A A • B B a
15 156 P P • A A e
22 226 P • A P • A A • B B J
33 336 P • A A • B B n
47 476 (P) • A • B A • B B s
68 686 A • B
100 107 A • B (A) • B ( ) The series in parentheses are being developed. Please contact to your local Nichicon
150 157 B sales office when these series are being designed in your application.
220 227 (B)
CAT.8100B
SOLID TANTALUM ELECTROLYTIC CAPACITORS
F92
Standard Ratings
Rated Leakage Disspation *1 Rated Leakage Disspation *1
Case ESR Case ESR ∆C/C
Rated Volt Capacitance Part Number Current Factor ∆C/C Rated Volt Capacitance Part Number Current Factor
code ( Ω@100kHz) code ( Ω@100kHz) (%)
(µF) (µA) (%@120Hz) (%) (µF) (µA) (%@120Hz)
3.3 P F920G335MPA 0.5 8 12.0 ∗ 0.47 P F921D474MPA 0.5 8 20.0 ∗
4.7 P F920G475MPA 0.5 8 6.0 ∗ 0.47 A F921D474MAA 0.5 4 10.0 ∗
6.8 P F920G685MPA 0.5 10 6.0 ∗ 0.68 A F921D684MAA 0.5 4 10.0 ∗
10 P F920G106MPA 0.5 10 6.0 ∗ 1 P F921D105MPA 0.5 8 20.0 ∗
10 A F920G106MAA 0.5 8 4.0 ∗ 1 A F921D105MAA 0.5 4 10.0 ∗
∗ 20V
15 P F920G156MPA 0.6 10 5.0 1.5 A F921D155MAA 0.5 6 7.4 ∗
22 P F920G226MPA 0.9 20 5.0 ∗ 2.2 A F921D225MAA 0.5 6 7.0 ∗
22 A F920G226MAA 0.9 12 2.8 ∗ 4.7 A F921D475MAA 0.9 10 7.0 ±10
4V 33 P F920G336MPA 1.3 20 4.0 ∗ 4.7 B F921D475MBA 0.9 6 3.0 ∗
33 A F920G336MAA 1.3 12 2.8 ∗ 10 B F921D106MBA 2.0 8 3.0 ±10
47 A F920G476MAA 1.9 18 2.8 ∗
1 P F921E105MPA 0.5 8 20.0 ∗
47 B F920G476MBA 1.9 12 1.7 ∗
1 A F921E105MAA 0.5 6 10.0 ∗
68 A F920G686MAA 2.7 25 2.8 ±15
2.2 A F921E225MAA 0.6 8 10.0 ±15
68 B F920G686MBA 2.7 18 1.5 ∗ 25V
2.2 B F921E225MBA 0.6 6 4.0 ∗
100 A F920G107MAA 4.0 30 2.8 ±15
4.7 A F921E475MAA 1.2 10 7.0 ±10
100 B F920G107MBA 4.0 18 1.3 ∗
4.7 B F921E475MBA 1.2 6 3.0 ∗
150 B F920G157MBA 6.0 25 1.3 ±15
2.2 P F920J225MPA 0.5 8 12.0 ∗ 0.22 A F921V224MAA 0.5 4 10.0 ∗
3.3 P F920J335MPA 0.5 8 12.0 ∗ 0.33 A F921V334MAA 0.5 4 10.0 ∗
4.7 P F920J475MPA 0.5 8 6.0 ∗ 0.47 A F921V474MAA 0.5 4 10.0 ∗
35V
6.8 P F920J685MPA 0.5 10 6.0 ∗ 1 A F921V105MAA 0.5 6 10.0 ∗
10 P F920J106MPA 0.6 10 6.0 ∗ 2.2 B F921V225MBA 0.8 6 4.0 ±10
10 A F920J106MAA 0.6 8 4.0 ∗ 3.3 B F921V335MBA 1.2 10 4.0 ±10
15 P F920J156MPA 0.9 10 6.0 ∗
6.3V 15 A F920J156MAA 0.9 8 4.0 ∗
*1 : ∆C/C Marked "∗"
22 P F920J226MPA 1.4 20 5.0 ∗
22 A F920J226MAA 1.4 12 2.8 ∗ Item P Case (%) A , B Case(%)
33 A F920J336MAA 2.1 12 2.8 ∗ Damp Heat ±20 ±10
Tempereature cycles ±10 ± 5
33 B F920J336MBA 2.1 12 1.7 ∗
Resistance soldering heat ±10 ± 5
47 A F920J476MAA 3.0 18 2.8 ±15 Surge ±10 ± 5
47 B F920J476MBA 3.0 12 1.7 ∗ Endurance ±10 ±10
100 B F920J107MBA 6.3 20 1.3 ±15
We can consider the type of compliance to AEC-Q200.
1 P F921A105MPA 0.5 8 12.0 ∗ Please contact to your local Nichicon sales office
1.5 P F921A155MPA 0.5 8 12.0 ∗ when these series are being designed in your application.
2.2 P F921A225MPA 0.5 8 12.0 ∗
3.3 P F921A335MPA 0.5 8 12.0 ∗
3.3 A F921A335MAA 0.5 6 7.0 ∗
4.7 P F921A475MPA 0.5 8 6.0 ∗
4.7 A F921A475MAA 0.5 6 4.0 ∗
6.8 P F921A685MPA 0.7 8 6.0 ∗
10V
6.8 A F921A685MAA 0.7 6 4.0 ∗
10 P F921A106MPA 1.0 14 6.0 ∗
10 A F921A106MAA 1.0 8 4.0 ∗
15 A F921A156MAA 1.5 8 4.0 ∗
22 A F921A226MAA 2.2 14 4.0 ±15
22 B F921A226MBA 2.2 8 1.9 ∗
33 B F921A336MBA 3.3 12 1.9 ∗
47 B F921A476MBA 4.7 18 1.9 ±15
0.47 P F921C474MPA 0.5 8 20.0 ∗
0.68 P F921C684MPA 0.5 8 12.0 ∗
1 P F921C105MPA 0.5 8 12.0 ∗
1.5 P F921C155MPA 0.5 8 12.0 ∗
2.2 P F921C225MPA 0.5 8 12.0 ∗
2.2 A F921C225MAA 0.5 6 7.0 ∗
16V 3.3 A F921C335MAA 0.5 6 7.0 ∗
4.7 A F921C475MAA 0.8 6 7.0 ∗
4.7 B F921C475MBA 0.8 6 3.0 ∗
6.8 B F921C685MBA 1.1 6 3.0 ∗
10 A F921C106MAA 1.6 8 7.0 ±15
10 B F921C106MBA 1.6 6 2.0 ∗
22 B F921C226MBA 3.5 12 2.0 ±15
CAT.8100B
Tantalum Surface Mount Capacitors – Standard Tantalum
T491 Industrial Grade MnO2 Series
Overview
The KEMET T491 Series, designed specifically for today’s highly The T491 standard terminations are 100% matte tin and provide
automated surface mount processes and equipment, is the excellent wetting characteristics and compatibility with today's
leading choice for surface mount designs. The T491 combines surface mount solder systems. Tin/lead (Sn/Pb) terminations
KEMET’s proven solid tantalum technology, acclaimed and are available upon request for any part number. Gold-plated
respected throughout the world, with the latest in materials, terminations are also available for use with conductive epoxy
processes and automation, resulting in unsurpassed total attachment processes. The symmetrical terminations offer total
performance and value. compliancy to provide the thermal and mechanical stress relief
required with today's technology. Lead frame attachments to the
This product meets or exceeds the requirements of EIA Standard tantalum pellet are made via a microprocessor-controlled welding
535BAAC. The physical outline and dimensions of this series operation, and a high temperature silver epoxy adhesive system.
conform to this global standard. Five low profile case sizes are
available in the T491 Series. The R/2012–12, S/3216–12 and Standard packaging of these devices is tape and reel in
T/3528–12 case sizes have a maximum height of 1.2 mm. The accordance with EIA 481–1. This system provides perfect
U/6032–15 size has a maximum height of 1.5 mm, and the compatibility with all tape-fed placement units.
V/7343–20 has a maximum height of 2.0 mm.
Benefits Applications
• Meets or exceeds EIA Standard 535BAAC Typical applications include decoupling and filtering in industrial
• Taped and reeled per EIA 481–1 and automotive end applications such as DC/DC converters,
• Symmetrical, compliant terminations portable electronics, telecommunications, and control units.
• Optical gold-plated terminations
• Laser-marked case
• 100% surge current test on C, D, E, U, V, X sizes
• Halogen free epoxy
• Capacitance 0.1 µF to 1,000 µF
• Tolerance ±10%, ±20%
• Voltage 2.5 – 50 VDC
• Extended range values
• Low profile case sizes
• RoHS Compliant and lead-free terminations
(See www.kemet.com for transition information)
• Operating temperature: -55ºC to +125ºC
Environmental Compliance
RoHS Compliant (6/6) according to Directive 2002/95/EC when ordered with 100% Sn solder.
One world. One KEMET

© KEMET Electronics Corporation • P.O. Box 5928 • Greenville, SC 29606 (864) 963-6300 • www.kemet.com T2005_T491 • 3/22/2013 1
Qualification
Test Condition Characteristics

Δ C/C Within ±10% of initial value
85°C @ rated voltage, 2,000 hours DF Within initial limits
Endurance
125°C @ 2/3 rated voltage, 2,000 hours DCL Within 1.25 x initial limit
ESR Within initial limits
DF Within initial limits
Storage Life 125°C @ 0 volts, 2,000 hours
DCL Within 1.25 x initial limit
MIL–STD–202, Method 107, Condition B, mounted, -55C° to DF Within initial limits
Thermal Shock
125° C, 1,000 cycles DCL Within 1.25 x initial limit
+25°C -55°C +85°C +125°C
Extreme temperature exposure at a Δ C/C IL* ±10% ±10% ±20%
Temperature Stability succession of continuous steps at +25ºC,
-55ºC, +25ºC, +85ºC, +125ºC, +25ºC. DF IL IL 1.5 x IL 1.5 x IL
DCL IL n/a 10 x IL 12 x IL
25°C and 85°C, 1.32 x rated voltage 1,000 cycles DF Within initial limits
Surge Voltage
(125°C, 1.2 x rated voltage). DCL Within initial limits
MIL–STD–202, Method 213, Condition I, 100 G peak
Mechanical Shock/Vibration MIL–STD–202, Method 204, Condition D, 10 Hz to 2,000 Hz, DF Within initial limits
20 G peak
DCL Within initial limits
*IL = Initial limit
Electrical Characteristics
ESR vs. Frequency Capacitance vs. Frequency
100 1,000
T491C336M025AT_IMP
T491C336M025AT
T491D476M025AT_IMP
T491D476M025AT
10
Impedance, ESR (Ohms)
T491X107M025AT_IMP
T491X107M025AT
T491C336M025AT_ESR
100
Capacitance (µF)
T491D476M025AT_ESR
T491X107M025AT_ESR
10
0.1
0.01 1
100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000
Frequency (Hz) Frequency (Hz)
Dimensions – Millimeters (Inches)

Metric will govern
Termination
cutout at
KEMET’s
option,
either end
Case Size Component

F* ±0.1 S* ±0.3 B* ±0.15
KEMET EIA L* W* H* X (Ref) P (Ref) R (Ref) T (Ref) A (Min) G (Ref) E (Ref)
±(.004) ±(.012) (Ref) ±.006
3.2 ±0.2 1.6 ±0.2 1.6 ±0.2 0.10 ±0.10
A 3216–18 (0.126 ±0.008) (0.063 ±0.008) (0.063 ±0.008) 1.2 (.047) 0.8 (.031) 0.4 (.016) (0.004 ±0.004) 0.4 (.016) 0.4 (.016) 0.13 (.005) 0.8 (.31) 1.1 (.043) 1.3 (.051)
3.5 ±0.2 2.8 ±0.2 1.9 ±0.2 0.10 ±0.10
B 3528–21 (0.138 ±0.008) (0.110 ±0.008) (0.075 ±0.008) 2.2 (.087) 0.8 (.031) 0.4 (.016) (0.004 ±0.004) 0.5 (.020) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 1.1 (0.043) 1.8 (.071) 2.2 (.087)
6.0 ±0.3 3.2 ±0.3 2.5 ±0.3 0.10 ±0.10
C 6032–28 (0.236 ±0.03) (0.126 ±0.012) (0.098 ±0.012) 2.2 (.087) 1.3 (.051) 0.5 (.020) (0.004 ±0.004) 0.9 (.035) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 2.5(.098) 2.8 (.110) 2.4 (.094)
7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 2.8 ±0.3 0.10 ±0.10
D 7343–31 (0.287 ±0.012) (0.169 ±0.012) (0.110 ±0.012) 2.4 (.094) 1.3 (.051) 0.5 (.020) (0.004 ±0.004) 0.9 (.035) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 4.0 ±0.3 0.10 ±0.10
X 7343–43 (0.287 ±0.012) (0.169 ±0.012) (0.157 ±0.012) 2.4 (.094) 1.3 (.051) 0.5 (.020) (0.004 ±0.004) 1.7 (.067) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
7.3 ±0.3 6.0± 0.3 3.6 ± 0.2 0.10 ± 0.10
E 7360-38 (0.287 ±0.012) (0.236 ±0.012) (0.142 ±0.008) 4.1 (.161) 1.3 (.051) 0.5 (.020) (.004 ± .004) n/a n/a 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
3.2 ±0.2 1.6 ±0.2
S 3216–12 (0.126 ±0.008) (0.063 ±0.008) 1.2 (.047) 1.2 (.047) 0.8 (.031) n/a 0.05 (.002) n/a n/a 0.13 (.005) 0.8 (.031) 1.1 (.043) 1.3 (.051)
3.5 ±0.2 2.8 ±0.2
T 3528–12 (0.138 ±0.008) (0.110 ±0.008) 1.2 (.047) 2.2 (.087) 0.8 (.031) n/a 0.05 (.002) n/a n/a 0.13 (.005) 1.1 (.043) 1.8 (.071) 2.2 (.087)
6.0 ±0.3 3.2 ±0.2
U 6032–15 (0.236 ±0.012) (0.110 ±0.008) 1.5 (.059) 2.2 (.087) 1.3 (.051) n/a 0.05 (.002) n/a n/a 0.13 (.005) 2.5(.098) 2.8 (.110) 2.4 (.094)
7.3 ±0.3 4.3 ±0.3
V 7343–20 (0.287 ±0.012) (0.169 ±0.012) 2.0 (.079) 2.4 (.094) 1.3 (.051) n/a 0.05 (.002) n/a n/a 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
Notes: (Ref) – Dimensions provided for reference only. No dimensions are provided for B, P or R because low profile cases do not have a bevel or a notch.
* MIL–PRF–55365/8 specified dimensions
Capacitor Marking
C, D, X Case Sizes
KEMET KEMET
Industrial Polarity Industrial Polarity
Grade Indicator (+) Grade Indicator (+)
MnO2 MnO2
K 226
KEMET ID
226 Picofarad Code
35V
Rated Rated
Voltage 35 K KEMET ID
Voltage
Picofarad Code
230 Date
Code*
Date C6 49 Internal
Code
Code*
* 230 = 30th week of 2012
Date Code * Date Code*

1st digit = Last number of Year 9 = 2009 Year Month
0 = 2010 X = 2009 1 = Jan 7 = Jul
1 = 2011
2 = 2012 A = 2010 2 = Feb 8 = Aug
3 = 2013 B = 2011 3 = Mar 9 = Sept
4 = 2014
C = 2012 4 = Apr O = Oct
2nd and 3rd digit = Week of the Year 01 = 1st week of the Year to
D = 2013 5 = May N = Nov
52 = 52nd week of the Year
E = 2014 6 = Jun D = Dec
Storage
Tantalum chip capacitors should be stored in normal working environments. While the chips themselves are quite robust in other
environments, solderability will be degraded by exposure to high temperatures, high humidity, corrosive atmospheres, and long term
storage. In addition, packaging materials will be degraded by high temperature– reels may soften or warp and tape peel force may
increase. KEMET recommends that maximum storage temperature not exceed 40ºC and maximum storage humidity not exceed 60%
relative humidity. Temperature fluctuations should be minimized to avoid condensation on the parts and atmospheres should be free of
chlorine and sulphur bearing compounds. For optimized solderability chip stock should be used promptly, preferably within three years
of receipt.
SMD Moulded Power Resistor
Type SM Series
Key Features
■ Low Profile Design
■ Available on Tape
■ Very Wide Value Range
■ Ideal for Power Circuitry
■ Available in 2,3 or 5 Watts
■ Flameproof Coating UL94V0
TE Connectivity (TE) introduces a surface mount power resistor suited to meet today's
circuit design needs. Each size offers low profile case design with flexible tinned copper
terminations for reliable solder joints. All styles utilize a fully welded construction
technique, unlike other designs that rely solely on tinned termination
onnections. These features allow the SM Series to withstand the higher temperatures
associated with reflow, vapour phase, or infrared (IR) manufacturing processes without
degradation.
Characteristics - Electrical
SM (Wire) SM (Metal Film)
Values SM_2: R10 – 200R 201R – 2M
Values SM_3: R10 – 300R 301R – 2M
Values SM_5: R10 – 500R 501R – 2M
Value Grid: E24
Resistance Tolerance: 1% or 5%
Power Rating @ 25°C SM_2: 2.0 Watts
Derating: See Curve Below
Max Operating Voltage SM_2: 300 Volts
Characteristics - Environmental
Test Condition SM (Wire) SM (Metal Film)
Temperature Coefficient -55°C – +200°C ± 200ppm /°C ± 100ppm /°C
of Resistance:
Short Time Overload: 5 times of rated wattage for 5 sec. ± 1% ± 0.5%
Rated Load: Rated voltage for 30 minutes ± 1% ± 0.5%
Insulation Resistance: 500VDC 10,000 MΩ 10,000 MΩ
Load Life: 70°C 1.5 hrs on 0.5 hrs off for 1000 hrs ± 2% ± 1%
Humidity Load Life: 40°C ±2°C @ 90-95% RH 500 hrs ± 2% ± 1%
1.5 hrs on 0.5 hrs off
Voltage Withstand: 500VAC for 60 seconds No Physical damage
Solderability: 235°C ±5°C for 2 seconds 95% coverage
Resistance to 270°C ±5°C for 10 ±1seconds Resistance value change
Soldering Heat: within ± 1%
1773242 CIS WR 04/2012 Dimensions are in millimeters Dimensions are shown for For email, phone or live chat, go to: te.com/help
and inches unless otherwise reference purposes only.
specified. Values in brackets Specifications subject
are standard equivalents. to change.
SMD Moulded Power Resistor
Type SM Series
Power Derating
100
Rated Load (%)

75
50
25
0
-80 -50 -40 0 20 40 80 120 160 200 240 280
Ambient Temperature (°C)
Maximum Allowable Body Temperature
250
SMW5W
220°C
Temperature Rise (°C)
200
SMW3W
160°C
150 SMW2W
135°C
100
50
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Power (W)
Dimensions
A ±0.3 B ±0.3 C ±0.3 D ±0.3 E max F±0.3 Qty Per Reel

SM_2 4.0 6.7 1.4 3.55 7.9 1.5 2000
SM_3 5.5 10.5 1.7 5.0 12.0 2.3 1000
SM_5 7.3 13.5 1.7 6.8 17.0 2.5 1000
1773242 CIS WR 04/2012 Dimensions are in millimeters Dimensions are shown for For email, phone or live chat, go to: te.com/help
and inches unless otherwise reference purposes only.
specified. Values in brackets Specifications subject
are standard equivalents. to change.
APPLICATION NOTES FOR MULTILAYER
CERAMIC CAPACITORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS The variation of a capacitor’s impedance with frequency

The fundamental electrical properties of multilayer determines its effectiveness in many applications.
Application Notes
ceramic capacitors are as follows: Dissipation Factor: Dissipation Factor (DF) is a mea-
sure of the losses in a capacitor under AC application. It is the
Polarity: Multilayer ceramic capacitors are not polar,
and may be used with DC voltage applied in either direction. ratio of the equivalent series resistance to the capacitive reac-
tance, and is usually expressed in percent. It is usually mea-
Rated Voltage: This term refers to the maximum con- sured simultaneously with capacitance, and under the same
tinuous DC working voltage permissible across the entire conditions. The vector diagram in Figure 2 illustrates the rela-
operating temperature range. Multilayer ceramic capacitors tionship between DF, ESR, and impedance. The reciprocal of
are not extremely sensitive to voltage, and brief applications the dissipation factor is called the “Q”, or quality factor. For
of voltage above rated will not result in immediate failure. convenience, the “Q” factor is often used for very low values
However, reliability will be reduced by exposure to sustained of dissipation factor. DF is sometimes called the “loss tangent”
voltages above rated. or “tangent d”, as derived from this diagram.
Capacitance: The standard unit of capacitance is the
farad. For practical capacitors, it is usually expressed in ESR
Figure 2
microfarads (10-6 farad), nanofarads (10-9 farad), or picofarads
(10-12 farad). Standard measurement conditions are as O
follows: DF = ESR
Xc
Class I (up to 1,000 pF): 1MHz and 1.2 VRMS δ
maximum.
Class I (over 1,000 pF): 1kHz and 1.2 VRMS
X
c Ζ
maximum.
1
Class II: 1 kHz and 1.0 ± 0.2 VRMS. Xc =
2πfC
Class III: 1 kHz and 0.5 ± 0.1 VRMS.
Like all other practical capacitors, multilayer ceramic
capacitors also have resistance and inductance. A simplified 0.047uF
schematic for the equivalent circuit is shown in Figure 1.
Other significant electrical characteristics resulting from Insulation Resistance: Insulation Resistance (IR) is the
these additional properties are as follows: DC resistance measured across the terminals of a capacitor,
represented by the parallel resistance (Rp) shown in Figure 1.
For a given dielectric type, electrode area increases with
R
Figure 1 P capacitance, resulting in a decrease in the insulation resis-
tance. Consequently, insulation resistance is usually specified
as the “RC” (IR x C) product, in terms of ohm-farads or
megohm-microfarads. The insulation resistance for a specific
L R capacitance value is determined by dividing this product by
S the capacitance. However, as the nominal capacitance values
C become small, the insulation resistance calculated from the
RC product reaches values which are impractical.
C = Capacitance R = Equivalent Series Resistance (ESR) Consequently, IR specifications usually include both a mini-
S
L = Inductance R = Insulation Resistance (IR) mum RC product and a maximum limit on the IR calculated
P from that value. For example, a typical IR specification might
read “1,000 megohm-microfarads or 100 gigohms, whichever
is less.”
Impedance: Since the parallel resistance (Rp) is nor- Insulation Resistance is the measure of a capacitor to
mally very high, the total impedance of the capacitor is: resist the flow of DC leakage current. It is sometimes referred
to as “leakage resistance.” The DC leakage current may be
2 2
calculated by dividing the applied voltage by the insulation
Z= RS + (XC - XL) resistance (Ohm’s Law).
Dielectric Withstanding Voltage: Dielectric withstand-
Where Z = Total Impedance ing voltage (DWV) is the peak voltage which a capacitor is
designed to withstand for short periods of time without dam-
RS = Equivalent Series Resistance age. All KEMET multilayer ceramic capacitors will withstand a
1 test voltage of 2.5 x the rated voltage for 60 seconds.
XC = Capacitive Reactance =
πfC
2π KEMET specification limits for these characteristics at
πfL
XL = Inductive Reactance = 2π standard measurement conditions are shown in Table 1 on
page 4. Variations in these properties caused by changing
conditions of temperature, voltage, frequency, and time are
covered in the following sections.
© KEMET Electronics Corporation, P.O. Box 5928, Greenville, S.C. 29606, (864) 963-6300 5
CERAMIC CAPACITORS
TABLE 1
EIA TEMPERATURE CHARACTERISTIC CODES
FOR CLASS I DIELECTRICS
Significant Figure Multiplier Applied Tolerance of

of Temperature to Temperature Temperature
Coefficient Coefficient Coefficient *
PPM per Letter Multi- Number PPM per Letter

Degree C Symbol plier Symbol Degree C Symbol
0.0 C -1 0 ±30 G
0.3 B -10 1 ±60 H
0.9 A -100 2 ±120 J
1.0 M -1000 3 ±250 K
1.5 P -100000 4 ±500 L
2.2 R +1 5 ±1000 M
3.3 S +10 6 ±2500 N
4.7 T +100 7
7.5 U +1000 8
+10000 9
* These symetrical tolerances apply to a two-point measurement of
temperature coefficient: one at 25°C and one at 85°C. Some deviation
is permitted at lower temperatures. For example, the PPM tolerance
for C0G at -55°C is +30 / -72 PPM.
TABLE 2
EIA TEMPERATURE CHARACTERISTIC CODES
FOR CLASS II & III DIELECTRICS
Low Temperature High Temperature Maximum Capacitance

Rating Rating Shift
Degree Letter Degree Number Letter

Celcius Symbol Celcius Symbol Percent Symbol
+10C Z +45C 2 ±1.0% A

-30C Y +65C 4 ±1.5% B
-55C X +85C 5 ±2.2% C
+105C 6 ±3.3% D
+125C 7 ±4.7% E
+150C 8 ±7.5% F
+200C 9 ±10.0% P
±15.0% R
±22.0% S
+10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
+22 / -33% T
+22 / -56% U
+22 / -82% V
6 © KEMET Electronics Corporation, P.O. Box 5928, Greenville, S.C. 29606, (864) 963-6300
CERAMIC CAPACITORS
At higher AC voltages, both capacitance and dissipation factor

begin to decrease.
Typical curves showing the effect of applied AC and DC
Application Notes
voltage are shown in Figure 6 for KEMET X7R capacitors and
Figure 7 for KEMET Z5U capacitors.
Effect of Frequency: Frequency affects both capaci-
tance and dissipation factor. Typical curves for KEMET multi-
layer ceramic capacitors are shown in Figures 8 and 9.
The variation of impedance with frequency is an impor-
tant consideration in the application of multilayer ceramic
capacitors. Total impedance of the capacitor is the vector of the
capacitive reactance, the inductive reactance, and the ESR, as
illustrated in Figure 2. As frequency increases, the capacitive
reactance decreases. However, the series inductance (L)
shown in Figure 1 produces inductive reactance, which
increases with frequency. At some frequency, the impedance
ceases to be capacitive and becomes inductive. This point, at
the bottom of the V-shaped impedance versus frequency
curves, is the self-resonant frequency. At the self-resonant fre-
quency, the reactance is zero, and the impedance consists of
the ESR only.
Typical impedance versus frequency curves for KEMET
multilayer ceramic capacitors are shown in Figures 10, 11, and
12. These curves apply to KEMET capacitors in chip form, with-
out leads. Lead configuration and lead length have a significant
impact on the series inductance. The lead inductance is
approximately 10nH/inch, which is large compared to the
inductance of the chip. The effect of this additional inductance
is a decrease in the self-resonant frequency, and an increase
in impedance in the inductive region above the self-resonant
frequency.
Effect of Time: The capacitance of Class II and III
dielectrics change with time as well as with temperature, volt-
age and frequency. This change with time is known as “aging.”
It is caused by gradual realignment of the crystalline structure
of the ceramic dielectric material as it is cooled below its Curie
temperature, which produces a loss of capacitance with time.
The aging process is predictable and follows a logarithmic
decay. Typical aging rates for C0G, X7R, and Z5U dielectrics
are as follows:
C0G None
X7R 2.0% per decade of time
Z5U 5.0% per decade of time
Typical aging curves for X7R and Z5U dielectrics are
Effect of Temperature: Both capacitance and dissipa- shown in Figure 13.
tion factor are affected by variations in temperature. The max- The aging process is reversible. If the capacitor is heat-
imum capacitance change with temperature is defined by the ed to a temperature above its Curie point for some period of
temperature characteristic. However, this only defines a “box” time, de-aging will occur and the capacitor will regain the
bounded by the upper and lower operating temperatures and capacitance lost during the aging process. The amount of de-
the minimum and maximum capacitance values. Within this aging depends on both the elevated temperature and the
“box”, the variation with temperature depends upon the spe- length of time at that temperature. Exposure to 150°C for one-
cific dielectric formulation. Typical curves for KEMET capaci- half hour or 125°C for two hours is usually sufficient to return
tors are shown in Figures 3, 4, and 5. These figures also the capacitor to its initial value.
include the typical change in dissipation factor for KEMET Because the capacitance changes rapidly immediately
capacitors. after de-aging, capacitance measurements are usually delayed
Insulation resistance decreases with temperature. for at least 10 hours after the de-aging process, which is often
Typically, the insulation resistance at maximum rated temper- referred to as the “last heat.” In addition, manufacturers utilize
ature is 10% of the 25°C value. the aging rates to set factory test limits which will bring the
Effect of Voltage: Class I ceramic capacitors are not capacitance within the specified tolerance at some future time,
affected by variations in applied AC or DC voltages. For Class to allow for customer receipt and use. Typically, the test limits
II and III ceramic capacitors, variations in voltage affect only are adjusted so that the capacitance will be within the specified
the capacitance and dissipation factor. The application of DC tolerance after either 1,000 hours or 100 days, depending on
voltage higher than 5 vdc reduces both the capacitance and the manufacturer and the product type.
dissipation factor. The application of AC voltages up to 10-20
Vac tends to increase both capacitance and dissipation factor.
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Tantalum Surface Mount Capacitors – High Temperature
T498 150°C Rated MnO2 Series
Overview
The KEMET T498 Series is a high temperature product that
offers optimum performance characteristics in applications
with operating temperatures up to 150°C. Advanced materials
and testing allow this series to perform with a reliability level of
0.5%/1,000 hours at rated voltage and temperature. The T498
Series is available in five standard EIA case sizes with RoHS
compliant terminations as standard.
Benefits Applications
• Meets or exceeds EIA Standard 535BAAC Typical applications include decoupling and filtering in industrial
• Taped and reeled per EIA 481–1 and automotive end applications such as DC/DC converters,
• Symmetrical, compliant terminations portable electronics, telecommunications, and control units
• Optional gold-plated terminations operating at temperatures up to 150°C.
• Laser-marked case
• 100% surge current testing
• Complies with AEC–Q200
• Capacitance values of 0.47 μF to 220 μF
• Tolerances of ±10% and ±20%
• Voltage rating of 6 – 50 VDC
• 100% steady-state accelerated aging
• Temperature/voltage derating is 2/3 at 150°C
• RoHS Compliant and lead-free terminations standard
• Operating temperature range of -55˚C to +150˚C
Environmental Compliance
RoHS Compliant (6/6) according to Directive 2002/95/EC when ordered with 100% Sn solder.
SPICE
For a detailed analysis of specific part numbers, please visit www.kemet.com for a free download of KEMET's SPICE software.
The KEMET SPICE program is freeware intended to aid design engineers in analyzing the performance of these capacitors over
frequency, temperature, ripple, and DC bias conditions.
One world. One KEMET

© KEMET Electronics Corporation • P.O. Box 5928 • Greenville, SC 29606 (864) 963-6300 • www.kemet.com TC103_HITEMP
T2012_T498 • 12/17/2012 19
Electrical Characteristics
ESR vs. Frequency Capacitance vs. Frequency
1000 1000
T498B106M010ATE1K8
T498B106M010ATE1K8_IMP
T498D476M010ATE600
T498D476M010ATE600_IMP T498X227M010ATE500
100 T498B106M010ATE1K8_ESR 100

Impedance, ESR (Ohms)
Capacitance (µF)
T498X227M010ATE500_IMP
T498D476M010ATE600_ESR
T498X227M010ATE500_ESR
10 10
1 1
0.1 0.1
100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000
Frequency (Hz) Frequency (Hz)
Dimensions – Millimeters (Inches)

Metric will govern
Termination
cutout at
KEMET’s
option,
either end
Case Size Component

F* ±0.1 S* ±0.3 B* ±0.15
KEMET EIA L* W* H* X (Ref) P (Ref) R (Ref) T (Ref) A (Min) G (Ref) E (Ref)
±(.004) ±(.012) (Ref) ±.006
3.2 ±0.2 1.6 ±0.2 1.6 ±0.2 0.10 ± 0.10
A 3216–18
(0.126 ±0.008) (0.063 ±0.008) (0.063 ±0.008)
1.2 (.047) 0.8 (.031) 0.4 (.016)
(.004 ± .004)
0.4 (.016) 0.4 (.016) 0.13 (.005) 0.8 (.31) 1.1 (.043) 1.3 (.051)
3.5 ±02 2.8 ±0.2 1.9 ±0.2 0.10 ± 0.10
B 3528–21
(0.138 ±0.008) (0.110 ±0.008) (0.075 ±0.008)
2.2 (.087) 0.8 (.031) 0.4 (.016)
(.004 ± .004)
0.5 (.020) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 1.1 (0.043) 1.8 (.071) 2.2 (.087)
6.0 ±0.3 3.2 ±0.3 2.5 ±0.3 0.10 ± 0.10
C 6032–28
(0.236 ±0.03) (0.126 ±0.012) (0.098 ±0.012)
2.2 (.087) 1.3 (.051) 0.5 (.020)
(.004 ± .004)
0.9 (.035) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 2.5(.098) 2.8 (.110) 2.4 (.094)
7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 2.8 ±0.3 0.10 ± 0.10
D 7343–31
(0.287 ±0.012) (0.169 ±0.012) (0.110 ±0.012)
2.4 (.094) 1.3 (.051) 0.5 (.020)
(.004 ± .004)
0.9 (.035) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
7.3 ±0.3 4.3 ±0.3 4.0 ±0.3 0.10 ± 0.10
X 7343–43
(0.287 ±0.012) (0.169 ±0.012) (0.157 ±0.012)
2.4 (.094) 1.3 (.051) 0.5 (.020)
(.004 ± .004)
1.7 (.067) 1.0 (.039) 0.13 (.005) 3.8 (.150) 3.5 (.138) 3.5 (.138)
Notes: (Ref) – Dimensions provided for reference only. No dimensions provided for B, P or R because low profile cases do not have a bevel or a notch.
* MIL–C–55365/8 specified dimensions
T2012_T498 • 12/17/2012 124
Capacitor Marking
C, D, X Case Sizes
KEMET High KEMET

Temperature Polarity Industrial Polarity
150⁰C HT Indicator (+) Grade
MnO2
Indicator (+)
K
KEMET ID
227 Picofarad Code
10V
227
Rated
Voltage 10 K KEMET ID Rated
Voltage
Picofarad Code
230 Date
Code*
Date C6 49 Internal Code
Code*
* 230 = 30th week of 2012
Date Code * Date Code*

1st digit = Last number of Year 9 = 2009 Year Month
0 = 2010 X = 2009 1 = Jan 7 = Jul
1 =2011
A = 2010 2 = Feb 8 = Aug
2 = 2012
B = 2011 3 = Mar 9 = Spt
2nd and 3rd digit = Week of the Year 01 = 1st week of the Year to
52 = 52nd week of the Year C = 2012 4 = Apr O = Oct
D = 2013 5 = May N = Nov
E = 2014 6 = Jun D = Dec
Storage
Tantalum chip capacitors should be stored in normal working environments. While the chips themselves are quite robust in other
environments, solderability will be degraded by exposure to high temperatures, high humidity, corrosive atmospheres, and long term
storage. In addition, packaging materials will be degraded by high temperature– reels may soften or warp and tape peel force may
increase. KEMET recommends that maximum storage temperature not exceed 40ºC and maximum storage humidity not exceed 60%
relative humidity. Temperature fluctuations should be minimized to avoid condensation on the parts and atmospheres should be free of
chlorine and sulphur bearing compounds. For optimized solderability chip stock should be used promptly, preferably within three years
of receipt.
T2012_T498 • 12/17/2012 18
10
(2/30)
Multilayer Ceramic Chip Capacitors Conformity to RoHS Directive
General Use
C Series
FEATURES SHAPES AND DIMENSIONS
• An electrostatic capacity has been obtained that reaches the L
electrolytic capacitor range through precision technology that
enables the use of multiple thinner ceramic dielectric layers.
W
• Since these capacitors are composed of only ceramics and
B
metals and have a monolithic structure, they offer a long service
life and high reliability.
T
• Low ESL and excellent frequency characteristics allow for a
circuit design that closely conforms to theoretical values.
• Low self-heating and high ripple resistance due to low ESR.
DIMENSIONS
APPLICATION EXAMPLES
The dimensions of each product are described within the product
• Decoupling and ripple filters for general electronic devices
name.
• Time constant circuits, resonance circuits, coupling circuits
(Products with CH or C0G temperature characteristics are
Dimensions L×W
recommended. Use as a replacement for film capacitors is also
The 4-digit number in the product name corresponds to the
possible.)
dimensions of L×W.
Refer to the table below for specific values.
Dimensions in mm
Dimension code L W B
0402 0.4±0.02 0.2±0.02 0.07min.
0603 0.6±0.03 0.3±0.03 0.1min.
1005 1.0±0.05 0.5±0.05 0.1min.
1608 1.6±0.1 0.8±0.1 0.2min.
2012 2.0±0.2 1.25±0.2 0.2min.
3216 3.2±0.2 1.6±0.2 0.2min.
3225 3.2±0.4 2.5±0.3 0.2min.
4532 4.5±0.4 3.2±0.4 0.2min.
5750 5.7±0.4 5.0±0.4 0.2min.
• Dimension tolerances are typical values.
Product’s Thickness T
The value in parentheses at the end of the product name
corresponds to thickness T.
Refer to the table of "CAPACITANCE RANGES" for specific values.
• For more information about the products of other capacitance or data, please contact us.
• Conformity to RoHS Directive: This means that, in conformity with EU Directive 2002/95/EC, lead, cadmium, mercury, hexavalent chromium, and specific
bromine-based flame retardants, PBB and PBDE, have not been used, except for exempted applications.
• All specifications are subject to change without notice.

Please read the precautions before using this catalog.
007-02 / 20110907 / e412_c.fm
(3/30)
PRODUCT IDENTIFICATION
C 1005 CH 1H 100 C ( 050 B A )
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9)
(1) Series name (5) Nominal capacitance

The capacitance is expressed in three digit codes and in units of
(2) Dimensions L×W pico farads (pF).
0402 0.4×0.2mm The first and second digits identify the first and second significant
0603 0.6×0.3mm figures of the capacitance.
1005 1.0×0.5mm The third digit identifies the multiplier.
1608 1.6×0.8mm R designates a decimal point.
2012 2.0×1.25mm 0R5 0.5pF
3216 3.2×1.6mm R75 0.75pF
3225 3.2×2.5mm 010 1pF
4532 4.5×3.2mm 100 10pF
5750 5.7×5.0mm 471 470pF
102 1,000pF
333 33,000pF
(3) Capacitance temperature characteristics
474 470,000pF
Class 1 (Temperature compensation) 225 2,200,000pF (2.2µF)
Temperature
Capacitance change Temperature range
characteristics (6) Capacitance tolerance
C0G 0±30ppm/°C –55 to +125°C
Applicable capacitance
CH 0±60ppm/°C –25 to +85°C Symbol Tolerance
range
B ±0.1pF
Class 2 (Temperature stable and general purpose) C ±0.25pF 10pF or less
D ±0.5pF
Temperature
Capacitance change Temperature range J ±5%
characteristics
K ±10%
X5R ±15% –55 to +85°C Over 10pF
M ±20%
X6S ±22% –55 to +105°C
Z +80, –20%
X7R ±15% –55 to +125°C
JB ±10% –25 to +85°C
(7) Dimensions T
Y5V +22, –82% –30 to +85°C
JF +30, –80% –25 to +85°C
Expressed by a three-digit number in mm units.
The second and third digits denote the first and second decimal
places, respectively.
(4) Rated voltage Edc
050 0.50mm
0G 4V
085 0.85mm
0J 6.3V 125 1.25mm
1A 10V
1C 16V
(8) Packaging style
1E 25V
A ø178mm reel with 4mm-pitch
1V 35V
B ø178mm reel with 2mm-pitch
1H 50V
C ø178mm reel with 1mm-pitch
D ø330mm reel with 4mm-pitch
E ø330mm reel with 2mm-pitch
F ø330mm reel with 1mm-pitch
H Bulk(bag)
J ø330mm reel with 8mm-pitch
K ø178mm reel with 8mm-pitch
(9) TDK internal code
In brochures issued in August, 2011 and later, the product thickness and packing specifications are described at the end of the ordering name [the
product name described in brochures] in parentheses.
Since the existing ordering name could not clearly express the product thickness and packing specifications, it has been changed to a new product
description method that solves this inconvenience.
Please be aware that the last five digits of the ordering name on the delivery label and those in the brochure differ.
No changes have been made to the delivery name.
(Example)
Brochure issued date Ordering name (description in the brochure) Delivery name (description on the delivery label)
Prior to July, 2011 C1608X5R1C105K C1608X5R1C105KT000N
August, 2011 or later C1608X5R1C105K(080AA) C1608X5R1C105KT000N

007-02 / 20110907 / e412_c.fm
(4/30)
CAPACITANCE RANGES: CLASS 1 (TEMPERATURE COMPENSATION)

TEMPERATURE CHARACTERISTICS: C0G(0±30ppm/°C)
Dimension Thickness Capacitance Part No.
Capacitance
L×W T(mm) tolerance Rated voltage Edc: 50V Rated voltage Edc: 35V Rated voltage Edc: 25V Rated voltage Edc: 16V
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C0R5C(020BA)
0603 0.30±0.03 ±0.25pF C0603C0G1H0R5C(030BA) C0603C0G1E0R5C(030BA)
0.5pF ±0.1pF C1005C0G1H0R5B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H0R5C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H0R5C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1CR75C(020BA)
0603 0.30±0.03 ±0.25pF C0603C0G1HR75C(030BA) C0603C0G1ER75C(030BA)
0.75pF ±0.1pF C1005C0G1HR75B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1HR75C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1HR75C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C010C(020BA)
0603 0.30±0.03 ±0.25pF C0603C0G1H010C(030BA) C0603C0G1E010C(030BA)
1pF ±0.1pF C1005C0G1H010B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H010C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H010C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C1R5C(020BA)
0603 0.30±0.03 ±0.25pF C0603C0G1H1R5C(030BA) C0603C0G1E1R5C(030BA)
1.5pF ±0.1pF C1005C0G1H1R5B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H1R5C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H1R5C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C020C(020BA)
2pF ±0.1pF C1005C0G1H020B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H020C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H020C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C030C(020BA)
3pF ±0.1pF C1005C0G1H030B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H030C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H030C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C040C(020BA)
4pF ±0.1pF C1005C0G1H040B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H040C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H040C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.25pF C0402C0G1C050C(020BA)
5pF ±0.1pF C1005C0G1H050B(050BA)
1005 0.50±0.05
±0.25pF C1005C0G1H050C(050BA)
1608 0.80±0.10 ±0.25pF C1608C0G1H050C(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.5pF C0402C0G1C060D(020BA)
0603 0.30±0.03 ±0.5pF C0603C0G1H060D(030BA) C0603C0G1E060D(030BA)
±0.25pF C1005C0G1H060C(050BA)
6pF 1005 0.50±0.05
±0.5pF C1005C0G1H060D(050BA)
±0.25pF C1608C0G1H060C(080AA)
1608 0.80±0.10
±0.5pF C1608C0G1H060D(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.5pF C0402C0G1C070D(020BA)
±0.25pF C1005C0G1H070C(050BA)
7pF 1005 0.50±0.05
±0.5pF C1005C0G1H070D(050BA)
±0.25pF C1608C0G1H070C(080AA)
1608 0.80±0.10
±0.5pF C1608C0G1H070D(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.5pF C0402C0G1C080D(020BA)
±0.25pF C1005C0G1H080C(050BA)
8pF 1005 0.50±0.05
±0.5pF C1005C0G1H080D(050BA)
±0.25pF C1608C0G1H080C(080AA)
1608 0.80±0.10
±0.5pF C1608C0G1H080D(080AA)
0402 0.20±0.02 ±0.5pF C0402C0G1C090D(020BA)
±0.25pF C1005C0G1H090C(050BA)
9pF 1005 0.50±0.05
±0.5pF C1005C0G1H090D(050BA)
±0.25pF C1608C0G1H090C(080AA)
1608 0.80±0.10
±0.5pF C1608C0G1H090D(080AA)

007-02 / 20110907 / e412_c.fm
CeraDiodes
Standard series
Features Single chip

ESD protection to IEC 61000-4-2, level 4
Bidirectional ESD protection in one component
No change in ESD protection performance at temperatures
up to 85 °C (temperature derating)
Use of parasitic capacitance for EMI suppression and 4-fold array
high-frequency filtering (replacement of additional MLCC)
High surge current capability
Low parasitic inductance
Low leakage current
Fast response time <0.5 ns
Lead-free nickel barrier terminations suitable for lead-free soldering
RoHS-compatible
Applications
Interfaces, data lines, power lines and audio lines, pushbuttons,
serial ports, ICs and I/O ports
Consumer electronic products (TV, DVD player/recorder, set-top
box, game consoles, MP3 player, digital still/video camera, etc.)
EDP products (desktop and notebook computer, monitor, PDA,
printer, memory card, control unit, head set, speaker, HDD, optical
drive, etc.)
Industrial applications
Design
Multilayer technology
Nickel barrier termination (Ag/Ni/Sn) for lead-free soldering
Marking
Due to the symmetrical configuration no marking information is
needed.
General technical data
Maximum DC operating voltage VDC,max 5.6 ... 22 V

Typical capacitance Ctyp 15 ... 470 pF
Air discharge ESD capability to IEC 61000-4-2 VESD,air 15 kV
Contact discharge ESD capability to IEC 61000-4-2 VESD,contact 8 kV
Leakage current1) (Vleak = 5.6 V) Ileak 1 µA
Operating temperature (without derating) Top 40/+85 °C
Storage temperature LCT/UCT 40/+125 °C
1) Except CDS2C05GTA and CDS3C05GTA Vleak = 3.3 V. Any operating voltage lower than Vleak results in lower leakage current.
Please read Cautions and warnings and Page 2 of 22

Important notes at the end of this document.
CeraDiodes
Standard series
Electrical specifications and ordering codes

Maximum ratings (Top,max = 85 °C) and characteristics (TA = 25 °C)
Type Ordering code VDC,max VBR,min Vclamp,max IPP PPP Ctyp

(1 mA) (1 A) (8/20 µs) (8/20 µs) (1 MHz, 1 V)
V V V A W pF
Array, 4-fold, 0508, no semiconductor diode equivalent
CDA4C20GTA B72714D0200A060 22 24 60 10 600 33
Array, 4-fold, 0612, no semiconductor diode equivalent
CDA5C20GTA B72724D0200A062 22 25 50 30 2200 56
Single, 0201, no semiconductor diode equivalent
CDS1C05GTA1 B72440C0050A160 5.5 11 22 - - 15
CDS1C05GTA B72440D0050A060 5.6 12 39 - - 22
Single, 0402, SOD-723
CDS2C05GTA B72590D0050A060 5.6 6.4 24 10 320 1801)
CDS2C15GTA B72590D0150A060 15 20 46 10 670 47
CDS3C05GTA B72500D0050A060 5.6 6.4 19 30 1000 4701)
CDS3C09GTA B72500D0090A060 9 10 30 30 1600 2201)
CDS3C15GTA B72500D0150A060 15 22 42 30 2000 1601)
CDS3C20GTA B72500D0200A060 22 25 50 30 2200 56
CDS4C12GTA B72570D0120A060 12 16 46 20 1000 82
Typical characteristics
1) Ctyp measured at V = 1 V, f = 1 kHz.

CeraDiodes
Standard series
Dimensional drawings
Single device
Dimensions in mm
Case (inch) 0201 0402 0603 1003
size (mm) 0603 1005 1608 2508
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
l 0.57 0.63 0.85 1.15 1.45 1.75 2.34 2.74
w 0.27 0.33 0.4 0.6 0.7 0.9 0.7 0.9
h 0.27 0.33 0.4 0.6 0.7 0.9 0.7 0.9
k 0.1 0.2 0.1 0.3 0.1 0.4 0.13 0.75
Array device
Dimensions in mm
Case (inch) 0508 0612
size (mm) 1220 1632
Min. Max. Min. Max.
l 1.8 2.2 3.0 3.4
w 1.05 1.45 1.45 1.75
h - 0.9 - 0.9
d 0.2 0.4 0.25 0.55
e 0.4 0.6 0.61 0.91
k - 0.35 - 0.35

Hola1
H
A
H
Heatsinks for DIL-IC, PLCC and SMD
Heatsinks for SMD
B
E
– particularly suitable for SMD components
– low profile
– reduced weight
– effective heat dissipation
– can be glued directly onto the component
F – soudable versions
– customer specific versions on request
– special packaging like tape and real, bar magazin, tary etc. on request
art. no. Rth [K/W] [mm]

ICK SMD A 5 ... 123 5
H ICK SMD A 8 ... 87 8
ICK SMD A 10 ... 75 10
ICK SMD A 13 ... 63 13
ICK SMD A 17 ... 51 17
I ICK SMD A 22 ... 34 22
K art. no. Rth [K/W] [mm]

ICK SMD B 5 ... 56 5
ICK SMD B 7 ... 47 7
ICK SMD B 10 ... 35 10
ICK SMD B 13 ... 29 13
L ICK SMD B 19 ... 22 19
please indicate: ... surface treatment
SA=black anodised
MI=solderable surface
H H Aluminium oxide wafers ➔ E 9 – 10 Profiles for PCB components ➔ A 89 H

B 25 Mica wafers ➔ E 11 Heatsinks for PCB ➔ A 87
N Kapton insulator washers ➔ E 8 SMD-heatsinks ➔ B 25 – 27
Insulting clamping parts ➔ E 35 Profiles for PCB mounting ➔ A 87 – 108
H
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT FZT851
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
ISSUE 2 - OCTOBER 1995
FZT853
FEATURES
* Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 44mΩ at 5A C

* 6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current
* Very low saturation voltages
E
* Excellent hFE characteristics specified up to 10 Amps
C
B
PARTMARKING DETAILS - DEVICE TYPE IN FULL
COMPLEMENTARY TYPES - FZT851 FZT951
FZT853 FZT953
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER SYMBOL FZT851 FZT853 UNIT
Collector-Base Voltage V CBO 150 200 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 60 100 V
Emitter-Base Voltage V EBO 6 6 V
Peak Pulse Current I CM 20 10 A
Continuous Collector Current IC 6 A
Power Dissipation at T amb=25°C P tot 3 W
Operating and Storage Temperature T j:T stg -55 to +150 °C
Range
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum
3 - 260
FZT851 FZT851
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated) TYPICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown V (BR)CBO 150 220 V I C=100µA
Voltage 0.8 1.6
300
hFE - Normalised Gain

Collector-Emitter V (BR)CER 150 220 V I C =1µA, RB ≤1kΩ 1.4
hFE - Typical Gain

VCE(sat) - (Volts)
Breakdown Voltage 0.6 1.2
1.0 200
Collector-Emitter V (BR)CEO 60 85 V I C=10mA*
0.4 0.8
Breakdown Voltage IC/IB=10 VCE=5V
IC/IB=50 0.6 VCE=1V
Emitter-Base Breakdown V (BR)EBO 6 8 V 100
I E=100µA 0.2 0.4
Voltage 0.2
Collector Cut-Off Current I CBO 50 nA V CB=120V 0 0 0.01

0.1 1 10 100
µA
0.01 0.1 1 10 100
1 V CB=120V,
T amb=100°C IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
Collector Cut-Off Current I CER 50 nA V CB=120V VCE(sat) v IC hFE v IC
R ≤1kΩ 1 µA V CB=120V,
T amb=100°C
Emitter Cut-Off Current I EBO 10 nA V EB=6V
VCE=1V
Collector-Emitter Saturation V CE(sat) 50 mV I C=0.1A, I B=5mA* 2.0 2.0
Voltage 100 mV I C=1A, I B=50mA*
VBE(sat) - (Volts)
VBE - (Volts)
170 mV I C=2A, I B=50mA*
375 mV I C=6A, I B=300mA* 1.5
IC/IB=10
1.5
IC/IB=50
Base-Emitter V BE(sat) 1200 mV I C=6A, I B=300mA*
Saturation Voltage 1.0 1.0
Base-Emitter V BE(on) 1150 mV I C =6A, V CE=1V*

Turn-On Voltage 0.5 0.5
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Static Forward h FE 100 200 I C=10mA, V CE=1V
Current Transfer 100 200 300 I C=2A, V CE=1V* IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
Ratio 75 120 I C=5A, V CE=1V*
25 50 I C=10A, V CE=1V* VBE(sat) v IC VBE(on) v IC
Transition fT 130 MHz I C=100mA, V CE=10V Single Pulse Test Tamb=25 °C

Frequency f=50MHz 100
IC - Collector Current (A)

Output Capacitance C obo 45 pF V CB=10V, f=1MHz
Switching Times t on 45 ns I C=1A, I B1=100mA 10
t off 1100 ns I B2=100mA, V CC=10V

DC
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2% 1

1s
100ms
Spice parameter data is available upon request for this device 10ms
1ms
100µs
0.1
0.1 1 10 100
VCE - Collector Voltage (V)
Safe Operating Area
3 - 261 3 - 262
FZT851 FZT851
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated) TYPICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown V (BR)CBO 150 220 V I C=100µA
Voltage 0.8 1.6
300
hFE - Normalised Gain

Collector-Emitter V (BR)CER 150 220 V I C =1µA, RB ≤1kΩ 1.4
hFE - Typical Gain

VCE(sat) - (Volts)
Breakdown Voltage 0.6 1.2
1.0 200
Collector-Emitter V (BR)CEO 60 85 V I C=10mA*
0.4 0.8
Breakdown Voltage IC/IB=10 VCE=5V
IC/IB=50 0.6 VCE=1V
Emitter-Base Breakdown V (BR)EBO 6 8 V 100
I E=100µA 0.2 0.4
Voltage 0.2
Collector Cut-Off Current I CBO 50 nA V CB=120V 0 0 0.01

0.1 1 10 100
µA
0.01 0.1 1 10 100
1 V CB=120V,
T amb=100°C IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
Collector Cut-Off Current I CER 50 nA V CB=120V VCE(sat) v IC hFE v IC
R ≤1kΩ 1 µA V CB=120V,
T amb=100°C
Emitter Cut-Off Current I EBO 10 nA V EB=6V
VCE=1V
Collector-Emitter Saturation V CE(sat) 50 mV I C=0.1A, I B=5mA* 2.0 2.0
Voltage 100 mV I C=1A, I B=50mA*
VBE(sat) - (Volts)
VBE - (Volts)
170 mV I C=2A, I B=50mA*
375 mV I C=6A, I B=300mA* 1.5
IC/IB=10
1.5
IC/IB=50
Base-Emitter V BE(sat) 1200 mV I C=6A, I B=300mA*
Saturation Voltage 1.0 1.0
Base-Emitter V BE(on) 1150 mV I C =6A, V CE=1V*

Turn-On Voltage 0.5 0.5
0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100
Static Forward h FE 100 200 I C=10mA, V CE=1V
Current Transfer 100 200 300 I C=2A, V CE=1V* IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
Ratio 75 120 I C=5A, V CE=1V*
25 50 I C=10A, V CE=1V* VBE(sat) v IC VBE(on) v IC
Transition fT 130 MHz I C=100mA, V CE=10V Single Pulse Test Tamb=25 °C

Frequency f=50MHz 100
IC - Collector Current (A)

Output Capacitance C obo 45 pF V CB=10V, f=1MHz
Switching Times t on 45 ns I C=1A, I B1=100mA 10
t off 1100 ns I B2=100mA, V CC=10V

DC
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2% 1

1s
100ms
Spice parameter data is available upon request for this device 10ms
1ms
100µs
0.1
0.1 1 10 100
VCE - Collector Voltage (V)
Safe Operating Area
3 - 261 3 - 262
PN2222A / MMBT2222A / PZT2222A — NPN General Purpose Amplifier
August 2010
PN2222A / MMBT2222A / PZT2222A

NPN General Purpose Amplifier
Features
• This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA.
• Sourced from process 19.
PN2222A MMBT2222A PZT2222A
C
C
E
E
C
TO-92 SOT-23 SOT-223 B
B
EBC Mark:1P
Absolute Maximum Ratings * Ta = 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Value Units
VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V
VCBO Collector-Base Voltage 75 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6.0 V
IC Collector Current 1.0 A
TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range - 55 ~ 150 °C
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
operations.
Thermal Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted

Max.
Symbol Parameter Units
PN2222A *MMBT2222A **PZT2222A
Total Device Dissipation 625 350 1,000 mW
PD
Derate above 25°C 5.0 2.8 8.0 mW/°C
RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 °C/W
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 357 125 °C/W
* Device mounted on FR-4 PCB 1.6” × 1.6” × 0.06”.
** Device mounted on FR-4 PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm2.
© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com

PN2222A / MMBT2222A / PZT2222A Rev. A3 1
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units

Off Characteristics
BV(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage * IC = 10mA, IB = 0 40 V
BV(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = 10μA, IE = 0 75 V
BV(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 10μA, IC = 0 6.0 V
ICEX Collector Cutoff Current VCE = 60V, VEB(off) = 3.0V 10 nA
ICBO Collector Cutoff Current VCB = 60V, IE = 0 0.01 μA
VCB = 60V, IE = 0, Ta = 125°C 10 μA
IEBO Emitter Cutoff Current VEB = 3.0V, IC = 0 10 nA
IBL Base Cutoff Current VCE = 60V, VEB(off) = 3.0V 20 nA
On Characteristics
hFE DC Current Gain IC = 0.1mA, VCE = 10V 35
IC = 1.0mA, VCE = 10V 50
IC = 10mA, VCE = 10V 75
IC = 10mA, VCE = 10V, Ta = -55°C 35
IC = 150mA, VCE = 10V * 100 300
IC = 150mA, VCE = 1V * 50
IC = 500mA, VCE = 10V * 40
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage * IC = 150mA, IB = 15mA 0.3 V
IC = 500mA, IB = 50mA 1.0 V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage * IC = 150mA, IB = 15mA 0.6 1.2 V
IC = 500mA, IB = 50mA 2.0 V
Small Signal Characteristics
fT Current Gain Bandwidth Product IC = 20mA, VCE = 20V, f = 100MHz 300 MHz
Cobo Output Capacitance VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz 8.0 pF
Cibo Input Capacitance VEB = 0.5V, IC = 0, f = 1MHz 25 pF
rb’Cc Collector Base Time Constant IC = 20mA, VCB = 20V, f = 31.8MHz 150 pS
NF Noise Figure IC = 100μA, VCE = 10V, 4.0 dB
RS = 1.0KΩ, f = 1.0KHz
Re(hie) Real Part of Common-Emitter IC = 20mA, VCE = 20V, f = 300MHz 60 Ω
High Frequency Input Impedance
Switching Characteristics
td Delay Time VCC = 30V, VEB(off) = 0.5V, 10 ns
tr Rise Time IC = 150mA, IB1 = 15mA 25 ns
ts Storage Time VCC = 30V, IC = 150mA, 225 ns
tf Fall Time IB1 = IB2 = 15mA 60 ns
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2.0%

Typical Performance Characteristics
Typical Pulsed Current Gain Collector-Emitter Saturation
V CESAT - COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

vs Collector Current Voltage vs Collector Current
h FE - TYPICAL PULSED CURRENT GAIN
500 0.4
V CE = 5V
β = 10
400
0.3
125 °C
300
125°C
캜
0.2
200
25 °C 25 °C
캜
100 0.1
- 40 °C
- 40°C
캜
0
0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1 10 100 500
I C - COLLECTOR CURRENT (mA) I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. Typical Pulsed Current Gain Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage

vs Collector Current vs Collector Current
Base-Emitter Saturation Base-Emitter ON Voltage vs

Collector Current
V BE(ON) - BASE-EMITTER ON VOLTAGE (V)
Voltage vs Collector Current

V BESAT- BASE-EMITTER VOLTAGE (V)
1
1 β = 10 VCE = 5V
- 40 °C
캜
0.8 - 40 °C
0.8 25°C
캜 25 °C
0.6
125 °C
캜 125 °C
0.6
0.4
0.4
0.2
1 10 100 500 0.1 1 10 25
I ICC - COLLECTOR CURRENT (m A) I ICC - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage Figure 4. Base-Emitter On Voltage

Collector-Cutoff Current Emitter Transition and Output

vs Ambient Temperature Capacitance vs Reverse Bias Voltage
500
I CBO - COLLECTOR CURRENT (nA)
V = 40V 20 f = 1 MHz
100 CB
CAPACITANCE (pF)
16
10
12
1 C te
8
0.1
C ob
4
25 50 75 100 125 150 0.1 1 10 100

T A - AMBIENT TEMPERATURE (°C) REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
Figure 5. Collector Cutoff Current Figure 6. Emitter Transition and Output Capacitance
vs Ambient Temperature vs Reverse Bias Voltage

Typical Performance Characteristics (Continued)
Turn On and Turn Off Times Switching Times

400 400
Ic Ic
I B1 = I B2 = I B1 = I B2 =
10 10
320 320
V cc = 25 V V cc = 25 V
TIME (nS)
TIME (nS)
240 240
160 160 ts
tr
t off
80 80 tf
t on
td
0 0
10 100 1000 10 100 1000
I CIC - COLLECTOR CURRENT (mA) I CIC - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Turn On and Turn Off Times Figure 8. Switching Times vs Collector Current
vs Collector Current
Power Dissipation vs
Ambient Temperature Common Emitter Characteristics
CHAR. RELATIVE TO VALUES AT I C= 10mA
1 8
V CE = 10 V
T A = 25oC
PD - POWER DISSIPATION (W)
SOT-223 6
0.75 TO-92
h oe
0.5 4
SOT-23
h re
0.25 2
h fe
h ie
0 0
0 25 50 75 100 125 150 0 10 20 30 40 50 60
o
TEMPERATURE ( C) I C - COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Power Dissipation vs Figure 10. Common Emitter Characteristics

Ambient Temperature
Common Emitter Characteristics Common Emitter Characteristics

CHAR. RELATIVE TO VALUES AT VCE= 10V
CHAR. RELATIVE TO VALUES AT TA = 25oC
2.4 1.3
V CE = 10 V I C = 10 mA
I C = 10 mA 1.25 T A = 25oC h fe
h re
2 h ie 1.2
h fe 1.15
1.6 h ie
1.1
h oe 1.05
1.2
1
0.8 0.95 h re
0.9
0.4 0.85
h oe
0.8
0 0.75
0 20 40 60 80 100 0 5 10 15 20 25 30 35
T A - AMBIENT TEMPERATURE ( o C) VCE - COLLECTOR VOLTAGE (V)
Figure 11. Common Emitter Characteristics Figure 12. Common Emitter Characteristics

D/CRCW e3
Vishay
Standard Thick Film Chip Resistors
FEATURES
 Stability R/R = 1 % for 1000 h at 70 ° C
 2 mm pitch packaging option for 0603 size
 Pure tin solder contacts on Ni barrier layer
provides compatibility with lead (Pb)-free and lead
containing soldering processes
 Metal glaze on high quality ceramic
 AEC-Q200 qualified
 Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS

SIZE RATED LIMITING
DISSIPATION ELEMENT TEMPERATURE TOLERANCE RESISTANCE
MODEL COEFFICIENT RANGE SERIES
INCH METRIC P70 °C VOLTAGE ppm/K % 
W Umax. AC/DC
± 100 ±1 E24; E96
0.063 50 1R0 to 10M
D10/CRCW0402 0402 RR 1005M ± 200 ±5 E24
Zero-Ohm-Resistor: Rmax. = 20 m, Imax. at 70 °C = 1.5 A
± 100 ±1 E24; E96
0.10 75 1R0 to 10M
D11/CRCW0603 0603 RR 1608M ± 200 ±5 E24
± 100 ±1 E24; E96
0.125 150 1R0 to 10M
D12/CRCW0805 0805 RR 2012M ± 200 ±5 E24
0.25 200 ± 100 ±1 1R0 to 10M E24; E96

D25/CRCW1206 1206 RR 3216M ± 200 ±5 E24
0.5 200 ± 100 ±1 1R0 to 10M E24; E96

CRCW1210 1210 RR 3225M ± 200 ±5 E24
1.0 200 ± 100 ±1 1R0 to 2M2 E24; E96

CRCW1218 1218 RR 3246M ± 200 ±5 E24
0.75 400 ± 100 ±1 1R0 to 10M E24; E96

CRCW2010 2010 RR 5025M ± 200 ±5 E24
1.0 500 ± 100 ±1 1R0 to 10M E24; E96

CRCW2512 2512 RR 6332M ± 200 ±5 E24
Notes
 These resistors do not feature a limited lifetime when operated within the permissible limits. However, resistance value drift increasing over
operating time may result in exceeding a limit acceptable to the specific application, thereby establishing a functional lifetime.
 Marking: See data sheet “Surface Mount Resistor Marking” (document number 20020).
 Power rating depends on the max. temperature at the solder point, the component placement density and the substrate material.
Document Number: 20035 For technical questions, contact: thickfilmchip@vishay.com www.vishay.com

Revision: 04-Jun-12 125
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
D/CRCW e3
Vishay Standard Thick Film Chip Resistors
FUNCTIONAL PERFORMANCE
Single Pulse
1000
Pulse Load Pmax. (W)

2512
1218
2010
100 1210
1206
0805
0603
10 0402
0.1
0.01
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 100
Pulse Duration t i (s)
Maximum pulse load, single pulse; applicable if P 0 and n < 1000 and Û ≤ Ûmax.;
for permissible resistance change equivalent to 8000 h operation
Continuous Pulse
1000
Continuous Pulse Load Pmax. (W)
2512
1218
2010
100 1210
1206
0805
0603
10 0402
0.1
0.01
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 100
Maximum pulse load, continuous pulses; applicable if P ≤ P (ϑamb) and Û ≤ Ûmax.;
for permissible resistance change equivalent to 8000 h operation
(V)
2000
max.
1800 2512
Pulse Voltage Û
1600
2010
1400
1200
1000
800 1206/1210/1218
600
400 0805
0603
200
0402
0 -6
10 10- 5 10- 4 10- 3 10- 2 10- 1 1 10
Maximum pulse voltage, single and continuous pulses; applicable if
P ≤ Pmax.; for permissible resistance change equivalent to 8000 h operation
www.vishay.com For technical questions, contact: thickfilmchip@vishay.com Document Number: 20035

128 Revision: 04-Jun-12
D/CRCW e3
Standard Thick Film Chip Resistors Vishay
Derating
Fraction of Rated Dissipation P70

100
50
0
- 50 0 50 70 100 °C 150
Ambient Temperature ϑamb
120
Attenuation of 3rd Harmonic A3 in dB
100
80
1206, 2010
0805
60
40 0603
0402
20
0
10 100 1K 10K 100K 1M 10M
Resistance Value R in Ω
Current Noise A1 in µV/V
100
2
040
6 0 3
10 0
5
080 6
120 0
201
1
0.1
0.01
100 1K 10K 100K 1M 10M
Resistance Value R in Ω
Document Number: 20035 For technical questions, contact: thickfilmchip@vishay.com www.vishay.com

Revision: 04-Jun-12 129

Diseño y Construcción de Un Distribuidor Amplificador para Audífonos

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Diseño y Construcción de Un Distribuidor Amplificador para Audífonos

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD PROFESIONAL “ADOLFO LÓPEZ MATEOS”

PARA OBTENER EL TÍTULO DE:

LUIS ENRIQUE CÁRDENAS ZAMORA

JESSE DIEGO DURÁN GÓMEZ

ING. HUGO JORGE MACÍAS PALACIOS

DRA. ITZALÁ RABADÁN MALDA

Ciudad de México, Junio 2018

1.1 Bulbos ............................................................................................................................................. 5

1.1.2 Características de los bulbos ....................................................................................................... 6

1.2 Amplificadores ............................................................................................................................... 7

1.2.1 Amplificador Operacional ........................................................................................................... 8

MARCO TEÓRICO .................................................................................................................................... 10

2.1 Transistores .................................................................................................................................. 11

2.1.1 Funcionamiento y características de los transistores ............................................................... 12

2.2 Amplificador Operacional ............................................................................................................ 14

2.3 Amplificador de audio .................................................................................................................. 16

2.4 Amplificadores de audífonos........................................................................................................ 16

2.5 Etapas de un amplificador de audio ............................................................................................. 17

2.6 Amplificadores de potencia: clasificación y clases ....................................................................... 19

2.7 Potencia RMS ............................................................................................................................... 21

2.8 Características técnicas del amplificador ..................................................................................... 21

2.8.1 Impedancia ................................................................................................................................ 22

2.8.2 Factor de amortiguación ........................................................................................................... 22

2.8.3 Potencia de salida ..................................................................................................................... 23

2.8.4 Potencia máxima ....................................................................................................................... 24

2.8.5 Potencia máxima útil ................................................................................................................. 24

2.8.7 Relación señal/ruido ................................................................................................................. 25

2.8.8 Acoplamiento ............................................................................................................................ 25

2.8.9 Respuesta en fase ..................................................................................................................... 25

2.8.11 Sensibilidad ............................................................................................................................. 26

2.8.12 Distorsión ................................................................................................................................ 27

2.8.13 Diafonía ................................................................................................................................... 28

2.9 Umbral de Audición...................................................................................................................... 28

2.10 Respuesta en frecuencia ............................................................................................................ 29

DESARROLLO Y DISEÑO .......................................................................................................................... 32

3.1 Diagrama a Bloques del prototipo propuesto .............................................................................. 33

3.2 Cálculos, diseño por etapas.......................................................................................................... 34

3.3 Simulación .................................................................................................................................... 38

3.4 Medición Señal a Ruido ................................................................................................................ 42

3.5 Selección de componentes .......................................................................................................... 44

3.6 PCB y Máscara de componentes .................................................................................................. 44

3.7 Pruebas y correcciones ................................................................................................................ 45

RECOMENDACIONES A FUTURO ............................................................................................................ 53

Debido a que en la actualidad existen en el mercado un sin número de distribuidores

Existen diversos tipos de amplificadores que pertenecen a marcas reconocidas tanto

Diseñar y construir un distribuidor amplificador para el uso de audífonos en el

El presente proyecto está destinado al diseño y construcción de un distribuidor

Como sabemos un amplificador de audio incrementa la señal de salida respecto a la de

En este desarrollo usaremos un amplificador de clase A ya que estos tienen un bajo

Pero el transistor se encontró desde un principio con un grave problema, su baja

Figura 1.1 Imagen Ilustrativa de un Bulbo

En todas estas topologías tenemos dos elementos comunes: el ánodo y el cátodo. El

1.1.2 Características de los bulbos

Algunas de las características de los bulbos son las siguientes:

 Los bulbos o válvulas tienen una ganancia relativamente baja

 Son más susceptibles a las vibraciones, que los dispositivos de transistores,

La mayoría de los amplificadores de bulbos usan un transformador de salida, el cual

Figura 1.2 Bulbos o válvulas de vacío

Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilización de energía, magnifica la

En términos particulares, un amplificador es un dispositivo en el cual entra una señal de

Estos amplificadores JFET están a las entradas del amplificador operacional