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Autnoma de Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrnica
Amplificador de seal pulsada de alta potencia
de fibra dopada con erbio de dos etapas en
configuracin reflectiva
Tesis que para obtener el ttulo de:
Licenciada en Electrnica
Presenta:
Resumen
En esta tesis se presenta el diseo y la implementacin de un amplificador
de fibra dopada con erbio de alta potencia con salida pulsada. El arreglo
presentado es un sistema de dos etapas de amplificacin en configuracin de
reflexin de seal a 1550 nm y con salida de potencia ajustable. El bombeo
ptico para estimular el medio activo de las dos etapas de amplificacin se
lleva a cabo mediante un lser a 980 nm. Las dos etapas de amplificacin del
sistema estn implementadas mediante, un circulador, 10 m de fibra dopada
con erbio, una rejilla de Bragg y un multiplexor por divisin de longitud de
onda (Wavelength Division Multiplexer, WDM). La seal a amplificar de 1550
nm se introduce por el circulador, se amplifica por medio de la fibra dopada
con erbio (Erbium Doped Fiber, EDF) y es seleccionada y reflejada a travs
de la rejilla de Bragg, esta seal entra a la segunda etapa siguiendo el mismo
proceso que la primera obteniendo en esta ltima etapa la salida del arreglo.
Previo a la implementacin del sistema se llevaron a cabo las caracterizaciones
de los lseres utilizados tanto el de bombeo como el de seal, as como la
caracterizacin por etapas del arreglo experimental, los resultados obtenidos
muestran que los parmetros de temperatura, potencia y longitud de onda
se mantienen estables durante su operacin. Con el sistema de amplificacin
se lograron obtener potencias de hasta 41 W con pulsos de 10 ns de ancho
temporal y 10 W con pulsos de 500 ns. Los niveles de potencia se mantienen
estables en longitud de onda, amplitud, frecuencia y ancho temporal, lo que lo
hace ideal a este arreglo para la utilizacin en el estudio de efectos no lineales
en el rea de las fibras pticas, en particular para aquellas localizadas en la
tercera ventana de las comunicaciones pticas.
Dedicatoria
A mis padres Honorio Torres Barreto y Floriberta Turijn Ocampo, por darme la vida y por el amor que me tienen, por el esfuerzo que han hecho para que yo pudiera
concluir mis estudios de licenciatura.
A mis hermanos Alhel y Omar, a mi sobrino Vladi y a mi cuado Freddy que es ya
parte de la familia, a ellos por su apoyo, cario y por todo lo que hemos vivido juntos.
A mis abuelitos que siempre estuvieron pendientes de m.
A mi novio Jorge por apoyarme y motivarme en los momentos difciles, por estar
conmigo siempre que lo necesit.
A toda mi familia y amigos por demostrarme siempre su apoyo.
Agradecimientos
A Dios por darme la fortaleza para concluir mis estudios de licenciatura.
Al Dr. Plcido Zaca Morn por la confianza que deposit en m para realizar ste
proyecto, por el apoyo y paciencia que me tuvo, por los consejos y conocimientos
que me transmiti durante toda la tesis.
Al Dr. Fernando Chvez Ramrez y al Dr. Juan Castillo Mixcoatl, por su apoyo,
consejos, conocimientos y su colaboracin en sta tesis.
A los Dres. Luz del Carmen Gmez Pavn, Eduardo Ros Silva y Arnulfo Luis Ramos por tomarse el tiempo necesario para revisar sta tesis, por las observaciones
y comentarios que hicieron.
A toda mi familia que siempre estuvo pendiente de m y por demostrarme su apoyo,
a todos mis amigos por su apoyo cuando los necesite y a todos los profesores que
han contribuido en mi formacin.
Al personal del Departamento de Fisicoqumica de materiales del ICUAP por las
atenciones recibidas mientras realic ah mi tesis.
A Alberto Lpez y a Gabriel Ortega por su apoyo y colaboracin.
Al CONACyT, a la VIEP de la Benemrita Universidad Autnoma de Puebla y al
programa de becas para la educacin superior de la SEP por su aporte econmico.
Y a todas las personas que de alguna manera me apoyaron para llevar a cabo sta
tesis.
ndice
ndice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . i
Lista de Figuras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iv
Acrnimos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ix
Captulo 1
Introduccin
1.1 Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Justificacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4 Descripcin de la Tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Captulo 2
10
10
Captulo 3
24
Arreglo experimental
24
Captulo 4
50
Resultados experimentales
50
Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Apndice A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
A.1 Interfermetro de Sagnac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
Apndice B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
B.1 Diodo lser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
iii
Lista de Figuras
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
iv
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
3.10
3.11
3.12
3.13
3.14
3.15
3.16
3.17
3.18
3.19
3.20
3.21
3.22
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
4.12
4.13
4.14
4.15
4.16
4.17
4.18
4.19
4.20
4.1
4.2
vii
4.3
4.4
4.1
viii
Acrnimos
WDM
EDF
ASE
EDFA
DFB
Retroalimentacin distribuida
Distributed Feedback
ZBLAN
NDFA
ppm
TDFA
YDFA
ix
LDC
TEC
RF
Radiofrecuencia
Radio Frecuency
ITC
SM
Monomodo
Single Mode
GI
ndice graduado
Graded Index
FC
Conector de fibra
Fiber Conector
PC
RMS
OSA
u. a.
Unidades arbitrarias
SMF
FBG
LD
Diodo lser
Laser Diode
xi
Captulo 1
Introduccin
La tecnologa de los sistemas lser aplicada a las comunicaciones va fibra ptica ha sido un rea en continuo desarrollo, especialmente para la tercera ventana
de las comunicaciones, correspondiente a la regin cercana a los 1550 nm [1]. La
razn por la cual sta parte del espectro electromagntico es ampliamente utilizada
se debe a que en sta regin las fibras pticas presentan las ms bajas prdidas por
absorcin y dispersin como se muestra en la Figura 1.1. Por otro lado, en los sistemas de comunicaciones pticas generalmente se considera que las prdidas de las
seales transmitidas presentan una dependencia lineal a bajas potencias, pero realmente existe una dependencia con la potencia de la seal transmitida con el ndice
de refraccin y como resultado de esta dependencia se generan fenmenos no lineales
que han sido aplicados para la compresin de pulsos [2, 3], propagacin de solitones
[4-6], absorbedores saturables [7-9], entre otras.
Para el estudio de estos efectos no lineales es necesario utilizar sistemas de
amplificacin con la capacidad de proporcionar potencias suficientemente altas para
obtener tales efectos [10]. El principio de operacin de estos sistemas de amplificacin
son semejantes a los sistemas lser excepto por la retroalimentacin, es decir que es
necesario un mecanismo de excitacin, para llevar a cabo el proceso de amplificacin
de la luz por la emisin estimulada. El resultado final es la obtencin de una ganancia
ptica a travs de un bombeo. Recientemente, los dispositivos de amplificacin para
fibras pticas han sido desarrollados, mediante tcnicas basadas en el dopamiento de
fibras con tierras raras [11].
Una caracterstica importante de un amplificador ptico es la facilidad que tiene
de amplificar una seal ptica directamente, sin la necesidad de convertirla al dominio
elctrico y volver a pasar a ptico. Entre los amplificadores de fibra ptica se encuen-
1 Introduccin
1.1 Antecedentes
Antecedentes
1.1 Antecedentes
1.1 Antecedentes
1.1 Antecedentes
HiBi
1.2 Justificacin
Figura 1.5. Arreglo experimental de un EDFA propuesto por S. Mendoza y colaboradores [21].
pulsos con un mximo de potencia de salida a 50 W, ajustable a 1 W a travs de un
control de salida.
La utilidad de este amplificador ser destinada como fuente de bombeo para el
estudio de fenmenos no lineales que se presentan en una fibra estndar a potencias
pticas altas, as como la caracterizacin no lineal de nanoestructuras depositadas en
fibras pticas.
1.2
Justificacin
experimentales de las propiedades de absorcin de saturacin no solo para los nanotubos de carbono, sino en general para diferentes materiales nanoestructurados que
puedan ser depositados en una fibra ptica.
Recientemente en el laboratorio de Fisicoqumica de Materiales del ICUAP se
desarrollan trabajos de deposicin de algunos materiales nanoestructurados sobre fibras pticas tales como nanoesferas de zinc, tungsteno y oro, nanotubos de carbono y
titanio etc., por lo que el sistema de amplificacin que se desarrollar en ste trabajo
ser empleado para el estudio de los efectos no lineales que presenten stos materiales ya que de que de una u otra forma dichos efectos pueden alterar las seales
transmitidas.
1.3
Objetivos
General
Disear y construir un amplificador pulsado de alta potencia de salida
ajustable a base de fibra dopada con erbio
Particular
Disear y construir un sistema de amplificacin pulsado de fibra dopada con
erbio
Caracterizar las etapas del arreglo experimental
Implementar una etapa adicional al arreglo para el control de potencia
1.4
Descripcin de la Tesis
en esta tesis. Finalmente se describe el diseo del arreglo experimental que se propone,
los objetivos generales y particulares.
En el Captulo 2 se describe la teora bsica de un amplificador ptico y su
clasificacin de acuerdo al tipo de tierras raras utilizadas. En este captulo tambin
se describe el principio de operacin de una fibra dopada con erbio as como las
ecuaciones de razn y las de propagacin que describen la inversin de poblacin del
erbio y los flujos de seal y de bombeo a lo largo de la fibra ptica respectivamente,
estas ecuaciones son deducidas a partir de un sistema de tres niveles.
En el Captulo 3 se describen los componentes pticos utilizados para el arreglo
a implementar, el equipo electrnico utilizado, las caracterizaciones de operacin de
los lseres. Adicionalmente se presenta la descripcin del arreglo experimental por
secciones. La primera se refiere a la generacin de la seal de 1550 nm y la interconexin del lser DFB con el arreglo. La segunda consiste en la primera etapa de
amplificacin y su interconexin con la rejilla de Bragg, el medio de amplificacin y
el bombeo. La tercera consiste un una etapa similar a la primera etapa de amplificacin y finalmente la colocacin de un atenuador variable con la finalidad de tener
una salida de potencia ajustable.
En el Captulo 4 se presentan los resultados obtenidos del arreglo experimental
propuesto as como la caracterizacin de los dispositivos utilizados en forma individual
y por etapas. Finalmente se presenta un resumen de las caractersticas generales que
describen el arreglo.
Posterior al ltimo captulo se hace un resumen sobre las conclusiones derivadas
de este trabajo de tesis.
Captulo 2
Amplificadores de fibra ptica
En este captulo se describe el concepto bsico de un amplificador de fibra ptica
cuyo proceso de amplificacin est basado en fibras dopadas con tierras raras, como
por ejemplo los de neodimio, tulio, iterbio, erbio, por mencionar algunos. Adems del
concepto bsico, tambin se describe el principio de operacin de la fibra dopada con
erbio mediante el estudio de las ecuaciones de razn y de propagacin considerando
un sistema de tres niveles.
2.1
Amplificador ptico
10
cin al trasmitirse por grandes distancias, necesitando de esta forma ser amplificada.
Recientemente, gracias al desarrollo de las fibras pticas y de los diodos lser, la reduccin de las prdidas en las fibras para telecomunicaciones se han minimizado a 0.2
dB/km en la regin de 1500 nm, permitiendo as, un espaciamiento mucho mayor entre los amplificadores pticos [10]. Estos avances han tenido un importante impacto
en el campo de telecomunicaciones tales como sistemas de transmisin submarina,
redes telefnicas, internet y televisin por cable, etc. [25]. En la actualidad, la amplificacin ptica ha sido perfeccionada por los grandes avances en la fabricacin de
fibras pticas con diferentes dopajes y concentraciones de iones de tierras raras como
erbio, neodimio, iterbio, etc., obtenindose amplificadores con salidas desde algunos
mW hasta varios W de potencia y para las diferentes ventanas de transmisin.
Los amplificadores pticos de tierras raras han sido utilizados en las comunicaciones pticas pero recientemente son de gran inters en la investigacin para ser
aplicados como fuente de bombeo para el estudio de efectos no lineales que se presentan en fibra ptica, soluciones y otros materiales, debido a las altas potencias
que se obtienen en ellos, especialmente los de fibra dopada con erbio. Debido a las
caractersticas que presentan los EDFAs tales como la anchura espectral y el alto nivel
de potencia proporcionada, se ha tenido un gran progreso en el estudio de los efectos no lineales que aparecen durante la generacin de supercontinuo (GS) en fibras
pticas. Actualmente existe un aumento de trabajos de los EDFAs destinados como
fuentes de bombeo utilizados en la GS [26]. Entre algunos efectos no lineales que se
presentan en la fibra ptica se encuentran los de variacin del ndice de refraccin
en la fibra con relacin a la potencia ptica: automodulacin de fase, modulacin de
fase cruzada y mezcla de cuatro ondas; as como los causados por la interaccin de
los fotones incidentes con algunos de los modos de vibracin del material: dispersin
estimulada de Raman y dispersin estimulada de Brillouin [27].
En la Figura 2.1 se presenta un esquema bsico de amplificacin con un EDFA,
que consiste en introducir una seal ptica al amplificador y en la salida se espera la
misma seal pero amplificada, es decir, el proceso consiste en incrementar la seal ya
11
EDFA
Figura 2.3. Sistema de dos niveles del proceso de emisin espontnea de luz.
perior mediante un mecanismo cualquiera, stos caern espontneamente al estado
inferior emitiendo no slo fotones sino que tambin fonones (calor). A este proceso
se le conoce con el nombre de bombeo ptico. La emisin de luz es entonces un proceso en el que todos los electrones del material del nivel superior participan, pero en
forma independiente y desincronizada. Dicho de otro modo, las fases de las ondas no
tienen ninguna relacin entre s, o lo que es lo mismo, las crestas de estas ondas no
estn alineadas.
Existe una segunda forma de emisin de luz por un electrn, llamada emisin
estimulada. Si un electrn est en un estado superior de energa y recibe un fotn de
la misma frecuencia del que emitira si bajara al nivel inferior, desestabilizar a este
electrn, inducindolo a emitir inmediatamente. Despus de esta emisin estimulada
existirn dos fotones en lugar de uno, el que estimul y el estimulado. Naturalmente,
para que la emisin estimulada tenga lugar se requiere que el electrn permanezca en
el estado superior un tiempo suficientemente largo para darle oportunidad al fotn
estimulador a que llegue al electrn. Por esta razn, el proceso de emisin estimulada
es ms fcil si el nivel superior tiene una vida media relativamente larga. Este proceso
puede verse en la Figura 2.4.
Como los electrones tienden constantemente a caer al estado o nivel inferior, la
mayora de ellos en un momento dado estarn ah. Lo que logra el bombeo ptico
es que la mayora de los electrones estn constantemente en el nivel superior. Este
14
Figura 2.4. Sistema de dos niveles del proceso de emisin estimulada de luz.
proceso se denomina inversin de poblacin, y es indispensable para que se produzca
la emisin lser [29, 30].
2.2
Las fibras dopadas con tierras raras son un medio excelente para desarrollar dispositivos pticos que estn basados en el fenmeno de amplificacin, ya que combinan
la ganancia ptica de los iones de tierras raras con las bajas prdidas de propagacin
que caracterizan a las fibras pticas, estos dispositivos han sido desarrollados mediante tcnicas basadas en el dopamiento de fibras con tierras raras [11], que consisten
bsicamente en la impurificacin de una fibra estndar de SiO2 con pequeas partes
de iones de tierras raras depositadas durante el proceso de fabricacin. Los iones
de tierras raras, tales como erbio, neodimio, tulio, praseodimio, iterbio, etc., son los
ms utilizados en el dopamiento de fibras para lograr una amplificacin en diferentes
regiones de longitudes de onda cubriendo la regin desde el visible hasta la regin del
infrarrojo (menores de 2800 nm) [31]. Estas fibras son de gran inters para una gran
variedad de aplicaciones incluyendo lseres de fibra y sensores. Algunos amplificadores
de fibras dopadas son descritos a continuacin.
15
2.3
dN3
= 32 N3 + (N1 N3 )p p ,
dt
20
(2.1)
Figura 2.6. Esquema de un sistema de tres niveles utilizado para elaborar las ecuaciones de razn para el EDFA.
dN2
= 21 N2 + 32 N3 (N2 N1 )s s ,
dt
(2.2)
dN1
= 21 N2 (N1 N3 )p p + (N2 N1 )s s .
dt
(2.3)
(2.4)
N = N1 + N2 + N3 .
(2.5)
N3 =
N1
.
1 + 32
p
(2.6)
N1 (p p + s s )
.
21 + s s
(2.7)
(2.8)
(2.9)
dp
= (N3 N1 )p p .
dz
(2.10)
22
21
1
,
=
p
p
(2.11)
23
Captulo 3
Arreglo experimental
En este captulo se presenta el arreglo experimental del EDFA mostrado en la
Figura 3.1, las partes que lo integran, como componentes pticos y especificaciones
del equipo electrnico utilizado. Se describe el principio de operacin del sistema por
etapas.
Se describen la caracterizacin de los dos principales lseres utilizados, el de
bombeo y el de seal, su dependencia entre la potencia, corriente, longitud de onda
y temperatura.
Figura 3.1. Arreglo experimental del amplificador de seal pulsada de fibra dopada
con erbio de dos etapas de amplificacin.
3.1
24
generador de pulsos, al igual que un lser de bombeo con sus respectivos controladores,
para llevar a cabo la caracterizacin y el monitoreo de la seal, se utilizaron un
analizador de espectros ptico, un osciloscopio y un fotodetector. Tambin se llev
a cabo la descripcin de los componentes pticos que integran el sistema tales como,
rejillas de Bragg, lseres, circuladores pticos, acopladores, etc., como se describe a
continuacin.
con una salida DB9F para ser conectada al lser DFB a travs de una montura
que ser mencionada posteriormente. Este controlador se program a 15 mA
correspondientes a la corriente de operacin del lser de seal.
Un controlador de temperatura es necesario para desplazar la longitud de onda
del lser DFB. La importancia del controlador de temperatura es fundamental ya
que esto permite elegir una temperatura para obtener la longitud de onda deseada
en el lser de seal que en ste caso debe ser de 1550 nm. La razn principal por la
que se necesita elegir una longitud especfica en el lser DFB es por la necesidad de
seleccionar una longitud de onda que sea igual al de la rejilla de Bragg utilizada el
25
cual es a 1550 nm, en caso de que la longitud de onda en el lser DFB sea distinta a
la de reflexin de la rejilla, no habr seal reflejada.
Controlador de temperatura: Se utiliz un modelo TEC (Thermoelectric Temperature Controller) 2000 de la compaa THORLABS. Este equipo opera en
un rango de corriente de 0 a 2 A y a una temperatura de operacin de 0 a 40
Los analizadores de espectros pticos como su nombre lo dice sirven para obtener
los espectros de diferentes dispositivos pticos, en este arreglo experimental es utilizado para ver algunos espectros como el del lser DFB y el de la fibra dopada con
erbio, tambin es usado para caracterizar los lseres de bombeo y de seal.
Analizador de espectros ptico: El equipo es un modelo MS9740A de la compaa ANRITSU. Este dispositivo soporta fibras pticas monomodo (Single
Mode, SM) de 10 m/125 m e ndice graduado (Graded Index, GI) 50 m/125
m, es compatible con conectores de tipo FC, tiene un rango de operacin en
longitud de onda de 600 a 1750 nm.
El osciloscopio sirve para medir el potencial elctrico de una seal, en este dispositivo no pueden ser ledas seales pticas, por lo que es necesario usar un fotodetector
para que convierta la seal elctrica a seal ptica. En este arreglo experimental el
osciloscopio junto con el fotodetector se usan para monitorear la seal de algunos
dispositivos pticos tales como los lseres cuando se lleve a cabo su caracterizacin y
cuando se mide la potencia de la seal al final de cada etapa. La salida del dispositivo
ptico a medir se conecta a la entrada del fotodetector y la salida de ste se conecta
al osciloscopio.
Osciloscopio: El osciloscopio es un modelo DPO3014 de la compaa TEKTRONIX, cuenta con 4 canales de entrada, con impedancias de 1 M con 300
VRMS de voltaje mximo, 50 y 75 con estas dos ltimas impedancias se pueden
suministrar hasta 5 V de voltaje mximo y 20 de voltaje pico.
Fotodetector: Este dispositivo es un modelo DET01CFC de la compaa THORLABS el cual tiene un ancho de banda de 1.2 GHz, usa un detector de InGaAs
que es sensible a una longitud de onda de 800 a 1700 nm con una responsitividad de 0.95 A/W y tiempos de subida y cada de 100 ps, es alimentado por
una batera de 12 V. Cuenta con una entrada FC/PC que proporciona un fcil
acoplamiento a fuentes de luz a base de fibra ptica y la salida tiene un conector
28
29
30
Fibra dopada con erbio: Para este trabajo se usan dos secciones de 10 m de
EDF modelo M12-980-125 de la compaa THORLABS y cada una est dopada
en una proporcin de 1000 ppm [46]. Una fibra dopada con erbio es una fibra
estndar de slice, en cuyo ncleo se introdujeron iones de erbio en su fabricacin,
el medio activo que proporcionar la amplificacin sern precisamente los iones
Er3+ . Para que este tipo de fibra lleve a cabo el proceso de amplificacin se
necesita un bombeo externo con un lser de onda continua a una frecuencia
ptica ligeramente superior a la que amplifican. Tpicamente, las longitudes de
onda de bombeo son 980 1480 nm [12]. En el lado derecho de la Figura 3.2 se
muestra una EDF cuando se le ha aplicado un bombeo a 980 nm.
31
Un WDM tiene la capacidad de combinar diferentes seales a diferentes longitudes de onda, y esto permite que en un amplificador de fibra dopada con erbio existan
32
de Bragg reflejar luz con una longitud de onda correspondiente a dos veces el periodo
de la rejilla por el ndice de refraccin efectivo, Bragg = 2nefectivo , donde es el
periodo de la rejilla y nefectivo es el ndice de refraccin efectivo.
Una caracterstica importante que tienen las rejillas de Bragg es que al tensarlas
o al cambiarles la temperatura, cambian su longitud de onda de reflexin. Este cambio
en la longitud de onda va a proveer informacin sobre la variable aplicada (presin
o temperatura) y por consecuencia un sensado [47-49]. En la Figura 3.5 se muestra
una rejilla de Bragg en su forma fsica e interna.
3.2
Generacin de la seal
Figura 3.7. Arreglo experimental para generar la seal de 1550 nm usando un lser
DFB.
rador de pulsos, el controlador de corriente y el control de temperatura, son conectados
al diodo lser a travs de la montura. Una vez que es implementado el arreglo se
conecta la salida del lser DFB al fotodetector y posteriormente al osciloscopio para
caracterizar la seal de esta etapa.
El arreglo es implementado para tener controlada la longitud de onda del lser
DFB mediante una temperatura y su corriente para el control de potencia, as como
la disponibilidad de tener un control adecuado de la amplitud de voltaje y frecuencia
de la seal. En la Figura 3.8 son mostrados los pulsos obtenidos en esta etapa de la
seal, en el inciso a) se observa un tren de pulsos y en el inciso b) la forma de los
pulsos, son obtenidos a una temperatura de 5 C, corrientes menores a 14.5 mA.
El espectro de emisin, el cual presenta un ancho de banda muy angosto, centrado en la longitud de onda 1549.9 nm del diodo lser de seal se visualiza en la
Figura 3.9 mientras que en la Figura 3.10 se muestran los espectros de este mismo
lser con respecto a la temperatura aplicada. En la grfica se observa que a mayor
temperatura el espectro alcanza un mayor desplazamiento en longitud de onda, en
ste trabajo la longitud de onda ideal es a 1550 nm debido a que a sta longitud de
onda refleja la rejilla de Bragg, por lo tanto se usar la temperatura de 5 C, adems
de que a sta temperatura se obtiene ms potencia de salida.
37
Amplitud (u.a)
Amplitud (u.a.)
-200
-100
100
200
200
Tiempo (ns)
400
600
800
1000
Tiempo (s)
b)
a)
Figura 3.8. Seal obtenida a travs del osciloscopio de la etapa previa a la primera
etapa de amplificacin. a) Forma de los pulsos, b) Tren de pulsos.
3.2.1 Caracterizacin de lser de seal
El lser de seal se caracteriz mediante el uso de un control de temperatura y un
control de corriente conectados a un diodo lser de seal a travs de una montura, y
un analizador de espectros ptico. El arreglo experimental usado para llevar a cabo
la caracterizacin del lser de seal se muestra en la Figura 3.11 que consiste en el
control de corriente y temperatura para tomar los parmetros de potencia y longitud
de onda. Una vez que se conectan los equipos al lser DFB, se controla la temperatura
al lser en un rango de 0 a 35 C, limitando la corriente a 14.5 mA, y se toma la
longitud de onda que mide y la potencia en mW, estas mediciones se realizan por
cada grado que se varia iniciando en 5 C. La Figura 3.12 muestra la dependencia que
hay entre longitud de onda y la temperatura, se visualiza que al ir incrementando la
temperatura la longitud de onda aumenta en forma lineal. Tambin se puede observar
que entre 5 y 35 C es posible desplazar 2 nm en longitud de onda de emisin del
lser DBF y en potencia tan slo se tiene una prdida de 0.71 mW.
38
Amplitud (u.a)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1547.5
1550
1552.5
39
Amplitud (u.a)
1.0
5 C
15 C
25 C
35 C
0.8
0.6
0.4
0.2
1549
1550
1551
1552
1553
Figura 3.11. Diagrama para llevar a cabo la caracterizacin del diodo lser de seal.
sea reflejada. La seal que es reflejada a travs de la rejilla es nuevamente amplificada
y redireccionada, ahora del puerto 2 del circulador al puerto 3. Una ventaja adicional
de usar este arreglo es la eliminacin de posibles reflexiones parsitas que retornan
hacia el diodo lser.
Longitud de onda
Potencia
1552.0
2.2
2.0
1551.5
1.9
1551.0
1.8
1.7
1550.5
Potencia (mW)
2.1
1.6
1.5
1550.0
10
15
20
25
30
35
1.4
40
Temperatura (C)
Figura 3.12. Relacin entre longitud de onda y temperatura. Considerando una
corriente mxima de 14.5 mA.
casi lineal, con una corriente umbral del diodo lser de 70 mA y proporcionando una
potencia mxima de 147.5 mW. De esta misma figura se hicieron unas mediciones ms
de potencia, slo que en sta ocasin se consider una temperatura de 25 C aplicada
al diodo lser a travs del control de temperatura, con respecto a la corriente las
condiciones son las mismas que las de la medicin sin el control de temperatura y
puede notarse que su comportamiento es casi lineal con una corriente umbral en 70
mA y la potencia mxima alcanzada es de 151 mW, tan slo 3.5 mW ms de potencia
que en las primeras mediciones. Por lo que se puede concluir que considerando una
temperatura aplicada al diodo lser de bombeo se obtiene mayor potencia para ste.
42
Potencia (mW)
5 C
15 C
25 C
35 C
0
6
10
12
14
16
Corriente (mA)
Figura 3.13. Caracterizacin del lser de seal en funcin de su potencia de salida,
considerando temperaturas a 5, 15, 25 y 35 C.
3.3.2 Caracterizacin del WDM
Para la primera etapa de amplificacin se hizo una medicin adicional en la caracterizacin del lser de bombeo que consisti en monitorear los valores de la potencia
obtenida despus de ser empalmado al WDM, esto para medir las prdidas de potencia en esta primera conexin. En la Figura 3.17 se muestra el diagrama con el que
sellevaron a cabo estas mediciones y consiste en fusionar la salida del diodo lser de
bombeo que es controlado por corriente y temperatura al WDM y la salida de este
ltimo dispositivo se empalma al medidor de potencia para visualizar ah la potencia
obtenida. Las condiciones del equipo son las mismas que las de la caracterizacin de
potencia, la corriente se vara de 0 a 400 mA en intervalos de 10 mA y se considera
una temperatura de 25 C.
Los resultados de estas mediciones se pueden ver en la Figura 3.18, donde puede
notarse que debido a las prdidas que se presentan el lser tiene lectura a partir de 80
43
3.4
Filtro de la seal
A temperatura ambiente
A temperatura de 25 C
160
140
Potencia (mW)
120
100
80
60
40
20
0
-20
0
100
200
300
400
Corriente (mA)
Figura 3.16. Caracterizacin del lser de bombeo en funcin de la potencia de salida.
uso de un interfermetro de Sagnac que consistir en un acoplador empalmado a una
fibra ptica estndar altamente torcida y una placa retardadora /4 en el lazo. Al
pasar la seal por este arreglo se eliminar parte del ruido que se genere en la primera
etapa y a la vez se podr llevar a cabo el monitoreo constante de la potencia en esta
etapa.
Esta etapa de filtrado de la seal es mostrada en la Figura 3.19 (seccin punteada). En el diagrama se muestra que la seal obtenida a travs del puerto 3 del
circulador es dividida por medio de un acoplador 50/50 con la finalidad de mantener
un monitoreo constante de la primera etapa de amplificacin. La seal transmitida
por el acoplador es enviada al interfermetro de Sagnac para la eliminacin de los
posibles ruidos obtenidos.
45
Figura 3.17. Esquema que se muestra como se llev a cabo la caracterizacin de esta
etapa.
3.5
La seal filtrada por el interfermetro de Sagnac ser amplificada mediante un segundo arreglo usando una fibra dopada con erbio y dos WDMs correspondientes al
WDM-2 y al WDM-3, respectivamente. El WDM-2 ser el medio de enlace para comunicar la seal de bombeo al WDM-1 de la primera etapa de amplificacin y el
WDM-3 ser utilizado para suministrar la seal de bombeo inicial del sistema. La
seal obtenida del sistema completo estar disponible en el puerto de salida restante
del WDM-3. Esto se puede observar en la seccin punteada de la Figura 3.20.
3.6
Debido a que la salida de la seal obtenida permanecer con un nivel constante de potencia es necesario incluir al final del arreglo un dispositivo que permita tener una potencia de salida controlada. Se propone un arreglo simple que consiste en un atenuador
variable y una navaja desplazable para limitar el frente de onda de transmisin. Con
este arreglo ser posible obtener transmisiones de hasta un 2 % del total suministrado
por el arreglo, el cual dar ms versatilidad al sistema principalmente para cuando se
traten de hacer mediciones que no requieren toda la potencia del arreglo. El arreglo
es mostrado en la Figura 3.21.
46
160
140
Potencia (mW)
120
100
80
60
40
20
0
0
100
200
300
400
Corriente (mA)
Figura 3.18. Potencia obtenida del lser de bombeo despus de ser empalmado al
WDM-3 comparado con la potencia inicial.
Un atenuador es un elemento pasivo utilizado para controlar los niveles de potencia de salida del sistema. Algunas aplicaciones que se le dan a los EDFAs no
requieren de toda la potencia de salida as que se tiene que limitar, esta operacin se
puede llevar a cabo mediante la construccin de un atenuador variable. Como atenuador variable se realizar un arreglo que mediante el desplazamiento de una navaja en
forma horizontal a travs de un tornillo micromtrico se obstruye la seal de salida,
permitiendo elegir la potencia deseada, este arreglo es mostrado en la Figura 3.22.
47
Figura 3.19. Arreglo experimental para la supresin del ASE proveniente de la primera
etapa de amplificacin.
48
49
Captulo 4
Resultados experimentales
En este captulo se presentan los resultados experimentales obtenidos por cada
etapa del amplificador. En la primera etapa de amplificacin se presenta el diagrama
a bloques del arreglo implementado y la caracterizacin de la potencia de salida con
respecto a los pulsos de entrada. Posterior a la primera etapa se realizaron pruebas
experimentales para filtrar la seal de la primera etapa para obtener la mnima emisin
de ruido.
4.1
La caracterizacin del fotodetector es importante para obtener su sensitividad y relacionar la potencia dada por el lser de seal con relacin a la dependencia del voltaje
obtenido por cada mW de potencia, el cual es monitoreado en el osciloscopio. Para
llevar a cabo esta caracterizacin se requiere del controlador de corriente y de temperatura, el lser DFB, un fotodetector y un osciloscopio, son conectados como indica
el diagrama de la Figura 4.1, a la salida del lser de seal se coloca un conector tem-
50
Voltaje (mV)
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Potencia (mW)
Figura 4.2. Relacin voltaje contra potencia para obtener la sensitividad del detector.
4.2
Los resultados que se tienen en la primera etapa son de gran importancia porque de
ellos depende la amplificacin que se llevar a cabo en la segunda etapa de amplificacin. En la Figura 4.3 se muestra el diagrama a bloques de como se obtuvieron
los resultados de potencia y consiste en una etapa previa de la generacin de la seal
y la etapa del bombeo conectadas a la primera etapa de amplificacin de la cual se
caracteriza en el osciloscopio el voltaje obtenido, para posteriormente hacer su conversin a watts. En el lser de bombeo se mantiene a una temperatura de 25 C y la
corriente se varia de 230 a 400 mA en intervalos de 10 mA, por su parte para el lser
de seal la temperatura es de 5.15 C y las corrientes son de 5.2, 2.2, 3 y 3.5 mA para
pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, respectivamente y por ltimo el generador se fija a
una frecuencia de 10 kHz.
Figura 4.3. Diagrama que muestra como se obtuvieron los resultados de la primera
etapa de amplificacin.
Los resultados de estas mediciones se pueden ver en la Figura 4.4 los cuales
muestran una distribucin lineal para diferentes anchos temporales del pulso tales
como 10, 50, 100 y 500 ns cuyas potencias mximas de salida fueron de 3.4, 1.5,
0.80 y 0.28 W, respectivamente. De acuerdo a esta grfica se aprecia que para pulsos
mucho ms cortos se obtiene una mayor potencia de salida; la diferencia en potencia
52
3.5
10 ns
50 ns
100 ns
500 ns
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
70
80
90
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
100
200
300
400
500
54
2.0
10 ns
50 ns
1.5
1.0
0.5
0.0
70
80
90
Para limitar los efectos del ruido en la seal de la primera etapa de amplificacin
es posible la utilizacin de filtros, en particular en este trabajo se tom un arreglo
de un interfermetro de Sagnac como posible etapa de filtraje. La implementacin
del arreglo del interfermetro se llev a cabo mediante el uso de fibra torcida, una
placa retardadora de /4 conectados a los puertos de salida de un acoplador 50/50,
este arreglo se puede ver en la Figura A.1 del apndice A. El diagrama a bloques de
esta etapa es mostrado en la Figura 4.9 y consiste en los controladores de corriente y
temperatura para ambos lseres, la primera etapa de amplificacin, el interfermetro
de Sagnac y un fotodetector conectado a un osciloscopio. Una vez que se tena el
arreglo se empalm a la primera etapa de amplificacin como fue mostrado en la
Figura 3.19. Se caracteriz el arreglo anterior para posiciones distintas de la placa
55
Amplificacin de la seal
200
150
100
50
0
70
80
90
Amplitud (u.a.)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1500
1520
1540
1560
1580
1600
4.4
0.5
0.5
Amplitud (u. a. )
0.3
0.2
0.1
0.0
1500
Amplitud (u. a. )
0.5
1550
1600
1650
0.3
0.2
0.1
0.0
1550
1600
1650
0.4
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1500
0.4
1500
Amplitud (u. a. )
Amplitud (u. a. )
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1550
1600
1650
1500
1550
1600
1650
59
Figura 4.11. Esquema del arreglo experimental hasta la segunda etapa de amplificacin.
se pudo obtener una potencia mxima de 41, 22, 17 y 11 W, respectivamente. El
arreglo final es mostrado en la Figura 4.14.
Tambin es mostrada la ganancia que se obtuvo de ste arreglo experimental en
la Figura 4.15 y puede observarse que al igual que en la potencia de salida, la ganancia
tambin se incrementa al ir incrementando la potencia de bombeo y es mayor para
pulsos ms cortos, de acuerdo a los resultados de la grfica se tienen ganancias de 43,
40, 39 y 37 dB para los pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, respectivamente.
El espectro de salida de este arreglo es mostrado en la Figura 4.16 y puede
notarse que el ruido ha disminuido tanto en amplitud como en ancho espectral, por lo
que ste nuevo arreglo tiene un mejor filtraje y por lo tanto el arreglo final ha tenido
xito, funciona adecuadamente y se tienen mejores resultados.
En la Figura 4.17 se muestra la forma temporal que describen los pulsos obtenidos
en la salida del arreglo experimental para anchos de 10, 50, 100 y 500 ns. Se puede
observar que el decaimiento de los pulsos es directamente proporcional al ancho de los
pulsos, es decir, que el decaimiento es mayor para los pulsos de 100 y 500 ns en comparacin a los de 10 y 50 ns. Son mostrados tambin los espectros de salida para estos
pulsos los cuales se pueden ver en la Figura 4.18. Se puede notar que cuando el pulso
60
10 ns
50 ns
100 ns
500 ns
40
30
20
10
0
70
80
90
61
45
40
35
30
25
20
15
10
-50 0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550
62
63
45
10 ns
50 ns
100 ns
500 ns
Ganancia (dB)
40
35
30
25
20
70
80
90
64
1.0
Amplitud (u.a.)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1520
1540
1560
1580
1600
1620
1640
1660
65
1 .0
10 ns
50 ns
0 .8
1 .0
0 .6
0 .4
0 .2
0 .8
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0
0 .0
-3 0 0
-2 0 0
-1 0 0
100
200
-4 0 0
300
200
400
T ie m p o (n s )
T ie m p o (n s)
1 .0
1 .0
100 ns
0 .8
500 ns
0 .8
-2 0 0
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0
-4 0 0
-2 0 0
200
400
-1 5 0 0
T ie m p o (n s )
-1 0 0 0
-5 0 0
500
1000
T ie m p o (n s)
Figura 4.17. Pulsos de salida de 10, 50, 100 y 500 ns del arreglo experimental.
66
1500
1.0
0.8
10 ns
50 ns
100 ns
500 ns
0.6
0.4
0.2
0.0
1549.6
1549.8
1550.0
1550.2
Figura 4.20. Fotografa que muestra otro perfil del arreglo experimental.
68
Conclusiones
En la presente tesis los objetivos se lograron y los resultados son satisfactorios ya
que stos se mejoraron al colocar una segunda etapa igual a la primera, adems se
sustituy el filtro del interfermetro de Sagnac por una segunda rejilla de Bragg en la
segunda etapa de amplificacin y que result ser ms estable que el filtro que se tena
con el interfermetro. Finalmente el sistema consisti en un arreglo con dos etapas de
amplificacin idnticas, con salida ajustable que brinda una potencia pico de salida
mxima de 41 W con un pulso de 10 ns. Las rejillas de Bragg usadas para filtrar y
llevar a cabo la reflexin en cada etapa de amplificacin son casi idnticas. Debido
a que slo se usa un extremo de la fibra donde se encuentra la rejilla, en el extremo
que no es usado existe reflexin de la seal y esto provocaba prdidas en potencia.
Para evitar estas reflexiones se colocaron los extremos no usados de las fibras pticas
en un contenedor con glicerina ya que con esta solucin no existe reflexin en la cara
de la fibra.
Entre las ventajas que tiene ste arreglo se encuentra la posibilidad de ajustar
la potencia de salida variando el ancho del pulso o mediante un arreglo de control de
potencia el cual tiene la funcin de obstruir parte de la seal de salida desplazando
una navaja horizontalmente para impedir el paso total de la potencia a la salida.
Dependiendo del grado de desplazamiento de la navaja ser la potencia que se obtenga
a la salida del EDFA. Esta ltima etapa del arreglo se realiz pensando en las posibles
aplicaciones que puedan darse cuando se requiera una potencia parcial en la salida.
Otra ventaja importante es que usa una sola fuente de corriente para el bombeo de
ambas etapas de amplificacin.
Un problema que se present con el primer arreglo experimental era la inestabilidad de la seal debido al filtro (interfermetro de Sagnac), ya que en la salida no
era siempre la misma debido a las condiciones que se presentaban cada da, esto implicaba reposicionar la placa retardadora del arreglo del Sagnac y se tena que buscar
69
Conclusiones
la seal con la que se haba trabajado anteriormente es por eso que se opt por un
nuevo arreglo.
Estos resultados experimentales han demostrado que con un arreglo de dos
etapas de amplificacin y filtrando cada etapa para evitar posible ruido (ASE), se
pueden obtener potencias altas y la seal en todo el arreglo siempre se mantiene
estable.
Una vez cumplidos los objetivos de sta tesis, el arreglo experimental ser empleado como fuente de bombeo para llevar a cabo el estudio de los efectos no lineales
de materiales nanoestructurados depositados en fibras pticas y su caracterizacin,
stas deposiciones se realizan en el laboratorio de Fisicoqumica de materiales ICUAP.
Como trabajos a futuro se plantea sustituir la etapa de la generacin de la seal por
un lser de pulsos ultracortos del orden de picosegundos, ste puede ser un lser de
anillo lseres de figura ocho (F8L) y ambos son capaces de operar sobre el principio de amarre de modos. Con ste lser pulsado se lograran obtener potencias del
orden de MW.
Por ltimo, se ha propuesto un EDFA que puede ser construido con el material y
equipo que con facilidad se puede encontrar en un laboratorio de ptica y electrnica
que incluso puede ser mejorado para obtener ms y mejores resultados.
70
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74
Referencias
75
Apndice A
76
E2x
E2y
(1 )Jxy + Jyx
(2 1)Jxx
Jxy (1 )Jyx
(2 1)Jxx
E1x
E1y
(A.1)
J = B1 C1 C2 R C3 F B2 ,
(A.2)
F =
donde =
(A.3)
p
(Ln )2 + ( c /2)2 , Ln = Lf iber /Lbeat , Lf iber = longitud de la fibra, Lbeat =
B1 =
, (A.4)
B2 =
donde B1
y B2 = (2/)L2 2 , que son los retardos lineales, 1 y 2 son la birrefringencia lineal del acoplador en los puertos 4 y 3 respectivamente y c,B1 = 2(1g/2) 1
y c,B2 = 2(1g/2) 2 que son los retardos circulares y 1 y 2 son los ngulos de
torsin de la fibra de las secciones del acoplador para el puerto 4 y 3 respectivamente.
La matriz C1 incluye el ngulo inicial desconocido entre el acoplador (puerto 4)
y la placa retardadora, 1
C1 =
cos 1 sin 1
sin 1 cos 1
(A.6)
C2 =
cos 2 sin 2
sin 2 cos 2
(A.7)
C3 =
cos 3 sin 3
sin 3 cos 3
(A.8)
R=
0
ei/4
0
ei/4
(A.9)
0.5
0.45
0.4
Transmisin
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
50
100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)
400
observar que todava hay dos picos en un perodo de radianes pero cada pico tiene
diferente amplitud. La transmisin mxima del primer pico es de alrededor de 80 %
y el pico de menor transmisin es de aproximadamente 20 %.
Cuando se incrementa la birrefringencia en uno de los brazos del acoplador el
segundo pico decrece aun ms. As que cuando se aplica alta birrefringencia en uno de
los brazos del acoplador es posible eliminar el segundo pico. La Figura A.4 muestra
la dependencia de la transmisin sobre el ngulo de rotacin de la placa retardadora
cuando se usa alta birrefringencia en uno de los brazos del acoplador ( 1 ,B1 = 9 y
1 ,B2 = /4). Se observa solo un pico en un periodo de
1
4
radianes, la transmisin
79
0.8
0.7
0.6
Transmisin
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
50
100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)
400
1
0.9
0.8
Transmisin
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
50
100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)
400
80
Apndice B
B.1 Diodo lser DFB
Un lser de retroalimentacin distribuida es un tipo de diodo lser en el que la regin
activa del dispositivo est peridicamente estructurada como una red de difraccin.
Un diodo lser DFB tiene la rejilla de Bragg incorporada en su heteroestructura en
la vecindad de una regin activa. La rejilla de Bragg funciona como un espejo, que
refleja de forma selectiva slo una longitud de onda. Esta longitud de onda se puede
encontrar en la condicin de Bragg que es mostrada en la frmula B.1
2nef f =
(B.1)
medio. Se tienen los medios para regresar fotones estimulados a un medio activo.
Esto se hace reflejando una porcin de la luz en cada pendiente de las rejillas. Todas
las partes reflejadas en cada pendiente de esta estructura ondulada se combinan de
manera que la mayor parte de la luz es refleja de vuelta, por supuesto siempre que la
condicin se mantenga. La palabra distribuido implica que la reflexin no se produce
en un punto de un solo espejo sino en muchos puntos dispersos a lo largo de la regin
81
activa. El resultado de esta disposicin es que el lser irradia una sola longitud de
onda. La ventaja que tiene este tipo de lser es que presentan una buena modulacin
para alta velocidad debido a su anchura espectral muy estrecha, de algunos MHz. En
la Figura B.1 se muestra un lser DFB en su estructura interna y externa.
Durante la accin lser la cavidad se calienta, este calentamiento tiene un efecto
principal que hace que el ndice de refraccin de la cavidad cambie y un cambio en
el ndice de refraccin cambia la longitud de onda de resonancia de la rejilla y la
longitud de onda de salida.
82