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Benemrita Universidad

Autnoma de Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrnica
Amplificador de seal pulsada de alta potencia
de fibra dopada con erbio de dos etapas en
configuracin reflectiva
Tesis que para obtener el ttulo de:
Licenciada en Electrnica
Presenta:

Jazmn Torres Turijn


Asesores de Tesis:
Dr. Plcido Zaca Morn (ICUAP-BUAP)
Dr. Fernando Chvez Ramrez (ICUAP-BUAP)
Dr. Juan Castillo Mixcoatl (FCFM-BUAP)
Septiembre 2012

Resumen
En esta tesis se presenta el diseo y la implementacin de un amplificador
de fibra dopada con erbio de alta potencia con salida pulsada. El arreglo
presentado es un sistema de dos etapas de amplificacin en configuracin de
reflexin de seal a 1550 nm y con salida de potencia ajustable. El bombeo
ptico para estimular el medio activo de las dos etapas de amplificacin se
lleva a cabo mediante un lser a 980 nm. Las dos etapas de amplificacin del
sistema estn implementadas mediante, un circulador, 10 m de fibra dopada
con erbio, una rejilla de Bragg y un multiplexor por divisin de longitud de
onda (Wavelength Division Multiplexer, WDM). La seal a amplificar de 1550
nm se introduce por el circulador, se amplifica por medio de la fibra dopada
con erbio (Erbium Doped Fiber, EDF) y es seleccionada y reflejada a travs
de la rejilla de Bragg, esta seal entra a la segunda etapa siguiendo el mismo
proceso que la primera obteniendo en esta ltima etapa la salida del arreglo.
Previo a la implementacin del sistema se llevaron a cabo las caracterizaciones
de los lseres utilizados tanto el de bombeo como el de seal, as como la
caracterizacin por etapas del arreglo experimental, los resultados obtenidos
muestran que los parmetros de temperatura, potencia y longitud de onda
se mantienen estables durante su operacin. Con el sistema de amplificacin
se lograron obtener potencias de hasta 41 W con pulsos de 10 ns de ancho
temporal y 10 W con pulsos de 500 ns. Los niveles de potencia se mantienen
estables en longitud de onda, amplitud, frecuencia y ancho temporal, lo que lo
hace ideal a este arreglo para la utilizacin en el estudio de efectos no lineales
en el rea de las fibras pticas, en particular para aquellas localizadas en la
tercera ventana de las comunicaciones pticas.

Dedicatoria
A mis padres Honorio Torres Barreto y Floriberta Turijn Ocampo, por darme la vida y por el amor que me tienen, por el esfuerzo que han hecho para que yo pudiera
concluir mis estudios de licenciatura.
A mis hermanos Alhel y Omar, a mi sobrino Vladi y a mi cuado Freddy que es ya
parte de la familia, a ellos por su apoyo, cario y por todo lo que hemos vivido juntos.
A mis abuelitos que siempre estuvieron pendientes de m.
A mi novio Jorge por apoyarme y motivarme en los momentos difciles, por estar
conmigo siempre que lo necesit.
A toda mi familia y amigos por demostrarme siempre su apoyo.

Agradecimientos
A Dios por darme la fortaleza para concluir mis estudios de licenciatura.
Al Dr. Plcido Zaca Morn por la confianza que deposit en m para realizar ste
proyecto, por el apoyo y paciencia que me tuvo, por los consejos y conocimientos
que me transmiti durante toda la tesis.
Al Dr. Fernando Chvez Ramrez y al Dr. Juan Castillo Mixcoatl, por su apoyo,
consejos, conocimientos y su colaboracin en sta tesis.
A los Dres. Luz del Carmen Gmez Pavn, Eduardo Ros Silva y Arnulfo Luis Ramos por tomarse el tiempo necesario para revisar sta tesis, por las observaciones
y comentarios que hicieron.
A toda mi familia que siempre estuvo pendiente de m y por demostrarme su apoyo,
a todos mis amigos por su apoyo cuando los necesite y a todos los profesores que
han contribuido en mi formacin.
Al personal del Departamento de Fisicoqumica de materiales del ICUAP por las
atenciones recibidas mientras realic ah mi tesis.
A Alberto Lpez y a Gabriel Ortega por su apoyo y colaboracin.
Al CONACyT, a la VIEP de la Benemrita Universidad Autnoma de Puebla y al
programa de becas para la educacin superior de la SEP por su aporte econmico.
Y a todas las personas que de alguna manera me apoyaron para llevar a cabo sta
tesis.

ndice

ndice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . i
Lista de Figuras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iv
Acrnimos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ix
Captulo 1

Introduccin

1.1 Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Justificacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4 Descripcin de la Tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Captulo 2

10

Amplificadores de fibra ptica

10

2.1 Amplificador ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10


2.2 Amplificadores de fibras pticas dopadas con tierras raras . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.1 Amplificador de fibra dopada con neodimio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.2 Amplificador de fibra dopada con tulio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

2.2.3 Amplificador de fibra dopada con iterbio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16


2.2.4 Amplificador de fibra dopada con erbio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.1 Ecuaciones de razn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3.2 Ecuaciones de propagacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Captulo 3

24

Arreglo experimental

24

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos. . . . . . . . . . . . . . . . . 24


3.1.1 Equipo electrnico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.1.2 Componentes pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.2 Generacin de la seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2.1 Caracterizacin de lser de seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3 Primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.1 Caracterizacin del lser de bombeo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.3.2 Caracterizacin del WDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4 Filtro de la seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.5 Segunda etapa de amplificacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.6 Control de potencia de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

Captulo 4

50

Resultados experimentales

50

4.1 Caracterizacin de la sensitividad del fotodetector . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50


ii

4.2 Resultados de la primera etapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52


4.3 Resultados de la segunda etapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Apndice A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
A.1 Interfermetro de Sagnac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

Apndice B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
B.1 Diodo lser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

iii

Lista de Figuras
1.1

Espectro de absorcin tpico para fibras pticas en la regin


infrarroja del espectro electromagntico [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.2

Esquema bsico de un amplificador de fibra ptica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.3

Arreglo experimental de un amplificador con dos etapas


de amplificacin propuesto por J. L. Camas-Anzueto y
colaboradores [19]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.4

Configuracin del amplificador propuesto por Evgeny A. Kuzin


y
colaboradores [20]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.5

Arreglo experimental de un EDFA propuesto por S. Mendoza


y colaboradores [21]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.1

Esquema que representa la amplificacin de una seal a travs


de un EDFA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.2

Sistema de dos niveles del proceso de absorcin de luz. . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.3

Sistema de dos niveles del proceso de emisin espontnea de luz. . . . . . . . 14

2.4

Sistema de dos niveles del proceso de emisin estimulada de luz. . . . . . . . . 15

2.5

Representacin esquemtica del modelo de un EDFA en un


diagrama de tres niveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.6

Esquema de un sistema de tres niveles utilizado para elaborar


las ecuaciones de razn para el EDFA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.7

Dependencia de la inversin de poblacin fraccionaria con el


bombeo [45]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

iv

3.1

Arreglo experimental del amplificador de seal pulsada de


fibra dopada con erbio de dos etapas de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.2

En el lado izquierdo se muestra un diodo lser de bombeo a


980 nm y en el lado derecho se observa una fibra dopada con
erbio cuando ha sido excitada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

3.3

Circulador ptico: a la izquierda se encuentra su esquema


bsico y a la derecha como es fsicamente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.4

Estructura interna y externa de un WDM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

3.5

Rejilla de Bragg, a la derecha su forma fsica y en la izquierda


su forma interna. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

3.6

Estructura interna y externa de un acoplador ptico. . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.7

Arreglo experimental para generar la seal de 1550 nm usando


un lser DFB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

3.8

Seal obtenida a travs del osciloscopio de la etapa previa a


la primera etapa de amplificacin. a) Forma de los pulsos, b)
Tren de pulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

3.9

Espectro de emisin del lser de seal (DFB). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

3.10

Relacin que existe entre la temperatura y la longitud de onda. . . . . . . . . 40

3.11

Diagrama para llevar a cabo la caracterizacin del diodo lser


de seal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

3.12

Relacin entre longitud de onda y temperatura. Considerando


una corriente mxima de 14.5 mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

3.13

Caracterizacin del lser de seal en funcin de su potencia de


salida, considerando temperaturas a 5, 15, 25 y 35 C. . . . . . . . . . . . . . . . . 43

3.14

Primera etapa de amplificacin de la seal para el arreglo


experimental. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
v

3.15

Diagrama para la caracterizacin del diodo lser de bombeo. . . . . . . . . . . . 44

3.16

Caracterizacin del lser de bombeo en funcin de la potencia


de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

3.17

Esquema que se muestra como se llev a cabo la caracterizacin


de esta etapa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

3.18

Potencia obtenida del lser de bombeo despus de ser


empalmado al WDM-3 comparado con la potencia inicial. . . . . . . . . . . . . . 47

3.19

Arreglo experimental para la supresin del ASE proveniente


de la primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3.20

Segunda etapa de amplificacin de la seal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3.21

Arreglo experimental con control de potencia de salida. . . . . . . . . . . . . . . . 49

3.22

Arreglo usado para el control de potencia de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

4.1

Diagrama de la caracterizacin del fotodetector. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

4.2

Relacin voltaje contra potencia para obtener la sensitividad


del detector. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

4.3

Diagrama que muestra como se obtuvieron los resultados de la


primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

4.4

Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida de la


primera etapa en funcin del ancho de los pulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

4.5

Potencia de salida alcanzada por pulsos de 10, 50, 100 y 500


ns, en la primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

4.6

Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida para


pulsos de 10 y 50 ns. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

4.7

Relacin de la amplificacin de la seal contra potencia de


bombeo en la primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
vi

4.8

Espectro de salida de la primera etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . 57

4.9

Diagrama a bloques de la primera etapa de amplificacin


usando como filtro el interfermetro de Sagnac. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

4.10

Dependencia de la amplitud de salida del primer arreglo


experimental en funcin de la posicin de placa /4. . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

4.11

Esquema del arreglo experimental hasta la segunda etapa de


amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

4.12

Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida de la


segunda etapa en funcin del ancho de los pulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

4.13

Potencia de salida alcanzada por pulsos de 10, 50, 100 y 500


ns, en la segunda etapa de amplificacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

4.14

Arreglo experimental final de dos etapas de amplificacin idnticas. . . . . . 63

4.15

Ganancia obtenida del amplificador para los pulsos de 10, 50,


100 y 500 ns. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

4.16

Espectro de salida despus de la segunda etapa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

4.17

Pulsos de salida de 10, 50, 100 y 500 ns del arreglo experimental. . . . . . . . 66

4.18

Espectros de salida de los pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns. . . . . . . . . . . . . . . 67

4.19

Fotografa que muestra el arreglo experimental fsicamente. . . . . . . . . . . . . 67

4.20

Fotografa que muestra otro perfil del arreglo experimental. . . . . . . . . . . . . 68

4.1

Estructura del interfermetro de Sagnac para el anlisis. . . . . . . . . . . . . . . 76

4.2

Transmisin contra el ngulo de torsin de la placa retardadora


en el caso de que B1 = B2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

vii

4.3

Transmisin contra ngulo de torsin de la placa retardadora


cuando ambos brazos tienen la misma torsin ( 1 = 2 = 6)
y diferente birrefringencia (1 ,B1 = 5/4 y 1 ,B2 = /4). . . . . . . . . . . . . . . . . 80

4.4

Dependencia de la transmisin sobre el ngulo de rotacin de


la placa retardadora, con alta birrefringencia en uno de los
brazos del acoplador (1 ,B1 = 9 y 1 ,B2 = /4). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

4.1

En el lado izquierdo se muestra la estructura de un lser DFB


y a la derecha un lser DFB fsicamente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

viii

Acrnimos
WDM

Multiplexor por divisin de longitud de onda


Wavelength Division Multiplexin

EDF

Fibra dopada con erbio


Erbium Doped Fiber

ASE

Emisin espontnea amplificada


Amplified Spontaneous Emission

EDFA

Amplificador de fibra dopada con erbio


Erbium Doped Fiber Amplifier

DFB

Retroalimentacin distribuida
Distributed Feedback

ZBLAN

Composicin de: zirconio, bario, lantano, aluminio y sodio


Composition: zirconium, barium, lanthanum, aluminium and sodium

NDFA

Amplificador de fibra dopada con neodimio


Neodimium Doped Fiber Amplifier

ppm

Partes por milln

TDFA

Amplificador de fibra dopada con tulio


Thulium Doped Fiber Amplifier

YDFA

Amplificadores de fibra dopada con iterbio

ix

Ytterbium Doped Fiber Amplifier

LDC

Controlador del diodo lser


Laser Diode Controller

TEC

Controlador termoelctrico de temperatura


Thermoelectric Temperature Controller

TCLDM9 Control de temperatura, Montura del diodo lser


Temperature Controlled, Laser Diode Mount

RF

Radiofrecuencia
Radio Frecuency

ITC

Controlador del diodo lser


Laser Diode Combi Controller

SM

Monomodo
Single Mode

GI

ndice graduado
Graded Index

FC

Conector de fibra
Fiber Conector

PC

Contacto fsico (conector)


Phisical Pontact (connector)

RMS

Raz cuadrtica media


Rote Mean Square

OSA

Analizador de espectros pticos


Optical Spectrum Analyzer

u. a.

Unidades arbitrarias

SMF

Fibra estndar monomodo


Standar Single Mode Fiber

FBG

Rejilla de Bragg de Fibra


Fiber Bragg Grating

LD

Diodo lser
Laser Diode

xi

Captulo 1
Introduccin
La tecnologa de los sistemas lser aplicada a las comunicaciones va fibra ptica ha sido un rea en continuo desarrollo, especialmente para la tercera ventana
de las comunicaciones, correspondiente a la regin cercana a los 1550 nm [1]. La
razn por la cual sta parte del espectro electromagntico es ampliamente utilizada
se debe a que en sta regin las fibras pticas presentan las ms bajas prdidas por
absorcin y dispersin como se muestra en la Figura 1.1. Por otro lado, en los sistemas de comunicaciones pticas generalmente se considera que las prdidas de las
seales transmitidas presentan una dependencia lineal a bajas potencias, pero realmente existe una dependencia con la potencia de la seal transmitida con el ndice
de refraccin y como resultado de esta dependencia se generan fenmenos no lineales
que han sido aplicados para la compresin de pulsos [2, 3], propagacin de solitones
[4-6], absorbedores saturables [7-9], entre otras.
Para el estudio de estos efectos no lineales es necesario utilizar sistemas de
amplificacin con la capacidad de proporcionar potencias suficientemente altas para
obtener tales efectos [10]. El principio de operacin de estos sistemas de amplificacin
son semejantes a los sistemas lser excepto por la retroalimentacin, es decir que es
necesario un mecanismo de excitacin, para llevar a cabo el proceso de amplificacin
de la luz por la emisin estimulada. El resultado final es la obtencin de una ganancia
ptica a travs de un bombeo. Recientemente, los dispositivos de amplificacin para
fibras pticas han sido desarrollados, mediante tcnicas basadas en el dopamiento de
fibras con tierras raras [11].
Una caracterstica importante de un amplificador ptico es la facilidad que tiene
de amplificar una seal ptica directamente, sin la necesidad de convertirla al dominio
elctrico y volver a pasar a ptico. Entre los amplificadores de fibra ptica se encuen-

1 Introduccin

Longitud de onda (m)


Figura 1.1. Espectro de absorcin tpico para fibras pticas en la regin infrarroja
del espectro electromagntico [1].
tran los del ncleo dopado con iones de tierras raras, en estos amplificadores la accin
lser se obtiene por emisin estimulada, correspondiente a la transicin entre dos
niveles del ion de tierra rara y las longitudes de onda de bombeo y de amplificacin
quedan fijas por la estructura de niveles de dichos iones. La longitud de la fibra amplificadora necesaria es de unas decenas de metros y la potencia de bombeo tpica es
de varias decenas o centenas de mW, dependiendo del ion dopante [12, 13]. En la
Figura 1.2 es mostrado un esquema bsico de un amplificador de fibra ptica.

1.1 Antecedentes

Figura 1.2. Esquema bsico de un amplificador de fibra ptica.


1.1

Antecedentes

A partir de los aos 60 ya se conoca la capacidad de amplificacin de las fibras


pticas impurificadas con tierra raras. En 1961 Snitzer [14, 15] propuso usar una fibra
ptica como medio amplificador y como cavidad resonante. En 1964 se obtuvieron
los primeros resultados de amplificacin en una fibra ptica dopada con neodimio y
en 1965 en una fibra dopada con erbio (aunque el bombeo se haca con una lmpara
que rodeaba a la fibra y era muy poco eficiente). Durante los aos posteriores se
sigui avanzando en esta idea, pero las fibras utilizadas presentaban muchas prdidas
a medida que atenuaban, a razn de 1000 dB/km [13].
A mediados de los aos 80, cambios en los procesos de fabricacin permitieron,
por una parte, una gran disminucin en las prdidas de propagacin y, por otra,
incorporar iones de tierras raras en el ncleo de la fibra ptica. En 1985 un grupo
de la Universidad de Southampton, Inglaterra [14], consigui el primer lser de fibra
usando neodimio emitiendo algunos mili watts de potencia de salida, con una emisin
alrededor de 1080 a 1090 nm [16]. Pronto se observ que el ion de erbio tiene una
transicin hacia 1550 nm, que coincide con la ventana de transmisin con menos
prdidas en las fibras basadas en silicio. La fibra una vez dopada o impurificada con
erbio permite confinar una gran potencia en poco espacio, por lo que se consigue una
alta densidad de energa logrando amplificacin con potencias de bombeo muy bajas.

1.1 Antecedentes

En 1986 el mismo grupo de Southampton realiz el primer lser de fibra dopada


con erbio y fue el primero de tres niveles operando en modo continuo y a temperatura
ambiente. Este principio de operacin indicaba el potencial de estos lseres [17, 18].
El desarrollo continuo del estudio de los amplificadores pticos a base de fibra
dopada con erbio ha tomado gran importancia para los sistemas de transmisin a
grandes distancias, principalmente en la sustitucin de repetidores electrnicos, los
cuales limitan el ancho de banda. Actualmente en el rea de las comunicaciones
pticas se lleva a cabo la transmisin simultnea a grandes distancias de seales
multiplexadas, por lo que es necesario el desarrollo de dispositivos que tengan la
capacidad de recuperar la seal y despus amplificarla para su retransmisin. Hoy en
da los EDFA no solo son utilizados en el rea de las comunicaciones sino que tambin
son parte fundamental para el estudio de fenmenos no lineales en fibra ptica para su
aplicacin en lseres. Para llevar a cabo procesos como los mencionados anteriormente
se han desarrollado trabajos como los que se mencionan a continuacin.
J. L. Camas-Anzueto y colaboradores [19], en el ao 2004 desarrollaron un
arreglo experimental de un amplificador pulsado de alta potencia, que consisti en la
amplificacin de una seal pulsada a 1550 nm con dos etapas de amplificacin. La
primera etapa de este amplificador fue construida con una configuracin en reflexin
de seal, la cual funciona como un amplificador de bajas potencias. La segunda etapa
del amplificador funciona como un amplificador de potencia. La potencia mxima de
salida de este arreglo es de 50 W con una entrada de 1 mW, la medicin de esta
potencia se llev a cabo conectando la salida del arreglo a un fotodetector, el cual es
conectado a un osciloscopio. La desventaja de este arreglo es el uso de dos fuentes de
corriente para el bombeo, una para cada etapa de amplificacin, as como una salida
de potencia no ajustable. El arreglo es mostrado en la Figura 1.3.
Evgeny A. Kuzin y colaboradores [20] en el ao 2007 realizaron otro arreglo
de un amplificador pulsado de fibra dopada con erbio, dicho arreglo consista en
dos etapas de amplificacin con un solo bombeo para ambas etapas, con un medio
amplificador de fibra dopada con erbio, al arreglo se introduce un interfermetro
4

1.1 Antecedentes

Figura 1.3. Arreglo experimental de un amplificador con dos etapas de amplificacin


propuesto por J. L. Camas-Anzueto y colaboradores [19].
de Sagnac para reducir la emisin espontnea amplificada (Amplified Spontaneous
Emission, ASE) ruido, proporcionando una mejora significativa en el rendimiento
del amplificador. El diseo permite una salida de longitud de onda ajustable entre
1530 y 1550 nm mediante un interfermetro de Sagnac localizado entre la segunda
y la primera etapa de amplificacin. Los resultados experimentales muestran que
con una configuracin simple, se obtiene hasta 53 dB de amplificacin con slo 73
mW de potencia de bombeo. La desventaja de este arreglo es que la potencia de
salida depende de la polarizacin dentro del interfermetro de Sagnac, por lo que
requiere constantes ajustes para obtener una mxima transmisin y por consecuencia
una mxima potencia de salida. El arreglo es mostrado en la Figura 1.4.
S. Mendoza y colaboradores [21] en 2009 realizaron un arreglo de un amplificador
de fibra dopada con erbio (Erbium Doped Fiber Amplifier, EDFA) utilizando 10 m
de fibra dopada con erbio y una rejilla de Bragg a una longitud de onda de 1549.1 nm
y un lser de retroalimentacin distribuida (Distributed Feedback, DFB) sintonizado
5

1.1 Antecedentes

HiBi

Figura 1.4. Configuracin del amplificador propuesto por Evgeny A. Kuzin y


colaboradores [20].
a 1550 nm con un enfriador y un controlador de temperatura integrado. Su diseo en
configuracin reflectiva permite la reflexin de la seal dos veces, uno cuando viaja
por primera vez en la fibra dopada con erbio y la segunda cuando es reflejada por
medio de la rejilla colocada al final de la EDF. La reflexin de la seal, es llevada
a cabo con una rejilla de Bragg. El cambio en longitud de onda se hace mediante
el cambio de temperatura en el lser a travs de una etapa de enfriamiento. Con
este arreglo lograron amplificar 2500 veces una seal, es decir 33 dB, utilizando una
potencia de bombeo a 25 mW. La Figura 1.5 muestra este arreglo.
En este trabajo se propone el diseo y construccin de un amplificador pulsado
de alta potencia a 1550 nm de dos etapas de amplificacin en configuracin reflectiva
y de salida ajustable. El arreglo propuesto consiste en un sistema de amplificacin de
fibra dopada con erbio con dos etapas de amplificacin que al final cada una tiene un
reflector a 1550 nm basado en una rejilla de Bragg. El bombeo utilizado para excitar
el medio activo se realiza mediante un diodo lser en 980 nm, el cual es nico para
ambas etapas. Con el arreglo propuesto se espera obtener una potencia pico de los

1.2 Justificacin

Figura 1.5. Arreglo experimental de un EDFA propuesto por S. Mendoza y colaboradores [21].
pulsos con un mximo de potencia de salida a 50 W, ajustable a 1 W a travs de un
control de salida.
La utilidad de este amplificador ser destinada como fuente de bombeo para el
estudio de fenmenos no lineales que se presentan en una fibra estndar a potencias
pticas altas, as como la caracterizacin no lineal de nanoestructuras depositadas en
fibras pticas.

1.2

Justificacin

Con el descubrimiento de la absorcin saturable en materiales nanoestructurados


como los basados en nanotubos de carbono para la regin infrarroja ha mostrado
tiempos de recuperacin de saturacin ultrarrpida del orden de ps. Debido a que
estos materiales presentan novedosas propiedades no lineales como la absorcin saturable, los nanotubos han sido utilizados recientemente para la generacin de pulsos
ultra cortos en lseres de amarre de modos [22-24]. Por lo anterior y por la necesidad
de caracterizar y estudiar los efectos no lineales en fibra ptica, se tiene la necesidad
de contar con un sistema de alta potencia con la finalidad de llevar a cabo pruebas
7

1.4 Descripcin de la Tesis

experimentales de las propiedades de absorcin de saturacin no solo para los nanotubos de carbono, sino en general para diferentes materiales nanoestructurados que
puedan ser depositados en una fibra ptica.
Recientemente en el laboratorio de Fisicoqumica de Materiales del ICUAP se
desarrollan trabajos de deposicin de algunos materiales nanoestructurados sobre fibras pticas tales como nanoesferas de zinc, tungsteno y oro, nanotubos de carbono y
titanio etc., por lo que el sistema de amplificacin que se desarrollar en ste trabajo
ser empleado para el estudio de los efectos no lineales que presenten stos materiales ya que de que de una u otra forma dichos efectos pueden alterar las seales
transmitidas.

1.3

Objetivos

General
Disear y construir un amplificador pulsado de alta potencia de salida
ajustable a base de fibra dopada con erbio
Particular
Disear y construir un sistema de amplificacin pulsado de fibra dopada con
erbio
Caracterizar las etapas del arreglo experimental
Implementar una etapa adicional al arreglo para el control de potencia

1.4

Descripcin de la Tesis

En el Captulo 1 se describieron los antecedentes sobre los sistemas de amplificacin,


as como algunos arreglos experimentales que se han llevado a cabo en aos recientes,
destacando las ventajas y desventajas que tienen ante el amplificador que se presenta
8

1.4 Descripcin de la Tesis

en esta tesis. Finalmente se describe el diseo del arreglo experimental que se propone,
los objetivos generales y particulares.
En el Captulo 2 se describe la teora bsica de un amplificador ptico y su
clasificacin de acuerdo al tipo de tierras raras utilizadas. En este captulo tambin
se describe el principio de operacin de una fibra dopada con erbio as como las
ecuaciones de razn y las de propagacin que describen la inversin de poblacin del
erbio y los flujos de seal y de bombeo a lo largo de la fibra ptica respectivamente,
estas ecuaciones son deducidas a partir de un sistema de tres niveles.
En el Captulo 3 se describen los componentes pticos utilizados para el arreglo
a implementar, el equipo electrnico utilizado, las caracterizaciones de operacin de
los lseres. Adicionalmente se presenta la descripcin del arreglo experimental por
secciones. La primera se refiere a la generacin de la seal de 1550 nm y la interconexin del lser DFB con el arreglo. La segunda consiste en la primera etapa de
amplificacin y su interconexin con la rejilla de Bragg, el medio de amplificacin y
el bombeo. La tercera consiste un una etapa similar a la primera etapa de amplificacin y finalmente la colocacin de un atenuador variable con la finalidad de tener
una salida de potencia ajustable.
En el Captulo 4 se presentan los resultados obtenidos del arreglo experimental
propuesto as como la caracterizacin de los dispositivos utilizados en forma individual
y por etapas. Finalmente se presenta un resumen de las caractersticas generales que
describen el arreglo.
Posterior al ltimo captulo se hace un resumen sobre las conclusiones derivadas
de este trabajo de tesis.

Captulo 2
Amplificadores de fibra ptica
En este captulo se describe el concepto bsico de un amplificador de fibra ptica
cuyo proceso de amplificacin est basado en fibras dopadas con tierras raras, como
por ejemplo los de neodimio, tulio, iterbio, erbio, por mencionar algunos. Adems del
concepto bsico, tambin se describe el principio de operacin de la fibra dopada con
erbio mediante el estudio de las ecuaciones de razn y de propagacin considerando
un sistema de tres niveles.

2.1

Amplificador ptico

Un sistema de comunicacin es aquel que transmite informacin de un lugar a otro y


es separado por algunos kilmetros o por distancias transocenicas. Cuando se llevan
a cabo procesos de transmisin de seales a grandes distancias se hace necesario
llevar a cabo un proceso de amplificacin de la misma. Por ejemplo en el rea de las
comunicaciones pticas anteriormente se empleaban amplificadores optoelectrnicos,
es decir, se converta la seal ptica a elctrica y nuevamente era regresada a una
seal ptica despus de su amplificacin, estos eran colocados a intervalos de distancia
como repetidores para restaurar la potencia de la seal. La velocidad electrnica de
los repetidores es limitada, esto restringe la velocidad de transferencia del enlace
con repetidores. Est visin ha sido ahora radicalmente transformada, debido a la
utilizacin de amplificadores pticos en combinacin con la tecnologa lser.
En el caso de los sistemas de comunicacin ptica, donde la transmisin de la luz
es realizada a travs de fibras pticas, la seal portadora sufre una atenuacin de su
potencia debido a las prdidas intrnsecas del material con que se fabrica. Esta seal
portadora va atenundose hasta el punto de quedar por debajo del lmite de recep-

10

2.1 Amplificador ptico

cin al trasmitirse por grandes distancias, necesitando de esta forma ser amplificada.
Recientemente, gracias al desarrollo de las fibras pticas y de los diodos lser, la reduccin de las prdidas en las fibras para telecomunicaciones se han minimizado a 0.2
dB/km en la regin de 1500 nm, permitiendo as, un espaciamiento mucho mayor entre los amplificadores pticos [10]. Estos avances han tenido un importante impacto
en el campo de telecomunicaciones tales como sistemas de transmisin submarina,
redes telefnicas, internet y televisin por cable, etc. [25]. En la actualidad, la amplificacin ptica ha sido perfeccionada por los grandes avances en la fabricacin de
fibras pticas con diferentes dopajes y concentraciones de iones de tierras raras como
erbio, neodimio, iterbio, etc., obtenindose amplificadores con salidas desde algunos
mW hasta varios W de potencia y para las diferentes ventanas de transmisin.
Los amplificadores pticos de tierras raras han sido utilizados en las comunicaciones pticas pero recientemente son de gran inters en la investigacin para ser
aplicados como fuente de bombeo para el estudio de efectos no lineales que se presentan en fibra ptica, soluciones y otros materiales, debido a las altas potencias
que se obtienen en ellos, especialmente los de fibra dopada con erbio. Debido a las
caractersticas que presentan los EDFAs tales como la anchura espectral y el alto nivel
de potencia proporcionada, se ha tenido un gran progreso en el estudio de los efectos no lineales que aparecen durante la generacin de supercontinuo (GS) en fibras
pticas. Actualmente existe un aumento de trabajos de los EDFAs destinados como
fuentes de bombeo utilizados en la GS [26]. Entre algunos efectos no lineales que se
presentan en la fibra ptica se encuentran los de variacin del ndice de refraccin
en la fibra con relacin a la potencia ptica: automodulacin de fase, modulacin de
fase cruzada y mezcla de cuatro ondas; as como los causados por la interaccin de
los fotones incidentes con algunos de los modos de vibracin del material: dispersin
estimulada de Raman y dispersin estimulada de Brillouin [27].
En la Figura 2.1 se presenta un esquema bsico de amplificacin con un EDFA,
que consiste en introducir una seal ptica al amplificador y en la salida se espera la
misma seal pero amplificada, es decir, el proceso consiste en incrementar la seal ya
11

2.1 Amplificador ptico

que es un dispositivo que opera en un dominio ptico y aumenta a un nivel alto de


potencia de dicha seal.

EDFA

Figura 2.1. Esquema que representa la amplificacin de una seal a travs de un


EDFA.

Los amplificadores pticos se asemejan al principio fsico de un lser: pero


sin retroalimentacin y cuyos portadores excitados amplifican la seal incidente. El
mecanismo de amplificacin de la luz incidente se realiza a travs de la emisin estimulada, similar al mecanismo de los lseres. La ganancia ptica se logra cuando
el amplificador es bombeado (pticamente o elctricamente) para llevar a cabo la inversin de poblacin que depende no slo de la frecuencia (o longitud de onda) de
la seal incidente, sino tambin de la intensidad del haz local en cualquier punto del
amplificador [28].
Los amplificadores pticos pueden usarse para compensar la atenuacin de la
seal, prdidas de transmisin, etc., pero no pueden ser dispositivos ideales, por lo
que presentan algunas restricciones tales como: el ruido que es generado por ellos
mismos es sumado a la seal en la salida y la ganancia espectral no es constante
sobre una regin en la cual las seales pueden ser transmitidas, por lo que la seal
que llega al amplificador ptico no es detectada y despus regenerada, sino que es
amplificada directamente. Estos amplificadores pticos tienen mayor confiabilidad
que un amplificador electrnico ya que son de naturaleza puramente ptica y no
requieren de circuitera de alta velocidad.
12

2.1 Amplificador ptico

Existen dos ventajas bsicas en los amplificadores de fibra ptica, respecto a


los amplificadores convencionales: una es que la potencia de bombeo que requieren
es mucho menor, y la segunda es que la fibra ptica puede enrollarse fcilmente,
ocupando poco volumen, lo que permite utilizar amplificadores muy largos, para
conseguir la mxima ganancia compatible con la potencia de bombeo utilizada.
Los mecanismos de absorcin y emisin son explicados de los postulados de
Einstein. Donde la absorcin consiste en la interaccin entre un fotn y un electrn
que inicialmente se encuentra en su estado base. El resultado de esta interaccin es
que el electrn absorbe al fotn y usa su energa para pasar de un estado base a un
estado superior o estado excitado. Este proceso de absorcin se representa mediante
el diagrama mostrado en la Figura 2.2.

Figura 2.2. Sistema de dos niveles del proceso de absorcin de luz.

El electrn no puede permanecer en un estado superior un tiempo demasiado


grande, sino que tiende a caer al estado inferior, emitiendo un fotn en una direccin
totalmente aleatoria, despus de un tiempo muy corto, menor que un microsegundo,
al que se denomina vida media del estado. A este proceso de emisin se le conoce
como proceso de emisin espontnea y se muestra en la Figura 2.3.
La energa que necesita un electrn para subir al estado superior no necesariamente se manifiesta bajo la forma de fotn. Tambin puede absorber la energa que
se le comunique mediante otros mecanismos, como por ejemplo, una colisin con otro
tomo. Si los electrones de un sistema estn subiendo constantemente al estado su13

2.1 Amplificador ptico

Figura 2.3. Sistema de dos niveles del proceso de emisin espontnea de luz.
perior mediante un mecanismo cualquiera, stos caern espontneamente al estado
inferior emitiendo no slo fotones sino que tambin fonones (calor). A este proceso
se le conoce con el nombre de bombeo ptico. La emisin de luz es entonces un proceso en el que todos los electrones del material del nivel superior participan, pero en
forma independiente y desincronizada. Dicho de otro modo, las fases de las ondas no
tienen ninguna relacin entre s, o lo que es lo mismo, las crestas de estas ondas no
estn alineadas.
Existe una segunda forma de emisin de luz por un electrn, llamada emisin
estimulada. Si un electrn est en un estado superior de energa y recibe un fotn de
la misma frecuencia del que emitira si bajara al nivel inferior, desestabilizar a este
electrn, inducindolo a emitir inmediatamente. Despus de esta emisin estimulada
existirn dos fotones en lugar de uno, el que estimul y el estimulado. Naturalmente,
para que la emisin estimulada tenga lugar se requiere que el electrn permanezca en
el estado superior un tiempo suficientemente largo para darle oportunidad al fotn
estimulador a que llegue al electrn. Por esta razn, el proceso de emisin estimulada
es ms fcil si el nivel superior tiene una vida media relativamente larga. Este proceso
puede verse en la Figura 2.4.
Como los electrones tienden constantemente a caer al estado o nivel inferior, la
mayora de ellos en un momento dado estarn ah. Lo que logra el bombeo ptico
es que la mayora de los electrones estn constantemente en el nivel superior. Este
14

2.2 Amplificadores de fibras pticas dopadas con tierras raras

Figura 2.4. Sistema de dos niveles del proceso de emisin estimulada de luz.
proceso se denomina inversin de poblacin, y es indispensable para que se produzca
la emisin lser [29, 30].

2.2

Amplificadores de fibras pticas dopadas con tierras raras

Las fibras dopadas con tierras raras son un medio excelente para desarrollar dispositivos pticos que estn basados en el fenmeno de amplificacin, ya que combinan
la ganancia ptica de los iones de tierras raras con las bajas prdidas de propagacin
que caracterizan a las fibras pticas, estos dispositivos han sido desarrollados mediante tcnicas basadas en el dopamiento de fibras con tierras raras [11], que consisten
bsicamente en la impurificacin de una fibra estndar de SiO2 con pequeas partes
de iones de tierras raras depositadas durante el proceso de fabricacin. Los iones
de tierras raras, tales como erbio, neodimio, tulio, praseodimio, iterbio, etc., son los
ms utilizados en el dopamiento de fibras para lograr una amplificacin en diferentes
regiones de longitudes de onda cubriendo la regin desde el visible hasta la regin del
infrarrojo (menores de 2800 nm) [31]. Estas fibras son de gran inters para una gran
variedad de aplicaciones incluyendo lseres de fibra y sensores. Algunos amplificadores
de fibras dopadas son descritos a continuacin.

15

2.2 Amplificadores de fibras pticas dopadas con tierras raras

2.2.1 Amplificador de fibra dopada con neodimio


El neodimio es un elemento qumico que puede ser usado como medio activo en
amplificadores de fibra con emisiones en un rango de 1060 a 1350 nm particularmente
en 1310 nm en vidrio ZBLAN (composicin de: zirconio, bario, lantano, aluminio y
sodio) [32]. En un amplificador de fibra dopada con neodimio (Neodimium Doped
Fiber Amplifier, NDFA) se requiere de bombeos pticos de 795 y 810 nm. Estos
amplificadores han sido investigados para aplicaciones de medicin de temperatura
empleando la tcnica del cambio de la razn de intensidad de fluorescencia [33]. Las
razones de ruido de un NDFA son adecuadas, pero no tan buenas como en un EDFA
[19].

2.2.2 Amplificador de fibra dopada con tulio


Los amplificadores de fibra dopada con tulio (Thulium Doped Fiber Amplifier, TDFA)
operan en la banda S (1460-1530 nm). Los bombeos utilizados en un TDFA son
lseres de semiconductor con longitudes de onda de 1050 y de 1400 nm, lo que los
hace econmicos y compactos en su diseo. Un aspecto que se tiene en cuenta para la
investigacin, es la de cubrir la banda de amplificacin que abarca el EDFA y el TDFA.
La solucin para ello es la de fabricar fibras dopada con altas concentraciones de tulio
(mayores a 8000 ppm) y utilizar dos fuentes de bombeo [34, 35]. Un problema que
existe en estos amplificadores al usar fibra de slice es que la eficiencia de amplificacin
ptica entre los niveles deseados no es ptima, as que se debe tomar en cuenta que
un TDFA tiene un mejor rendimiento en fibra fluorozirconada o ZBLAN [36].

2.2.3 Amplificador de fibra dopada con iterbio


Existen tambin los amplificadores de fibra dopada con iterbio (Ytterbium Doped
Fiber Amplifier, YDFA), estos amplificadores emiten entre 1070 y 1090 nm y requieren
de un bombeo alrededor de 950 nm. El uso del iterbio como medio de ganancia
tiene varias ventajas como la ausencia como estado excitado de absorcin, la amplia
16

2.2 Amplificadores de fibras pticas dopadas con tierras raras

ganancia, el espectro de absorcin y la posibilidad de obtener altos niveles de potencia.


En aos recientes, la bsqueda para altas potencias ha hecho un rpido desarrollo
en el estudio de amplificadores de fibra dopada con iterbio y lseres [37]. Algunas
aplicaciones que ha tenido el iterbio es que ha sido utilizado para ayudar en el proceso
de absorcin para el bombeo del erbio hacindolo a ste ms eficiente para el proceso
de amplificacin [38].

2.2.4 Amplificador de fibra dopada con erbio


El desarrollo de los EDFAs surgi con la necesidad de desarrollar un amplificador ptico para la regin de menor atenuacin para las fibras pticas (menor a 0.25 dB/Km
entre 1530-1620 nm). En la actualidad, los EDFAs son una parte fundamental para
el desarrollo de lseres de fibra ptica y amplificadores de alta potencia para el estudio de fenmenos no lineales. Por lo tanto, la caracterizacin de estos amplificadores
es un proceso importante que permite conocer la ganancia del amplificador.
Desde su invencin a finales del ao de 1980, la fibra dopada de erbio ha
demostrado ser un material verstil con una amplia gama de aplicaciones, incluyendo
dispositivos pticos, amplificadores pticos de banda ancha y lser sintonizable.
Fuentes pticas de banda ancha se han aplicado en diversas reas como caracterizacin de dispositivos pticos, giroscopios y la tomografa de coherencia ptica. La
ASE de la fibra dopada de erbio se ha utilizado para la construccin de fuentes de
luz con ventajas de alta potencia de salida y amplio ancho de banda ptico [39].
Existen tres tipos de EDFAs de acuerdo a su potencia:
Amplificadores de potencia: Son colocados justo despus de la etapa de multiplexado, a la salida del sistema transmisor. La limitacin de estos amplificadores
es por lo general la potencia total de salida.
Amplificadores de lnea: Reciben un nivel relativo de seal bajo y deben amplificarlo por el mayor nmero de dB posible. Las limitaciones de estos amplificadores son la ganancia, el ruido que introducen y la potencia total de salida.
17

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

Pre-Amplificadores: Estos amplificadores son bastante sensibles con un bajo


nivel de ruido y una ganancia alta debido a que generalmente no necesitan
una seal de alta potencia a la salida. Una salida de -20 dBm por canal es
normalmente una potencia de salida suficiente [40, 41].

2.3

Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

El principio de la amplificacin se basa principalmente en las transiciones de energa


que sufren los electrones, producto de la absorcin o emisin de energa por parte
del tomo al cual pertenecen. En un EDFA, el medio activo que proporciona la
amplificacin, est constituido por los iones Er3+ . Este es un sistema de tres niveles,
lo que significa que los iones se pueden encontrar en tres niveles de energas distintas.
Estos incluyen un nivel bsico fundamental E1 de mnima energa que es ocupado
por la mayora de los iones en ausencia de excitacin, un nivel excitado superior E3
y un nivel metastable E2 . Este sistema de bombeo de tres niveles se muestra en la
Figura 2.5 [42].
Los EDFAs se bombean pticamente, esto significa que el bombeo, que proporciona la energa para lograr la amplificacin de la seal, se presenta tambin como un
haz luminoso que se introduce en la fibra. Cuando se inyecta una seal de bombeo a
la fibra dopada, puede ser un lser operando en una de las bandas de absorcin del
ion Er3+ (980 1480 nm), los fotones incidentes son absorbidos por los iones de erbio,
provocando de esta forma una transicin de electrones desde el nivel bsico, al nivel
de energa superior. Tomando en cuenta que la vida media en el nivel E1 tiene una
duracin de 1s, en comparacin con la vida media del nivel E2 (10 ms), se tiene
que los electrones decaern a este nivel, a travs de una transicin no radiativa. En
cambio, dada que la duracin es muy grande en el nivel E2 , si la seal de bombeo se
mantiene en el tiempo, es decir, si el bombeo eleva a este nivel ms electrones de los
que quedan en el nivel fundamental, se llegar a producir una inversin de poblacin
entre los niveles de energa E2 y E1 , la cual es necesaria para lograr la amplificacin.
18

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

Figura 2.5. Representacin esquemtica del modelo de un EDFA en un diagrama de


tres niveles.
Es a partir de esa energa almacenada que se produce la amplificacin mediante
la emisin estimulada (fotones con la misma energa de transicin radiativa), sta es
iniciada por un fotn incidente, en este proceso el fotn emitido conserva las mismas
propiedades del fotn incidente, no solo en energa, sino tambin en fase, direccin
y polarizacin. Sin embargo, adems de producirse la emisin estimulada, tambin
se produce el fenmeno de emisin espontnea (decaimiento natural del electrn excitado), producto de que algunos fotones decaen en forma espontnea desde el nivel
metaestable al nivel bsico, en este proceso los fotones son emitidos en direcciones
aleatorias y sin relacin de fase alguna entre ellos; los fotones producidos de esta
manera no tienen las propiedades de los fotones de la seal, y por eso no contribuyen
a su amplificacin, por lo cual dicha emisin espontnea es tambin amplificada, lo que
origina ruido ASE. Este efecto, adems de introducir ruido a la seal que se propaga,
dado que disminuye la poblacin en el nivel metaestable, tambin hace disminuir la
ganancia que proporciona el EDFA. La expresin general de la ganancia est dada
por g = (N1 -N2 ), donde corresponde a la seccin transversal de transicin y N1
19

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

y N2 corresponden a las densidades atmicas de los niveles E3 y E2 , respectivamente


[43, 44].
Por consiguiente, una amplificacin de la seal slo puede producirse si el
nmero de electrones elevados al nivel metastable supera el nmero de electrones
del nivel fundamental, lo que corresponde a la condicin de inversin de poblacin.

2.3.1 Ecuaciones de razn


Los modelos de un amplificador ptico o lser se basan en las ecuaciones de razn y
de propagacin basados en un sistema de tres niveles como se describi en la seccin
anterior.
Las ecuaciones de razn, describen la inversin de poblacin del erbio a lo largo
de la fibra ptica [45].
Se define Ni (m3 ) cmo la poblacin (concentracin, nmero de electrones por
unidad de volumen) de erbio en el nivel i, ij (s1 ) como la probabilidad (inverso del
tiempo de vida) de transicin espontnea del nivel i al nivel j, s y p (m2 s1 )
como los flujos (nmero de fotones por unidad de tiempo y superficie) de seal y de
bombeo, respectivamente, y s y p (m2 ) cmo las secciones eficaces de las transiciones
1-2 (seal) y 1-3 (bombeo), siendo consideradas iguales las secciones de absorcin y
emisin en ambos casos. Las probabilidades de cada transicin estn indicadas en la
Figura 2.6. Las transiciones espontneas (3-2 y 2-1) pueden incluir una contribucin
no radiativa (los electrones de relajan emitiendo fonones, o vibraciones de la red
cristalina) y una contribucin radiativa (los electrnes emiten un fotn). En el caso
del erbio, 32 es tpicamente no radiativa, mientras 21 es mayoritariamente radiativa.
Las probabilidades de las transiciones estimuladas se obtienen por el producto del flujo
de fotones con la seccin eficaz correspondiente, as que las ecuaciones de razn se
pueden escribir como

dN3
= 32 N3 + (N1 N3 )p p ,
dt
20

(2.1)

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

Figura 2.6. Esquema de un sistema de tres niveles utilizado para elaborar las ecuaciones de razn para el EDFA.

dN2
= 21 N2 + 32 N3 (N2 N1 )s s ,
dt

(2.2)

dN1
= 21 N2 (N1 N3 )p p + (N2 N1 )s s .
dt

(2.3)

En estado estacionario, las derivadas valen 0


dN2
dN3
dN1
=
=
= 0,
dt
dt
dt

(2.4)

y la poblacin total N (o concentracin de erbio, que es constante) es la suma de las


poblaciones de cada nivel energtico

N = N1 + N2 + N3 .

(2.5)

De la ecuacin 2.1 se puede obtener la poblacin del nivel 3 quedando de la


siguiente forma
21

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

N3 =

N1
.
1 + 32
p

(2.6)

Los electrones del nivel 3 bajan muy rpidamente al nivel 2, as que N3 0, y


32 es tpicamente mucho ms grande que la probabilidad de transicin estimulada:
32 p p . Entonces, utilizando la ecuacin 2.6 y sustituyendo en 2.2, se obtiene
N2 =

N1 (p p + s s )
.
21 + s s

(2.7)

Esta ecuacin permite calcular N2 N1 y N2 +N1 . Considerando que N3 = 0, de


la ecuacin 2.5 se deduce que N2 +N1 =N, y se obtiene finalmente
p p 21
N2 N1
=
.
N
21 + 2s s + p p

(2.8)

2.3.2 Ecuaciones de propagacin


Las ecuaciones de propagacin, describen la evolucin de los flujos de seal y de
bombeo a lo largo de la fibra.
Se considera que la seal y el bombeo se propagan en el mismo sentido. Sus
evoluciones estn gobernados por efectos de absorcin por parte de los electrones en
el nivel fundamental y de emisin estimulada de parte de electrones en su estado
excitado (2 y 3, respectivamente). Por consiguiente, las ecuaciones de propagacin
de los flujos de seal y bombeo se escriben
ds
= (N2 N1 )s s ,
dz

(2.9)

dp
= (N3 N1 )p p .
dz

(2.10)

22

2.3 Principio de operacin de una fibra dopada con erbio

Figura 2.7. Dependencia de la inversin de poblacin fraccionaria con el bombeo [45].


Existe amplificacin de la seal slo si ds /dz > 0, es decir, segn la ecuacin
2.9, si N2 N1 > 0. Esta condicin es conocida como condicin de inversin de
poblacin, y significa que se necesitan ms electrones en el nivel metaestable que en
el nivel fundamental para que la seal sea amplificada. En efecto, slo en este caso
habr mas emisiones estimuladas que absorciones de fotones de la seal. Analizando
la ecuacin 2.8, se nota que esta condicin slo puede estar cumplida si el bombeo es
suficientemente fuerte. A la inversin lmite N2 N1 = 0 corresponde el valor umbral
th =

21
1
,
=
p
p

(2.11)

donde es el tiempo de vida del nivel metaestable. La amplificacin de la seal


slo puede ocurrir si el bombeo es superior a th . Si p < th , no hay inversin de
poblacin y la seal sufre atenuacin a lo largo del EDFA. Esto puede verse en la
Figura 2.7.

23

Captulo 3
Arreglo experimental
En este captulo se presenta el arreglo experimental del EDFA mostrado en la
Figura 3.1, las partes que lo integran, como componentes pticos y especificaciones
del equipo electrnico utilizado. Se describe el principio de operacin del sistema por
etapas.
Se describen la caracterizacin de los dos principales lseres utilizados, el de
bombeo y el de seal, su dependencia entre la potencia, corriente, longitud de onda
y temperatura.

Figura 3.1. Arreglo experimental del amplificador de seal pulsada de fibra dopada
con erbio de dos etapas de amplificacin.

3.1

Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

En la implementacin de este sistema fue necesario utilizar un lser DFB controlado


por corriente y temperatura a travs de una montura, el cual es modulado por un

24

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

generador de pulsos, al igual que un lser de bombeo con sus respectivos controladores,
para llevar a cabo la caracterizacin y el monitoreo de la seal, se utilizaron un
analizador de espectros ptico, un osciloscopio y un fotodetector. Tambin se llev
a cabo la descripcin de los componentes pticos que integran el sistema tales como,
rejillas de Bragg, lseres, circuladores pticos, acopladores, etc., como se describe a
continuacin.

3.1.1 Equipo electrnico


El lser DFB de este arreglo utiliza un controlador de corriente que permite proteger y limitar su corriente para descartar una posible sobrecarga, con esto tambin
se evita que el dispositivo se dae y aumenta su tiempo de vida. Con este controlador de corriente se puede obtener una potencia estable en el lser de seal, cuyas
caractersticas principales se describen a continuacin.
Controlador de corriente: El controlador de corriente utilizado es un modelo
LDC (Laser Diode Controller) 500 de la compaa THORLABS. El control de
corriente se puede programar en un rango de 0 a 500 mA con un ajuste
de precisin de 0.2 mA, un rango de potencia de 20 mW/200 mW, cuyo
rango de operacin ptimo se encuentra entre 0 a 40 C. Este equipo cuenta

con una salida DB9F para ser conectada al lser DFB a travs de una montura
que ser mencionada posteriormente. Este controlador se program a 15 mA
correspondientes a la corriente de operacin del lser de seal.
Un controlador de temperatura es necesario para desplazar la longitud de onda
del lser DFB. La importancia del controlador de temperatura es fundamental ya
que esto permite elegir una temperatura para obtener la longitud de onda deseada
en el lser de seal que en ste caso debe ser de 1550 nm. La razn principal por la
que se necesita elegir una longitud especfica en el lser DFB es por la necesidad de
seleccionar una longitud de onda que sea igual al de la rejilla de Bragg utilizada el
25

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

cual es a 1550 nm, en caso de que la longitud de onda en el lser DFB sea distinta a
la de reflexin de la rejilla, no habr seal reflejada.
Controlador de temperatura: Se utiliz un modelo TEC (Thermoelectric Temperature Controller) 2000 de la compaa THORLABS. Este equipo opera en
un rango de corriente de 0 a 2 A y a una temperatura de operacin de 0 a 40

C, tiene un sensor de temperatura AD590, con un tiempo de estabilizacin de

10 min. En este arreglo la temperatura del controlador se debe programar entre


6 y 8 C, ya que en este rango de temperatura el lser DFB emite a 1550 nm.
Tambin cuenta con una salida DB9 y al igual que el controlador de corriente,
este equipo debe conectarse al lser DFB por medio de la montura.
Una montura para diodos lser es el accesorio ideal para llevar a cabo la interfaz
entre el lser de seal y los controles de corriente y temperatura. La conexin con
estos dispositivos es a travs de las entradas DB9F y DB9. El diodo es insertado en
el zcalo de la montura de acuerdo a la asignacin del pin impreso.
Montura para el diodo lser: La montura es un modelo TCLDM9 (Temperature
Controlled, Laser Diode Mount) de la compaa THORLABS, es ideal para la
operacin del control de temperatura y corriente en diodos lser. El TCLDM9
es compatible para una amplia variedad de diodos lser hasta de cuatro pines,
incluye una entrada para seal de radiofrecuencia para modular el lser con una
fuente de RF externa de hasta 500 MHz. Esta montura cuenta con entradas
DB9F y DB9 para los controladores de corriente y temperatura.
Debido a que el lser DFB es de modo continuo y este debe operar en forma pulsada, es necesario usar un generador de pulsos en el que se pueda operar la frecuencia
y la amplitud, adems de que pulsado se puede obtener una potencia pico mayor.
El generador de pulsos es conectado a la montura del DFB a travs de la entrada de
radiofrecuencia. Con este generador se podrn introducir los pulsos necesarios para
obtener altas potencias.
26

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

Generador de pulsos: Este equipo es un modelo 6040 marca Universal Pulse


Generator de la compaa BNC, opera en un rango de frecuencia comprendido
entre 0.01 Hz a 100 MHz y con precisin de ajuste de 0.01 %, anchos de pulso
que van desde los 3 ns hasta 640 s con una precisin de 0.2 %. Los pulsos
generados para este arreglo varan desde 10 hasta 500 ns.
Para el bombeo de la fibra dopada con erbio se utiliza un lser a 980 nm con
un controlador de corriente y uno de temperatura. Estos controladores suministran
la potencia y la proteccin necesarias al lser de bombeo. Este dispositivo se puede
programar para su correcta operacin.
Controlador del LD: Este controlador es un modelo ITC 510 (Laser Diode
Combi Controller) de la compaa THORLABS. El rango de operacin de este
dispositivo se puede programar entre 0 y 1 A de corriente en el LD con una
precisin de 1 mA, el control de potencia va de 5 A a 2 mA con una precisin
de 2 A, cuenta con un control de temperatura a base de un termistor que
opera en un rango de 10 a 199.9 k, un rango de ajuste del TEC de 0 a 4 A.
En este arreglo experimental para el control de temperatura se usan 10 k que
corresponden a 25 C, ya que a esta temperatura se obtiene una mejor potencia
del diodo lser de bombeo y con el control de corriente se le proporcionan
corrientes desde 0 hasta 400 mA.
La montura para el diodo lser de bombeo es de tipo mariposa, muy distinta a
la configuracin de la montura del lser DFB y con diferentes caractersticas, cuenta
con driver de entrada DB9 para los controladores de temperatura y corriente respectivamente.
Montura para el LD de bombeo: Esta montura es un modelo LM14S2 de la
compaa THORLABS para lseres de mariposa de 14 pines, soporta 5 A de
corriente mxima tanto en el control de corriente como el de temperatura y ste
ltimo resiste temperaturas de 0 a 70 C.
27

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

Los analizadores de espectros pticos como su nombre lo dice sirven para obtener
los espectros de diferentes dispositivos pticos, en este arreglo experimental es utilizado para ver algunos espectros como el del lser DFB y el de la fibra dopada con
erbio, tambin es usado para caracterizar los lseres de bombeo y de seal.
Analizador de espectros ptico: El equipo es un modelo MS9740A de la compaa ANRITSU. Este dispositivo soporta fibras pticas monomodo (Single
Mode, SM) de 10 m/125 m e ndice graduado (Graded Index, GI) 50 m/125
m, es compatible con conectores de tipo FC, tiene un rango de operacin en
longitud de onda de 600 a 1750 nm.
El osciloscopio sirve para medir el potencial elctrico de una seal, en este dispositivo no pueden ser ledas seales pticas, por lo que es necesario usar un fotodetector
para que convierta la seal elctrica a seal ptica. En este arreglo experimental el
osciloscopio junto con el fotodetector se usan para monitorear la seal de algunos
dispositivos pticos tales como los lseres cuando se lleve a cabo su caracterizacin y
cuando se mide la potencia de la seal al final de cada etapa. La salida del dispositivo
ptico a medir se conecta a la entrada del fotodetector y la salida de ste se conecta
al osciloscopio.
Osciloscopio: El osciloscopio es un modelo DPO3014 de la compaa TEKTRONIX, cuenta con 4 canales de entrada, con impedancias de 1 M con 300
VRMS de voltaje mximo, 50 y 75 con estas dos ltimas impedancias se pueden
suministrar hasta 5 V de voltaje mximo y 20 de voltaje pico.
Fotodetector: Este dispositivo es un modelo DET01CFC de la compaa THORLABS el cual tiene un ancho de banda de 1.2 GHz, usa un detector de InGaAs
que es sensible a una longitud de onda de 800 a 1700 nm con una responsitividad de 0.95 A/W y tiempos de subida y cada de 100 ps, es alimentado por
una batera de 12 V. Cuenta con una entrada FC/PC que proporciona un fcil
acoplamiento a fuentes de luz a base de fibra ptica y la salida tiene un conector
28

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

SMA para minimizar el tamao y maximizar la respuesta de frecuencia la cual


es conectada al osciloscopio para visualizar ah la seal que est detectando.
Un medidor de potencia est diseado para medir la potencia ptica de una
fuente de radiacin ya sea de onda continua o pulsada. En este trabajo se necesita
un dispositivo como ste para medir las potencias del lser DFB y el de bombeo
para llevar a cabo su caracterizacin. Para monitorear la potencia, este medidor de
potencia requiere de un fotodetector compatible a este equipo.
Medidor de potencia: El dispositivo es un modelo PM100D de la compaa
THORLABS, es compatible con fotodetectores de la serie C tales como S100C,
S300C, ES100C, ES200C y S145C. El sensor de entrada opera en un rango de
medicin de 50 nA a 5 mA con una precisin de 0.2 %. El sensor de salida
cuenta con un rango de medicin de 1 mV a 1 V con una precisin de 0.5 %.
Las unidades en las que mide tanto el sensor de entrada como el de salida estn
dadas en W, dBm, W/cm2 . El ancho de banda en el que mide es hasta de 100
kHz y cuenta con una salida analgica, el rango de medicin en potencia es de
100 pW a 200 W. El fotodetector que usa este dispositivo es un S145C.
Fotodetector del medidor de potencia: El fotodetector es un modelo S145C de la
compaa THORLABS permite medir la potencia ptica a base de un detector
de InGaAs que mide en un rango de longitud de onda de 800 a 1700 nm y
mide potencia desde 1 W hasta 3 W con tiempos de respuesta menores a 200
ns, cuenta con entrada a fibra ptica y una salida con un conector DB9 que
proporciona una mejor transmisin de datos (por medio de un chip interno) lo
cual facilita su uso y a travs ste conector de salida es conectado a el medidor
de potencia PM100D. Este fotodetector se us par medir la potencia de salida
en cada etapa de amplificacin.

29

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

3.1.2 Componentes pticos


El arreglo experimental propuesto se compone de EDFs, WDMs, circuladores pticos,
acopladores y una rejilla de Bragg. Cada uno de estos componentes juega un papel
importante en el arreglo, ya que individualmente tienen funciones diferentes y todos
ellos juntos en una configuracin formarn el amplificador de fibra dopada con erbio.
La descripcin y algunas caractersticas de estos componentes pticos se mencionan
a continuacin.
Un lser DFB es utilizado para generar una seal ptica en este arreglo experimental, con este lser se tiene la posibilidad de manipular la longitud de onda
mediante un cambio de temperatura en l. La longitud de onda de emisin del lser
DFB debe ser a 1550 nm para que coincida con la longitud de onda de reflexin de
la rejilla de Bragg, si esto no sucede la seal no ser reflejada.
Diodo lser DFB: El lser de seal es un modelo DFB DL-5335-VXS de la
compaa OPTOWAY el cual tiene una corriente umbral (Ith ) tpica de 9.8 mA,
el rango de operacin mximo de voltaje es de 1.5 V, su potencia de salida es
de 2 mW, su longitud de onda central es de 1550 nm con tiempos de cada y
subida de 150 ps y su corriente de operacin es de Iop = Ith + 20 mA. Este lser
tiene una etapa de enfriamiento que ser controlada mediante el controlador de
temperatura, la cual es el medio por el que se lleva a cabo la seleccin de la
longitud de onda. Se tiene la necesidad de pulsar este lser para obtener una
potencia pico mayor, as que a este lser DFB de onda continua se le introducirn
pulsos cortos a partir del generador de pulsos.
El sistema de amplificacin consiste en una EDF y un lser de bombeo. En este
arreglo experimental es indispensable el diodo lser de bombeo, ya que va a servir
como bombeo ptico para excitar las dos secciones de la fibra dopada con erbio que
se usarn como medio de amplificacin. Un lser de este tipo se puede encontrar a
diferentes longitudes de onda, pero en este arreglo se usa un bombeo a 980 nm.

30

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

Diodo lser de bombeo: El diodo lser es un modelo PL980P330J de la compaa


THORLABS, es de tipo mariposa de 14 pines, su longitud de onda central es de
975 nm, opera en un rango de corriente de 600 a 720 mA, la potencia de salida
mxima que brinda es de 330 mW, cuenta con ancho de banda espectral de 0.5
a 1.0 nm, la corriente umbral tpica es de 75 mA y la mxima de 90 mA. Este
diodo lser de bombeo es mostrado en el lado izquierdo de la Figura 3.2.

Figura 3.2. En el lado izquierdo se muestra un diodo lser de bombeo a 980 nm y en


el lado derecho se observa una fibra dopada con erbio cuando ha sido excitada.

Fibra dopada con erbio: Para este trabajo se usan dos secciones de 10 m de
EDF modelo M12-980-125 de la compaa THORLABS y cada una est dopada
en una proporcin de 1000 ppm [46]. Una fibra dopada con erbio es una fibra
estndar de slice, en cuyo ncleo se introdujeron iones de erbio en su fabricacin,
el medio activo que proporcionar la amplificacin sern precisamente los iones
Er3+ . Para que este tipo de fibra lleve a cabo el proceso de amplificacin se
necesita un bombeo externo con un lser de onda continua a una frecuencia
ptica ligeramente superior a la que amplifican. Tpicamente, las longitudes de
onda de bombeo son 980 1480 nm [12]. En el lado derecho de la Figura 3.2 se
muestra una EDF cuando se le ha aplicado un bombeo a 980 nm.

31

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

La seal a 1550 nm es introducida a las etapas de amplificacin a travs de


un circulador ptico, puesto que esta seal no debe regresar a la etapa anterior es
necesario usar este dispositivo porque tiene la capacidad de hacer pasar una seal
por uno de sus puertos hacia el puerto siguiente sin que esta seal pueda regresar por
alguno de ellos. En este caso se usa un circulador ptico de tres puertos.
Circulador ptico: Los circuladores pticos son modelo 6015-3 de la compaa
THORLABS, operan en un rango de longitud de onda de 1525 a 1610 nm, tiene
prdidas por insercin tpica de 0.8 dB y mxima de 1.0 dB, una prdida por
retorno de 50 dB, funciona en un rango de temperatura desde los 0 hasta los 70

C y su potencia mxima de operacin es de 50 mW. El circulador es un tipo

de aislador ptico con varios puertos cuya funcionalidad es permitir el paso de


toda la luz que entra por uno de sus puertos hacia el puerto siguiente, siempre
siguiendo el sentido de las manecillas del reloj. En el esquema de la Figura 3.3
se muestra como viaja la luz en este dispositivo y se puede ver que cuando sta
entra por el puerto 1 se direcciona al puerto 2, una ves que pas por ese puerto
es dirigida ahora al puerto 3, esta seal nunca puede regresar por el puerto
anterior.

Figura 3.3. Circulador ptico: a la izquierda se encuentra su esquema bsico y a la


derecha como es fsicamente.

Un WDM tiene la capacidad de combinar diferentes seales a diferentes longitudes de onda, y esto permite que en un amplificador de fibra dopada con erbio existan
32

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

configuraciones de bombeo en copropagacin (misma direccin) y contrapropagacin


(direccin opuesta). Los WDMs tienen los mismos principios fsicos que un acoplador
de seal que es descrito ms adelante, nada ms que en estos dispositivos existe la
dependencia en longitud de onda [19, 40]. La alternativa de multiplexacin por longitud de onda consiste en propagar por una misma fibra seales de distintas longitudes
de onda. En este arreglo experimental son usadas dos, la de bombeo y la que se va a
amplificar, as que se requiere del uso de dos dispositivos pticos como este que se ha
mencionado. Un WDM es mostrado en la Figura 3.4.

Figura 3.4. Estructura interna y externa de un WDM.

WDM: EL multiplexor por divisin de longitud de onda utilizado es un modelo


WPN052407 de la compaa THORLABS. Este dispositivo opera en un rango
de longitud de onda de 980 a 1550 nm, tiene una prdida por insercin de 0.55
dB y tiene un ancho de banda en longitud de onda de 10 nm.
La rejilla de Bragg es un dispositivo con una variacin peridica del ndice de
refraccin, que se introduce longitudinalmente a lo largo del ncleo de la fibra y que
acta como una estructura de reflexin mltiple. Las rejillas que se usan en sta
arreglo experimental reflejan a 1550 nm.
Las rejillas de Bragg reflejan y transmiten selectivamente algunas longitudes
de onda dependiendo del espaciamiento en el patrn de franjas, generado por la
modulacin peridica del ndice de refraccin efectivo de la fibra ptica. Una rejilla
33

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

de Bragg reflejar luz con una longitud de onda correspondiente a dos veces el periodo
de la rejilla por el ndice de refraccin efectivo, Bragg = 2nefectivo , donde es el
periodo de la rejilla y nefectivo es el ndice de refraccin efectivo.
Una caracterstica importante que tienen las rejillas de Bragg es que al tensarlas
o al cambiarles la temperatura, cambian su longitud de onda de reflexin. Este cambio
en la longitud de onda va a proveer informacin sobre la variable aplicada (presin
o temperatura) y por consecuencia un sensado [47-49]. En la Figura 3.5 se muestra
una rejilla de Bragg en su forma fsica e interna.

Figura 3.5. Rejilla de Bragg, a la derecha su forma fsica y en la izquierda su forma


interna.

Debido a que en el proceso de amplificacin no slo se amplifica la seal a 1550


nm sino que tambin se amplifican otras longitudes de onda y estas generan ruido, se
necesita una rejilla de Bragg que funcione como un filtro, as que para llevar a cabo
el filtrado y la reflexin de la seal a 1550 nm se usar este componente ptico. De
esta forma las longitudes de onda que se amplifiquen y sean diferentes de 1550 nm
sern transmitidas y no reflejadas.
Rejilla de Bragg: Estos dispositivos son modelo FOSS2CX6166 de la compaa
AVENSYS, se usan dos rejillas de Bragg que reflejan a una longitud de onda
central de 1550 nm, ambas con un ancho de banda de 0.21 nm, una de ellas
tiene una reflectividad del 96 % y la otra de 97 %.
34

3.1 Descripcin del equipo electrnico y componentes pticos

Un acoplador de fibra ptica es un dispositivo pasivo que puede distribuir la


seal ptica de una fibra entre dos o ms fibras, adems, puede ser utilizado
de manera recproca, es decir, combinar dos seales pticas de dos o ms fibras
a una sola fibra ptica [19]. Los acopladores pticos se usan para ramificar o
combinar seales pticas. Se usan en redes pblicas y privadas de fibra ptica
para proporcionar una distribucin pasiva y unin de puntos para la transmisin
de datos pticos. Los acopladores se caracterizan por las siguientes propiedades:
Todos los componentes de fibra tienen bajas prdidas de insercin.
Altas prdidas de retorno y directividad.
Buen comportamiento en longitud de onda selectiva o banda ancha.
Alta estabilidad trmica y mecnica.
Libre eleccin de razn de acoplamiento (1-50 %).
Existen acopladores con diferentes propiedades de transmisin y acoplamiento.
Hay acopladores para aplicaciones en el rango de longitudes de onda de telecomunicaciones desde 1200 a 1700 nm, as como acopladores para longitudes de onda ms corta
[50]. En la Figura 3.6 se muestra como est compuesto internamente un acoplador
ptico. Los acopladores usados son dos, uno 50/50 modelo CWD07080917 y el otro
acoplador es un 99/1 modelo CWD07008404 ambos de la compaa THORLABS. El
50/50 es usado para introducir el bombeo a ambas etapas de amplificacin al mismo
tiempo y por separado, el 99/1 es usado para hacer el monitoreo de la seal de la
primer etapa de amplificacin.
Debido a que los dispositivos de fibra ptica utilizados en este trabajo no cuentan con conectores FC, es necesario hacer una conexin entre ellos con un empalme
por fusin. Los empalmes por fusin mejoran la unin que con conectores debido
a que los resultados experimentales son ms precisos. Actualmente estos empalmes
se hacen a travs de empalmadoras de fusin automticas por descarga de arco y
consisten en fundir los extremos de las fibras para unirlas en forma automtica y
35

3.2 Generacin de la seal

Figura 3.6. Estructura interna y externa de un acoplador ptico.


permanentemente, pueden empalmarse fibras de diferentes tamaos de ncleo. Se usaron dos empalmadoras en este arreglo experimental la primera es un modelo Splicer
Type-25e de la compaa SUMITOMO ELECTRIC y otra modelo S178A de la compaa FITEL, la primera se ocupa para llevar a cabo empalmes de fibras monomodo
y la segunda para fusiones ms complejas de fibras, como por ejemplo al empalmar
la EDF con el WDM. El empalme, se lleva a cabo con una excitacin radiante en las
dos terminales de fibra mediante una descarga elctrica, empujando la terminal de
una fibra hacia la otra y fusionndolas, para que esto suceda las fibras pticas deben
estar lo mejor posible alineadas. Antes de retirar la fibra ptica ya empalmada este
equipo hace una prueba de tensin para verificar la calidad del empalme, una vez que
se retir hay que poner una proteccin para evitar que se rompa.
El equipo electrnico y los componentes pticos descritos anteriormente estn
disponibles en el Laboratorio de Fisicoqumica de Materiales de la Benemrita Universidad Autnoma de Puebla (ICUAP-BUAP).

3.2

Generacin de la seal

La etapa previa a la primera etapa de amplificacin inicia con la generacin de la seal


a travs de un lser DFB que emite a una longitud de onda de 1550 nm el cual utiliza
un controlador de corriente y uno de temperatura, una montura y un generador de
pulsos como se muestra en la Figura 3.7. En el arreglo se puede observar que el gene36

3.2 Generacin de la seal

Figura 3.7. Arreglo experimental para generar la seal de 1550 nm usando un lser
DFB.
rador de pulsos, el controlador de corriente y el control de temperatura, son conectados
al diodo lser a travs de la montura. Una vez que es implementado el arreglo se
conecta la salida del lser DFB al fotodetector y posteriormente al osciloscopio para
caracterizar la seal de esta etapa.
El arreglo es implementado para tener controlada la longitud de onda del lser
DFB mediante una temperatura y su corriente para el control de potencia, as como
la disponibilidad de tener un control adecuado de la amplitud de voltaje y frecuencia
de la seal. En la Figura 3.8 son mostrados los pulsos obtenidos en esta etapa de la
seal, en el inciso a) se observa un tren de pulsos y en el inciso b) la forma de los
pulsos, son obtenidos a una temperatura de 5 C, corrientes menores a 14.5 mA.
El espectro de emisin, el cual presenta un ancho de banda muy angosto, centrado en la longitud de onda 1549.9 nm del diodo lser de seal se visualiza en la
Figura 3.9 mientras que en la Figura 3.10 se muestran los espectros de este mismo
lser con respecto a la temperatura aplicada. En la grfica se observa que a mayor
temperatura el espectro alcanza un mayor desplazamiento en longitud de onda, en
ste trabajo la longitud de onda ideal es a 1550 nm debido a que a sta longitud de
onda refleja la rejilla de Bragg, por lo tanto se usar la temperatura de 5 C, adems
de que a sta temperatura se obtiene ms potencia de salida.
37

Amplitud (u.a)

Amplitud (u.a.)

3.2 Generacin de la seal

-200

-100

100

200

200

Tiempo (ns)

400

600

800

1000

Tiempo (s)

b)

a)

Figura 3.8. Seal obtenida a travs del osciloscopio de la etapa previa a la primera
etapa de amplificacin. a) Forma de los pulsos, b) Tren de pulsos.
3.2.1 Caracterizacin de lser de seal
El lser de seal se caracteriz mediante el uso de un control de temperatura y un
control de corriente conectados a un diodo lser de seal a travs de una montura, y
un analizador de espectros ptico. El arreglo experimental usado para llevar a cabo
la caracterizacin del lser de seal se muestra en la Figura 3.11 que consiste en el
control de corriente y temperatura para tomar los parmetros de potencia y longitud
de onda. Una vez que se conectan los equipos al lser DFB, se controla la temperatura
al lser en un rango de 0 a 35 C, limitando la corriente a 14.5 mA, y se toma la
longitud de onda que mide y la potencia en mW, estas mediciones se realizan por
cada grado que se varia iniciando en 5 C. La Figura 3.12 muestra la dependencia que
hay entre longitud de onda y la temperatura, se visualiza que al ir incrementando la
temperatura la longitud de onda aumenta en forma lineal. Tambin se puede observar
que entre 5 y 35 C es posible desplazar 2 nm en longitud de onda de emisin del
lser DBF y en potencia tan slo se tiene una prdida de 0.71 mW.

38

3.2 Generacin de la seal

Amplitud (u.a)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2
1547.5

1550

1552.5

Longitud de onda (nm)


Figura 3.9. Espectro de emisin del lser de seal (DFB).
Usando el arreglo anterior con el medidor de potencia se realizaron mediciones
adicionales para la caracterizacin del diodo de seal. Las condiciones del equipo
para este arreglo consistieron en variar la corriente desde 0 a 14.5 mA para cuatro
diferentes temperaturas, los incrementos de corriente fueron programados cada 0.5
mA, por su parte las temperaturas se tomaron en incrementos de 10 C a partir de 5
hasta 35 C.
Los resultados obtenidos de esta caracterizacin son mostrados en la Figura 3.13.
En la grfica se observan las dependencias de la potencia a diferentes temperaturas.
Los resultados muestran que a temperaturas bajas se obtiene una potencia de salida
mayor y un umbral de corriente menor, por otra parte se observa que a temperaturas
mayores la potencia de salida es menor y el umbral de corriente se incrementa.

39

3.3 Primera etapa de amplificacin

Amplitud (u.a)

1.0

5 C
15 C
25 C
35 C

0.8

0.6

0.4

0.2
1549

1550

1551

1552

1553

Longitud de onda (nm)


Figura 3.10. Relacin que existe entre la temperatura y la longitud de onda.
3.3

Primera etapa de amplificacin

Como se mencion anteriormente en un proceso de amplificacin de una seal es


necesario tener un medio de ganancia para amplificarla. En este arreglo experimental
se tiene como medio de ganancia una EDF y una seal pulsada a 1550 nm para ser
amplificada en esta primera etapa la cual fue generada anteriormente en una etapa.
El arreglo est formado por un circulador ptico de tres puertos, 10 m de fibra dopada
con erbio, una rejilla de Bragg y un WDM por el cual es introducido el bombeo ptico
a 980 nm, como se muestra en la Figura 3.14.
Este arreglo presenta una configuracin convencional de doble paso de la seal
empleado como un preamplificador ptico para proporcionar una alta ganancia y un
bajo ruido, mediante el uso de una rejilla de Bragg. En este caso la rejilla utilizada
tiene una reflectividad del 96 % para un longitud de onda de 1550 nm y estar
situada en un extremo de salida del WDM-1 para permitir que la seal amplificada
40

3.3 Primera etapa de amplificacin

Figura 3.11. Diagrama para llevar a cabo la caracterizacin del diodo lser de seal.
sea reflejada. La seal que es reflejada a travs de la rejilla es nuevamente amplificada
y redireccionada, ahora del puerto 2 del circulador al puerto 3. Una ventaja adicional
de usar este arreglo es la eliminacin de posibles reflexiones parsitas que retornan
hacia el diodo lser.

3.3.1 Caracterizacin del lser de bombeo


La amplificacin en la fibra dopada con erbio slo se pude llevar a cabo excitando los
tomos del erbio y esto se puede hacer mediante un bombeo ptico a 1480 980 nm,
en este caso la fuente de bombeo es el lser que emite a 980 nm.
Para llevar a cabo la caracterizacin del diodo lser de bombeo se utiliz el
siguiente material: el lser de bombeo conectado con sus respectivos controladores
de temperatura y corriente unidos a travs de la montura y un medidor de potencia
en fibra ptica. Los controladores son conectados a la montura a la cual ya se le ha
colocado el diodo lser, en la salida de ste diodo se coloca el medidor de potencia
como se muestra en la Figura 3.15. Una vez que estas conexiones se realizaron, se
enciende el controlador que est alimentando al diodo lser, sin utilizar el control
de temperatura, slo variando la corriente de 0 a 400 mA y tomando los valores de
potencia en rangos de 10 mA, se hacen las mediciones y los resultados obtenidos son
mostrados en la Figura 3.16 en la cual se observa que el comportamiento que tiene es
41

3.3 Primera etapa de amplificacin

Longitud de onda
Potencia

1552.0

2.2

2.0

1551.5

1.9
1551.0

1.8
1.7

1550.5

Potencia (mW)

Longitud de onda (nm)

2.1

1.6
1.5

1550.0
10

15

20

25

30

35

1.4
40

Temperatura (C)
Figura 3.12. Relacin entre longitud de onda y temperatura. Considerando una
corriente mxima de 14.5 mA.
casi lineal, con una corriente umbral del diodo lser de 70 mA y proporcionando una
potencia mxima de 147.5 mW. De esta misma figura se hicieron unas mediciones ms
de potencia, slo que en sta ocasin se consider una temperatura de 25 C aplicada
al diodo lser a travs del control de temperatura, con respecto a la corriente las
condiciones son las mismas que las de la medicin sin el control de temperatura y
puede notarse que su comportamiento es casi lineal con una corriente umbral en 70
mA y la potencia mxima alcanzada es de 151 mW, tan slo 3.5 mW ms de potencia
que en las primeras mediciones. Por lo que se puede concluir que considerando una
temperatura aplicada al diodo lser de bombeo se obtiene mayor potencia para ste.

42

3.3 Primera etapa de amplificacin

Potencia (mW)

5 C
15 C
25 C
35 C

0
6

10

12

14

16

Corriente (mA)
Figura 3.13. Caracterizacin del lser de seal en funcin de su potencia de salida,
considerando temperaturas a 5, 15, 25 y 35 C.
3.3.2 Caracterizacin del WDM
Para la primera etapa de amplificacin se hizo una medicin adicional en la caracterizacin del lser de bombeo que consisti en monitorear los valores de la potencia
obtenida despus de ser empalmado al WDM, esto para medir las prdidas de potencia en esta primera conexin. En la Figura 3.17 se muestra el diagrama con el que
sellevaron a cabo estas mediciones y consiste en fusionar la salida del diodo lser de
bombeo que es controlado por corriente y temperatura al WDM y la salida de este
ltimo dispositivo se empalma al medidor de potencia para visualizar ah la potencia
obtenida. Las condiciones del equipo son las mismas que las de la caracterizacin de
potencia, la corriente se vara de 0 a 400 mA en intervalos de 10 mA y se considera
una temperatura de 25 C.
Los resultados de estas mediciones se pueden ver en la Figura 3.18, donde puede
notarse que debido a las prdidas que se presentan el lser tiene lectura a partir de 80
43

3.4 Filtro de la seal

Figura 3.14. Primera etapa de amplificacin de la seal para el arreglo experimental.

Figura 3.15. Diagrama para la caracterizacin del diodo lser de bombeo.


mA y el comportamiento que tienen es casi lineal. La potencia de salida que alcanza
con 400 mA (151 mW) es de 95.7 mW, lo que muestra que existen prdidas de 55.3
mW de potencia en esta etapa, que representan un tercio de la potencia inicial, ya
que en la primera caracterizacin de tenan 152 mW.

3.4

Filtro de la seal

Posteriormente a la primera etapa de amplificacin de la seal se procede a realizar


un filtraje adicional para eliminar ruidos indeseables dentro del sistema mediante el
44

3.4 Filtro de la seal

A temperatura ambiente
A temperatura de 25 C

160
140

Potencia (mW)

120
100
80
60
40
20
0
-20
0

100

200

300

400

Corriente (mA)
Figura 3.16. Caracterizacin del lser de bombeo en funcin de la potencia de salida.
uso de un interfermetro de Sagnac que consistir en un acoplador empalmado a una
fibra ptica estndar altamente torcida y una placa retardadora /4 en el lazo. Al
pasar la seal por este arreglo se eliminar parte del ruido que se genere en la primera
etapa y a la vez se podr llevar a cabo el monitoreo constante de la potencia en esta
etapa.
Esta etapa de filtrado de la seal es mostrada en la Figura 3.19 (seccin punteada). En el diagrama se muestra que la seal obtenida a travs del puerto 3 del
circulador es dividida por medio de un acoplador 50/50 con la finalidad de mantener
un monitoreo constante de la primera etapa de amplificacin. La seal transmitida
por el acoplador es enviada al interfermetro de Sagnac para la eliminacin de los
posibles ruidos obtenidos.

45

3.6 Control de potencia de salida

Figura 3.17. Esquema que se muestra como se llev a cabo la caracterizacin de esta
etapa.
3.5

Segunda etapa de amplificacin

La seal filtrada por el interfermetro de Sagnac ser amplificada mediante un segundo arreglo usando una fibra dopada con erbio y dos WDMs correspondientes al
WDM-2 y al WDM-3, respectivamente. El WDM-2 ser el medio de enlace para comunicar la seal de bombeo al WDM-1 de la primera etapa de amplificacin y el
WDM-3 ser utilizado para suministrar la seal de bombeo inicial del sistema. La
seal obtenida del sistema completo estar disponible en el puerto de salida restante
del WDM-3. Esto se puede observar en la seccin punteada de la Figura 3.20.

3.6

Control de potencia de salida

Debido a que la salida de la seal obtenida permanecer con un nivel constante de potencia es necesario incluir al final del arreglo un dispositivo que permita tener una potencia de salida controlada. Se propone un arreglo simple que consiste en un atenuador
variable y una navaja desplazable para limitar el frente de onda de transmisin. Con
este arreglo ser posible obtener transmisiones de hasta un 2 % del total suministrado
por el arreglo, el cual dar ms versatilidad al sistema principalmente para cuando se
traten de hacer mediciones que no requieren toda la potencia del arreglo. El arreglo
es mostrado en la Figura 3.21.
46

3.6 Control de potencia de salida

160

Potencia de salida inicial


Potencia medida en el WDM

140

Potencia (mW)

120
100
80
60
40
20
0
0

100

200

300

400

Corriente (mA)
Figura 3.18. Potencia obtenida del lser de bombeo despus de ser empalmado al
WDM-3 comparado con la potencia inicial.
Un atenuador es un elemento pasivo utilizado para controlar los niveles de potencia de salida del sistema. Algunas aplicaciones que se le dan a los EDFAs no
requieren de toda la potencia de salida as que se tiene que limitar, esta operacin se
puede llevar a cabo mediante la construccin de un atenuador variable. Como atenuador variable se realizar un arreglo que mediante el desplazamiento de una navaja en
forma horizontal a travs de un tornillo micromtrico se obstruye la seal de salida,
permitiendo elegir la potencia deseada, este arreglo es mostrado en la Figura 3.22.

47

3.6 Control de potencia de salida

Figura 3.19. Arreglo experimental para la supresin del ASE proveniente de la primera
etapa de amplificacin.

Figura 3.20. Segunda etapa de amplificacin de la seal.

48

3.6 Control de potencia de salida

Figura 3.21. Arreglo experimental con control de potencia de salida.

Figura 3.22. Arreglo usado para el control de potencia de salida.

49

Captulo 4
Resultados experimentales
En este captulo se presentan los resultados experimentales obtenidos por cada
etapa del amplificador. En la primera etapa de amplificacin se presenta el diagrama
a bloques del arreglo implementado y la caracterizacin de la potencia de salida con
respecto a los pulsos de entrada. Posterior a la primera etapa se realizaron pruebas
experimentales para filtrar la seal de la primera etapa para obtener la mnima emisin
de ruido.

4.1

Caracterizacin de la sensitividad del fotodetector

Figura 4.1. Diagrama de la caracterizacin del fotodetector.

La caracterizacin del fotodetector es importante para obtener su sensitividad y relacionar la potencia dada por el lser de seal con relacin a la dependencia del voltaje
obtenido por cada mW de potencia, el cual es monitoreado en el osciloscopio. Para
llevar a cabo esta caracterizacin se requiere del controlador de corriente y de temperatura, el lser DFB, un fotodetector y un osciloscopio, son conectados como indica
el diagrama de la Figura 4.1, a la salida del lser de seal se coloca un conector tem-

50

4.1 Caracterizacin de la sensitividad del fotodetector

poral y es llevado a la entrada del fotodetector, la salida de este ltimo elemento se


conecta al osciloscopio. Con el controlador de corriente se aplican corrientes al lser
de seal de 7 a 15 mA en intervalos de 0.5 mA a una temperatura de 5 C, en el
osciloscopio se tomarn los datos obtenidos en volts.
70
60

Voltaje (mV)

50
40
30
20
10
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

Potencia (mW)
Figura 4.2. Relacin voltaje contra potencia para obtener la sensitividad del detector.

Los resultados obtenidos en esta caracterizacin son mostrados en la Figura 4.2


donde se observa que la potencia de salida del lser DFB y su correspondencia en
volts tiene un comportamiento lineal. Considerando esta distribucin de datos se
puede relacionar la potencia de salida con el voltaje, por ejemplo tomando 12.5 mA
al lser DFB en potencia corresponde a 1.042 mW y en voltaje a 46 mV, con esta
informacin es posible relacionar el voltaje y la potencia para obtener la sensitividad,
esto es, sensitividad = 46 mV/1.042 mW = 44 mV/mW. Por lo tanto la sensitividad
para este arreglo experimental es una razn de 44 mV/mW.
51

4.2 Resultados de la primera etapa

4.2

Resultados de la primera etapa

Los resultados que se tienen en la primera etapa son de gran importancia porque de
ellos depende la amplificacin que se llevar a cabo en la segunda etapa de amplificacin. En la Figura 4.3 se muestra el diagrama a bloques de como se obtuvieron
los resultados de potencia y consiste en una etapa previa de la generacin de la seal
y la etapa del bombeo conectadas a la primera etapa de amplificacin de la cual se
caracteriza en el osciloscopio el voltaje obtenido, para posteriormente hacer su conversin a watts. En el lser de bombeo se mantiene a una temperatura de 25 C y la
corriente se varia de 230 a 400 mA en intervalos de 10 mA, por su parte para el lser
de seal la temperatura es de 5.15 C y las corrientes son de 5.2, 2.2, 3 y 3.5 mA para
pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, respectivamente y por ltimo el generador se fija a
una frecuencia de 10 kHz.

Figura 4.3. Diagrama que muestra como se obtuvieron los resultados de la primera
etapa de amplificacin.

Los resultados de estas mediciones se pueden ver en la Figura 4.4 los cuales
muestran una distribucin lineal para diferentes anchos temporales del pulso tales
como 10, 50, 100 y 500 ns cuyas potencias mximas de salida fueron de 3.4, 1.5,
0.80 y 0.28 W, respectivamente. De acuerdo a esta grfica se aprecia que para pulsos
mucho ms cortos se obtiene una mayor potencia de salida; la diferencia en potencia
52

4.2 Resultados de la primera etapa

3.5

10 ns
50 ns
100 ns
500 ns

Potencia de salida (W)

3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
70

80

90

100 110 120 130 140 150 160

Potencia de bombeo (mW)


Figura 4.4. Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida de la primera
etapa en funcin del ancho de los pulsos.
que se tiene para los pulsos de 10 y 500 ns es de 3.12 W, por lo tanto se da una
posibilidad de tener una potencia de salida ajustable a travs del ancho temporal de
los pulsos como se puede observar en la Figura 4.5, de esta manera es conveniente
usar pulsos cortos si se requiere de ms potencia de salida.
Con el mismo diagrama de resultados de esta primera etapa tambin se obtuvieron resultados de potencia, en este caso slo para pulsos de 10 y 50 ns, bajo
distintas condiciones. Para el pulso de 10 ns se aplic al lser de seal una potencia
de 6 mA y para el de 50 ns una potencia de 8 mA, la temperatura fue la misma de
5.15 C para ambos pulsos, con respecto a la potencia de bombeo se tomaron datos
a partir de 230 hasta 400 mA, ya que es el rango de operacin ptimo para estos dos
diferentes pulsos. Conforme se aumenta la potencia de bombeo se incrementa relativamente la potencia de salida, en pulsos de 10 ns se obtiene ms potencia de salida
que en pulsos de 50 ns, en este caso la diferencia de potencias de salida es muy no53

4.2 Resultados de la primera etapa

Potencia de salida (W)

3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0

100

200

300

400

500

Ancho de pulso (ns)


Figura 4.5. Potencia de salida alcanzada por pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, en la
primera etapa de amplificacin.
toria ya que entre cada una de ellas hay un potencia de 1.8 W. Estos resultados se
presentan en la grfica de la Figura 4.6 y se midieron en el puerto 3 del circulador y
fueron monitoreados con el osciloscopio.
Los datos mostrados en la Figura 4.7 son el resultado de la amplificacin de
la seal y se observa que conforme se aplica ms potencia de bombeo la seal se va
amplificando cada vez ms. Esta seal se amplific 187 veces en la primera etapa de
amplificacin.
En esta primera etapa de amplificacin tambin se obtuvo el espectro de salida
y es mostrado en la Figura 4.8 donde se observa que la seal de 1550 nm est acompaada de ruido y con un ancho de banda mayor, es por esta razn que se requiere
de un filtrado de seal en la primera etapa.

54

4.3 Resultados de la segunda etapa

Potencia de salida (W)

2.0

10 ns
50 ns

1.5

1.0

0.5

0.0
70

80

90

100 110 120 130 140 150 160

Potencia de bombeo (mW)


Figura 4.6. Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida para pulsos de 10
y 50 ns.
4.3

Resultados de la segunda etapa

Para limitar los efectos del ruido en la seal de la primera etapa de amplificacin
es posible la utilizacin de filtros, en particular en este trabajo se tom un arreglo
de un interfermetro de Sagnac como posible etapa de filtraje. La implementacin
del arreglo del interfermetro se llev a cabo mediante el uso de fibra torcida, una
placa retardadora de /4 conectados a los puertos de salida de un acoplador 50/50,
este arreglo se puede ver en la Figura A.1 del apndice A. El diagrama a bloques de
esta etapa es mostrado en la Figura 4.9 y consiste en los controladores de corriente y
temperatura para ambos lseres, la primera etapa de amplificacin, el interfermetro
de Sagnac y un fotodetector conectado a un osciloscopio. Una vez que se tena el
arreglo se empalm a la primera etapa de amplificacin como fue mostrado en la
Figura 3.19. Se caracteriz el arreglo anterior para posiciones distintas de la placa
55

4.3 Resultados de la segunda etapa

Amplificacin de la seal

200

150

100

50

0
70

80

90

100 110 120 130 140 150 160

Potencia de bombeo (mW)


Figura 4.7. Relacin de la amplificacin de la seal contra potencia de bombeo en la
primera etapa de amplificacin.
retardadora y estos son mostrados en la Figura 4.10 de las cuales se puede observar
que su espectro de emisin emite una seal a 1550 nm y su distribucin de ruido. De
acuerdo a estas graficas los resultados muestran una dependencia en amplitud y ruido
para posiciones diferentes de la placa, lo que lo hace difcil de operar debido a que
los niveles de potencia pueden variar de un da a otro debido a las condiciones que se
presenten. Lo cual indica que este arreglo es adecuado para llevar a cabo el filtraje
de la seal, debido a que el ruido tiene amplitud y ancho espectral mayores a la seal
que se esta amplificando. De esta imagen tambin se observa que la posicin de la
placa retardadora si modifica el espectro de salida, puesto que en algunos de estos
espectros se logra reducir un poco de ruido, pero no el suficiente como para obtener
mejores resultados.
Una alternativa que se propuso para este trabajo consiste en colocar una etapa
similar a la primera etapa de amplificacin en configuracin reflectiva colocando una
56

4.3 Resultados de la segunda etapa

Amplitud (u.a.)

1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1500

1520

1540

1560

1580

1600

Longitud de onda (nm)


Figura 4.8. Espectro de salida de la primera etapa de amplificacin.
segunda rejilla de Bragg despus de la EDF de la segunda etapa y una vez que la
seal ha sido amplificada por segunda vez ser reflejada esperando que el resto de las
longitudes de onda que se han amplificado tambin se filtren a travs de la rejilla.
El diagrama de la Figura 4.11 consiste en la etapa previa a la etapa de amplificacin, la de bombeo, la primera y segunda etapa de amplificacin y la deteccin de
la seal a travs del fotodetector y el osciloscopio.
Con el nuevo arreglo experimental se miden las potencias de salida las cuales
se muestran en la Figura 4.12 donde se observan las potencias que adquieren pulsos
con los mismos valores de ancho temporal de la primera etapa que son de 10, 50, 100
y 500 ns con respecto a la potencia de bombeo y las condiciones del equipo son las
siguientes: la temperatura en el lser de seal es de 7.05, 6.92, 7.11 y 7.15 C para los
pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, respectivamente, la corriente se mantiene en 5.9 mA
para todos los pulsos, con respecto al lser de bombeo la corriente se varia a partir de
57

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

Figura 4.9. Diagrama a bloques de la primera etapa de amplificacin usando como


filtro el interfermetro de Sagnac.
230 hasta 400 mA en intervalos de 10 mA y la temperatura se mantiene en 25 C. En
la grfica se observa es que al aumentar la potencia de bombeo la potencia de salida es
mayor y puede notarse tambin que para pulsos ms angostos la potencia adquirida
a la salida es mucho mayor y conforme se hace ms ancho el pulso, sta potencia va
disminuyendo. En la Figura 4.13 se muestra la potencia mxima de salida para los
cuatro pulsos distintos.
La amplificacin que se ha llevado a cabo en la segunda etapa de amplificacin
de este EDFA es de 14 veces la potencia de salida de la primera etapa de amplificacin.

4.4

Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

Se ha construido y caracterizado un amplificador pulsado de alta potencia con EDF


como medio de amplificacin. El arreglo en su primera etapa consisti en introducir
una seal a 1550 nm a travs de un circulador del cual el puerto 2 fue fusionado a
una EDF que es bombeada por medio de un diodo lser a 980 nm y sta a su ves
est empalmada a una rejilla de Bragg a 1550 nm de reflexin. Para la segunda
etapa de amplificacin se tiene que el puerto 3 del primer circulador es empalmado
58

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

0.5

0.5

Amplitud (u. a. )

0.3
0.2
0.1
0.0

1500

Amplitud (u. a. )

0.5

1550

1600

1650

0.3
0.2
0.1
0.0

Longitud de onda (nm)

1550

1600

1650

Longitud de onda (nm)


0.5

0.4

0.4

0.3
0.2
0.1
0.0
1500

0.4

1500

Amplitud (u. a. )

Amplitud (u. a. )

0.4

0.3
0.2
0.1
0.0

1550

1600

1650

1500

Longitud de onda (nm)

1550

1600

1650

Longitud de onda (nm)

Figura 4.10. Dependencia de la amplitud de salida del primer arreglo experimental


en funcin de la posicin de placa /4.
a un acoplador 99/1, en el cual se monitorea la primera etapa en la salida del 1 %
y en la de 99 % se empalma a un segundo circulador y del puerto 2 de este mismo
dispositivo se coloca un arreglo en configuracin reflectiva igual al de la primera etapa.
El bombeo para ambas etapas se realiza a travs de un nico lser dividido a travs
de un acoplador 70/30, con un 70 % para la primera etapa y un 30 % para la segunda.
Finalmente el puerto 3 del segundo circulador es fusionado al arreglo del control de
potencia de salida del cual es medida la potencia final.
En un arreglo de este tipo es posible introducir como seal pulsos desde 10 ns,
slo que entre ms ancho sea el pulso, la potencia de salida ser menor. En particular
en este arreglo se midi la potencia para pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns de los cuales

59

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

Figura 4.11. Esquema del arreglo experimental hasta la segunda etapa de amplificacin.
se pudo obtener una potencia mxima de 41, 22, 17 y 11 W, respectivamente. El
arreglo final es mostrado en la Figura 4.14.
Tambin es mostrada la ganancia que se obtuvo de ste arreglo experimental en
la Figura 4.15 y puede observarse que al igual que en la potencia de salida, la ganancia
tambin se incrementa al ir incrementando la potencia de bombeo y es mayor para
pulsos ms cortos, de acuerdo a los resultados de la grfica se tienen ganancias de 43,
40, 39 y 37 dB para los pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, respectivamente.
El espectro de salida de este arreglo es mostrado en la Figura 4.16 y puede
notarse que el ruido ha disminuido tanto en amplitud como en ancho espectral, por lo
que ste nuevo arreglo tiene un mejor filtraje y por lo tanto el arreglo final ha tenido
xito, funciona adecuadamente y se tienen mejores resultados.
En la Figura 4.17 se muestra la forma temporal que describen los pulsos obtenidos
en la salida del arreglo experimental para anchos de 10, 50, 100 y 500 ns. Se puede
observar que el decaimiento de los pulsos es directamente proporcional al ancho de los
pulsos, es decir, que el decaimiento es mayor para los pulsos de 100 y 500 ns en comparacin a los de 10 y 50 ns. Son mostrados tambin los espectros de salida para estos
pulsos los cuales se pueden ver en la Figura 4.18. Se puede notar que cuando el pulso
60

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

10 ns
50 ns
100 ns
500 ns

Potencia de salida (W)

40

30

20

10

0
70

80

90

100 110 120 130 140 150 160

Potencia de bombeo (mW)


Figura 4.12. Relacin potencia de bombeo contra potencia de salida de la segunda
etapa en funcin del ancho de los pulsos.
tiene un ancho temporal menor, el ancho espectral es mayor lo cual es consistente con
la transformada de Fourier.
En las Figuras 4.19 y 4.20 muestran las imgenes fotogrficas de las partes
que integran el arreglo experimental. Este arreglo se encuentra en el laboratorio de
Fisicoqumica de materiales del ICUAP en operacin.
Finalmente cabe mencionar que ste amplificador pulsado de alta potencia de
fibra dopada con erbio, tiene una potencia suficientemente alta para las posibles
aplicaciones tales como fuente de bombeo para la caracterizacin y estudio de los
efectos no lineales en fibra ptica, con la ventaja de que es de salida ajustable, usa
un slo bombeo ptico para ambas etapas de amplificacin, de potencia estable, es
econmico y de fcil implementacin.

61

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

45

Potencia mxima (W)

40
35
30
25
20
15
10
-50 0

50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550

Ancho de pulso (ns)


Figura 4.13. Potencia de salida alcanzada por pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns, en la
segunda etapa de amplificacin.

62

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

Figura 4.14. Arreglo experimental final de dos etapas de amplificacin idnticas.

63

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

45
10 ns
50 ns
100 ns
500 ns

Ganancia (dB)

40
35
30
25
20
70

80

90

100 110 120 130 140 150 160

Potencia de bombeo (mW)


Figura 4.15. Ganancia obtenida del amplificador para los pulsos de 10, 50, 100 y 500
ns.

64

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

1.0

Amplitud (u.a.)

0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1520

1540

1560

1580

1600

1620

1640

1660

Longitud de onda (nm)


Figura 4.16. Espectro de salida despus de la segunda etapa.

65

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

1 .0

10 ns

50 ns

0 .8

Amplitud (u. a.)

Amplitud (u. a.)

1 .0

0 .6
0 .4
0 .2

0 .8
0 .6
0 .4
0 .2
0 .0

0 .0
-3 0 0

-2 0 0

-1 0 0

100

200

-4 0 0

300

200

400

T ie m p o (n s )

T ie m p o (n s)
1 .0

1 .0

100 ns
0 .8

500 ns

0 .8

Amplitud (u. a.)

Amplitud (u. a.)

-2 0 0

0 .6
0 .4
0 .2
0 .0

0 .6
0 .4
0 .2
0 .0

-4 0 0

-2 0 0

200

400

-1 5 0 0

T ie m p o (n s )

-1 0 0 0

-5 0 0

500

1000

T ie m p o (n s)

Figura 4.17. Pulsos de salida de 10, 50, 100 y 500 ns del arreglo experimental.

66

1500

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

1.0

Amplitud (u. a.)

0.8

10 ns
50 ns
100 ns
500 ns

0.6
0.4
0.2
0.0
1549.6

1549.8

1550.0

1550.2

Longitud de onda (nm)


Figura 4.18. Espectros de salida de los pulsos de 10, 50, 100 y 500 ns.

Figura 4.19. Fotografa que muestra el arreglo experimental fsicamente.


67

4.4 Amplificador de dos etapas de amplificacin modificado

Figura 4.20. Fotografa que muestra otro perfil del arreglo experimental.

68

Conclusiones
En la presente tesis los objetivos se lograron y los resultados son satisfactorios ya
que stos se mejoraron al colocar una segunda etapa igual a la primera, adems se
sustituy el filtro del interfermetro de Sagnac por una segunda rejilla de Bragg en la
segunda etapa de amplificacin y que result ser ms estable que el filtro que se tena
con el interfermetro. Finalmente el sistema consisti en un arreglo con dos etapas de
amplificacin idnticas, con salida ajustable que brinda una potencia pico de salida
mxima de 41 W con un pulso de 10 ns. Las rejillas de Bragg usadas para filtrar y
llevar a cabo la reflexin en cada etapa de amplificacin son casi idnticas. Debido
a que slo se usa un extremo de la fibra donde se encuentra la rejilla, en el extremo
que no es usado existe reflexin de la seal y esto provocaba prdidas en potencia.
Para evitar estas reflexiones se colocaron los extremos no usados de las fibras pticas
en un contenedor con glicerina ya que con esta solucin no existe reflexin en la cara
de la fibra.
Entre las ventajas que tiene ste arreglo se encuentra la posibilidad de ajustar
la potencia de salida variando el ancho del pulso o mediante un arreglo de control de
potencia el cual tiene la funcin de obstruir parte de la seal de salida desplazando
una navaja horizontalmente para impedir el paso total de la potencia a la salida.
Dependiendo del grado de desplazamiento de la navaja ser la potencia que se obtenga
a la salida del EDFA. Esta ltima etapa del arreglo se realiz pensando en las posibles
aplicaciones que puedan darse cuando se requiera una potencia parcial en la salida.
Otra ventaja importante es que usa una sola fuente de corriente para el bombeo de
ambas etapas de amplificacin.
Un problema que se present con el primer arreglo experimental era la inestabilidad de la seal debido al filtro (interfermetro de Sagnac), ya que en la salida no
era siempre la misma debido a las condiciones que se presentaban cada da, esto implicaba reposicionar la placa retardadora del arreglo del Sagnac y se tena que buscar

69

Conclusiones

la seal con la que se haba trabajado anteriormente es por eso que se opt por un
nuevo arreglo.
Estos resultados experimentales han demostrado que con un arreglo de dos
etapas de amplificacin y filtrando cada etapa para evitar posible ruido (ASE), se
pueden obtener potencias altas y la seal en todo el arreglo siempre se mantiene
estable.
Una vez cumplidos los objetivos de sta tesis, el arreglo experimental ser empleado como fuente de bombeo para llevar a cabo el estudio de los efectos no lineales
de materiales nanoestructurados depositados en fibras pticas y su caracterizacin,
stas deposiciones se realizan en el laboratorio de Fisicoqumica de materiales ICUAP.
Como trabajos a futuro se plantea sustituir la etapa de la generacin de la seal por
un lser de pulsos ultracortos del orden de picosegundos, ste puede ser un lser de
anillo lseres de figura ocho (F8L) y ambos son capaces de operar sobre el principio de amarre de modos. Con ste lser pulsado se lograran obtener potencias del
orden de MW.
Por ltimo, se ha propuesto un EDFA que puede ser construido con el material y
equipo que con facilidad se puede encontrar en un laboratorio de ptica y electrnica
que incluso puede ser mejorado para obtener ms y mejores resultados.

70

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75

Apndice A

A.1 Interfermetro de Sagnac


En la Figura A.1 se muestra la estructura del interfermetro usado para el anlisis
terico, que consiste de un acoplador simtrico cuyos puertos de salida estn conectados a travs de una fibra estndar altamente torcida y una placa retardadora /4
en el lazo.

Figura A.1. Estructura del interfermetro de Sagnac para el anlisis.

En el modelo analizado por Ibarra y colaboradores [51-53], se introduce para


cada seccin de la fibra una componente matricial de acuerdo a la matriz de Jones,
donde el campo elctrico de entrada y la salida de cada matriz se presenta en el sistema de coordenadas coincidiendo con los ejes principales de la fibra respectivamente,
adems de incluir una matriz para la rotacin de coordenadas para ajustar los ejes
de rotacin causados por la torsin.
La relacin general que describe los campos de salida del interfermetro ha sido
tomado de [54, 55].

76

A.1 Interfermetro de Sagnac

Suponiendo que el haz de entrada se introduce por el puerto 1, y la potencia de


salida se obtiene del puerto 2 entonces se tiene que

E2x
E2y

(1 )Jxy + Jyx
(2 1)Jxx
Jxy (1 )Jyx
(2 1)Jxx

E1x
E1y

(A.1)

donde es el coeficiente de acoplamiento y J es la matriz de Jones la cual puede


ser calculada, como el producto de las matrices correspondientes de cada elemento
dentro del lazo [56]

J = B1 C1 C2 R C3 F B2 ,

(A.2)

donde la matriz F representa la fibra con torsin, R representa la placa retardadora,


C1 es la matriz que describe la orientacin de los ejes principales del acoplador con
respecto a R, C2 y C3 describen la rotacin de la placa retardadora de /4 y la
birrefringencia de los puertos 3 y 4 del acoplador es descrita por las matrices B2 yB1 ,
respectivamente.
La matriz de Jones para F de una fibra birrefringente y torcida es dada por [57]

F =
donde =

cos iLn sin /


c /2 sin /
,
c /2 sin /
cos + iLn sin /

(A.3)

p
(Ln )2 + ( c /2)2 , Ln = Lf iber /Lbeat , Lf iber = longitud de la fibra, Lbeat =

longitud de repeticin, c = 2(1g/2n) que es la birrefringencia circular, = ndice


de refraccin, es la torsin de la fibra, g=0.13-0.16 que es un parmetro que relaciona
la birrefringencia circular y la torsin de la fibra, tomando 0.145 para las simulaciones.
Las matrices B1 y B2 representan la matriz de Jones para una fibra birrefringente
y torcida dada por las siguientes expresiones

B1 =

(c,B1 /2) sin B1 /B1


cos B1 i( 1,B1 /2) sin B1 / B1
( c,B1 /2) sin B1 /B1
cos B1 + i( 1,B1 /2) sin B1 /B1
77

, (A.4)

A.1 Interfermetro de Sagnac

B2 =

donde B1

(c,B2 /2) sin B2 /B2


cos B2 i( 1,B2 /2) sin B2 / B2
, (A.5)
( c,B2 /2) sin B2 /B2
cos B2 + i( 1,B2 /2) sin B2 /B2
p
p
= ( 1,B1 )2 + ( 1,B1 /2)2 y B2 = ( 1,B2 )2 + ( 1,B2 /2)2 , B1 = (2/)L1 1

y B2 = (2/)L2 2 , que son los retardos lineales, 1 y 2 son la birrefringencia lineal del acoplador en los puertos 4 y 3 respectivamente y c,B1 = 2(1g/2) 1

y c,B2 = 2(1g/2) 2 que son los retardos circulares y 1 y 2 son los ngulos de
torsin de la fibra de las secciones del acoplador para el puerto 4 y 3 respectivamente.
La matriz C1 incluye el ngulo inicial desconocido entre el acoplador (puerto 4)
y la placa retardadora, 1

C1 =

cos 1 sin 1
sin 1 cos 1

(A.6)

Las matrices C2 y C3 describen la rotacin de la placa retardadora

C2 =

cos 2 sin 2
sin 2 cos 2

(A.7)

C3 =

cos 3 sin 3
sin 3 cos 3

(A.8)

donde 2 es el ngulo de rotacin de la placa retardadora.


Finalmente la matriz que describe la placa retardadora R es

R=

0
ei/4
0
ei/4

(A.9)

La dependencia de la transmisin sobre el ngulo de la placa retardadora para


el caso ideal es graficado en la Figura A.2, donde se presenta la evolucin de la
transmisin considerando que las cargas del acoplador tienen igual torsin e igual
birrefringencia, siendo B1 = B2 . En esta grfica se considero = Lf iber = 14
rad/m. Se observa que el mximo de transmisin es de 50 % con dos picos en un
periodo de radianes.
78

A.1 Interfermetro de Sagnac

0.5
0.45
0.4

Transmisin

0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0

50

100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)

400

Figura A.2. Transmisin contra el ngulo de torsin de la placa retardadora en el


caso de que B1 = B2.
En la Figura A.3 se muestra la dependencia de la transmisin sobre el ngulo de
rotacin de la placa retardadora cuando en la fibra B1 y B2 tienen la misma torsin
( 1 =

= 6) y diferente birrefringencia ( 1 ,B1 = 5/4 y 1 ,B2 = /4). Se puede

observar que todava hay dos picos en un perodo de radianes pero cada pico tiene
diferente amplitud. La transmisin mxima del primer pico es de alrededor de 80 %
y el pico de menor transmisin es de aproximadamente 20 %.
Cuando se incrementa la birrefringencia en uno de los brazos del acoplador el
segundo pico decrece aun ms. As que cuando se aplica alta birrefringencia en uno de
los brazos del acoplador es posible eliminar el segundo pico. La Figura A.4 muestra
la dependencia de la transmisin sobre el ngulo de rotacin de la placa retardadora
cuando se usa alta birrefringencia en uno de los brazos del acoplador ( 1 ,B1 = 9 y
1 ,B2 = /4). Se observa solo un pico en un periodo de

1
4

radianes, la transmisin

mxima es de alrededor del 98 % y el mnimo de alrededor del 1 %.

79

A.1 Interfermetro de Sagnac

0.8
0.7
0.6

Transmisin

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0

50

100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)

400

Figura A.3. Transmisin contra ngulo de torsin de la placa retardadora cuando


ambos brazos tienen la misma torsin ( 1 = 2 = 6) y diferente birrefringencia
(1 ,B1 = 5/4 y 1 ,B2 = /4).

1
0.9
0.8

Transmisin

0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0

50

100
150
200
250
300
350
Rotacin de la placa retardadora de /4 (grados)

400

Figura A.4. Dependencia de la transmisin sobre el ngulo de rotacin de la placa


retardadora, con alta birrefringencia en uno de los brazos del acoplador (1 ,B1 = 9 y
1 ,B2 = /4).

80

Apndice B
B.1 Diodo lser DFB
Un lser de retroalimentacin distribuida es un tipo de diodo lser en el que la regin
activa del dispositivo est peridicamente estructurada como una red de difraccin.
Un diodo lser DFB tiene la rejilla de Bragg incorporada en su heteroestructura en
la vecindad de una regin activa. La rejilla de Bragg funciona como un espejo, que
refleja de forma selectiva slo una longitud de onda. Esta longitud de onda se puede
encontrar en la condicin de Bragg que es mostrada en la frmula B.1
2nef f =

(B.1)

donde es el periodo de la rejilla, nef f = nsin y n es el ndice de refraccin del

Figura B.1. En el lado izquierdo se muestra la estructura de un lser DFB y a la


derecha un lser DFB fsicamente.

medio. Se tienen los medios para regresar fotones estimulados a un medio activo.
Esto se hace reflejando una porcin de la luz en cada pendiente de las rejillas. Todas
las partes reflejadas en cada pendiente de esta estructura ondulada se combinan de
manera que la mayor parte de la luz es refleja de vuelta, por supuesto siempre que la
condicin se mantenga. La palabra distribuido implica que la reflexin no se produce
en un punto de un solo espejo sino en muchos puntos dispersos a lo largo de la regin

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B.1 Diodo lser DFB

activa. El resultado de esta disposicin es que el lser irradia una sola longitud de
onda. La ventaja que tiene este tipo de lser es que presentan una buena modulacin
para alta velocidad debido a su anchura espectral muy estrecha, de algunos MHz. En
la Figura B.1 se muestra un lser DFB en su estructura interna y externa.
Durante la accin lser la cavidad se calienta, este calentamiento tiene un efecto
principal que hace que el ndice de refraccin de la cavidad cambie y un cambio en
el ndice de refraccin cambia la longitud de onda de resonancia de la rejilla y la
longitud de onda de salida.

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