“2023, Año de Francisco Villa, el Revolucionario del Pueblo”

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Universidad Tecnológica de la Selva Rayón.

Carrera:

T.S.U construcción.

Materia:

Estructura y propiedades de los materiales.

Docente:

Mtra. Christian Gyssel Zepeda López.

Presenta:

Juárez Gómez José Guadalupe

Tercer Cuatrimestre, Grupo “A”

Actividad:

R.A

Rayón, Chiapas a jueves 17 de agosto del 2023

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CARACTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

E INTRÍNSECOS
¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES INTRÍSECOS?

Son aquellos elementos cuya estructura molecular

está conformada por un solo tipo de átomo. Entre
este tipo de semiconductores intrínsecos se
encuentra el silicio y el germanio.

La estructura molecular de los semiconductores

intrínsecos es tetraédrica; es decir, tiene enlaces
covalentes entre cuatro átomos circundantes, tal como se presenta en la imagen a
continuación.

Cada átomo de un semiconductor intrínseco tiene 4 electrones de valencia; es decir,

4 electrones orbitando en la capa más externa de cada átomo. A su vez, cada uno
de estos electrones forma enlaces con los electrones adyacentes.

CARACTERÍSTICAS

Semiconductores Extrínsecos Los semiconductores extrínsecos se caracterizan,

porque tienen un pequeño porcentaje de impurezas, respecto a los intrínsecos; esto
es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que
el elemento está dopado.
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¿QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS?

Se conforman al incluir impurezas dentro de los
conductores intrínsecos; es decir, mediante la
incorporación de elementos trivalentes o
pentavalentes.

Este proceso se conoce como dopaje y tiene como

finalidad aumentar la conductividad de los
materiales, para mejorar las propiedades físicas y eléctricas de estos.

Al sustituir un átomo de semiconductor intrínseco por un átomo de otro componente

se pueden obtener dos tipos de semiconductores extrínsecos.

CARACTERÍSTICAS

• Una baja temperatura permite unir la banda de valencia y no conduce

electricidad.
• Predomina en radiofrecuencia y aplicaciones optoelectrónicas.
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UNIÓN PN POLARIZADA EN DIRECTO

Un diodo (unión PN) en un circuito permite que la corriente fluya más fácilmente en
una dirección que en otra. La polarización directa aplica un voltaje a un diodo que
permite que la corriente fluya libremente, mientras que la polarización inversa aplica
un voltaje en la dirección opuesta a un diodo.

Se facilita la difusión de portadores

a través de la región de
agotamiento, y conduce a una
mayor corriente de difusión.

En la presencia de un circuito
externo que proporciona
continuamente portadores mayoritarios, la recombinación aumenta y agota
constantemente la afluencia de portadores a la célula solar. Esto aumenta la difusión
y en última instancia, aumenta la corriente a través de la región de agotamiento

UNIÓN PN POLARIZADA EN INVERSO

En polarización inversa, un voltaje se aplica a través

del dispositivo de tal manera que el campo eléctrico
en la unión aumenta. Cuanto más alto es el campo
eléctrico en la región de agotamiento, la
probabilidad de que los portadores puedan
difundirse desde un lado de la unión a la otra,
disminuye, de ahí la corriente de difusión disminuye también. En polarización
directa, la corriente de arrastre está limitada por el número de portadores
minoritarios a cada lado de la unión p-n y es relativamente invariante al aumento del
campo eléctrico.
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CURVAS DE OPERACIÓN
a) TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
Un transistor de unión bipolar o BJT es un dispositivo semiconductor de tres
terminales que consta de dos uniones p-n capaces de amplificar o magnificar una
señal.

El Transistor Bipolar es un dispositivo controlado por corriente. La corriente fluye de

Emisor a Colector o de Colector a Emisor dependiendo del tipo de conexión. Esta
corriente principal está controlada por una
corriente muy pequeña en el terminal Base.

El transistor de unión bipolar (BJT) es un

dispositivo bidireccional que utiliza tanto
electrones como huecos como portadores de
carga. Mientras que el transistor unipolar, es
decir, el transistor de efecto de campo, sólo
utiliza un tipo de portador de carga.
Para su funcionamiento, el BJT utiliza dos tipos de semiconductores de tipo n y de
tipo p entre dos uniones. La principal función básica de un BJT es amplificar la
corriente, lo que permite que los BJT se utilicen como amplificadores o interruptores
para producir una amplia aplicación en equipos electrónicos, como teléfonos
móviles, control industrial, televisión y transmisores de radio. Existen dos tipos
diferentes de BJT, que son NPN y PNP.
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b) TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo abreviado por las siglas del inglés FET(Field
Effect Transistor), es un dispositivo activo de 3 terminales que usa un campo
eléctrico para controlar el flujo de corriente y tiene una alta impedancia de
entrada que es útil en muchos circuitos y equipos. El transistor de efecto de
campo o FET, es un componente electrónico clave que se utiliza en muchas
áreas de la industria electrónica como los HEMT, MESFET, Transistor de
Puerta Flotante y otros tipos de transistores. El FET se utiliza en muchos
circuitos construidos a partir de componentes electrónicos; en áreas que van
desde la tecnología de RF hasta el control de potencia y la conmutación
electrónica hasta la amplificación general.

El uso principal del transistor de efecto de

campo (FET) se encuentra dentro de los
circuitos integrados. En esta aplicación,
los circuitos FET consumen niveles
mucho más bajos de energía que los
circuitos integrados que utilizan
tecnología de transistores bipolares. Esto permite que funcionen los circuitos
integrados de gran escala. Si se usara tecnología bipolar, el consumo de
energía sería órdenes de magnitud mayor y la energía generada sería
demasiado grande para disiparse del circuito integrado.
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c) TRISTORES

Un tiristor es un interruptor semiconductor, capaz de

manejar grandes voltajes, siendo esta la principal
diferencia con otros tipos de semiconductores, que
toleran valores de voltaje bajos.

El tiristor está integrado por diversos elementos que

garantizan la retroalimentación interna, para poder
producir la conmutación de la corriente. De acuerdo a la función que tienen
dentro del tiristor, los elementos pueden ser de diferentes materiales.
CARACTERÍSTICAS DEL TIRISTOR
Las principales características de un tiristor son:

• Se aplica cuando la tensión inicia el ciclo de corriente alterna.

• Es capaz de ser utilizado por mecanismos de iluminación que puedan
presentar variación en su intensidad.
• Es útil para regular los valores de temperatura y velocidad.
• Su mecanismo de funcionamiento presenta un alcance de tensión de
disparo en el ciclo positivo, así como en el ciclo negativo.