Clase 07

Electrónica
Ingenierı́a de Ejecución en Electricidad

Depto. de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad del Bı́o Bı́o
Unidad 2
Diodos Semiconductores
2.3. Modelos del Diodo
Los modelos del diodo son pensados en la zona de operación de éste, no consideran la zona de ruptura
(Esto puede ser diferente con los modelos computacionales).
Entonces, el objetivo es modelar la Curva del Diodo, curva que representa la relación V /I .
ID
Curva del Diodo
VD
Vγ
La Curva del Diodo de cualquier diodo es similar, aunque puede variar dependiendo del semiconductor
utilizado y el dopaje de éste.
Por lo anterior, los modelos son similares para todos los diodos rectificadores, variando solo en el valor
de sus parámetros.
2.3.1. Diodo Ideal ó Primera Aproximación
En la mayorı́a de los análisis no se requiere una solución exacta. Esto es la razón para usar
aproximaciones para un diodo. El modelo más simple es el del Diodo Ideal .
En lı́neas generales el diodo conduce cuando esta polarizado en formadirecta y no conduce en

polariación inversa. La curva V /I de este concepto es la siguiente.
CMM/cmm Página 1 de 12
Electrónica
ID
VD
En este modelo el diodo se comporta como un interruptor. Si esta polarizado en forma directo se ciera
y si esta polarizado en forma inversa se abre.
ID
Diodo Ideal
⇒
P.Directa
VD
P.Inversa
Ejemplo :
Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito.
10[V ] RL = 1[KΩ]
Solución :
Si no hubiera corriente el diodo, toda la tensión de la fuente caerı́a en el diodo ideal y éste estarı́a
polarizado en forma directa, el diodo serı́a un corto circuito y habrı́a corriente. Entonces, el diodo se
encuentra polarizado directamente y conduce. Luego, por la Ley de Ohm se tendrá ;
VS 10
IRL = = = 10 [mA]
RL 1K
V RL = RL · IRL = 1 K · 10 m = 10 [V ]
Electrónica
Ejemplo :
Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito.
6[KΩ]
36[V ] 3[KΩ] RL = 1[KΩ]
Solución :
Si no hubiera corriente en el diodo, en R = 3[kΩ] habrı́a una tensión, determinada por división de
tensión, de ;
R3K 3K
V3K = VS = 36 = 12 [V ]
R3K + R6K 3K + 6K
Entonces, el diodo estará polarizado en forma directa, el diodo se comportarı́a como corto circuito y
habrı́a corriente en el diodo. Por división de corriente ;
!
R3K V36 R3K
I1K = IT =
R3K + R1K R6K + R3K k R1K R3K + R1K
!
36 3K
= = 4 [mA]
6K + 3K k 1K 3K + 1K
V1K = R1K · I1K = 1K · 4m = 4 [V ]
2.3.2. Modelo Simplificado ó Segunda Aproximación
En este caso se considera la tensión de umbral Vγ de un diodo como parte del modelo. Graficamente,
se tiene la siguiente caracterı́stica V /I para el diodo.
ID
⇒
Vγ
VD
Vγ
Electrónica
Al modelo del Diodo Ideal ( Primera Aproximación ) se le agrega en serie una fuente de tensión con
valor igual a la Tensión de Umbral, Vγ . No habrá corriente por el diodo hasta que la Polarización Directa
sea mayor a la tensión de umbral, Vγ , desde este punto a valores mayores a la Tensión de Umbral en el
diodo caerá una tensión de sólo Vγ .
Ejemplo :
Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito, y la potencia en el diodo
de silicio ( Si ).
10[V ] RL = 1[KΩ]
Solución :
Se reemplaza el diodo por su modelo.
• •
10[V ] 0,7[V ] RL = 1[KΩ]
Si no hubiera corriente en el diodo, toda la tensión de las fuentes caerı́a en el diodo ideal y éste estarı́a
polarizado en forma directa, VDideal = VS − Vγ = 10 − 0,7 = 9,3[V ], el diodo ideal serı́a un corto
circuito y habrı́a corriente. Entonces, el diodo se encuentra polarizado directamente y conduce. Luego,
por la Ley de Ohm se tendrá ;
VRL = VS − Vγ = 10 − 0,7 = 9,3 [V ]
VS − Vγ 10 − 0,7
IRL = = = 9,3 [mA]
RL 1K
La potencia en el diodo.
PD = VD · ID = 0,7 · (9,3m) = 6,51 [mW ]
Electrónica
Ejemplo :
Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito, y la potencia en el diodo
de silicio, ( Si ).
6[KΩ]
36[V ] 3[KΩ] RL = 1[KΩ]
Solución :
Se determina el circuito equivalente de Thévenin que ve el diodo.
R3K 3K
VT H = V36V · = 36 · = 12 [V ]
R6K + R3K 6K + 3K

RT H = R6K k R3K + R1K = 6K k 3K + 1K = 3 [KΩ]
0,7[V ]
• •
6[KΩ]
36[V ] 3[KΩ] RL = 1[KΩ]
polarizado en forma directa, VDideal = VT H − Vγ = 12 − 0,7 = 11,3[V ], el diodo ideal serı́a un corto
el circuito con el circuito equivalente de Thévenin ;
0,7[V ]
• •
12[V ] 3[KΩ]
La corriente por la carga RL es la misma corriente que por el diodo.
VT H − Vγ 12 − 0,7
IRL = = = 3,77 [mA]
RT H 3K
Electrónica
La tensión en la carga RL se determina con la corriente por ésta.
VRL = RL · IRL = (1K) · (3,77m) = 3,77 [V ]
La potencia en el diodo.
PD = VD · ID = 0,7 · (3,77m) = 2,64 [mW ]
2.3.3. Modelo Lineal por Partes ó Tercera Aproximación
En este caso se considera la resistencia alterna promedio rav de un diodo como parte del modelo.
Graficamente, se tiene la siguiente caracterı́stica V /I para el diodo.
ID
∆VD
rav = ∆ID
1 ⇒
rav
VD
Vγ
rav
Vγ
Después que el diodo comienza a conducir la tensión aumenta proporcionalmente con los incrementos
de la corriente. Cuando mayor sea la corriente, mayor es la tensión en el diodo.
Cuando la tensión aplicada es mayor a la tensión de umbral, Vγ , el diodo conduce y latensión total
en el diodo será la siguiente.
VD = Vγ + rav · ID
A menudo la resistencia interna, rav , es menor a 1 [Ω] y fácilmente se puede despreciar ( ignorar )).
Una regla útil para ignorar la resistencia interna es cuando ;
rav < 0,01 · RT H
Es decir, se puede ignorar la resistencia interna si ésta es menor a la centésima parte de la resistencia
que ve el diodo.
Electrónica
Ejemplo :
El diodo del circuito tiene una resistencia interna rav = 0,23 [Ω] . Determinar la corriente y la tensión
en la carga resistiva del siguiente circuito, y la potencia en el diodo de silicio ( Si ) utilizando el modelo
de tercera aproximación del diodo.
10[V ] RL = 1[KΩ]
Solución :
0,23[Ω]
• •
10[V ] 0,7[V ] RL = 1[KΩ]
VS − Vγ 10 − 0,7
IRL = = = 9,2979 [mA]
RL + rav 1 K + 0,23
VRL = RL · IRL = 1 000 · 9,2979m = 9,2979 [V ]
Para determinar la potencia en el diodo no se debe olvidar la presencia de la resistencia interna, ésta
varı́a la tensión en el diodo.
VD = Vγ + rav · ID = Vγ + rav · IRL

= 0,7 + (0,23) · (9,2979m) = 0,7021 [V ]
Entonces, la potencia en el diodo.
PD = VD · ID = VD · IRL
= 0,7021 · (9,2979m) = 6,5284 [mW ]
Electrónica
Ejemplo :
El diodo del circuito tiene una resistencia interna rav = 0,23 [Ω] . Determinar la corriente y la tensión
en la carga resistiva del siguiente circuito, y la potencia en el diodo de silicio ( Si ) utilizando el modelo
de tercera aproximación del diodo.
10[V ] RL = 10[Ω]
Solución :
0,23[Ω]
• •
10[V ] 0,7[V ] RL = 10[Ω]
VS − Vγ 10 − 0,7
IRL = = = 0,9091 [A]
RL + rav 10 + 0,23
VRL = RL · IRL = 10 · 0,9091 = 9,0910 [V ]
Para determinar la potencia en el diodo no se debe olvidar la presencia de la resistencia interna, ésta
varı́a la tensión en el diodo.
VD = Vγ + rav · ID = Vγ + rav · IRL

= 0,7 + (0,23) · (0,9091) = 0,9091 [V ]
Entonces, la potencia en el diodo.
PD = VD · ID = VD · IRL
= 0,9091 · (0,9091) = 0,8265 [W ]
Electrónica
Ejemplo :
Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito, considerar los tres
modelos vistos del diodo. Datos; diodos de silicio, rav = 0,23 [Ω] .
∠0◦ [V ]
10∠ ∼ RL = 1[KΩ]
Solución :
Para la primera aproximación del diodo.
• •
∠0◦ [V ]
10∠ ∼ RL = 1[KΩ]
Si no hubiera corriente el diodo, toda la tensión de la fuente caerı́a en el diodo ideal y si éste estuviera
polarizado en forma directa, VDideal = VS > 0, el diodo serı́a un corto circuito y habrı́a corriente.
Entonces, cuando el diodo se encuentra polarizado directamente y conduce, por la Ley de Ohm se
tendrá ;
VS 10∠0◦
IRL = = = 10∠0◦ [mA]
RL 1K
V RL = RL · IRL = 1 K · (10 m∠0◦ ) = 10∠0◦ [V ]
Gráficamente,
10[V ]
VS
−10[V ]
10[V ]
10[mA] VRL
IRL
t
Electrónica
Aritméticamente, 
T
 10 sen(ωt) ; 0<t< 2
VRL =
 0 T
; 2 <t<T

 10−2 sen(ωt) ; 0<t< T
2
IRL =
 0 T
; 2 <t<T
Para la segunda aproximación del diodo.
• •
∠0◦ [V ]
10∠ ∼ 0,7[V ] RL = 1[KΩ]
Si no hubiera corriente en el diodo, toda la tensión de las fuentes caerı́a en el diodo ideal y si éste
estuviera polarizado en forma directa, VDideal = VS − Vγ > 0, el diodo ideal serı́a un corto circuito
y habrı́a corriente. Entonces, cuando el diodo se encuentra polarizado directamente y conduce, por la
Ley de Ohm se tendrá ;
VS − Vγ 10∠0◦ − 0,7
IRL = = = 9,3∠0◦ [mA]
RL 1K
VRL = RL · IL = 1K · (9,3m∠0◦ ) = 9,3∠0◦ [V ]
10[V ]
VS
0,7[V ] t
−10[V ]
9,3[V ]
9,3[mA]
VRL
IRL
t
Electrónica
El diodo entra en conducción cuando la tensión de la fuente, VS , supera la tensión umbral del diodo,
Vγ = 0,7[V ] , el tiempo de conducción es menor que el medio ciclo de la señal senoidal de la fuente. El
ángulo de ŕetardo ,́ δ ,será el siguiente.

−1 Vγ −1 0,7
δ = sen = sen = 4,0140◦
VS M AX 10
Aritméticamente, 
T
 9,3 sen(ωt) ; 0<t< 2 −δ
VRL =
 0 T
; 2 −δ <t<T −δ

 (9,3 × 10−3 ) sen(ωt) ; 0<t< T
2 −δ
IRL =
 0 T
; 2 −δ <t<T −δ
Para la tercera aproximación del diodo.
1[Ω]
• •
∠0◦ [V ]
10∠ ∼ 0,7[V ] RL = 1[KΩ]
Si no hubiera corriente en el diodo, toda la tensión de las fuentes caerı́a en el diodo ideal y si éste
estuviera polarizado en forma directa, VDideal = VS − Vγ > 0, el diodo ideal serı́a un corto circuito
y habrı́a corriente. Entonces, cuando el diodo se encuentra polarizado directamente y conduce, por la
Ley de Ohm se tendrá ;
VS − Vγ 10∠0◦ − 0,7
IRL = = = 9,2907∠0◦ [mA]
RL + rav 1K + 1
VRL = RL · IRL = (1K) · (9,2907m∠0◦ ) = 9,2907∠0◦ [V ]
El diodo entra en conducción cuando la tensión de la fuente, VS , supera la tensión umbral del diodo,
Vγ = 0,7[V ] , el tiempo de conducción es menor que el medio ciclo de la señal senoidal de la fuente. El
ángulo de ŕetardo ,́ δ ,será el siguiente.

−1 Vγ −1 0,7
δ = sen = sen = 4,0140◦
VS M AX 10
Electrónica
10[V ]
VS
0,7[V ] t
−10[V ]
9,29[V ]
9,29[mA]
VRL
IRL
t
Aritméticamente,

T
 9,2907 sen(ωt) ; 0<t< 2 −δ
VRL =
T
0 ; −δ <t<T −δ

2

 (9,2907 × 10−3 ) sen(ωt) ; 0<t< T
2 −δ
IRL =
 0 T
; 2 −δ <t<T −δ
F IN

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2.3. Modelos del Diodo

2.3.1. Diodo Ideal ó Primera Aproximación

En lı́neas generales el diodo conduce cuando esta polarizado en formadirecta y no conduce en

Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito.

Determinar la corriente y la tensión en la carga resistiva del siguiente circuito.

V1K = R1K · I1K = 1K · 4m = 4 [V ]

2.3.2. Modelo Simplificado ó Segunda Aproximación

Se reemplaza el diodo por su modelo.

VRL = VS − Vγ = 10 − 0,7 = 9,3 [V ]

PD = VD · ID = 0,7 · (9,3m) = 6,51 [mW ]

Se determina el circuito equivalente de Thévenin que ve el diodo.

Se reemplaza el diodo por su modelo.

La corriente por la carga RL es la misma corriente que por el diodo.

La tensión en la carga RL se determina con la corriente por ésta.

VRL = RL · IRL = (1K) · (3,77m) = 3,77 [V ]

PD = VD · ID = 0,7 · (3,77m) = 2,64 [mW ]

2.3.3. Modelo Lineal por Partes ó Tercera Aproximación

rav < 0,01 · RT H

Se reemplaza el diodo por su modelo.

VRL = RL · IRL = 1 000 · 9,2979m = 9,2979 [V ]

VD = Vγ + rav · ID = Vγ + rav · IRL

Entonces, la potencia en el diodo.

Se reemplaza el diodo por su modelo.

VRL = RL · IRL = 10 · 0,9091 = 9,0910 [V ]

VD = Vγ + rav · ID = Vγ + rav · IRL

Entonces, la potencia en el diodo.

Para la primera aproximación del diodo.

Para la segunda aproximación del diodo.

VRL = RL · IL = 1K · (9,3m∠0◦ ) = 9,3∠0◦ [V ]

Para la tercera aproximación del diodo.

VRL = RL · IRL = (1K) · (9,2907m∠0◦ ) = 9,2907∠0◦ [V ]

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