Electrónica

Ingenierı́a de Ejecución en Electricidad

Depto. de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad del Bı́o Bı́o

Unidad 2
Diodos Semiconductores

2.1. Generalidades

Los diodos son componentes electrónicos semiconductores de una juntura, por estos fluye corriente
eléctrica en un solo sentido. Su sı́mbolo básico s epresenta en la siguiente figura, donde se referencia los
nombres de los terminales del diodo, ánodo y cátodo, y la dirección general de la corriente.

Anodo Cátodo

Corriente
eléctrica

Los diodos son utilizados mayormente como; rectificadores, interruptores electrónicos, conformadores
de impulsos y como dispositivos de seguridad.

El diodo semiconductor esta fabricado con materiales semiconductores dopados. Los materiales
semiconductores tienen una caracterı́stica de resistividad intermedia entre los materiales aisladores y
los conductores.
Tabla 2.1: Resistividad de Materiales

Material Resistividad [Ωcm] Clasificación

Ambar 1020 Aislador
Porcelana 1012 Aislador
PVC 1010 Aislador
Vidrio 108 Aislador
Silicio 104 Semiconductor
Germanio 1 Semiconductor
Cobre 10−6 Conductor
Plata 10−8 Conductor

Los diodos son fabricados principalmente con Silicio Si y Germanio Ge dopados, con lo cual se
forman semiconductores con exceso de portadores de cargas negativas, semiconductor tipo N , o exceso
de cargas positivas, semiconductor tipo P.

En un semiconductor tipo P ó tipo N el sentido de la corriente depende solamente de la polaridad de

la tensión en sus bornes.
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Tipo N Tipo P
- - - - + + + +
- - - - + + + +
(+) (-) (+) (-)
- - - - + + + +
- - - - + + + +

Corriente eléctrica Corriente eléctrica

Pero si se produce una unión entre semiconductores tipo P y tipo N, una juntura, se producirá un
dispositivo electrónico que permitirá un flujo de corriente en una solo dirección.

+ + - -
+ + - -
+ + - -
P + + - - N
Corriente
eléctrica

Anodo Cátodo

Los fabricantes entegan una Hoja de Datos ( DataSheet ) para cada dispositivo, la cual incluye
los valores caracterı́sticos y lı́mites de trabajo más importantes. Además, se incluyen varias curvas que
muestran las dependencias entre dos o tres variables de trabajo.

Existen diferentes tipos de diodos, los cuales son fabricados para procesos especı́ficos. En la siguiente
tabla se presentan diferentes tipos de diodos.

Tabla 2.2: Diferentes tipos de Diodos

Diodo Sı́mbolo

Diodo Rectificador

Diodo Zener

Diodo Varicap

Diodo Schottky

Diodo Tunel

Diodo LED

Diodo Fotodiodo

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2.1.1. Polarización del Diodo

La aplicación de tensión en los terminales del diodo deja tres posibilidades de polarización.
Considerando el circuito estas serán las siguientes.

VD
+ −

VS
+ −

a) VD = 0 Polarización nula
b) VD < 0 Polarización Inversa
c) VD > 0 Polarización Directa

Polarización Nula

+ - - - + + - +
+ + - - + + - -
- + - - + + + -
+ + - - + + - -
P N

VS = 0
ID = 0
+ −

Los electrones y huecos se han recombinado formando la región de deplexión ( Barrera ), la cual se
traduce en la Tensión de Umbral . No hay corriente por el diodo.

Polarización Inversa
+ - - - - + + + - +
+ + - - - + + + - -
- + - - - + + + + -
+ + - - - + + + - -
P N

VS
IS
− +

La región de deplexión aumenta impidiendo la corriente. La corriente real es del ordende los
microampere (µA).
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Polarización Directa

+ - - + - +
+ + - + - -
- + - + + -
+ + - + - -
P N

VS
IS
+ −

La región de deplexión disminuye, posibilitando el flujo de corriente cuando la tensión de polarización

supera la Tensión de Umbral .

2.2. El Diodo

2.2.1. Caracterı́stica Tensión/Corriente (V/I)

La caracterı́stica V /I del diodo semiconductor es denominada Curva del Diodo.

ID [mA]

20

P.Inversa P.Directa

10

IS
VR 20 10
VD [V ]
Vγ
−0,2

−0,4

ID [µA]

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En general, la corriente ID se modela con la siguiente ecuación.

 KVD


ID = IS e TK
−1

donde,

IS : es la corriente de saturación
K = 11 600/η con η = 1 para el Ge y η = 2 para el Si
TK = TC + 273◦ : es la temperatura en grados Kelvin.

Tensión de Umbral (Vγ )

La Tensión de Umbral ( Vγ ) es la tensión de polarización directa en la cual la corriente en el diodo

empieza a incrementarse rápidamente, es igual a la Barrera de Potencial . Gráficamente, la Tensión de
Umbral se encuentra en la intersección del eje de la tensión del diodo ( VD ) con la recta de la pendiente
en la máxima variación de la Curva del Diodo en polarización directa.

ID [mA]

20

10

Vγ VD [V ]

La tensión de umbral para los diodos de Silicio (Si) se considera de 0,7 [V ] y para los diodos de
Germanio (Ge) se considera de 0,2 [V ] .

El análisis de circuitos simples con diodos se dirige a determinar si la tensión del diodo es mayor o
menor a la tensión umbral Vγ . Si la tensión del diodo es mayor que la tensión de umbral el diodo estará
en conducción.

Tensión de Ruptura (VR )

La Tensión de Ruptura ( VR ) es el lı́mite de la polarización inversa para el cual el diodo funciona,

si ésta se sobrepasa se destruirá la juntura del diodo. Para los diodos más comunes se tiene ;

Diodos de Ge : VR Ge ≈ 40 a 100 [V ]

Diodos de Si : VR Si ≈ 80 a 1 500 [V ]
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ID [mA]
IS
VR 20 10

VD [V ]
−0,2

−0,4

ID [µA]

2.2.2. Resistencia Interna

Para tensiones de polarización directa mayores a la tensión de umbral la corriente del diodo crece
rápidamente. La cuasa es que superada la tensión de umbral lo único que se opone a la corriente es la
resistencia de los semiconductores tipo P y tipo N.

La de las resistencias de ambos semiconductores es denominada Resistencia Interna.

Debido a la no linealidad de la Cruva del Diodo la resistencia que presenta el diodo cambia según los
niveles de operación. Luego, se definen las siguientes resistencias para la operació del diodo.

- Resistencia Estática

- Resistencia AC

- Resistencia Promedio

Resistencia Estática

La aplicación en los bornes de un diodo de una tensión DC resulta en un punto de operación

( P to. Q : (VQ ; IQ ) ) sobre la Curva del Diodo. Caracterı́stica que no cambia en el tiempo. La resistencia
del diodo en el punto de operación queda definida por la Ley de Ohm.

ID [mA]

ID1
VD1
RD =
ID1

Vγ VD [V ]
VD1

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Ejemplo :

Determine la resistencia estática para el diodo modelado por la siguiente Curva del Diodo para las
siguientes corrientes de operación.

a) ID = 2 [mA] .
b) ID = 20 [mA] .
a) VD = − 10 [V ] .
ID [mA]

20

10

20 10 2
0,5 0,7 VD [V ]
−0,2
0,1[µA]
−0,4
ID [µA]

a) A ID = 2[mA] , VD = 0,5[V ] .

VD 0,5
RD = = = 250 [Ω]
ID 2m

b) A ID = 20[mA] , VD = 0,7[V ] .

VD 0,7
RD = = = 35 [Ω]
ID 20m

c) A VD = −10[V ] , ID = −0,1[µA] .

VD − 10
RD = = = 100 [M Ω]
ID −0,1µ

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Resistencia AC ( rd )

Si en lugar de la aplicación en los bornes de un diodo de una tensión DC se aplica al diodo una
polarización variable en torno a un punto de operación ( P to. Q : (VQ ; IQ ) ) sobre la Curva del
Diodo. La resistencia del diodo en torno al punto de operación queda definida por la variación de las
variables eléctricas Vd e Id .

∆Id Q Q ∆Id

t ∆Vd
∆Vd

La variación de la tensión de polarización mueve el punto de operación instantaneo Qi . Estas

variaciones de tensión y corriente permiten definir una Resistencia AC ó Dinámica ( rd ).

∆Vd
rd =
∆Id

A partir del modelo de ecuación de la corriente del diodo se puede llegar a otra definición, la cual será
relevante mas adelante en la asignatura, tanto para el Si y el Ge .

26 mV
rd =
∆Id

Esta ecuación es válida en la lı́nea vertical de la Curva del Diodo, cuando la corriente se incrementa
en forma acelerada, para tensiones VD mayores que Vγ .

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Resistencia AC Promedio ( rav )

Cuando la tensión de polarización varı́a en un amplio rango sobre la lı́nea vertical de la Curva del
Diodo, la resistencia AC se denomina Resistencia AC Promedio ( rav ).

∆Vd
rav =
∆Id

ID [mA]

ID M
VD M − VD m
rav =
ID M − ID m

ID m

VD [V ]
VD M
VD m

Ejemplo :

Determine la resistencia AC promedio para el diodo modelado por la siguiente Curva del Diodo cuando
se le polariza con una tensión que varı́a entre 0,7 [V ] y 0,5 [V ]

ID [mA]

20

10

2
VD [V ]
0,5 0,7

VD M − VD m 0,7 − 0,5
rav = =
ID M − ID m 20m − 2m

F IN

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