Clase 02

Electrónica
(410285)
U2.- Semiconductores
2 de 53
Materiales Semiconductores – Conductividad Intrínseca – Semiconductores Dopados – Juntura PN
Materiales Semiconductores
En la electrónica la conductividad eléctrica se adopta usualmente como un

criterio para la clasificación de sustancias sólidas. Desde un principio los
materiales se clasificaron en base a su conductividad especifica en
conductores y aisladores eléctricos.
Hoy en día se denominan como semiconductores a los materiales cuya

conductividad especifica se encuentran entre la de los conductores
metálicos y al de los aislantes puros.
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Los semiconductores son elementos o componentes que bajo condiciones

normales tienen solamente pocos electrones libres. Los materiales
semiconductores más importantes en la actualidad son el Silicio ( Si ) y el
Germanio ( Ge ). El Selenio ( Se ), por el contrario, se utiliza solamente para
la fabricación de rectificadores de baja potencia. A estos se suman los
llamados “compuestos intermetálicos” Arseniuro de Galio ( GaAs ), Fosfuro
de Galio ( GaP ) y Arseniuro de Indio ( InAs ). Las mezclas cristalinas GaAs
y GaP se utilizan principalmente para la producción de fotosemiconductores
y la InAs en la producción de generadores Hall.
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A diferencia de los gases nobles, todos los elementos tienen la tendencia de

cambiar el número de electrones de su última capa a través de
combinaciones con otros elementos, de forma que su última capa estará
siempre completamente ocupada. Para conseguir esto los átomos de Si o de
Ge pueden, ya sea entregar o recibir electrones de los átomos vecinos.
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Debido al alto grado de pureza del silicio y del germanio extremadamente

puros, los átomos no tienen ninguna posibilidad de acceder a combinaciones
con átomos vecinos extraños para lograr que su última capa esté
completamente llena. Poe este motivo, estos átomos acceden a
combinaciones entre si, “uniones covalentes”.
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Para que las cuatro vacancias de electrones, de los átomos tetravalentes de

Si y Ge, en la capa externa puedan ser ocupadas los átomos entran en una
unión covalente con otros cuatro átomos del mismo elemento.
Consecuentemente, cinco átomos del mismo tipo se unen formando un arreglo
regular, como se muestra en la figura.
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Puesto que cada átomo se localiza en el centro del cubo, a este arreglo se lo
denomina “malla cristalina centrada en un cuerpo cúbico ”. Cada átomo en la
esquina del cubo es, a su vez, el punto central de otro cubo. Así se forma una
estructura completamente regular de la malla cristalina.
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La representación cúbica de una malla cristalina es difícil de dibujar y no

ayuda a ilustrar futuras deliberaciones. Por esta razón se representa
generalmente en dos dimensiones.
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Los electrones de las capas interiores totalmente ocupadas son omitidos ya

que éstos no tienen ningún tipo de influencia en la unión.
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Bandas de Energía
En la estructura atómica aislada existen niveles de energía discretos

( individuales ) asociados con cada electrón en una órbita, según se muestra en la
figura. Cada material tendrá, de hecho, su propio conjunto de niveles de energía
permisibles para los electrones en su estructura atómica.
Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el estado

de energía, y cualquier electrón que haya dejado a su átomo, tiene un estado de
energía mayor que cualquier electrón en la estructura atómica.
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Entre los niveles de energía discretos existen bandas vacías, en las cuales no
pueden aparecer electrones dentro de la estructura atómica aislada.
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Observe que existen niveles y estados de energía máximos en los cuales se puede
encontrar cualquier electrón, y una región prohibida entre la banda de valencia
y el nivel de ionización.
Recuerde que la ionización

es el mecanismo mediante
el cual un electrón puede
absorber suficiente energía
para separarse de su átomo
y entrar en la banda de
Conducción.
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A 0°K ( -273°C ), todos los electrones de valencia de los materiales

semiconductores se encuentran en la capa exterior de átomo. Sin embargo a
temperatura ambiente ( 25°C ) un gran número de electrones de valencia han
adquirido suficiente energía para dejar la banda de valencia, y han atravesado la
banda de energía vacía definida por Eg y han entrado a la banda de conducción.
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Observe que para el aislante la banda de energía Eg es con frecuencia de 5[eV]

o más, lo cual limita drásticamente el número de electrones que pueden entrar a
la banda de conducción a temperatura ambiente.
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El conductor tiene electrones en la banda de conducción aún a 0°K. Por tanto, es

obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres más que suficientes
para soportar un gran flujo de carga o corriente.
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Conductividad Intrínseca
Con un grado de pureza de 1010 , los átomos de germanio o de silicio forman
una malla cristalina en donde todos los electrones de valencia de los átomos
semiconductores son necesarios para la formación de esta estructura.
Si la estructura de la malla cristalina sin fallas se encuentra acero absoluto

( 0 [K] ó -273°C ), entonces todos los átomos están en reposo y los
electrones de valencia participantes en la unión cristalina están en reposo y
los electrones de valencia participantes en la unión cristalina están
fuertemente entrelazados con los átomos vecinos. Por esta razón no existen
portadores de cargas libres.
Bajo las condiciones mencionadas, la conductividad de los materiales

semiconductores es cero y el material se transforma entonces en un aislante
perfecto.
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Si a estos cristales semiconductores se les suministra energía en forma de

calor o de luz, entonces los átomos empieza a vibrar. Estas vibraciones se
denominan como “movilidad intrínseca térmica” de los átomos. Debido a las
vibraciones, la distancia entre el núcleo del átomo y los electrones de
valencia aumenta. La fuerza de unión entre el núcleo y los electrones
disminuye.
Por la razón anterior algunos de los electrones de valencia pueden saltar de

la unión cristalina transformándose en electrones libres.
Si ahora se aplica una tensión al cristal, entonces es posible un flujo de

corriente dentro del cristal, a causa del campo eléctrico.
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En el lugar donde un electrón de valencia ha saltado de su unión original

faltará una carga negativa. Por lo tanto el átomo concerniente queda con una
carga positiva, la cual se denomina como “electrón de defecto” o “hueco”.
El surgimiento de un electrón libre y de un hueco se denomina como

“generación” o “formación térmica de un par”. Ante un constante
Ante un constante suministro de energía se liberan electrones

continuamente. Estos se desplazan sobre rutas aparentemente sin control a
través del cristal hasta encontrar un hueco y luego saltan de regreso
nuevamente a una unión firme de átomos. Este proceso es llamado
“recombinación”.
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En materiales semiconductores puros se liberan más electrones de valencia

con el ascenso de la temperatura. Por esto la conductividad eléctrica
aumenta, o bien, la resistencia eléctrica disminuye.
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Los materiales semiconductores, con referencia a su conductividad y

resistencia, son considerablemente más dependientes de la temperatura que
los conductores metálicos. Al contrario de los metales, estos tienen un
coeficiente de temperatura negativo.
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Cuando se aplica una tensión, en el cristal semiconductor se forma un campo

eléctrico. Por esta razón los electrones liberados son atraídos por el polo
positivo de la fuente de tensión.
En su camino hacia allá,

estos saltan siempre de
un hueco a otro.
Consecuentemente da
la impresión que los
huecos caminan desde
el polo positivo al polo
negativo de la fuente
de tensión.
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La conductividad eléctrica de un semiconductor, producida como

consecuencia de la formación térmica de un par se denomina “ conductividad
intrínseca” ( intrínseco = interno ).
La energía térmica produce movimientos aleatorios de los portadores de

carga libres dentro del cristal. Sin embargo, debido a la presencia de un
campo eléctrico los portadores mantienen la misma dirección de movimiento.
Esta dirección se denomina “drift”.
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En cada material semiconductor se dispone de electrones y huecos para el

transporte de carga. Este mecanismo de conducción bipolar está indicado en
el modelo siguiente.
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Por ejemplo, a temperatura ambiente y en el caso del germanio el canal de

huecos tiene una resistencia específica ρ ≈ 250 [Ωcm] y el cana de
electrones una resistencia específica de ρ ≈ 150 [Ωcm] .
Como ambos canales conductores se encuentran en paralelo, entonces se

obtiene una resistencia específica común de ρ ≈ 100 [Ωcm] .
Esta mayor resistencia específica del canal de huecos resulta porque

durante el movimiento de los electrones no se llena cada hueco con un
electrón. Algunos electrones simplemente saltan el hueco más cercano.
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Semiconductores Dopados
Conductividad Extrínseca
La conductividad de un semiconductor puro depende de la temperatura y del

material semiconductor.
Sin embargo, independientemente dela influencia de la temperatura, se la

puede variar fuertemente por medio de la introducción de átomos extraños
en la malla cristalina.
Esta introducción de átomos extraños en la malla cristalina de los

semiconductores puros se denomina “dopaje”.
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Para el dopaje de cristales de silicio o germanio son apropiadas las

sustancias que tienen ya sea un electrón de valencia más o un electrón menos
que ellos.
Dado que el Si y el Ge se encuentran en el cuarto grupo de la Tabla

Periódica, los elementos apropiados son los del quinto grupo con cinco
electrones de valencia, o los elementos del tercer grupo con tres electrones
de valencia.
La conductividad de un semiconductor dopado depende del grado de dopaje.

La conductividad producida por el dopaje controlado se denomina
“conductividad extrínseca”. Esto determina la conductividad de todos los
materiales semiconductores dopados.
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Sin embargo, el dopaje de un cristal semiconductor puro no debe ser

excesivo ni deficiente. De otra forma podría ocurrir que la estructura
cristalina se adapte a los átomos extraños, con cinco o tres electrones de
valencia. En consecuencia la densidad de imperfección debe ser del orden de
1 : 106 , es decir, se permite máximo un átomo de impureza en 106 átomos
de Si o Ge.
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Semiconductor Tipo N
Cuando el material semiconductor puro es dopado con material pentavalente,

como el Fósforo, Arsénico o Antimonio, cuatro de los cinco electrones de
valencia pueden entrar en mutua unión con los átomos vecinos de Si o Ge .
El quinto electrón de valencia sel átomo extraño no encuentra una pareja y
sale con relativa facilidad de la unión con su propio átomo.
A temperatura ambiente, por cada átomo extraño se dispone de un electrón

libre para el transporte de carga.
Si se ha separado un electrón del átomo donante, queda una carga positiva

en su núcleo, éste trata nuevamente de capturar una electrón libre para que
el átomo obtenga el mismo número de electrones y protones. Bajo la
influencia de un campo eléctrico, los electrones libres viajan saltando de
hueco en hueco en dirección del polo positivo de la fuente de tensión.
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31 de 53
Como el transporte de carga dentro de un semiconductor dopado con

donadores se realiza por medio de electrones libres, a este semiconductor
se lo denomina “material conductor tipo N” o “Semiconductor Tipo N”.
La conductividad de un semiconductor tipo N se denomina “ conductividad de

electrones”.
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Modelo de banda de
energía y modelo de
bandas químicas de
semiconductores
dopados:
(a) donación de
electrones del nivel
donador a la banda de
conducción;
(b) aceptación de
electrones de la
banda de valencia por
un nivel aceptador,
resultando en la
creación de huecos.
33 de 53
Semiconductor Tipo P
Al dopar un material semiconductor puro con una sustancia trivalente, como

el Boro, Aluminio, Galio o Indio, un átomo semiconductor en la estructura
cristalina es reemplazado por un átomo de impureza. Como este átomo de
impureza tiene solo tres electrones de valencia, entonces falta un electrón
en la unión cristalina.
A causa del dopaje se ha formado un hueco o ión negativo. Sin embargo, este
hueco primario se llena nuevamente con un electrón que se libera de un
átomo vecino durante la formación térmica de un par. Por lo tanto, un nuevo
hueco denominado hueco secundario se forma en el átomo vecino, el cual es
nuevamente ocupado con un electrón de un átomo vecino.
De esta manera, y bajo la influencia de un campo eléctrico exterior, los

huecos viajan hacia el polo negativo de la fuente de tensión como cargas
elementales.
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35 de 53
En un semiconductor tipo P, las cargas elementales positivas se encargan del

transporte de carga. Por esto, a este material se le denomina como
“conductor tipo P” o “Semiconductor Tipo P”, y su conductividad como
“conductividad de huecos”.
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Modelo de banda de
energía y modelo de
bandas químicas de
semiconductores
dopados:
(a) donación de
electrones del nivel
donador a la banda de
conducción;
(b) aceptación de
electrones de la
banda de valencia por
un nivel aceptador,
resultando en la
creación de huecos.
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Juntura PN
Juntura PN sin Tensión Aplicada
La mayoría de los elementos semiconductores tienen una zona de material

puro tipo P así como de material puro tipo N. Inevitablemente se forma
una zona de transición entre ellas. Esta juntura PN tiene un especial
significado para el funcionamiento de los componentes.
Como consecuencia del movimiento térmico intrínseco de los átomos, los

portadores de carga libre también viajan cruzando el interfase de una
juntura PN. De este modo, los electrones del material dopado N alcanzan el
área tipo P, y los huecos del material dopado P alcanzan el área tipo N. A
este proceso se le denomina como “Difusión”.
38 de 53
Debido a que los electrones que vienen de la zona N encuentran suficientes

huecos libres en la zona P, y los huecos que vienen de la zona P encuentran
suficientes electrones libres, ocurren recombinaciones cerca del interfase
en ambas secciones del cristal. Los electrones que vienen del cristal tipo N
se unen con los huecos existentes en el cristal tipo P, y los huecos que vienen
del cristal tipo P se combinan con los electrones existentes en el cristal tipo
N.
39 de 53
Como consecuencia de esta difusión, en ambos lados del interfase se forma

una zona prácticamente libre de portadores de carga móviles. Esta por falta
de portadores de carga móviles, tiene una conductividad considerablemente
inferior a la de los materiales tipo P y tipo N adjuntos, y por esto se le
denomina “capa barrera”.
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Esta capa barrera tiene un espesor aproximado entre 1 y 5 [μm]. Todos
los procesos de difusión, recombinación y formación de la capa barrera que
han sido descritos, tienen lugar durante el proceso de fabricación de la
juntura PN.
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Los materiales semiconductores puros tanto tipo N como tipo P son

eléctricamente neutros, ya que, después de la introducción de átomos de
impureza dentro del material semiconductor puro aún existe el mismo
número de protones y electrones en la malla cristalina.
Pero durante el proceso de difusión, los portadores de carga negativa viajan

desde el cristal eléctricamente neutro tipo N hacia el cristal tipo P, que
previamente también era eléctricamente neutro. En consecuencia, alrededor
de la capa barrera, en el material tipo N faltan los electrones que provienen
de los átomos de impureza introducidos. En esta zona se produce por esto
una carga positiva.
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Por otro lado, los electrones que se han introducido en la parte dopada P de
la capa barrera llenan los huecos existentes que provienen de los átomos de
impureza. Por lo tanto, esta zona recibe una carga negativa.
Como consecuencia de este proceso, en ambos lados del interfase se produce

una carga espacial.
43 de 53
Sin embargo, la carga espacial producida por los procesos de difusión no

puede crecer sin límite. Cuanto más electrones de la capa N viajan hacia la
capa P, más crece la carga espacial negativa dentro de la capa P. Esta se
opone a la penetración de más electrones. Un proceso similar ocurre también
para los huecos que vienen del cristal tipo P como consecuencia del
incremento continuo de la carga espacial positiva en el cristal tipo N.
Tan pronto como llegan las cargas espaciales a un cierto valor, una mayor
difusión ya no es posible y ocurre un estado de equilibrio.
El valor de tensión en el cual cesa la difusión se denomina como “ tensión de

difusión VD”. Esta tensión en realidad debería llamarse “tensión de anti-
difusión”, porque evita una mayor difusión.
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El valor de la tensión de difusión producida depende esencialmente del

material semiconductor usado.
Para el Germanio : VD ≈ 0,2 a 0,4 [V]

Para el Silicio : VD ≈ 0,5 a 0,8 [V]
Los valores intermedios precisos de la tensión de difusión dentro de estos

dos rangos se determinan por medio del grado de dopaje así como de la
temperatura de la capa barrera.
45 de 53
Juntura PN con Polarización Directa
En la figura se ha conectado una fuente de tensión a un cristal

semiconductor con una juntura PN de modo que el polo negativo es
conectado con el material tipo N y el polo positivo con el material tipo P
( polarización directa ).
Bajo la influencia del campo

eléctrico producido en el
cristal semiconductor, tanto
los electrones libres
presentes en el semiconductor
tipo N como los huecos libres
tipo P viajan en la dirección de
la capa barrera.
46 de 53
Los huecos y electrones penetran en la zona libre de portadores de carga

producidos por la difusión antes de la aplicación de una tensión externa. Por
lo tanto la zona originalmente ancha disminuye.
Si la tensión exterior es lo
suficientemente grande, la
capa barrera se desintegra
casi completamente. De este
modo, la resistencia de la zona
también es pequeña, y la
corriente puede fluir a través
del cristal semiconductor
desde la fuente de tensión.
47 de 53
En la figura también se observa que, en operación directa, la tensión aplicada

es de polaridad opuesta a la tensión de difusión interna. Por lo tanto, una
corriente puede fluir a través de la juntura PN recién cuando la tensión de
difusión ha sido compensada por la tensión externa de polaridad opuesta. El
valor de tensión de la fuente de tensión necesario para este propósito es la
“tensión umbral“ VU . Esta tiene exactamente la misma magnitud que la
tensión de difusión, pero de polaridad opuesta.
Así como en la tensión de difusión, la magnitud de la tensión umbral depende

exactamente, del material semiconductor y de la temperatura de la capa de
barrera. La tensión umbral es :
Para el Germanio : VU ≈ 0,2 a 0,4 [V]

Para el Silicio : VU ≈ 0,5 a 0,8 [V]
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Juntura PN con Polarización Inversa
En la figura se ha conectado una fuente de tensión a un cristal

semiconductor con una juntura PN de modo que el polo negativo es
conectado con el material tipo P y el polo positivo con el material tipo N
( polarización inversa ).
Bajo la influencia del campo

eléctrico producido en el
cristal semiconductor, tanto
los electrones libres
tipo N como los huecos libres
tipo P viajan en la dirección
contraria a la de la capa
barrera.
49 de 53
Los portadores de carga libres existentes en el límite de la juntura PN

viajan alejándose del interfase. De este modo, el ancho de la zona libre de
portadores de carga aumenta. El flujo de corriente a través del cristal no es
posible porque la capa barrera, afecta a una gran resistencia, aumenta su
ancho debido a la falta de portadores de carga.
La tensión de la fuente no será

capaz de compensar la tensión
de umbral pues tienen la misma
polaridad.
50 de 53
Como resultado de las oscilaciones intrínsecas de origen térmico, en todo el

cristal se producen permanentemente pares de electrones-huecos, por lo
tanto también huecos móviles en la capa N así como electrones en la capa P.
Estos portadores de carga móviles se denominan “portadores minoritarios”.
Como resultado de la tensión aplicada, los electrones de la capa P y los
huecos de la capa N viajan como cargas minoritarias a través de la interfase
PN en dirección opuesta y producen una pequeña corriente denominada
“corriente inversa” IR . Esta depende fuertemente de la temperatura, a la
temperatura ambiente se tiene :
IR ≈ 10 a 500 [µA] para el Germanio

IR ≈ 10 a 500 [nA] para el Silicio
51 de 53
La tensión en una juntura PN operada en dirección inversa no debe ser una

magnitud arbitraria. Si se excede un cierto valor, el efecto de la fuerza del
campo eléctrico supera la fuerza de unión de los electrones de valencia.
Entonces fluye súbitamente una gran corriente, la cual, sino tiene límite,
causa la destrucción de la juntura PN.
52 de 53
FiN

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Electrónica

En la electrónica la conductividad eléctrica se adopta usualmente como un

Hoy en día se denominan como semiconductores a los materiales cuya

Los semiconductores son elementos o componentes que bajo condiciones

A diferencia de los gases nobles, todos los elementos tienen la tendencia de

Debido al alto grado de pureza del silicio y del germanio extremadamente

Para que las cuatro vacancias de electrones, de los átomos tetravalentes de

La representación cúbica de una malla cristalina es difícil de dibujar y no

Los electrones de las capas interiores totalmente ocupadas son omitidos ya

En la estructura atómica aislada existen niveles de energía discretos

Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo, mayor es el estado

Recuerde que la ionización

A 0°K ( -273°C ), todos los electrones de valencia de los materiales

Observe que para el aislante la banda de energía Eg es con frecuencia de 5[eV]

El conductor tiene electrones en la banda de conducción aún a 0°K. Por tanto, es

Si la estructura de la malla cristalina sin fallas se encuentra acero absoluto

Bajo las condiciones mencionadas, la conductividad de los materiales

Si a estos cristales semiconductores se les suministra energía en forma de

Por la razón anterior algunos de los electrones de valencia pueden saltar de

Si ahora se aplica una tensión al cristal, entonces es posible un flujo de

En el lugar donde un electrón de valencia ha saltado de su unión original

El surgimiento de un electrón libre y de un hueco se denomina como

Ante un constante suministro de energía se liberan electrones

En materiales semiconductores puros se liberan más electrones de valencia

Los materiales semiconductores, con referencia a su conductividad y

Cuando se aplica una tensión, en el cristal semiconductor se forma un campo

En su camino hacia allá,

La conductividad eléctrica de un semiconductor, producida como

La energía térmica produce movimientos aleatorios de los portadores de

En cada material semiconductor se dispone de electrones y huecos para el

Por ejemplo, a temperatura ambiente y en el caso del germanio el canal de

Como ambos canales conductores se encuentran en paralelo, entonces se

Esta mayor resistencia específica del canal de huecos resulta porque

La conductividad de un semiconductor puro depende de la temperatura y del

Sin embargo, independientemente dela influencia de la temperatura, se la

Esta introducción de átomos extraños en la malla cristalina de los

Para el dopaje de cristales de silicio o germanio son apropiadas las

Dado que el Si y el Ge se encuentran en el cuarto grupo de la Tabla

La conductividad de un semiconductor dopado depende del grado de dopaje.

Sin embargo, el dopaje de un cristal semiconductor puro no debe ser

Cuando el material semiconductor puro es dopado con material pentavalente,

A temperatura ambiente, por cada átomo extraño se dispone de un electrón

Si se ha separado un electrón del átomo donante, queda una carga positiva

Como el transporte de carga dentro de un semiconductor dopado con

La conductividad de un semiconductor tipo N se denomina “ conductividad de

Al dopar un material semiconductor puro con una sustancia trivalente, como

De esta manera, y bajo la influencia de un campo eléctrico exterior, los

En un semiconductor tipo P, las cargas elementales positivas se encargan del

La mayoría de los elementos semiconductores tienen una zona de material

Como consecuencia del movimiento térmico intrínseco de los átomos, los

Debido a que los electrones que vienen de la zona N encuentran suficientes

Como consecuencia de esta difusión, en ambos lados del interfase se forma

Los materiales semiconductores puros tanto tipo N como tipo P son

Pero durante el proceso de difusión, los portadores de carga negativa viajan

Como consecuencia de este proceso, en ambos lados del interfase se produce

Sin embargo, la carga espacial producida por los procesos de difusión no

El valor de tensión en el cual cesa la difusión se denomina como “ tensión de

El valor de la tensión de difusión producida depende esencialmente del

Para el Germanio : VD ≈ 0,2 a 0,4 [V]

Los valores intermedios precisos de la tensión de difusión dentro de estos

Juntura PN con Polarización Directa

En la figura se ha conectado una fuente de tensión a un cristal

Bajo la influencia del campo