La conductividad del silicio se aumenta añadiendo una pequeña cantidad (del orden de 1 a

108) de átomos pentavalentes (antimonio, fósforo o arsénico) o trivalentes

(boro, galio, indio). Este proceso se conoce como dopaje y los semiconductores
resultantes se conocen como semiconductores dopados o extrínsecos. Aparte del dopaje,
la conductividad de un semiconductor puede mejorarse aumentando su temperatura. Esto
es contrario al comportamiento de un metal en el que la conductividad disminuye con el
aumento de la temperatura.
La comprensión moderna de las propiedades de un semiconductor se basa en la física
cuántica para explicar el movimiento de los portadores de carga en una red cristalina.3El
dopaje aumenta en gran medida el número de portadores de carga dentro del cristal.
Cuando un semiconductor dopado contiene huecos libres se denomina tipo p, y cuando
contiene electrones libres se conoce como tipo n. Los materiales semiconductores
utilizados en los dispositivos electrónicos se dopan en condiciones precisas para controlar
la concentración y las regiones de los dopantes de tipo p y n. Un solo cristal de dispositivo
semiconductor puede tener muchas regiones de tipo p y n; las uniones p-n entre estas
regiones son las responsables del comportamiento electrónico útil. Utilizando una sonda
de punto caliente, se puede determinar rápidamente si una muestra de semiconductor es
de tipo p o n.4
Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores se observaron a mediados
del siglo XIX y en las primeras décadas del siglo XX. La primera aplicación práctica de los
semiconductores en electrónica fue el desarrollo en 1904 del detector de bigotes de gato,
un primitivo diodo semiconductor utilizado en los primeros receptores de radio. Los
avances de la física cuántica condujeron a su vez a la invención del transistor en 1947,5
el circuito integrado en 1958 y el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-
semiconductor) en 1959.