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Transistores Potencia BJT MOSFET IGBT
Transistores Potencia BJT MOSFET IGBT
, de donde
Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el
condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso
de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de ser
menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en
saturación el transistor
Figura: Capacitor de potencia Figura: Inductor de potencia
(de alambre bobinado)
Problema: El circuito de emisor común que se muestra en la figura se
polariza a VCC= 24V. La potencia máxima del transistor es PDmax= 20W
y la ganancia de corriente es β= 80. Determine:
a) RL y RB tales que la potencia máxima se entregue a la carga RL.
b) Encuentre el valor de Vp para la señal de entrada que entrega la
potencia máxima.
C
a) PQ(máx.) = ICQ . VCC/2
ICQ= 2 PQ(máx..)/ Vcc = 2(20)/24 = 1.67 A
RL= (VCC – (VCC/2))/ICQ = (24V – 12V)/1.67 A = 7.2 Ω
IB= ICQ/β = 1.67 A/80 = 20.8 mA
RB= (24V – 0.7V)/20.8 mA= 1.12 K Ω
Ahora se usan tanto como los BJT y de hecho los están remplazando en
muchas aplicaciones, en especial aquellas en las que son importantes las
velocidades de conmutación altas.
Los MOSFET operan con base en mecanismos físicos diferentes a los de
los BJT, y es esencial comprender bien estas diferencias para utilizar de
modo eficaz tanto los BJT como los MOSFET.
que es una manera conveniente de delinear el límite entre las dos zonas,
como en la figura 22-4a.
Figura 22-4 Características de corriente-tensión de un
MOSFET de modo de intensificación de canal n: a) salida
(características de iD-vDS); b) curva de transferencia
Los MOSFET del nivel lógico siguen razonablemente bien la relación que
expresa la ecuación 22-2. Sin embargo, un dibujo de iD versus vGS (con el
MOSFET en la zona activa) en la figura 22-4b, por lo general denominada
curva de transferencia, muestra que a esta ecuación sólo se observa en
valores bajos de la corriente de drenaje en los MOSFET de potencia. En
general, la curva de transferencia de un MOSFET de potencia es muy
lineal, en contraste con la curva de transferencia parabólica del
dispositivo de nivel lógico.
Los MOSFET no tienen los problemas de fenómenos de segunda
avalancha, como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas
de descarga electrostática y requieren cuidados especiales en su manejo.
Además, es relativamente difícil protegerlos en condiciones de falla por
cortocircuito.
(4.37)
b) i) VDD= 80V
Máxima potencia a : VDS= VDD/2 = 40V
ID= Pt/VDS= 25W/40V = 0.625 A
RD= (80V – 40V)/ 0.625 A = 64 Ω
IGBT lento:
IGBT rápido:
IGBT rápido:
Así concluimos que a 5 kHz el IGBT lento es superior, dando unas pérdidas
más pequeñas (98W), mientras que el IGBT rápido da unas pérdidas
mayores (109W). Según vamos aumentando la frecuencia, vemos que el
IGBT lento comienza a darnos unas pérdidas mayores (148 W) frente a las
pérdidas del IGBT rápido (134 W).