METODOLOGIA CULTIVO DUAL descrita por Bashan et.

al (1)

I)

CONTROL

VIAL BHI C.BHI PDA

*Del cepario reactivamos a caldo BHI la cepa; luego de un día de incubación lo

sembramos en placa con PDA para evaluar el crecimiento de la cepa bacteriana en este
medio por diseminación.

II) III)

Incubar por 24hrs a

150RPM a 30°C
Tubo con el hongo
fitopatógeno

Se ajusta la concentración celular

a 108 cel.m L−1 tomando como
referencia al Tubo 0.5 de la escala
Mc Farland

PDA Se inocula superficialmente por

Incubar por 7 días
diseminación
30°±1°C

PDA IV) 100uL

PDA

Placa Petri con el hongo

con crecimiento de
V) En simultáneo con el paso IV, se extrae otro fragmento del hongo en otra placa con
PDA sin la cepa bacteriana preparada previamente para nuestro control (negativo).
VI) La actividad antagónica de los aislados se determinó a través de la medición del
diámetro del crecimiento del hongo fitopatógeno en presencia del antagonista bacteriano
a los 7-11 días.
CONTROL HONGO CONTROL BACTERIA RESULTADO ESPERADO

VII) Con las medidas obtenidas, se procedio al calculo del porcentaje de inhibición
mediante la siguiente ecuacion.(2)
Porcentaje de inhibicion: ((DCC-DCP)/DCC) x100
Donde:
DCC: Diametro de la colonia (control negativo)
DCP: Diametro de la colonia del hongo en interaccion con las bacterias.
Referencias:
(1) Bashan Y.Holguin G, Ferrera-Cerrato,R.Interacciones entre plantas y microorganismos
beneficos.Terra.1996; 14(2): 159-192
(2) Chairharn M, Chunhaleu Chanon S, Lum Yong,S. Screening siderophore producing
bacteria as potential biological control agent of fungal rice pathogens in Thailand.World
J.Microbial Biotechnol.2009; 25: 1919-192
METODOLOGIA descrita por Benítez (2007)

I) CONTROL

VIAL BHI C.BHI BHI

*Del cepario reactivamos a caldo BHI la cepa; luego de un día de incubación lo
sembramos en placa con BHI para evaluar el crecimiento de la cepa bacteriana en este
medio por estriado en línea.

II)

Tubo con el hongo PDA Incubar por 4 días PDA

fitopatógeno
30°±1°C

III)

C1 C1

C3

C2 C3
C2

C4
C4
Sembrar las bacterias en lineas paraleas por estriado a 1cm del borde de la placa.

IV) Enfrentamiento

Hongo con 4 días Se extrae 2 pedazos de

agar con el hongo con
De crecimiento ayuda de un tubo estéril
de 0.5cm de diámetro
 Se coloca un explante del
Se coloca un explante del
hongo en PDA para el control
hongo en PDA para el control
del hongo en el medio
del hongo en el medio

Incubar a T°Amb hasta

observar algún efecto sobre
el crecimiento del hongo
fitopatógeno

 Se hace lectura cada 24hr comparando el

crecimiento del hongo en control y la placa que contiene el hongo y las bacterias.
V) Con las medidas obtenidas, se procedio al calculo del porcentaje de inhibición
mediante la siguiente ecuacion.(2)
Porcentaje de inhibicion: ((DCC-DCP)/DCC) x100
Donde:

 DCC: Diametro de la colonia (control negativo)

 DCP: Diametro de la colonia del hongo en interaccion con las bacterias
Referencia: J.M.Mendez-Ubeda, M.S. Flores Hernandez, L.A Páramo-Aguilera
Aislamiento e identificacion de Bacillus subtilis y evaluacion del antagonismo in vitro frente
Hongos fitopatogenos
METODOLOGIA MODIFICADA APLICADA EN EL LABORATORIO DE MICROBIOLOGIA
INDUSTRIAL

I)

VIAL BHI C.BHI BHI

*Del cepario reactivamos a caldo BHI la cepa; luego de un día de incubación lo
sembramos en placa con BHI para evaluar el crecimiento de la cepa bacteriana en este
medio por estriado en línea.

II)

Tubo con el hongo PDA PDA

Incubar por 4 días
fitopatógeno
30°±1°C

Se siembra en 5 puntos o 6 en la placa para obtener los anillos fungicos

III) Extracción de los anillos fungicos

Hongo con 4 días Se extrae 2 pedazos de

agar con el hongo con
De crecimiento ayuda de un tubo estéril
de 0.5cm de diámetro

Se coloca un explante del

Se coloca un explante del hongo en PDA para el control
hongo en PDA para el control del hongo en el medio
  Se hace lectura cada 24hr comparando el crecimiento del hongo en control y la
placa que contiene el hongo y las bacterias.

IV) Enfrentamiento
C1
 C1
C3

C2 C3

C2 C4

C4

 Sembrar las bacterias en lineas concentricas al centro por moteado a una distancia
equivalente respecto al centro de la placa.