DIRECCIÓN ZONAL

LIMA-CALLAO

FORMACIÓN PROFESIONAL DUAL

CFP/UCP/ESCUELA: ETI SENATI

ESTUDIANTE: Manuel Alberto Quispe Asin _________________________________

ID: 001457020 ___ ________ BLOQUE: __________304_________________________

CARRERA: Soporte y mantenimiento de equipos de computación ______________

INSTRUCTOR: Pavel Ylianov Palomino Vera _______________________________

SEMESTRE: III __________________ DEL: 13 de Marzo AL: 31 de Julio ________

¿QUE ES UN FOTODIODO AVALANCHA?
Un fotodiodo avalancha es un tipo de fotodetector que funciona en base al efecto
avalancha. Este efecto se produce cuando los electrones que son generados por la
absorción de la luz en el material del fotodiodo adquieren suficiente energía para
generar nuevos electrones al chocar con los átomos del material. De esta manera, se
crea una avalancha de electrones que amplifica la señal original generada por la luz.

El fotodiodo avalancha se utiliza en aplicaciones que requieren una alta sensibilidad y

un bajo nivel de ruido, como en la detección de señales ópticas débiles. La ganancia de
la avalancha permite detectar señales muy débiles con una alta relación señal/ruido.

Una de las desventajas del fotodiodo avalancha es que requiere una polarización
inversa alta y estable para su correcto funcionamiento, lo que puede resultar en un
consumo de energía elevado. Además, la amplificación de la señal también puede
llevar a una mayor sensibilidad a los efectos de ruido eléctrico externo.
Un modelo de fotodiodo de avalancha es el APD (fotodiodo de avalancha) de silicio de
la serie C30902SH.
El APD de la serie C30902SH tiene una alta ganancia y una respuesta de alta
velocidad, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en fotometría, espectroscopía y
otras áreas de detección de luz de alta sensibilidad. Además, tiene un tamaño
compacto y una carcasa de metal que proporciona protección contra interferencias
electromagnéticas externas.
.

Datos técnicos:
Modelo: C30902SH
Área activa: 0,2 mm²
Diámetro activo: 0,5 mm
Tensión disruptiva: típ. 225 V
Capacitancia: típ. 1,5 pF
Coeficiente de temperatura: típ. 0,7 V/°C
Corriente oscura: 1 nA
Ruido oscuro: 0,02 pA/√Hz
Potencia equivalente de ruido: 0,15 fW/√Hz
Respuesta típica: 135 A/W a 800 nm
Ganancia recomendada: 250
Paquete: TO-66, contorno de brida