Universidad Nacional de Asunción

Facultad de Ingeniería
Campus UNA – San Lorenzo - Paraguay

15/03/2023
INGENIERÍA MECATRONICA:
Física de Semiconductores - 1º Parcial

Duración: 90 min
Puntaje total: 24 Puntos
Alumno: ………………………………………….
Tema 1: (3P)

¿En un diodo qué valores del voltaje de polarización se obtiene a) ID=9 Is? b) ID=-0.9 Is? Suponga
T=300K y el Diodo es de Ge.

Tema 2: (3P)

El nivel de Fermi para el cobre es de 7,0 eV a 300 ºK. Los electrones en el cobre siguen la función
distribución de Fermi – Dirac.
(a) Encuentre la probabilidad de que un nivel de energía de 7,15 eV esté ocupado por un electrón.
(b) Repita el cálculo del ítem (a) para una temperatura de 1.000 ºK, suponiendo que el nivel de Fermi
se mantuvo constante.
(c) Repita el cálculo del ítem (a) para una temperatura de 300 ºK, y un nivel de energía de 6,85 eV.
(d) Calcule la probabilidad de que un nivel de energía igual al nivel de Fermi esté ocupado, tanto
para una temperatura de 300 ºK como para una temperatura de 1.000 ºK.
Tema 3: (3P)

Un semiconductor tiene Nc= 1019 𝑐𝑚−3 , Nv= 5 ∗ 1018 𝑐𝑚−3 y Eg=2 eV. Si es dopado con 1017 𝑐𝑚−3 atomos
donadores. A) Calcule a concentración de huecos, electrones y la concentración intrínseca a 627 º C. B) Realice un
diagrama de niveles indicando la posición de 𝐸𝐹 . C) Se dispone de fósforo, bismuto, boro, galio y arsénico; ¿con cuál de
estos elementos debió impurificarse la muestra?; justifique.

Tema 4: (4P)
Diseñar el circuito de la figura para proveer un voltaje de salida de 2.4V. Asuma que los diodos
disponibles son de Germanio y tienen una tensión igual a 0.7 V cuando la corriente en directa
es de 1 mA. Trabajar a temperatura ambiente. Utilizar la aproximación
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑒 𝑛∗𝑉𝑇 .
 0.7
1 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑒 1∗0.025 → 𝐼𝑆 = 6,9144 ∗ 10−13 𝑚𝐴

2,4
𝑉𝑂 = 3 ∗ 𝑉𝐷 → 𝑉𝐷 = = 0.8[𝑉]
3

0.8
−13
𝐼𝐷 = 6,9144 ∗ 10 ∗ 𝑒 1∗0.025 = 54,598 [𝑚𝐴]

10 − 2.4
10 − 𝑉𝑂 = 𝑅 ∗ 𝐼𝐷 → 𝑅 = = 0.139 [𝐾Ω]
54,598

Tema 5: (4P)

Completar la siguiente tabla teniendo en cuenta el circuito de la figura.

VA VB VC ¿Estado del diodo?

0 0
0 5
5 0
5 5

CASO 1: D1 y D2( OFF)

𝑉𝐴1 − 𝑉𝐶1 < 0.7 ; 𝑉𝐴2 − 𝑉𝐶2 < 0.7

0 − 0 < 0.7 ; 0 − 0 < 0.7
0 < 0.7 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒 ; 0 < 0.7 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒
𝑉𝐶 = 0[𝑉]

CASO 2: D1 (OFF) y D2 (ON)

Para D1: 𝑉𝐴1 − 𝑉𝐶1 < 0.7

0 − 5 < 0.7
−5 < 0.7 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒
Para D2: 𝐼𝐷2 > 0
−5 + 0,7 + 1 ∗ 𝐼𝐷2 = 0 → 𝐼𝐷2 = 4,3[𝑚𝐴]
4,3 > 0 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒
𝑉𝐶 = 5 − 0.7 = 4,3[𝑉]

CASO 3: D1 (ON) y D2 (OFF)

Para D2: 𝑉𝐴2 − 𝑉𝐶2 < 0.7

0 − 5 < 0.7
−5 < 0.7 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒
Para D1: 𝐼𝐷1 > 0
−5 + 0,7 + 1 ∗ 𝐼𝐷1 = 0 → 𝐼𝐷2 = 4,3[𝑚𝐴]
4,3 > 0 → 𝐶𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒
𝑉𝐶 = 5 − 0.7 = 4,3[𝑉]
CASO 4: D1 (ON) y D2 (ON)

𝐼𝐷1 > 0 ; 𝐼𝐷2 > 0

𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷2 = 4.3[𝑚𝐴] → (1)

𝐶𝑜𝑚𝑜 𝑎𝑚𝑏𝑜𝑠 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜𝑠 𝑠𝑜𝑛 𝑖𝑑é𝑛𝑡𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑦 𝑡𝑖𝑒𝑛𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑚𝑖𝑠𝑚𝑎 𝑑𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙, 𝑙𝑎𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑏𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟 𝑖𝑔𝑢𝑎𝑙𝑒𝑠.

𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 → 𝑒𝑛 (1 )

𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷1 = 4.3[𝑚𝐴] → 2 ∗ 𝐼𝐷1 = 4.3 → 𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = 2,15[𝑚𝐴]

𝐼𝐷1 > 0 𝑒 𝐼𝐷2 > 0 → 𝐴𝑚𝑏𝑎𝑠 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑖𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑠𝑒 𝑐𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒𝑛. 𝐴𝑚𝑏𝑜𝑠 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜𝑠 𝑠𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑢𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑛 𝑒𝑛 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎.

𝑉𝐶 = 4,3[𝑉]