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Docente
Álvaro Andrés Velázquez Torres
Alejandro Marulanda Tobón
En este orden de ideas, el presente informe tiene como objetivo dar a conocer
el estado de avance del proyecto de forma detallada, hasta la semana 12 del
semestre 2023-1 en curso.
2. ESTADO DE AVANCE
En esta sección del presente informe se comparte el estado de avance del
dispositivo en desarrollo y de las actividades planteadas. Aquí se tienen las
fechas de entrega. Se muestra el cronograma propuesto del proyecto, de forma
que se pueda comparar los porcentajes desarrollados de cada actividad con el
progreso que el proyecto tiene en el momento actual.
Tabla 1. Calendario de Actividades del Proyecto
Semana
Etapa Macro Actividades
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Bibliografía
Investigativa
Investigación
Metodología
Requerimientos de
Usuario
Desarrollo Primer Informe
Entrega Primer Informe
Desarrollo matemático
Modelo
Matemático
Simulación
Análisis Computacional
Sistema de Sellado
Modelación
CAD Sistema Electrónico
Modelado Final
Diseño
Compra de Materiales
Simulaciones en
Multisim
Construcción Fuente de
Alto Voltaje
Sistema
Electrónico Unión con
Preamplificador
Unión con Amplificador
CR-200
Mecanizado
Sistemas en conjunto
Construcción Ensamble
Montaje Circuitos
Electrónicos
Pruebas de Vacío
Pruebas
Preliminares Purga e Inyección de
Gases
Realización Segundo Informe
Entrega Segundo Informe
Ajustes
Pruebas Estética de Planta
Validación del Modelo
Matemático
Pruebas y Análisis
Entrega Preliminar
Preparación
Presentación
Presentación
Elaboración de los
Presentación de Planos
Proyecto
Manual de Usuario
Realización Informe
Final
Entrega Informe Final
Tabla 2. Estado de Avance de la sección
Investigación Metodología 70
Requerimientos de
Usuario 100
Desarrollo Primer Informe 100
Entrega Primer Informe 100
Desarrollo
matemático 100
Modelo
Simulación 100
Matemático
Análisis
Computacional 100
Se espera a recibir las tapas por
Sistema de Sellado
80 parte del equipo del Torno Numérico
Modelación
CAD Sistema Electrónico 100
Modelado Final 100
Diseño
dn
=α dx
n
ax
n ( x )=n( 0)e
⃗ V
E ( r )=
rln ( ab )
Donde V es el voltaje aplicado al ánodo, a es el radio del ánodo y b es el radio
interno del cátodo (cilindro externo).
E (rc )
−V α ( E) dE
ln ( M )= ∫
rln
a
b () E (a)
E E
Los extremos de la integral están dados por E(r c ) y E( a) que son el campo
eléctrico en el radio crítico para llegar al umbral requerido y el campo eléctrico
en función del radio del ánodo, respectivamente. A priori, esta integral no tiene
forma exacta, pero bajo la suposición de linealidad de ⃗
E ( r ) y α , y la adición de
una constante β , se llega a la siguiente ecuación que expresa el logaritmo
natural del factor multiplicativo del detector en términos de su geometría.
( )
Vβ V V
ln ( M )= ln −ln
()
rln
a
b
aln ( ab ) r c ln ( ab )
Finalmente, reemplazando por la constante β propuesta por Diethorn [6][5] y
⃗
E (r )
suponiendo K como el valor mínimo de bajo el cual no puede ocurrir la
p
multiplicación, se obtiene la siguiente ecuación que, al igual que la anterior
describe el logaritmo natural del factor multiplicativo de en función de los radios
a , b y el V aplicado, adiciona cualidades del gas tales como el potencial de
ionización ∆ V y la presión p.
( )
V ln 2 V
ln ( M )= ln −ln K
()
r ln
a ∆V
b
p a ln
a
b ()
De la anterior expresión se logró determinar que para que exista una relación
proporcional entre los iones iniciales y los finales, el factor multiplicativo M
debe estar entre 104 y 105 .
En la figura 2. Se
muestra la gráfica de
la función de
transmisión de
radiación en un
material, donde se
tomó la intensidad de
la radiación
Figura 2. Tramitancia de radiación a 10keV sobre una
transmitida pasante masa de aluminio.
(−50)
como 10 veces la intensidad de la radiación incidente, teniendo como
material aluminio 6061 (aleación de aluminio, manganeso y silicio). De qui se
obtuvo que el grosor de la carcasa de aluminio tenía que ser aproximadamente
de 1.72 cm.
4. IMPLEMENTACIONES REALIZADAS
En esta sección se muestra en detalle las implementaciones realizadas hasta el
momento según los ítems propuestos como requisitos para el segundo informe
de avance. Dado esto, se describen el estado en el desarrollo del detector, l
electrónica correspondiente, sus caracterizaciones y las simulaciones
realizadas para comprobar su funcionamiento.
4.1. DETECTOR
4.1.1 Modelación en CAD del detector y su construcción
A continuación, se ilustran los avances del detector físico, presentando los
componentes de la modelación en CAD elaborados en el software SolidWorks.
También, se presenta la planta física, y se compara con el bosquejo inicial en el
siguiente ítem.
4.1.1.1 Comparación de la planta actual con el bosquejo inicial
Construcción
La construcción y manufactura del detector de radiación implica como elemento
fundamental el maquinado de las piezas, para este efecto se compró un eje de
aluminio de 200 mm de largo y 8 pulgadas de ancho, este eje se llevó a un
proceso de mecanizacion en un torno de control numérico. Los elementos
principales que componen la planta se pueden visualizar en la figura 5.
Figura 7. Tapa de
Nylon
Para el sellado de la cámara cilíndrica del detector, se
escogió un sistema con 2 O’rings W178 en 2 niveles por
cada lado, con espacios cuadrados que cubren el 60% de
cada junta tórica para así permitir la deformación de las
mismas al ejercer una cierta presión sobre las tapas,
asegurando un buen sellado de la cámara interior.
Figura 8.Cilindro y
4.2.3. Ventana de Radiación
O'rings.
Para la ventana de incidencia de la radicaion, se optó por un sistema
desmontable donde es posible cambiar la ventanilla
desacoplándola y acoplando una nueva a la carcasa
principal del detector. Esto se hizo con el fin de permitir
hacer pruebas con ventanas de distintos materiales y
grosores.
Figura 9.
4.2. ELECTRÓNICA Ventanilla
desmontable
Hay dos partes principales para tener en cuenta en la
electrónica: la de potencia (fuente de alto voltaje) y la alimentación a los
circuitos amplificadores. Ambas fuentes requieren un trabajo independiente en
la medida de lo posible ya que tienen funciones distintas que pueden afectar su
funcionamiento mutuo
5. SIMULACIONES Y CARACTERIZACIONES
5.1 SIMULACION FUENTES DUALES
Es evidente
entonces que la
fuente dual arroja
dos salidas de
voltaje, una con un
valor de 12.451 V y
otra de -12.598 V,
además de la tierra.
En la simulación
dichos valores son Figura 13. Simulación fuente dual 12V y 9V
cercanos a lo ideal (12V). Sin embargo, la fuente dual elaborada arroja salidas
de 12.02 V± 0,01V y -12.07V± 0,01V , los cuales no son valores muy alejados
del esperado, es decir se tiene una fuente dual de 12 V adecuada para el
detector.
Por otro lado, la fuente Dual de 9 V arroja dos salidas de voltaje, una con un
valor de 9.588 V y otra de -9.610 V, además de la tierra. En la simulación
dichos valores son cercanos a lo ideal (9V). Sin embargo, la fuente dual
elaborada arroja salidas de 9.170V ± 0,001V y -9.140V± 0,01V , los cuales no
son valores muy alejados del esperado, es decir se tiene una fuente dual de 9V
adecuada para el amplificador.
a disposición del usuario cual usar. Figura 17. Promedio de la transmitancia de cada
material
7. CONCLUSIONES
Se evidencia que la investigación preliminar marca un punto significativo
al momento de plantear un plan de trabajo y realizar prototipos, ya que a
partir de ella se estableció acertadamente las fechas de cumplimiento en
él y la definición de aspectos relevantes sobre el modelado de la planta.
El proceso de diseño para el caso aplicado debe hacerse de manera
robusta y de forma iterativa para evitar pérdidas económicas dada la
metodología en la manufactura de la planta.
Respecto a la electrónica usada se logra un avance significativo. Ya que
verificar la salida de alto voltaje, el estado de conmutación del transistor
y la compuerta que llega a la señal generada por el PWM.
Se construyó una fuente de voltaje variable con capacidad para entregar
desde 0.672 hasta 24.48 V, sin embargo, en algunas ocasiones las
medidas del voltaje variable podían verse alteradas por la gran cantidad
de ruido en el sistema, la mayoría proveniente del flyback. Para la futura
construcción de fuentes y circuitos con altos niveles de ruido deberá
tenerse en cuenta qué material se usa para la unión de cables, pues no
todos cuentan con buen aislamiento.
8. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] “Proportional counter” model 454x. accessed.
https://interactivavirtual.eafit.edu.co/d2l/le/content/52914/viewContent/245810/
View . [Accedido 02/02/2023]
[2] "Fundamentos del Control", notas de clase Proyecto Instrumental 1,
Marulanda T. Alejandro, Departamento de ciencias Físicas, Universidad EAFIT,
2022-1. [Accedido 30/01/2023]
[3] Martín Jesús Soberón Mobarak, “No Title,” ESPECTROSCOPIA
MÖSSBAUER - PRINCIPIOS Y APLICACIONES, 2009. Disponible en:
http://www.quimicanuclear.org/pdf_memorias2006/simposio/JESUS_SOB
ERON.pdf. [Accessed:10/03/2023]
[6] G. F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, 3 a ed. Wiley India Pvt.
Ltd., 2009. Capítulos 4,5 y 6 [Accedido 15/022023-1]
[8] MATT, Using an I2C OLED Display Module with the Raspberry Pi,
Raspberry PI, APRIL 8, 2018. [En Linea]. Disponible en:
https://www.raspberrypi-spy.co.uk/2018/04/i2c-oled-display-module-with-
raspberry-pi/. [Acceded 20/02/2023]