Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA ETN 821
GENERADOR DE CARACTERES Y
REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO
FF FF
Q A D
Vcc C Vcc Q F
T T
CLK B CLK E
Memoria
Semiconductora
2.3. Utilice una RAM y prevea lo necesario para poder grabar caracteres
de formato 5*5 y una columna de espacio entre caracteres de la
matriz de puntos.
2.4. Añada los circuitos integrados requeridos para que la lectura de
caracteres en la matriz de puntos se produzca de manera
automática y repetitiva. .
SISTEMAS DIGITALES II ETN-821
DOCENTE: ING. JORGE LEON GOMEZ
UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES EXPERIENCIA # 1
FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA ETN 821
2.5. Mediante un algoritmo (flujo grama), describa los procesos de
lectura y escritura de la memoria semiconductora que se utilizara en
la práctica.
2.6. Consultando los manuales de Memoria y Circuitos Integrados, dibuje
el Layout de los circuitos a implementarse, con las especificaciones
de los circuitos a utilizarse.
3.1. Arme los circuitos del punto 2.1 observe y registre las formas de
onda en los puntos indicados: A, B, C, D, E, F (con referencia al
clock) a frecuencias de 1 Khz, 100 Khz, 2 Mhz, 5Mhz. (o utilizar
un clock manual libre de rebotes si no tiene acceso a los
instrumentos; considere 8 periodos de clock).
3.2. Arme el circuito Generador de Caracteres diseñado en el
preinforme. Dibuje los diagramas de tiempo de las señales más
importantes.
3.3. Grabar en la memoria los caracteres del nombre más largo de un
miembro del Grupo haciendo que estos pasen de manera cíclica y
repetitiva.
3.4. Efectué las modificaciones y mejoras necesarias que garanticen un
buen funcionamiento de los circuitos de laboratorio.
3.5. Una vez que el circuito funcione correctamente, llenar la hoja de
auto evaluación.
4. INFORME FINAL:
4.1. Objetivo.
4.2. Fundamento teórico.
4.3. Realice la justificación de las mejoras y modificaciones introducidas
en los circuitos originales.
4.4. Analogías de los circuitos armados con otros dispositivos (Ejemplo:
describa con detalle el funcionamiento de los distintos letreros
luminosos, que existen comercialmente)
4.5. Diagrama de tiempos (manual) de los ciclos de lectura y escritura
del circuito integrado de la memoria utilizada, con una explicación
completa de todos los paramentos que intervienen.
Adicionalmente, determinar la máxima frecuencia de lectura y
escritura de la memoria elegida.
4.6. Representar en Wavedrom los diagramas de tiempo del punto 3.1.
Proponer una solución para la distorsión que se produce en
alta frecuencia.
4.7. Representar en Wavedrom los diagramas de tiempo del punto 3.2.
4.8. Enumere y describa los tipos de memoria (por ejemplo: LIFO, FIFO
de alta capacidad)
4.9. Conclusiones.